JP2753248B2 - 電気伝導性複合酸化物の結晶製造方法 - Google Patents
電気伝導性複合酸化物の結晶製造方法Info
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 96
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical group [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 49
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 49
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 claims description 28
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 22
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 16
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 5
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 5
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical class [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- GFHFDGDZKAYMPS-UHFFFAOYSA-K potassium;nickel(2+);trifluoride Chemical group [F-].[F-].[F-].[K+].[Ni+2] GFHFDGDZKAYMPS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y02E40/64—
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は銅イオンを持つ電気伝導性複合酸化物の結晶
製造方法に関する。
製造方法に関する。
[従来の技術] アルカリ土類元素(M)を含むランタンの三二酸化物
と銅(Cu)イオンとからなる組成(La1-XMX)2CuO4(M
=Sr,Ba,Ca)の複合酸化物はニッケル弗化カリウム(K2
NiF4)型結晶構造であらわされる。これは正方晶系(空
間群:D4n−I4/mmm)に属する結晶であり、岩塩構造のも
のとペロブスカイト型構造のものが層状に積み重なった
複合構造になっている。一方、アルカリ土類元素(M)
を含む希土類元素の三二酸化物と銅(Cu)イオンとから
なるY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の複合酸化物は
ペロブカイト型類似結晶構造であらわされる。
と銅(Cu)イオンとからなる組成(La1-XMX)2CuO4(M
=Sr,Ba,Ca)の複合酸化物はニッケル弗化カリウム(K2
NiF4)型結晶構造であらわされる。これは正方晶系(空
間群:D4n−I4/mmm)に属する結晶であり、岩塩構造のも
のとペロブスカイト型構造のものが層状に積み重なった
複合構造になっている。一方、アルカリ土類元素(M)
を含む希土類元素の三二酸化物と銅(Cu)イオンとから
なるY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の複合酸化物は
ペロブカイト型類似結晶構造であらわされる。
希土類元素は両構造の間でイオン・スペーサーとなっ
ていて銅イオンは酸素八面体の中にある。したがって、
この構造のためにC軸の方向とC軸に垂直な面内とでは
電気伝導や電子放出などの特性が異なり、すなわち異方
性が出てくる。最近、ランタンの一部をバリウムやスト
ロンチウムのようなアルカリ土類金属の微量で置換した
複合酸化物は、30〜40Kかそれ以上の温度で超伝導性を
示し、高い臨界温度の超伝導体であることが明らかにな
った。この種の超伝導体はC軸とそれに垂直な方向では
超伝導のコヒーレンス長さは約10倍異なっている。また
この複合酸化物は、仕事関数を小さくできる単原子層を
酸化原子と結合して表面に形成することのできるバリウ
ムやストロンチウムを構成元素Mに含むことができるの
で、電子放出材料としても優れている。
ていて銅イオンは酸素八面体の中にある。したがって、
この構造のためにC軸の方向とC軸に垂直な面内とでは
電気伝導や電子放出などの特性が異なり、すなわち異方
性が出てくる。最近、ランタンの一部をバリウムやスト
ロンチウムのようなアルカリ土類金属の微量で置換した
複合酸化物は、30〜40Kかそれ以上の温度で超伝導性を
示し、高い臨界温度の超伝導体であることが明らかにな
った。この種の超伝導体はC軸とそれに垂直な方向では
超伝導のコヒーレンス長さは約10倍異なっている。また
この複合酸化物は、仕事関数を小さくできる単原子層を
酸化原子と結合して表面に形成することのできるバリウ
ムやストロンチウムを構成元素Mに含むことができるの
で、電子放出材料としても優れている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記物質は、仕事関数を小さくできる
単原子層がC軸方向に積層されるため異方性を有する。
従って、この複合酸化物を超伝導応用や電子放出用の電
気伝導材料として実用に供するためにはこの複合酸化物
の単結晶が必要である。この複合酸化物は、たとえば、
La2O3,Y2O3やCuO,BaOあるいはSrOのように構成されてい
て、しかも融点の近くに加熱すると混合相になり易い、
したがって高温で溶解する結晶引き上げ法では良質な単
結晶は得られない。このような事情から、従来、実用に
供しうるような複合単結晶の製造方法はほとんどなかっ
た。本発明の目的は良質で、かつ、適度の大きさをもっ
た酸化物超電導体の結晶製造方法を提供することにあ
る。
単原子層がC軸方向に積層されるため異方性を有する。
従って、この複合酸化物を超伝導応用や電子放出用の電
気伝導材料として実用に供するためにはこの複合酸化物
の単結晶が必要である。この複合酸化物は、たとえば、
La2O3,Y2O3やCuO,BaOあるいはSrOのように構成されてい
て、しかも融点の近くに加熱すると混合相になり易い、
したがって高温で溶解する結晶引き上げ法では良質な単
結晶は得られない。このような事情から、従来、実用に
供しうるような複合単結晶の製造方法はほとんどなかっ
た。本発明の目的は良質で、かつ、適度の大きさをもっ
た酸化物超電導体の結晶製造方法を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段] 上記目的は、K2NiF4型結晶構造又はペロブスカイト型
類似結晶構造であって、銅イオンを持つ複合酸化物La−
M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)
の多結晶体、及び、上記複合酸化物の構成元素の化学量
論的組成比に近い混合物の少なくとも一方を出発原料と
し、上記複合酸化物の融点より低い融点を有する酸化第
2銅(CuO)、または、これに酸化第1銅(Cu2O)を加
えたものを溶解剤とし、上記出発原料が上記溶融剤に溶
解しうる該複合酸化物の融点以下の溶解温度に保って上
記出発原料を上記溶融剤に溶解させた後、上記出発原料
が溶解してできた飽和溶解液から上記複合酸化物の結晶
を成長させることによって達成できる。すなわち、本発
明の製法は複合酸化物より低い融点をもつ構成酸化物の
酸化第二銅CuO(融点:約1026℃)もしくは酸化第一銅C
u2O(融点:約1235℃)を混合したものを溶融剤として
用いた融剤法によって、複合酸化物の直接溶融法による
よりはるかに低い温度(1026〜1300℃)で良質で、適度
の大きさをもった複合酸化物の結晶を構成させるもので
ある。
類似結晶構造であって、銅イオンを持つ複合酸化物La−
M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)
の多結晶体、及び、上記複合酸化物の構成元素の化学量
論的組成比に近い混合物の少なくとも一方を出発原料と
し、上記複合酸化物の融点より低い融点を有する酸化第
2銅(CuO)、または、これに酸化第1銅(Cu2O)を加
えたものを溶解剤とし、上記出発原料が上記溶融剤に溶
解しうる該複合酸化物の融点以下の溶解温度に保って上
記出発原料を上記溶融剤に溶解させた後、上記出発原料
が溶解してできた飽和溶解液から上記複合酸化物の結晶
を成長させることによって達成できる。すなわち、本発
明の製法は複合酸化物より低い融点をもつ構成酸化物の
酸化第二銅CuO(融点:約1026℃)もしくは酸化第一銅C
u2O(融点:約1235℃)を混合したものを溶融剤として
用いた融剤法によって、複合酸化物の直接溶融法による
よりはるかに低い温度(1026〜1300℃)で良質で、適度
の大きさをもった複合酸化物の結晶を構成させるもので
ある。
[作用] 以下に、本発明の製法の基本的原理について述べる。
電気電導材料として単結晶の大きさは用途によって異
なる。超伝導電極や超伝導配線に用いる場合には、少な
くとも数mm角の薄い板状結晶や絶縁基板の上に薄膜結晶
ができることが望ましい。また電子放出材料として用い
る場合には、数mm角の薄い板状結晶でも使用できるが、
陰極チップとして用いるには少なくとも1mm角×長さ8mm
程度の大きさがあれば十分である。
なる。超伝導電極や超伝導配線に用いる場合には、少な
くとも数mm角の薄い板状結晶や絶縁基板の上に薄膜結晶
ができることが望ましい。また電子放出材料として用い
る場合には、数mm角の薄い板状結晶でも使用できるが、
陰極チップとして用いるには少なくとも1mm角×長さ8mm
程度の大きさがあれば十分である。
そこで、本発明では、La−M−Cu−O系またはY−M
−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)複合酸化物より低い融点を
もつ構成酸化物の酸化第二銅CuO(融点:約1026℃)又
はそれに酸化第一銅Cu2O(融点:約1235℃)を混合した
ものを溶融剤(溶媒)とし、上記複合酸化物の過飽和溶
液から複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−
O系(M=Sr,Ba,Ca)結晶を晶出させる。このような溶
融剤としては、 (1)複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−
O系(N=Sr,Ba,Ca)より融点の低い溶融剤であるこ
と、 (2)複合酸化物の構成酸化物のなかで最も融点の低い
酸化物で、その溶融状態において複合酸化物そのものを
完全に溶解するが、その固体状態において溶解度をもた
ないか、あるいは溶解度に限界があること、 (3)経済的に安価に入手でき、しかも公害を出さない
ものであること、 (4)晶出すべき上記複合酸化物があまり溶解しない希
酸アルカリもしくは温水で、比較的簡単に溶解除去でき
るものであること、 という条件を満たすものであれば十分である。以上の条
件を満たす溶融剤としては、構成酸化物の酸化第二銅Cu
O(融点:約1026℃)もしくはそれに酸化第一銅CuO
2(融点:約1235℃)を混合したものがある。たとえ
ば、晶出すべき複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−
M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の多結晶体又はその構成
酸化物もしくは炭酸塩、たとえばLa2O3,MO,CuO又はY
2O3,MO,CuOのほぼ化学量論的組成比に近い混合酸化物を
上記溶融剤の中に溶解させる。そして、その溶融液を複
合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M
=Sr,Ba,Ca)、の融点より低い温度に保持し、飽和溶融
液を作る。この飽和溶融液から複合酸化物La−M−Cu−
O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の結晶を
晶出させる。この晶出方法には次の二つがある。その一
つは上記過飽和溶液を上記保持温度から複合酸化物La−
M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)
結晶の発生速度よりわずかに速い結晶成長速度と見合っ
た程度の徐冷速度で降温することによって、種子結晶を
使わずに、比較的大きな複合酸化物La−M−Cu−O系ま
たはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)結晶を上記飽和
溶液から晶出させることができる。さらに、結晶発生素
度と結晶成長速度とを、徐冷開始温度と徐冷速度とで制
御することによって、適度の大きさでかつ良質な、多結
晶単結晶を同時に得ることができる。もう一つの方法は
上記飽和溶液の保持温度より約10℃下の一定温度に保持
された過飽和融液中に基板を浸漬,回転して、その基板
上に比較的厚い複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−
M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。
−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)複合酸化物より低い融点を
もつ構成酸化物の酸化第二銅CuO(融点:約1026℃)又
はそれに酸化第一銅Cu2O(融点:約1235℃)を混合した
ものを溶融剤(溶媒)とし、上記複合酸化物の過飽和溶
液から複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−
O系(M=Sr,Ba,Ca)結晶を晶出させる。このような溶
融剤としては、 (1)複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−
O系(N=Sr,Ba,Ca)より融点の低い溶融剤であるこ
と、 (2)複合酸化物の構成酸化物のなかで最も融点の低い
酸化物で、その溶融状態において複合酸化物そのものを
完全に溶解するが、その固体状態において溶解度をもた
ないか、あるいは溶解度に限界があること、 (3)経済的に安価に入手でき、しかも公害を出さない
ものであること、 (4)晶出すべき上記複合酸化物があまり溶解しない希
酸アルカリもしくは温水で、比較的簡単に溶解除去でき
るものであること、 という条件を満たすものであれば十分である。以上の条
件を満たす溶融剤としては、構成酸化物の酸化第二銅Cu
O(融点:約1026℃)もしくはそれに酸化第一銅CuO
2(融点:約1235℃)を混合したものがある。たとえ
ば、晶出すべき複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−
M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の多結晶体又はその構成
酸化物もしくは炭酸塩、たとえばLa2O3,MO,CuO又はY
2O3,MO,CuOのほぼ化学量論的組成比に近い混合酸化物を
上記溶融剤の中に溶解させる。そして、その溶融液を複
合酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M
=Sr,Ba,Ca)、の融点より低い温度に保持し、飽和溶融
液を作る。この飽和溶融液から複合酸化物La−M−Cu−
O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の結晶を
晶出させる。この晶出方法には次の二つがある。その一
つは上記過飽和溶液を上記保持温度から複合酸化物La−
M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)
結晶の発生速度よりわずかに速い結晶成長速度と見合っ
た程度の徐冷速度で降温することによって、種子結晶を
使わずに、比較的大きな複合酸化物La−M−Cu−O系ま
たはY−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)結晶を上記飽和
溶液から晶出させることができる。さらに、結晶発生素
度と結晶成長速度とを、徐冷開始温度と徐冷速度とで制
御することによって、適度の大きさでかつ良質な、多結
晶単結晶を同時に得ることができる。もう一つの方法は
上記飽和溶液の保持温度より約10℃下の一定温度に保持
された過飽和融液中に基板を浸漬,回転して、その基板
上に比較的厚い複合酸化物La−M−Cu−O系またはY−
M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させることができる。
このような溶融剤で製造した複合酸化物系電気伝導材
料は従来のような溶融法に比べて電気伝導材料として適
度の大きさの単結晶や結晶薄膜が得られ、さらに、複合
酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=
Sr,Ba,Ca)の融点(約1400℃)以下の低い温度で結晶化
させたものであるため、結晶格子の乱れが少なく、かつ
内部歪みも少ない良質の結晶が得られるという効果があ
る。したがってパターンニングによる微細加工も極めて
容易となる。またこのような良質な結晶表面にアルゴン
やボロン,水素等の不純物をボルテックスの寸法に近い
10nm程度の間隔をもってイオン打込みすると、磁束のピ
ン止め作用を高めることができ、この結果として超電導
体に流し得る電流を高めることができる。
料は従来のような溶融法に比べて電気伝導材料として適
度の大きさの単結晶や結晶薄膜が得られ、さらに、複合
酸化物La−M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系(M=
Sr,Ba,Ca)の融点(約1400℃)以下の低い温度で結晶化
させたものであるため、結晶格子の乱れが少なく、かつ
内部歪みも少ない良質の結晶が得られるという効果があ
る。したがってパターンニングによる微細加工も極めて
容易となる。またこのような良質な結晶表面にアルゴン
やボロン,水素等の不純物をボルテックスの寸法に近い
10nm程度の間隔をもってイオン打込みすると、磁束のピ
ン止め作用を高めることができ、この結果として超電導
体に流し得る電流を高めることができる。
[実施例] 以下、本発明に係る酸化物超伝導体の製造方法の実施
例を説明する。
例を説明する。
まず、K2NiF4結晶構造であって、酸素八面体の体心に
銅イオンをもつ複合酸化物La−M−Cu−O系(M=Sr,B
a,Ca)の場合の第1の実施例について説明する。
銅イオンをもつ複合酸化物La−M−Cu−O系(M=Sr,B
a,Ca)の場合の第1の実施例について説明する。
(La1-XMX)2CuO4(M=Sr,Ba,Ca)焼結体を出発原
料,酸化銅(Cu2O・2CuO)を溶解剤とした場合の単結晶
製造方法である。
料,酸化銅(Cu2O・2CuO)を溶解剤とした場合の単結晶
製造方法である。
本実施例は代表的な例として、M=Srの場合の複合酸
化物の場合について述べる。
化物の場合について述べる。
約2gの(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体の塊からなる出発
原料と、約1.47gのCu2O及び約1.63gのCuOからなる溶融
剤とをPtルツボに入れる。空気中で一度1300℃〜1100℃
に十分の時間保って、酸化銅の融液中に(La0.9Sr0.1)
2CuO4を含む飽和溶液を形成する。その後、この飽和溶
液を徐冷速度3〜70℃/hで降温して酸化銅の固化したも
のを作製する。ある温度における飽和溶液に対する(La
0.9Sr0.1)2CuO4結晶体の数から結晶発生速度を求める
ことができる。さらに、結晶成長素度については得られ
た単結晶の大きさから推定できる。
原料と、約1.47gのCu2O及び約1.63gのCuOからなる溶融
剤とをPtルツボに入れる。空気中で一度1300℃〜1100℃
に十分の時間保って、酸化銅の融液中に(La0.9Sr0.1)
2CuO4を含む飽和溶液を形成する。その後、この飽和溶
液を徐冷速度3〜70℃/hで降温して酸化銅の固化したも
のを作製する。ある温度における飽和溶液に対する(La
0.9Sr0.1)2CuO4結晶体の数から結晶発生速度を求める
ことができる。さらに、結晶成長素度については得られ
た単結晶の大きさから推定できる。
この実施例に用いた電気炉は、最高1500℃であり、得
られた結晶の同定は粉末X線回折あるいはラウエ回折法
を用いて行った。
られた結晶の同定は粉末X線回折あるいはラウエ回折法
を用いて行った。
原料に使用した(La0.9Sr0.1)2CuO4結晶体は 0.9La2O3+0.2SrCO3+CuO+0.05O2=(La0.9Sr0.1)2CuO4 +0.2CO2 なる反応によって、仮焼は空気中で750℃×5h、本焼は
空気中で1200℃×5hの反応条件下で作製したものであ
る。
空気中で1200℃×5hの反応条件下で作製したものであ
る。
つぎに、上記の実施例において、徐冷開始温度が1240
℃の場合、Ptルツボの中で(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体
が酸化銅の溶液体に十分溶解するように、5時間保持し
た後、30℃/hの徐冷速度で室温まで冷却した。その結
果、(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体は酸化銅の溶融体に溶
解せず、Ptルツボの底部に残っていたが、中央部には単
結晶化している黒色に輝く導電性の(La0.9Sr0.1)2CuO
4結晶が多数認められた。その形状はおおむね5mm□の正
方の形状をしていた。また、1300℃からの徐冷速度を70
℃/hより遅くすると単結晶が得られ始め、30℃/hよりさ
らに遅くすると、得られる単結晶の数は少なくなるが、
比較的大きな結晶が得られるようになり、3℃/hの場合
には約8mm角の単結晶が得られた。3℃/hより遅くなる
と、単結晶の形成が不安定となった。徐冷開始温度が13
00℃の場合溶解度が大きくなるが、酸化銅の酸素を解離
し易くなるので良質な結晶ができ難い。逆に、徐冷開始
温度が1100℃の場合溶解度が小さくなるので、晶出結晶
の大きさは極めて小さくなる。以上のことから、徐冷開
始温度が1100℃〜1300℃の範囲ならびに徐冷速度が3〜
70℃/hの範囲が望ましい。La−M−Cu−O系のM=Ba,C
aの場合には、上述のSrをBa or Coに替えてやればよ
い。即ち、出発原料として、約2gの(La,Ba)2CuO4また
は (La,Ca)2CuO4の焼結体を用いる他は、Srの場合と同じ
行程にて、(La0.9Ba0.1)2CuO4または(La0.9Ca0.1)2
CuO4の結晶を作成することができる。
℃の場合、Ptルツボの中で(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体
が酸化銅の溶液体に十分溶解するように、5時間保持し
た後、30℃/hの徐冷速度で室温まで冷却した。その結
果、(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体は酸化銅の溶融体に溶
解せず、Ptルツボの底部に残っていたが、中央部には単
結晶化している黒色に輝く導電性の(La0.9Sr0.1)2CuO
4結晶が多数認められた。その形状はおおむね5mm□の正
方の形状をしていた。また、1300℃からの徐冷速度を70
℃/hより遅くすると単結晶が得られ始め、30℃/hよりさ
らに遅くすると、得られる単結晶の数は少なくなるが、
比較的大きな結晶が得られるようになり、3℃/hの場合
には約8mm角の単結晶が得られた。3℃/hより遅くなる
と、単結晶の形成が不安定となった。徐冷開始温度が13
00℃の場合溶解度が大きくなるが、酸化銅の酸素を解離
し易くなるので良質な結晶ができ難い。逆に、徐冷開始
温度が1100℃の場合溶解度が小さくなるので、晶出結晶
の大きさは極めて小さくなる。以上のことから、徐冷開
始温度が1100℃〜1300℃の範囲ならびに徐冷速度が3〜
70℃/hの範囲が望ましい。La−M−Cu−O系のM=Ba,C
aの場合には、上述のSrをBa or Coに替えてやればよ
い。即ち、出発原料として、約2gの(La,Ba)2CuO4また
は (La,Ca)2CuO4の焼結体を用いる他は、Srの場合と同じ
行程にて、(La0.9Ba0.1)2CuO4または(La0.9Ca0.1)2
CuO4の結晶を作成することができる。
次に本発明の第2の実施例を説明する。
本実施例はLa−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の構成
酸化物及び炭酸塩(SrCO3,La2O3,CuO,Cu2O)を出発原料
とした場合の単結晶製造方法である。出発原料として、
約0.62gのSrCO3と約6.20gのLa2O3と約4.93gのCuOと約4.
43gのCu2Oをとり、これらをPtルツボに入れる。上記CuO
とCu2Oで溶融剤を構成しなければならないので、CuOとC
u2Oは化学量論的組成比よりも多くルツボ内に入れる。
例えば、CuOとCu2Oが等しく単結晶の構成に寄与すると
仮定したならば、CuOの約4.09g,Cu2Oの約3.68gが溶融剤
となる。酸素雰囲気中で1300℃〜1100℃の温度範囲に約
8時間保って、これらの出発原料を十分溶融させた。第
1図に溶融温度の出発原料比依存性を示す。その後、こ
の溶融液を徐冷速度3〜70℃/hの間のある速度で降温し
て溶融した温度より約20℃低い温度で数時間保った。そ
の結果、溶融液の表面には単結晶化している、黒色に輝
く導電性の(La0.9Sr0.1)2CuO4結晶が多数認められ
た。その形状はおおむね5mm□の正方の形状をしてい
た。得られた結晶の同定は粉末X線回析あるいはラウエ
回折法を用いて行なった。
酸化物及び炭酸塩(SrCO3,La2O3,CuO,Cu2O)を出発原料
とした場合の単結晶製造方法である。出発原料として、
約0.62gのSrCO3と約6.20gのLa2O3と約4.93gのCuOと約4.
43gのCu2Oをとり、これらをPtルツボに入れる。上記CuO
とCu2Oで溶融剤を構成しなければならないので、CuOとC
u2Oは化学量論的組成比よりも多くルツボ内に入れる。
例えば、CuOとCu2Oが等しく単結晶の構成に寄与すると
仮定したならば、CuOの約4.09g,Cu2Oの約3.68gが溶融剤
となる。酸素雰囲気中で1300℃〜1100℃の温度範囲に約
8時間保って、これらの出発原料を十分溶融させた。第
1図に溶融温度の出発原料比依存性を示す。その後、こ
の溶融液を徐冷速度3〜70℃/hの間のある速度で降温し
て溶融した温度より約20℃低い温度で数時間保った。そ
の結果、溶融液の表面には単結晶化している、黒色に輝
く導電性の(La0.9Sr0.1)2CuO4結晶が多数認められ
た。その形状はおおむね5mm□の正方の形状をしてい
た。得られた結晶の同定は粉末X線回析あるいはラウエ
回折法を用いて行なった。
また、1300℃からの徐冷速度を70℃/hより遅くすると
単結晶が得られ始め、30℃/hよりさらに遅くすると、得
られる単結晶の数は少なくなるが、比較的大きな結晶が
得られるようになり、3℃/hの場合には約8mm角の単結
晶が得られた。3℃/hより遅くなると、単結晶の形成が
不安定となった。徐冷開始温度が1300℃の場合溶解度が
大きくなるが、酸化銅の酸素を解離し易くなるので良質
な結晶ができ難い。逆に、徐冷開始温度が1100℃の場合
溶解度が小さくなるので、晶出結晶の大きさは極めて小
さくなる。以上のことから、徐冷開始温度が1100℃〜13
00℃の範囲ならびに徐冷素度が3〜70℃/hの範囲が望ま
しい。第2図は本実施例により得られた(La,Sr)2CuO4
単結晶の抵抗率の温度変化の測定結果を示す図である。
La−Ba−Cu−O系の場合には出発原料として、SrCO3の
替りに約0.83gのBaCO3を用いれば、(La0.9Ba0.1)2CuO
4の単結晶が得られる。La−Ca−Cu−O系の場合には同
様に約0.42gのCaCO3を用いれば(La0.9Ca0.1)2CuO4の
単結晶が得られる。
単結晶が得られ始め、30℃/hよりさらに遅くすると、得
られる単結晶の数は少なくなるが、比較的大きな結晶が
得られるようになり、3℃/hの場合には約8mm角の単結
晶が得られた。3℃/hより遅くなると、単結晶の形成が
不安定となった。徐冷開始温度が1300℃の場合溶解度が
大きくなるが、酸化銅の酸素を解離し易くなるので良質
な結晶ができ難い。逆に、徐冷開始温度が1100℃の場合
溶解度が小さくなるので、晶出結晶の大きさは極めて小
さくなる。以上のことから、徐冷開始温度が1100℃〜13
00℃の範囲ならびに徐冷素度が3〜70℃/hの範囲が望ま
しい。第2図は本実施例により得られた(La,Sr)2CuO4
単結晶の抵抗率の温度変化の測定結果を示す図である。
La−Ba−Cu−O系の場合には出発原料として、SrCO3の
替りに約0.83gのBaCO3を用いれば、(La0.9Ba0.1)2CuO
4の単結晶が得られる。La−Ca−Cu−O系の場合には同
様に約0.42gのCaCO3を用いれば(La0.9Ca0.1)2CuO4の
単結晶が得られる。
次に本発明の第3の実施例を説明する。
出発原料として(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体もしくは Cu2O :1.475g CuO :1.640g La2O3:2.0615g SrCO3:0.2076g の原料混合物を、溶融剤として2CuO・Cu2Oの酸化銅を用
いた場合の単結晶薄膜の製造方法である。
いた場合の単結晶薄膜の製造方法である。
約10gの(La0.9Sr0.1)2CuO4焼結体の塊からなる出発
原料と、約7.35gのCu2O及び約8.05gのCuOからなる溶融
剤とをPtルツボに入れる。または上記La−Sr−Cu−O系
の構成酸化物Cu2O,CuO,La2O3及びSrCO3をPtルツボに入
れる。この場合も本発明の第2の実施例と同様と考える
とCuOの約1.081g,Cu2Oの約0.972gがそれぞれ溶融剤とな
る。空気中で一度1300℃〜1100℃の温度範囲に十分の時
間保って、酸化銅の融液中に(La0.9Sr0.1)2CuO4を含
む飽和を作製する。その後、この飽和溶液の温度より約
10℃下の一定温度に保持された過飽和融液の中に5mm角
の(100)面の単結晶SrTiO3基板(融点:1900℃)を入
れ、それを回転しながら、基板の上に黒色に輝く導電性
の(La0.9Sr0.1)2CuO4単結晶薄膜を晶出させる。SrTiO
3基板は格子定数がa0=3.904Åで、(La0.9Sr0.1)2CuO
4の格子定数にほぼ近いため、欠陥の少ない良質な結晶
膜が得られることがエッチ・ピットの実験からわかっ
た。
原料と、約7.35gのCu2O及び約8.05gのCuOからなる溶融
剤とをPtルツボに入れる。または上記La−Sr−Cu−O系
の構成酸化物Cu2O,CuO,La2O3及びSrCO3をPtルツボに入
れる。この場合も本発明の第2の実施例と同様と考える
とCuOの約1.081g,Cu2Oの約0.972gがそれぞれ溶融剤とな
る。空気中で一度1300℃〜1100℃の温度範囲に十分の時
間保って、酸化銅の融液中に(La0.9Sr0.1)2CuO4を含
む飽和を作製する。その後、この飽和溶液の温度より約
10℃下の一定温度に保持された過飽和融液の中に5mm角
の(100)面の単結晶SrTiO3基板(融点:1900℃)を入
れ、それを回転しながら、基板の上に黒色に輝く導電性
の(La0.9Sr0.1)2CuO4単結晶薄膜を晶出させる。SrTiO
3基板は格子定数がa0=3.904Åで、(La0.9Sr0.1)2CuO
4の格子定数にほぼ近いため、欠陥の少ない良質な結晶
膜が得られることがエッチ・ピットの実験からわかっ
た。
またこの単結晶の表面に100KeVのイオン注入により深
さ0.1μmの所にピーク値1019Ar原子/cm3の不純物をド
ープしたものでは超伝導臨界電流が改善されることが分
った。
さ0.1μmの所にピーク値1019Ar原子/cm3の不純物をド
ープしたものでは超伝導臨界電流が改善されることが分
った。
出発原料が(La,Ba)2CuO4,(La,Ca)2CuO4焼結体粉
末の場合もほぼ同様の効果が得られた。
末の場合もほぼ同様の効果が得られた。
次に本発明の第4の実施例について説明する。
ペロブスカイト型類似結晶構造であって、銅イオンを
もつ複合酸化物Y−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の製
造方法について説明する。複合酸化物Y−M−Cu−O系
(M=Sr,Ba,Ca)の焼結体を出発原料,酸化銅(CuO)
を溶融剤とした場合の単結晶製造方法である。
もつ複合酸化物Y−M−Cu−O系(M=Sr,Ba,Ca)の製
造方法について説明する。複合酸化物Y−M−Cu−O系
(M=Sr,Ba,Ca)の焼結体を出発原料,酸化銅(CuO)
を溶融剤とした場合の単結晶製造方法である。
本実施例は代表的な例として、M=Baの場合の複合酸
化物の場合について述べる。約2gのY−Ba−Cu−O系焼
結体の塊からなる出発原料と、約3.15gのCuOからなる溶
融剤とをPtルツボに入れる。このルツボを酸素雰囲気中
で一度1100℃〜1026℃の温度範囲に充分の時間保って、
酸化銅の酸液中にY−Ba−Cu−O系を含む飽和溶液を作
る。その後、この飽和溶液を徐冷速度3〜70℃/hで降温
して酸化銅の固化したものを作製する。Y−Ba−Cu−O
系の結晶の発生速度及び結晶成長速度については本発明
の第1の実施例のLa−Sr−Cu−O系の場合と同様にして
求めることができる。
化物の場合について述べる。約2gのY−Ba−Cu−O系焼
結体の塊からなる出発原料と、約3.15gのCuOからなる溶
融剤とをPtルツボに入れる。このルツボを酸素雰囲気中
で一度1100℃〜1026℃の温度範囲に充分の時間保って、
酸化銅の酸液中にY−Ba−Cu−O系を含む飽和溶液を作
る。その後、この飽和溶液を徐冷速度3〜70℃/hで降温
して酸化銅の固化したものを作製する。Y−Ba−Cu−O
系の結晶の発生速度及び結晶成長速度については本発明
の第1の実施例のLa−Sr−Cu−O系の場合と同様にして
求めることができる。
この本実施例に用いた電気炉は、最高1500℃であり、
得られた結晶の同定は粉末X線回折あるいはラウエ回折
法を用いて行った。
得られた結晶の同定は粉末X線回折あるいはラウエ回折
法を用いて行った。
原料に使用した焼結体は 0.6Y2O3+1.8BaO+2CuO+0.7O2=Y−Ba−Cu−O なる反応によって、仮焼は空気中で750℃×5h、本焼は
空気中で1000℃×5hの反応条件下で作ったものである。
空気中で1000℃×5hの反応条件下で作ったものである。
つぎに、この実施例において、徐冷開始温度が1080℃
の場合、Ptルツボの中でY−Ba−Cu−O系の焼結体が酸
化銅の溶融体に一部溶解するように、5時間その温度を
保持する。その後、30℃/hの徐冷速度で室温まで冷却す
る。その結果、Y−Ba−Cu−O系の焼結体は酸化銅の溶
融体に一部溶解せず、Ptルツボの底部に残っていた。し
かし、中央部には単結晶化した黒色に輝く導電性のY−
Ba−Cu−O系結晶が多数認められた。また、1100℃から
の徐冷速度を70℃/hより遅くすると単結晶が得られ始
め、30℃/hよりさらに遅くすると、得られる単結晶の数
は少なくなるが、比較的大きな結果が得られるようにな
り、3℃/hの場合にはさらに大きい単結晶が得られた。
3℃/hより遅くなると、単結晶の形成が不安定となっ
た。徐冷開始温度が1100℃の場合溶解度が大きくなる
が、酸化銅の酸素を解離し易くなるので良質な結晶がで
き難い。逆に、徐冷開始温度が1030℃の場合溶解度が小
さくなるので、晶出結晶の大きさは極めて小さくなる。
以上のことから、徐冷開始温度が1026℃〜1100℃の範囲
ならびに徐冷速度が3〜70℃/hの範囲であることがわか
った。出発原料がY−Sr−Cu−O系、Y−Ca−Cu−O系
焼結体粉末の場合もほぼ同様の結果が得られた。
の場合、Ptルツボの中でY−Ba−Cu−O系の焼結体が酸
化銅の溶融体に一部溶解するように、5時間その温度を
保持する。その後、30℃/hの徐冷速度で室温まで冷却す
る。その結果、Y−Ba−Cu−O系の焼結体は酸化銅の溶
融体に一部溶解せず、Ptルツボの底部に残っていた。し
かし、中央部には単結晶化した黒色に輝く導電性のY−
Ba−Cu−O系結晶が多数認められた。また、1100℃から
の徐冷速度を70℃/hより遅くすると単結晶が得られ始
め、30℃/hよりさらに遅くすると、得られる単結晶の数
は少なくなるが、比較的大きな結果が得られるようにな
り、3℃/hの場合にはさらに大きい単結晶が得られた。
3℃/hより遅くなると、単結晶の形成が不安定となっ
た。徐冷開始温度が1100℃の場合溶解度が大きくなる
が、酸化銅の酸素を解離し易くなるので良質な結晶がで
き難い。逆に、徐冷開始温度が1030℃の場合溶解度が小
さくなるので、晶出結晶の大きさは極めて小さくなる。
以上のことから、徐冷開始温度が1026℃〜1100℃の範囲
ならびに徐冷速度が3〜70℃/hの範囲であることがわか
った。出発原料がY−Sr−Cu−O系、Y−Ca−Cu−O系
焼結体粉末の場合もほぼ同様の結果が得られた。
本実施例では、溶融剤として酸化第二銅(CuO)を用
いた場合について説明したが、酸化第二銅(CuO)及び
酸化第一銅(Cu2O)を溶融剤とする場合には、本発明の
第1の実施例と同様にすればよい。
いた場合について説明したが、酸化第二銅(CuO)及び
酸化第一銅(Cu2O)を溶融剤とする場合には、本発明の
第1の実施例と同様にすればよい。
次に本発明の第5の実施例を説明する。本実施例はY
−Ba−Cu−O系の構成酸化物及び炭酸塩(BaCO3,Y2O3,C
uO)を出発原料とした場合の単結晶製造方法である。出
発原料として、約39.470gのBaCO3と約5.645gのY2O3と約
39.772gのCuOをとり、これらを十分混合後Ptルツボに入
れる。この場合は本発明の第2の実施例と同様に考える
と、CuOの約27.841gが溶融剤となる。ただしこのY−Ba
−Cu−O系の場合にはBaCO3の約半分をCuOと同じ溶融剤
として添加する必要がある。酸素雰囲気中で1300℃〜11
00℃の温度範囲に保ち、これらの出発原料を一部溶融さ
せ、融体と固体の混合状態を作製した。
−Ba−Cu−O系の構成酸化物及び炭酸塩(BaCO3,Y2O3,C
uO)を出発原料とした場合の単結晶製造方法である。出
発原料として、約39.470gのBaCO3と約5.645gのY2O3と約
39.772gのCuOをとり、これらを十分混合後Ptルツボに入
れる。この場合は本発明の第2の実施例と同様に考える
と、CuOの約27.841gが溶融剤となる。ただしこのY−Ba
−Cu−O系の場合にはBaCO3の約半分をCuOと同じ溶融剤
として添加する必要がある。酸素雰囲気中で1300℃〜11
00℃の温度範囲に保ち、これらの出発原料を一部溶融さ
せ、融体と固体の混合状態を作製した。
その後この飽和溶液を約10℃/hの冷却速度で850℃迄
徐冷した。その結果、Ptルツボの中には単結晶化してい
る、黒色に輝くY−Ba−Cu−O結晶が多数認められた。
その形状はおおむね約1mm□の正方、厚さ約0.1mmの板状
をしていた。
徐冷した。その結果、Ptルツボの中には単結晶化してい
る、黒色に輝くY−Ba−Cu−O結晶が多数認められた。
その形状はおおむね約1mm□の正方、厚さ約0.1mmの板状
をしていた。
次に本発明の第6の実施例を説明する。出発原料とし
てY−Ba−Cu−O系焼結体もしくはY2O3,BaO,CuO,の原
料混合物を、溶融剤としてCuOの酸化銅を用いた場合の
単結晶薄膜の製造方法である。
てY−Ba−Cu−O系焼結体もしくはY2O3,BaO,CuO,の原
料混合物を、溶融剤としてCuOの酸化銅を用いた場合の
単結晶薄膜の製造方法である。
出発原料として約10gのY−Ba−Cu−O系焼結体の塊
と溶融剤として約15gのCuOをとり、これらをPtルツボに
入れ、空気中で一度1100℃〜1026℃の温度範囲に充分の
時間保って酸化銅の融液中にY−Ba−Cu−Oを含む飽和
溶液を作る。その後、この飽和溶液の温度より約10℃下
の一定温度に保持された過飽和融液の5mm角の(100)面
の単結晶SrTiO3基板(融点:1900℃)を入れてそれを回
転しながら、基板の上に黒色に輝く導電性のY−Ba−Cu
−O単結晶薄膜を晶出させた。
と溶融剤として約15gのCuOをとり、これらをPtルツボに
入れ、空気中で一度1100℃〜1026℃の温度範囲に充分の
時間保って酸化銅の融液中にY−Ba−Cu−Oを含む飽和
溶液を作る。その後、この飽和溶液の温度より約10℃下
の一定温度に保持された過飽和融液の5mm角の(100)面
の単結晶SrTiO3基板(融点:1900℃)を入れてそれを回
転しながら、基板の上に黒色に輝く導電性のY−Ba−Cu
−O単結晶薄膜を晶出させた。
SrTiO3基板は格子定数がa0=3.904Åで、(Y0.4Sr
0.6)3Cu2O7の格子定数にほぼ近いため、欠陥の少ない
良質な結晶膜が得られることがエッチ・ピットの実験か
らわかった。
0.6)3Cu2O7の格子定数にほぼ近いため、欠陥の少ない
良質な結晶膜が得られることがエッチ・ピットの実験か
らわかった。
またこの単結晶の表面に100KeVのイオン注入により深
さ0.1μmの所にピーク値1019Ar原子/cm3の不純物をド
ープしたものでは超電導臨界電流が改善されることが分
った。出発原料がY−Sr−Cu−O系、Y−Ca−Cu−O系
焼結体粉末の場合もほぼ同様の結果が得られた。
さ0.1μmの所にピーク値1019Ar原子/cm3の不純物をド
ープしたものでは超電導臨界電流が改善されることが分
った。出発原料がY−Sr−Cu−O系、Y−Ca−Cu−O系
焼結体粉末の場合もほぼ同様の結果が得られた。
[発明の効果] 以上詳述したところから明らかなように、本発明は、
溶融剤に構成酸化物の酸化第二銅CuOもしくはそれに酸
化第一銅Cu2Oを混合したものなどを用いるので、晶出す
べき複合酸化物を、その融点より低い温度で十分に溶解
させた後、その飽和溶液から十分ゆっくり徐冷して晶出
するか、あるいは、過飽和溶液中に基板を浸漬して基板
上に晶出させることができる。従って従来の溶融法や結
晶引き上げ法によるものに比べて良質で適度の大きさを
持った板状結晶や薄膜結晶が得られ、電気伝導性複合酸
化物の結晶製造方法として極めて有効である。
溶融剤に構成酸化物の酸化第二銅CuOもしくはそれに酸
化第一銅Cu2Oを混合したものなどを用いるので、晶出す
べき複合酸化物を、その融点より低い温度で十分に溶解
させた後、その飽和溶液から十分ゆっくり徐冷して晶出
するか、あるいは、過飽和溶液中に基板を浸漬して基板
上に晶出させることができる。従って従来の溶融法や結
晶引き上げ法によるものに比べて良質で適度の大きさを
持った板状結晶や薄膜結晶が得られ、電気伝導性複合酸
化物の結晶製造方法として極めて有効である。
第1図は溶融温度の出発原料比の依存性を示す図、第2
図は(LaSr)2CuO4単結晶の抵抗率の温度変化の測定結
果を示す図である。
図は(LaSr)2CuO4単結晶の抵抗率の温度変化の測定結
果を示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 39/12 ZAA H01L 39/12 ZAAC (72)発明者 高木 一正 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 深沢 徳海 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−310799(JP,A) 特開 昭63−274697(JP,A) 特開 昭63−230594(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】K2NiF4型結晶構造またはペロブスカイト型
類似結晶構造で少なくとも酸素八面体の体心に銅イオン
を持つLa−M−Cu−O系またはY−M−Cu−O系の複合
酸化物(M=Sr、Ba、Ca)の多結晶体、および上記複合
酸化物の構成元素の化学量論的組成比に近い混合物、の
少なくとも一方を出発原料とし、上記出発原料を溶融剤
に溶解し、上記出発原料が溶解してできた飽和溶解液か
ら上記複合酸化物の結晶を成長させることを特徴とする
電気伝導性複合酸化物の結晶製造方法。 - 【請求項2】特許請求の範囲1項において、上記溶融剤
は、酸化第2銅(CuO)または、上記酸化第2銅に酸化
第1銅(Cu2O)を加えたものであることを特徴とする電
気伝導性複合酸化物の結晶製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4255987 | 1987-02-27 | ||
JP62-63782 | 1987-03-20 | ||
JP6378287 | 1987-03-20 | ||
JP62-42559 | 1987-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6428300A JPS6428300A (en) | 1989-01-30 |
JP2753248B2 true JP2753248B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=26382271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63039389A Expired - Fee Related JP2753248B2 (ja) | 1987-02-27 | 1988-02-24 | 電気伝導性複合酸化物の結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2753248B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310799A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Toshiba Corp | 酸化物超電導結晶の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63039389A patent/JP2753248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6428300A (en) | 1989-01-30 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |