JP2742575B2 - 単結晶光ファイバの製造方法 - Google Patents
単結晶光ファイバの製造方法Info
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- JP2742575B2 JP2742575B2 JP1211445A JP21144589A JP2742575B2 JP 2742575 B2 JP2742575 B2 JP 2742575B2 JP 1211445 A JP1211445 A JP 1211445A JP 21144589 A JP21144589 A JP 21144589A JP 2742575 B2 JP2742575 B2 JP 2742575B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、所望の元素を添加した単結晶光ファイバを
製造する方法に関するものである。
製造する方法に関するものである。
［従来の技術］ 第４図に従来の単結晶光ファイバの製造方法の一例を
模式的に示す。第４図において、母材102の上部は加熱
用レーザー光101により加熱されて、溶融部105を形成す
る。溶融部105に種結晶104を付着させ、種結晶104を速
度V2で移動させ、および母材102を速度V1で移動させる
と、単結晶光ファイバ103が形成されていく。ここで、
単結晶光ファイバ103の結晶方位は種結晶104の結晶方位
と一致し、組成は母材102の組成とほぼ同様となる。ま
た、単結晶光ファイバ103の外径D2は、 D2＝D1×（V1/V2）1/2 （１） と表わさせる。ここで、D2は母材102の外径である。し
たがって、種結晶104の移動速度V2および母材102の移動
速度V1を調整することにより、所望の外径の単結晶光フ
ァイバ103を作製できる。
模式的に示す。第４図において、母材102の上部は加熱
用レーザー光101により加熱されて、溶融部105を形成す
る。溶融部105に種結晶104を付着させ、種結晶104を速
度V2で移動させ、および母材102を速度V1で移動させる
と、単結晶光ファイバ103が形成されていく。ここで、
単結晶光ファイバ103の結晶方位は種結晶104の結晶方位
と一致し、組成は母材102の組成とほぼ同様となる。ま
た、単結晶光ファイバ103の外径D2は、 D2＝D1×（V1/V2）1/2 （１） と表わさせる。ここで、D2は母材102の外径である。し
たがって、種結晶104の移動速度V2および母材102の移動
速度V1を調整することにより、所望の外径の単結晶光フ
ァイバ103を作製できる。
この方法により、ニオブ酸リチウム、サファイア等の
種々の単結晶光ファイバを作製することができる。
種々の単結晶光ファイバを作製することができる。
［発明が解決しようとする課題］ 一般に、単結晶光ファイバにNd,Er等の元素を添加す
ることにより、単結晶光ファイバに、レーザー、光増幅
等の新たな機能を付加することが可能となる。しかしな
がら、上述した従来の単結晶光ファイバ製造方法では、
母材として、あらかじめ元素を添加して作製した結晶を
準備する必要がある。ところが、所望の元素を添加して
比較的大きな結晶を作製することは容易ではない。そこ
で、作製できる添加形単結晶光ファイバとしては、Nd添
加YAG等元素を添加しても大きな結晶が得られ易い材料
のものに限られていた。
ることにより、単結晶光ファイバに、レーザー、光増幅
等の新たな機能を付加することが可能となる。しかしな
がら、上述した従来の単結晶光ファイバ製造方法では、
母材として、あらかじめ元素を添加して作製した結晶を
準備する必要がある。ところが、所望の元素を添加して
比較的大きな結晶を作製することは容易ではない。そこ
で、作製できる添加形単結晶光ファイバとしては、Nd添
加YAG等元素を添加しても大きな結晶が得られ易い材料
のものに限られていた。
以上の点に鑑みて、本発明の目的は、所望の元素を添
加した結晶母材を用意する必要なしに、当該元素を添加
した単結晶光ファイバを製造することができる方法を提
供することにある。
加した結晶母材を用意する必要なしに、当該元素を添加
した単結晶光ファイバを製造することができる方法を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明による単結
晶光ファイバの製造方法は、結晶母材を加熱溶融しなが
ら、種結晶を用いて線引きして単結晶光ファイバを作製
するにあたって、作製したい単結晶光ファイバに添加す
るべき所望の元素を含む物質をあらかじめ表面に付着ま
たは堆積させた母材を単結晶母材として使用することを
特徴とするものである。
晶光ファイバの製造方法は、結晶母材を加熱溶融しなが
ら、種結晶を用いて線引きして単結晶光ファイバを作製
するにあたって、作製したい単結晶光ファイバに添加す
るべき所望の元素を含む物質をあらかじめ表面に付着ま
たは堆積させた母材を単結晶母材として使用することを
特徴とするものである。
［作 用］ 本発明では、母材表面にあらかじめ添加したい所望の
元素を含む物質を付着または堆積させておくことによ
り、結晶母材の溶融部において母材成分と付着させた添
加元素とが混合されるため、添加元素が含まれた単結晶
光ファイバを作製することができる。
元素を含む物質を付着または堆積させておくことによ
り、結晶母材の溶融部において母材成分と付着させた添
加元素とが混合されるため、添加元素が含まれた単結晶
光ファイバを作製することができる。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
本発明による単結晶光ファイバの製造方法の一実施例
を第１図に模式的に示す。
を第１図に模式的に示す。
第１図において、母材12の表面に、添加したい所望の
元素を含む付着または堆積層16をあらかじめ形成してお
く。ついで、付着層16ごと母材12の上部を加熱用レーザ
ー光11により加熱して溶融する。この際、溶融部15で
は、母材12の成分と付着層16の成分とが液体状の状態で
混合される。この溶融部15を種結晶14に付着させ、種結
晶14を速度V2で移動させ、母材12を速度V1で移動させて
線引きすると、単結晶光ファイバ13が作製される。単結
晶光ファイバ13の外径D2は、前述した式（１）で定ま
る。
元素を含む付着または堆積層16をあらかじめ形成してお
く。ついで、付着層16ごと母材12の上部を加熱用レーザ
ー光11により加熱して溶融する。この際、溶融部15で
は、母材12の成分と付着層16の成分とが液体状の状態で
混合される。この溶融部15を種結晶14に付着させ、種結
晶14を速度V2で移動させ、母材12を速度V1で移動させて
線引きすると、単結晶光ファイバ13が作製される。単結
晶光ファイバ13の外径D2は、前述した式（１）で定ま
る。
ここで、単結晶光ファイバ13の結晶方位は、種結晶14
の結晶方位と同一であり、単結晶光ファイバ13の組成
は、母材12の組成に添加元素を含む付着層16の添加元素
を加えられた組成となり、元素を添加した単結晶光ファ
イバが製造される。
の結晶方位と同一であり、単結晶光ファイバ13の組成
は、母材12の組成に添加元素を含む付着層16の添加元素
を加えられた組成となり、元素を添加した単結晶光ファ
イバが製造される。
所望元素を添加した単結晶は、一部の例を除いて、大
きな形状の単結晶を得ることは容易でないことは上述し
た通りである。しかしながら、本発明では、母材として
作製しやすい結晶を用い、その母材のまわりに所望する
添加元素を含む材料の層を付着または堆積させ、ついで
単結晶光ファイバの形成時に添加元素を混合するので、
直径が100μｍ程度の微小外径の単結晶光ファイバの場
合、比較的容易に所望元素を添加した単結晶光ファイバ
を得ることができる。
きな形状の単結晶を得ることは容易でないことは上述し
た通りである。しかしながら、本発明では、母材として
作製しやすい結晶を用い、その母材のまわりに所望する
添加元素を含む材料の層を付着または堆積させ、ついで
単結晶光ファイバの形成時に添加元素を混合するので、
直径が100μｍ程度の微小外径の単結晶光ファイバの場
合、比較的容易に所望元素を添加した単結晶光ファイバ
を得ることができる。
本実施例では、母材12としてニオブ酸リチウム、添加
元素としてEr、添加元素を含む付着層16としてErO、加
熱用レーザーとしてCO2レーザーを用い、直径約120μｍ
のEr添加ニオブ酸リチウム単結晶光ファイバを作製し
た。なお、添加元素を含む付着層16は、ニオブ酸リチウ
ム母材12の表面にErOを電子ビーム蒸着することにより
形成した。
元素としてEr、添加元素を含む付着層16としてErO、加
熱用レーザーとしてCO2レーザーを用い、直径約120μｍ
のEr添加ニオブ酸リチウム単結晶光ファイバを作製し
た。なお、添加元素を含む付着層16は、ニオブ酸リチウ
ム母材12の表面にErOを電子ビーム蒸着することにより
形成した。
第２図（Ａ）および（Ｂ）に示すように、付着層16は
ニオブ酸リチウム母材12（外径500μｍ）の表面にほぼ
均等厚に形成され、この付着層16の厚さは約４μｍであ
った。
ニオブ酸リチウム母材12（外径500μｍ）の表面にほぼ
均等厚に形成され、この付着層16の厚さは約４μｍであ
った。
本実施例で作製したEr添加ニオブ酸リチウム単結晶光
ファイバのEr濃度の径方向分布を第３図に示す。ファイ
バ中心のEr濃度が若干低いものの、２％程度の濃度でEr
が添加されていることがわかる。
ファイバのEr濃度の径方向分布を第３図に示す。ファイ
バ中心のEr濃度が若干低いものの、２％程度の濃度でEr
が添加されていることがわかる。
この実施例の単結晶光ファイバは、Erの特性により、
波長1.49μｍの光の入力で、波長1.55μｍの光の発光を
示し、光増幅機能が可能であることを示した。
波長1.49μｍの光の入力で、波長1.55μｍの光の発光を
示し、光増幅機能が可能であることを示した。
この他にも、Nd添加ニオブ酸リチウム単結晶光ファイ
バ、Ti添加サファイア単結晶光ファイバ、Er添加サファ
イア単結晶光ファイバも同様な方法で作製できた。本発
明の製造方法は、ここに挙げた材料以外の組合せの元素
添加単結晶光ファイバの製造にも適用できることはもち
ろんである。
バ、Ti添加サファイア単結晶光ファイバ、Er添加サファ
イア単結晶光ファイバも同様な方法で作製できた。本発
明の製造方法は、ここに挙げた材料以外の組合せの元素
添加単結晶光ファイバの製造にも適用できることはもち
ろんである。
［発明の効果］ 本発明の単結晶光ファイバの製造方法によれば、母材
として作製の容易な結晶を用い、その母材に添加元素を
含む付着層を付着または堆積せしめ、その付着層ごと母
材を溶融し、添加元素の混合と単結晶光ファイバ作製と
を同一の工程で行なっているため、一般に作製の容易で
ない元素を添加した結晶母材を使用しなくても、所望の
元素を添加した単結晶光ファイバを作製することが可能
である。
として作製の容易な結晶を用い、その母材に添加元素を
含む付着層を付着または堆積せしめ、その付着層ごと母
材を溶融し、添加元素の混合と単結晶光ファイバ作製と
を同一の工程で行なっているため、一般に作製の容易で
ない元素を添加した結晶母材を使用しなくても、所望の
元素を添加した単結晶光ファイバを作製することが可能
である。
第１図は本発明による単結晶光ファイバの製造方法の一
実施例を示す模式図、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、添加元素を含
む付着層が付着または堆積された母材の構成を示す側面
図および正面図、 第３図は本実施例で作製したEr添加ニオブ酸リチウム単
結晶光ファイバにおけるEr濃度の径方向分布を示す濃度
分布図、 第４図は従来の単結晶光ファイバの製造方法の一例を示
す模式図である。 11,101……加熱用レーザー光、 12,102……母材、 13,103……単結晶光ファイバ、 14,104……種結晶、 15,105……溶融部、 16……添加元素を含む付着層。
実施例を示す模式図、 第２図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、添加元素を含
む付着層が付着または堆積された母材の構成を示す側面
図および正面図、 第３図は本実施例で作製したEr添加ニオブ酸リチウム単
結晶光ファイバにおけるEr濃度の径方向分布を示す濃度
分布図、 第４図は従来の単結晶光ファイバの製造方法の一例を示
す模式図である。 11,101……加熱用レーザー光、 12,102……母材、 13,103……単結晶光ファイバ、 14,104……種結晶、 15,105……溶融部、 16……添加元素を含む付着層。
Claims (1)
- 【請求項１】結晶母材を加熱溶解しながら、種結晶を用
いて単結晶光ファイバを作製する単結晶光ファイバの製
造方法において、前記単結晶光ファイバに添加するべき
元素を含む物質をあらかじめ表面に付着または堆積させ
た母材を前記結晶母材として使用することを特徴とする
単結晶光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211445A JP2742575B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単結晶光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211445A JP2742575B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単結晶光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375292A JPH0375292A (ja) | 1991-03-29 |
| JP2742575B2 true JP2742575B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16606070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211445A Expired - Fee Related JP2742575B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 単結晶光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742575B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6502286B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-04-17 | 日本電信電話株式会社 | 単結晶ファイバの製造方法 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1211445A patent/JP2742575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375292A (ja) | 1991-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |