JP2726523B2 - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents
Lead frame and semiconductor device using the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置用リードフレームとそれを用
いた半導体装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device lead frame and a semiconductor device using the same.
［従来の技術］ 第２図は従来の半導体装置の搭載部およびその周辺部
を示す図で、（ａ），（ｂ）は斜視図、（ｃ）はＢ−Ｂ
線における断面図である。図において、（１）は半導体
素子（７）を搭載するための載置部、（２）は載置部
（１）上に搭載された半導体素子（７）が外部と電気的
導通を取るためのリード端子、（３）は枠、（４）は載
置部（１）と枠（３）をつなぎ載置部（１）がリード端
子より低くなるような曲げ加工を施した吊りリード、
（５）はリード端子（２）相互および枠（３）をつなぐ
タイバーであり、リードフレーム（６）は上記（１）〜
（５）より構成されている。[Prior Art] FIG. 2 is a view showing a mounting portion of a conventional semiconductor device and its peripheral portion, wherein (a) and (b) are perspective views, and (c) is BB.
It is sectional drawing in a line. In the drawing, (1) is a mounting portion for mounting the semiconductor element (7), and (2) is a semiconductor element (7) mounted on the mounting portion (1) for establishing electrical continuity with the outside. (3) is a frame, (4) is a suspension lead that has been subjected to a bending process such that the mounting portion (1) is connected to the frame (3) and the mounting portion (1) is lower than the lead terminal.
(5) is a tie bar connecting the lead terminals (2) to each other and the frame (3).
(5).
第３図は、リードフレーム（６）上に、実際に半導体
素子を搭載した状態を示す図で、（ａ）は斜視図、
（ｂ）はＣ−Ｃ線における断面図である。図において、
（10）は半導体素子（７）を載置部（１）に接合する接
合材、（８）は半導体素子（７）の電極、（９）は半導
体素子（７）とリード端子（２）を結線する金属細線で
ある。このように構成された後、第４図の断面図に示す
ように、封止樹脂（11）によって樹脂封止され、リード
端子（２）が切断、曲げ加工され、半導体装置に仕上げ
られる。FIG. 3 is a diagram showing a state where a semiconductor element is actually mounted on a lead frame (6), (a) is a perspective view,
(B) is sectional drawing in CC line. In the figure,
(10) is a bonding material for bonding the semiconductor element (7) to the mounting portion (1), (8) is an electrode of the semiconductor element (7), and (9) is a semiconductor element (7) and a lead terminal (2). It is a thin metal wire to be connected. After being configured in this manner, as shown in the cross-sectional view of FIG. 4, resin sealing is performed with a sealing resin (11), and the lead terminal (2) is cut and bent to complete a semiconductor device.
上記のように構成された半導体装置において、載置部
（１）をリード端子（２）より低くなるように曲げ加工
を施すのは、半導体素子（７）を搭載して電極（８）と
リード端子（２）間を接続した金属細線（９）が垂れ下
がって、半導体素子（７）の上エッジ部と接触するのを
防止するためである。In the semiconductor device configured as described above, the mounting part (1) is bent so as to be lower than the lead terminal (2) because the semiconductor element (7) is mounted and the electrode (8) and the lead are formed. This is to prevent the thin metal wire (9) connecting the terminals (2) from hanging down and coming into contact with the upper edge portion of the semiconductor element (7).
［発明が解決しようとする課題］ 従来のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置は
上記のように構成されていたので、次のような問題点が
あった。[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional lead frame and the semiconductor device using the same are configured as described above, there are the following problems.
載置部（１）とリード端子（２）が同一部材で構成さ
れており、載置部（１）をリード端子（２）により低く
するためには吊りリード（４）の曲げ加工が必要にな
り、その加工の際に、枠（３）やリード端子（２）の変
形を招く問題があった。The mounting portion (1) and the lead terminal (2) are made of the same material, and the suspension lead (4) needs to be bent in order to lower the mounting portion (1) by the lead terminal (2). In this case, there is a problem that the frame (3) and the lead terminal (2) are deformed.
吊りリード（４）の曲げ加工を精度よくできないた
め、半導体装置の薄型化に対応するのが困難であった。Since the bending of the suspension lead (4) cannot be performed with high accuracy, it has been difficult to cope with the reduction in thickness of the semiconductor device.
この発明は上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、リードフレーム（６）の載置部（１）
の沈め寸法を精度よく得、ひいては、精度よく薄型化を
実現できるリードフレーム及びそれを用いた半導体装置
を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has a mounting portion (1) for a lead frame (6).
It is an object of the present invention to obtain a lead frame capable of accurately obtaining a sinking dimension of the lead frame, and thereby realizing the thickness reduction with high accuracy, and a semiconductor device using the same.
［課題を解決するための手段］ この発明に係るリードフレームは、半導体素子を搭載
し吊りリードを有する載置部と、この載置部の近傍に配
置されたタイバーを有するリード端子とを備え、前記載
置部が前記リード端子と所定の段差で配置されたリード
フレームにおいて、前記載置部と前記吊りリードとを一
体に形成する枠を有する平板状の第２のリードフレーム
と、前記リード端子と前記タイバーとを一体に形成する
枠を有する平板状の第１のリードフレームとをそれぞれ
の枠が重なるように一体形成し、前記所定の段差を前記
第１のリードフレームの実質的な厚さで形成したもので
ある。[Means for Solving the Problems] A lead frame according to the present invention includes a mounting portion on which a semiconductor element is mounted and a suspension lead is provided, and a lead terminal having a tie bar arranged near the mounting portion, A lead frame, wherein the mounting portion is arranged at a predetermined level difference from the lead terminal, wherein a flat second lead frame having a frame integrally forming the mounting portion and the suspension lead; And a flat first lead frame having a frame that integrally forms the tie bar and the first lead frame. The predetermined steps are formed substantially in the thickness of the first lead frame. It is formed by.
この発明に係る半導体装置は、第１項記載の第２のリ
ードフレームの載置部に半導体素子が接合され、この半
導体素子の電極とリード端子とが金属細線により電気的
に接続され樹脂封止されたものである。In the semiconductor device according to the present invention, a semiconductor element is joined to the mounting portion of the second lead frame according to claim 1, and the electrode of the semiconductor element and the lead terminal are electrically connected by a thin metal wire and sealed with a resin. It was done.
［作用］ 本発明によれば、載置部とリード端子をそれぞれ別体
で形成した第１および第２のリードフレームを組み合わ
せて一体形成し、載置部とリード端子との段差を前記第
１のリードフレームの実質的な厚さで形成したので、曲
げ加工を行うことなく沈め加工と同等の効果を簡単に得
ることができ、載置部とリード端子との段差は各リード
フレームの板厚精度にのみ依拠し精度よく形成され載置
部が傾くこともなく、従って、封止樹脂から半導体素子
が突出したり金属細線が露出することがなくなるので、
半導体装置を薄型にすることができる。しかも段差の量
をリード部の厚さを薄く変えることによって簡単に段差
を小さく変更することができ、さらに、第２のリードフ
レームの板厚を第１のリードフレームの板厚より薄くす
ることもできるので半導体装置をさらに薄型化すること
ができる。According to the present invention, according to the present invention, the mounting portion and the lead terminal are separately formed, and the first and second lead frames are combined and integrally formed to form a step between the mounting portion and the lead terminal. Since the lead frame is formed with a substantial thickness, the same effect as sinking can be easily obtained without bending, and the step between the mounting part and the lead terminal is the thickness of each lead frame. Since the mounting portion is formed with high precision only depending on the accuracy and the mounting portion does not tilt, and therefore, the semiconductor element does not protrude from the sealing resin or the thin metal wire is not exposed.
The semiconductor device can be made thin. In addition, the amount of the step can be easily changed to be small by changing the thickness of the lead portion to be thin, and the thickness of the second lead frame can be made thinner than the thickness of the first lead frame. Therefore, the thickness of the semiconductor device can be further reduced.
また、リードフレームが枠を有する平板状の第１およ
び第２のリードフレームをそれぞれの枠が重なるように
一体形成することにより製造されるため、リードフレー
ムの載置部を傾くことなく、段差を精度よく、しかも連
続的に製造することが可能になる。Further, since the lead frame is manufactured by integrally forming the first and second flat lead frames each having a frame so that the respective frames overlap each other, the step can be reduced without tilting the mounting portion of the lead frame. It is possible to manufacture it accurately and continuously.
［実施例］ 以下、発明のリードフレームの一実施例を図について
説明する。[Embodiment] An embodiment of the lead frame of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図において、（12）は枠（３）とリード端子
（２）およびタイバー（５）が一体に形成された平板状
の第１のリードフレーム、（13）は枠（３）と載置部
（１）および吊りリード（４）が一体に形成された平板
状の第２のリードフレームであり、第１および第２のリ
ードフレーム（12,13）は第１図（ａ）に示すようにそ
れぞれの枠（３）が重なるように接合されて一体に形成
され、半導体装置用リードフレーム（14）を構成する。In FIG. 1, (12) is a flat first lead frame integrally formed with a frame (3), a lead terminal (2) and a tie bar (5), and (13) is placed on the frame (3). A part (1) and a suspension lead (4) are a plate-shaped second lead frame integrally formed, and the first and second lead frames (12, 13) are as shown in FIG. 1 (a). The respective frames (3) are joined so as to overlap each other, and are integrally formed to constitute a semiconductor device lead frame (14).
なお、第１および第２のリードフレーム（12,13）の
重ね精度を安定化するために、接着してもよく、その方
法には、両面接着テープを挟む方法、カシメおよびスポ
ット溶接による方法等がある。In order to stabilize the overlapping accuracy of the first and second lead frames (12, 13), the first and second lead frames (12, 13) may be adhered to each other. There is.
なお、図中、同一符号は従来例の場合と同一または同
等のものを示す。In the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent components as those in the conventional example.
上記のように、半導体装置用リードフレーム（14）は
平板状の第１および第２のリードフレーム（12,13）が
一体形成され、第１のリードフレームの厚さで、載置部
（１）とリード端子（２）とに段差が生じ、沈め加工と
同等の効果をもつことになる。As described above, the lead frame (14) for a semiconductor device is formed by integrally forming the first and second plate-like lead frames (12, 13), and the thickness of the first lead frame corresponds to the mounting portion (1). ) And the lead terminal (2) have a step, which has the same effect as the sinking process.
また、リード端子（２）が形成された第１のリードフ
レーム（12）の板厚を変えることによって載置部（１）
とリード端子（２）との段差の量を簡単にかつ精度よく
変更することができる。Also, by changing the plate thickness of the first lead frame (12) on which the lead terminals (2) are formed, the mounting portion (1)
The amount of the step between the lead and the lead terminal (2) can be easily and accurately changed.
なお、本実施例のリードフレームを用いる半導体装置
は、従来例と同様に、第３図および第４図に従って形成
することができるので、薄型半導体装置が容易に得られ
る。The semiconductor device using the lead frame of the present embodiment can be formed according to FIGS. 3 and 4, similarly to the conventional example, so that a thin semiconductor device can be easily obtained.
［発明の効果］ 以上のように本願発明によれば、載置部とリード端子
をそれぞれ別体で形成した第１および第２のリードフレ
ームを組み合わせて一体形成し、載置部とリード端子と
の段差を前記第１のリードフレームの実質的な厚さで形
成するようにしたので、曲げ加工なしに沈め加工と同等
の効果を簡単に得ることができ、載置部とリード端子と
の段差は各リードフレームの板厚精度にのみ依拠し精度
よく形成され載置部が傾くこともなく、従って、封止樹
脂から半導体素子が突出したり金属細線が露出すること
がなくなるので、半導体装置を薄型にすることができ
る。しかも段差の量をリード部の厚さを薄く変えること
によって簡単に段差を小さく変更することができ、さら
に、第２のリードフレームの板厚を第１のリードフレー
ムの板厚より薄くすることもできるので半導体装置をさ
らに薄型化することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the mounting portion and the lead terminal are separately formed, and the first and second lead frames are combined and integrally formed to form the mounting portion and the lead terminal. Is formed with a substantial thickness of the first lead frame, so that the same effect as the sinking process can be easily obtained without bending, and the step between the mounting portion and the lead terminal can be easily obtained. The semiconductor device is formed with high precision only depending on the thickness accuracy of each lead frame, and the mounting portion does not tilt. Therefore, the semiconductor element does not protrude from the sealing resin and the thin metal wire is not exposed. Can be In addition, the amount of the step can be easily changed to be small by changing the thickness of the lead portion to be thin, and the thickness of the second lead frame can be made thinner than the thickness of the first lead frame. Therefore, the thickness of the semiconductor device can be further reduced.
また、リードフレームが枠を有する平板状の第１およ
び第２のリードフレームをそれぞれの枠が重なるように
一体形成することにより製造されるため、リードフレー
ムの載置部を傾くことなく、段差を精度よく、しかも連
続的に製造することが可能になるという効果がある。Further, since the lead frame is manufactured by integrally forming the first and second flat lead frames each having a frame so that the respective frames overlap each other, the step can be reduced without tilting the mounting portion of the lead frame. There is an effect that it is possible to manufacture the semiconductor device accurately and continuously.
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例であるリー
ドフレームの製造工程を示す斜視図および断面図、第２
図（ａ）〜（ｃ）および第３図（ａ）〜（ｂ）は従来の
半導体装置の載置部とその周辺部を示す斜視図および断
面図、第４図はリードフレームの載置部とリード端子と
が段差を有する半導体装置の断面図である。 図において、（１）は載置部、（２）はリード端子、
（３）は枠、（４）は吊りリード、（７）は半導体素
子、（９）は金属細線、（12）は第１のリードフレー
ム、（13）は第２のリードフレーム1 (a) to 1 (d) are a perspective view and a sectional view showing a manufacturing process of a lead frame according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are a perspective view and a sectional view showing a mounting portion of a conventional semiconductor device and its peripheral portion, and FIG. 4 is a mounting portion of a lead frame. FIG. 14 is a cross-sectional view of a semiconductor device in which a lead terminal and a lead terminal have a step. In the figure, (1) is a mounting portion, (2) is a lead terminal,
(3) is a frame, (4) is a suspension lead, (7) is a semiconductor element, (9) is a thin metal wire, (12) is a first lead frame, and (13) is a second lead frame.
Claims (2)
置部と、この載置部の近傍に配置されたタイバーを有す
るリード端子とを備え、前記載置部が前記リード端子と
所定の段差で配置されたリードフレームにおいて、前記
載置部と前記吊りリードとを一体に形成する枠を有する
平板状の第２のリードフレームと、前記リード端子と前
記タイバーとを一体に形成する枠を有する平板状の第１
のリードフレームとを前記それぞれの枠が重なるように
一体形成し、前記所定の段差を前記第１のリードフレー
ムの実質的な厚さで形成したことを特徴とするリードフ
レーム。1. A mounting part on which a semiconductor element is mounted and which has a suspension lead, and a lead terminal having a tie bar disposed near the mounting part, wherein the mounting part has a predetermined height difference from the lead terminal. A lead frame having a frame for integrally forming the mounting portion and the suspension lead, and a frame for integrally forming the lead terminal and the tie bar. Flat first
And the lead frame is integrally formed such that the respective frames overlap each other, and the predetermined step is formed with a substantial thickness of the first lead frame.
部に半導体素子が接合され、この半導体素子の電極とリ
ード端子とが金属細線により電気的に接続され樹脂封止
されたことを特徴とする半導体装置。2. A semiconductor device is bonded to the mounting portion of the second lead frame according to claim 1, and electrodes of the semiconductor device and lead terminals are electrically connected to each other by a thin metal wire and sealed with a resin. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286185A JP2726523B2 (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1286185A JP2726523B2 (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147356A JPH03147356A (en) | 1991-06-24 |
| JP2726523B2 true JP2726523B2 (en) | 1998-03-11 |
Family
ID=17701048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286185A Expired - Fee Related JP2726523B2 (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Lead frame and semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726523B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193365A (en) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | Lead frame |
| JPH01206660A (en) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Nec Corp | Lead frame and semiconductor device utilizing same |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP1286185A patent/JP2726523B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH03147356A (en) | 1991-06-24 |
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