JP2724083B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、特にＬＳＩ等の半導
体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ、
例えばプラグイン型の半導体素子収納用パッケージはア
ルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上
面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有
し、且つ該凹部周辺から下面にかけて導出されたタング
ステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から
成るメタライズ配線層を有する四角形状の絶縁基体と、
半導体素子を外部電気回路に電気的に接続するために前
記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介し取着され
た外部リード端子と、アルミナセラミックス等の電気絶
縁材料から成る四角形状の蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部底面に半導体素子を接着剤を介して取着
固定し、半導体素子の各電極とメタライズ配線層とをボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続するとともに絶
縁基体の上面に蓋体を半田等から成る封止材により接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に半導体素
子を気密に封止することによって製品としての半導体装
置となる。
体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ、
例えばプラグイン型の半導体素子収納用パッケージはア
ルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上
面の略中央部に半導体素子を収容するための凹部を有
し、且つ該凹部周辺から下面にかけて導出されたタング
ステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から
成るメタライズ配線層を有する四角形状の絶縁基体と、
半導体素子を外部電気回路に電気的に接続するために前
記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介し取着され
た外部リード端子と、アルミナセラミックス等の電気絶
縁材料から成る四角形状の蓋体とから構成されており、
絶縁基体の凹部底面に半導体素子を接着剤を介して取着
固定し、半導体素子の各電極とメタライズ配線層とをボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続するとともに絶
縁基体の上面に蓋体を半田等から成る封止材により接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に半導体素
子を気密に封止することによって製品としての半導体装
置となる。
【０００３】尚、かかる従来の半導体素子収納用パッケ
ージは絶縁基体と蓋体の接合が、絶縁基体の上面に予め
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成る金属層を、また蓋体の下面及び側面全周に銀
−パラジウムから成る金属層を各々形成しておき、絶縁
基体と蓋体の各金属層を封止材である半田を介し接合さ
せ、蓋体側面の金属層と絶縁基体上面の金属層との間に
半田の溜まりを形成することによって行われている。
ージは絶縁基体と蓋体の接合が、絶縁基体の上面に予め
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成る金属層を、また蓋体の下面及び側面全周に銀
−パラジウムから成る金属層を各々形成しておき、絶縁
基体と蓋体の各金属層を封止材である半田を介し接合さ
せ、蓋体側面の金属層と絶縁基体上面の金属層との間に
半田の溜まりを形成することによって行われている。
【０００４】また、前記蓋体の金属層は銀 パラジウム
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得られる金
属ペーストを蓋体の下面及び側面に従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することによって所定厚みに印刷塗布
し、しかる後、これを焼成することによって蓋体下面及
び側面全周に被着される。
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得られる金
属ペーストを蓋体の下面及び側面に従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することによって所定厚みに印刷塗布
し、しかる後、これを焼成することによって蓋体下面及
び側面全周に被着される。
【０００５】しかしながら、この従来の半導体素子収納
用パッケージにおいては蓋体は四角形状をなし、側面各
角部が角張っていること及び蓋体は脆弱なアルミナセラ
ミックスから成り、且つその厚みが０．６ｍｍ程度と薄
いこと等から絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に半
導体素子を気密に収容した後、蓋体に外力が印加される
と該外力が蓋体の側面各角部に集中して欠けが発生し、
その結果、容器の気密封止が破れ、内部に収容する半導
体素子を長時間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができないという欠点を有していた。
用パッケージにおいては蓋体は四角形状をなし、側面各
角部が角張っていること及び蓋体は脆弱なアルミナセラ
ミックスから成り、且つその厚みが０．６ｍｍ程度と薄
いこと等から絶縁基体と蓋体とから成る容器の内部に半
導体素子を気密に収容した後、蓋体に外力が印加される
と該外力が蓋体の側面各角部に集中して欠けが発生し、
その結果、容器の気密封止が破れ、内部に収容する半導
体素子を長時間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができないという欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために蓋体の側
面各角部を半径０．５ｍｍ以上の円弧状に加工し、側面
各角部に外力が集中するのを防止して蓋体の機械的強度
を向上させることが行われている。
面各角部を半径０．５ｍｍ以上の円弧状に加工し、側面
各角部に外力が集中するのを防止して蓋体の機械的強度
を向上させることが行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、蓋体の
側面各角部に円弧状の加工を施すと、蓋体の側面に金属
ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、蓋体の側面
全周に金属層を被着させる際、蓋体の側面各角部が円弧
状であり、スクリーンマスクに密着しないことから蓋体
の側面各角部に金属層を被着させることができず、その
結果、絶縁基体上面の金属層と蓋体の下面及び側面の金
属層とを封止材である半田を介して接合させ、絶縁基体
と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封止す
ることによって半導体装置となした場合、蓋体の側面各
角部に半田溜まりの存在しない領域が形成されてしま
う。そのためこの半導体装置は封止材（半田）に半導体
素子の作動時に発する熱が繰り返し印加されると半田の
伸縮による応力が前記半田溜まりの存在しない領域に集
中し、該集中した応力によって蓋体の下面金属層と絶縁
基体上面の金属層との間に配される封止材（半田）にク
ラックを発生させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の気
密封止が破れて内部に収容する半導体素子を長期間にわ
たり、正常、且つ安定に作動させることができないとい
う欠点を誘発してしまう。
側面各角部に円弧状の加工を施すと、蓋体の側面に金属
ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、蓋体の側面
全周に金属層を被着させる際、蓋体の側面各角部が円弧
状であり、スクリーンマスクに密着しないことから蓋体
の側面各角部に金属層を被着させることができず、その
結果、絶縁基体上面の金属層と蓋体の下面及び側面の金
属層とを封止材である半田を介して接合させ、絶縁基体
と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封止す
ることによって半導体装置となした場合、蓋体の側面各
角部に半田溜まりの存在しない領域が形成されてしま
う。そのためこの半導体装置は封止材（半田）に半導体
素子の作動時に発する熱が繰り返し印加されると半田の
伸縮による応力が前記半田溜まりの存在しない領域に集
中し、該集中した応力によって蓋体の下面金属層と絶縁
基体上面の金属層との間に配される封止材（半田）にク
ラックを発生させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器の気
密封止が破れて内部に収容する半導体素子を長期間にわ
たり、正常、且つ安定に作動させることができないとい
う欠点を誘発してしまう。
【０００８】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑みて案出されたも
ので、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器に気密
封止を完全とし、内部に収容する半導体素子を長期間に
わたり、正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。
ので、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器に気密
封止を完全とし、内部に収容する半導体素子を長期間に
わたり、正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上面に金属層を
有する絶縁基体と、下面及び側面全周に金属層を有する
蓋体とから成り、絶縁基体の上面と蓋体の下面の各金属
層を封止材を介し接合させることによって内部に半導体
素子を気密に封止する半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記蓋体の各側面角部に０．５ｍｍ以上の平坦面
を形成するとともに、該平坦面と側面とのなす両端の角
度が各々１２０°以上であることを特徴とするものであ
る。
有する絶縁基体と、下面及び側面全周に金属層を有する
蓋体とから成り、絶縁基体の上面と蓋体の下面の各金属
層を封止材を介し接合させることによって内部に半導体
素子を気密に封止する半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記蓋体の各側面角部に０．５ｍｍ以上の平坦面
を形成するとともに、該平坦面と側面とのなす両端の角
度が各々１２０°以上であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。
る。
【００１１】図１及び図２は本発明の半導体素子収納用
パッケージをプラグイン型の半導体素子収納用パッケー
ジを例に採って示す図であり、１は絶縁基体、２は蓋体
である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収
容するための容器４が構成される。
パッケージをプラグイン型の半導体素子収納用パッケー
ジを例に採って示す図であり、１は絶縁基体、２は蓋体
である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収
容するための容器４が構成される。
【００１２】前記絶縁基体１はアルミナセラミックス等
の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体素
子３を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けて
あり、該凹部１ａ底面には半導体素子３がエポキシ樹脂
等の接着剤を介し取着される。
の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導体素
子３を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けて
あり、該凹部１ａ底面には半導体素子３がエポキシ樹脂
等の接着剤を介し取着される。
【００１３】前記絶縁基体１はアルミナセラミックスか
ら成る場合、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ
（ＳｉＯ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレ
ード法やカレンダーロール法等を採用することによって
セラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形
成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約
１６００℃）で焼成することによって製作される。
ら成る場合、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ
（ＳｉＯ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレ
ード法やカレンダーロール法等を採用することによって
セラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形
成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約
１６００℃）で焼成することによって製作される。
【００１４】また前記絶縁基体１には凹部１ａ周辺から
下面にかけて導出する複数のメタライズ配線層５が形成
されており、該メタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部に
は半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介し
て電気的に接続され、また下面に導出された部位には外
部電気回路と接続される外部リード端子７が銀ロウ等の
ロウ材を介し取着される。
下面にかけて導出する複数のメタライズ配線層５が形成
されており、該メタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部に
は半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介し
て電気的に接続され、また下面に導出された部位には外
部電気回路と接続される外部リード端子７が銀ロウ等の
ロウ材を介し取着される。
【００１５】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法等により印
刷塗布しておくことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺
から下面にかけて被着形成される。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法等により印
刷塗布しておくことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺
から下面にかけて被着形成される。
【００１６】尚、前記メタライズ配線層５はその露出す
る表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優
れた金属をメッキ法により０. １乃至２０. ０μｍの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層５の酸化腐食を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固なも
のとなすことができる。従って、前記メタライズ配線層
５の酸化腐食を防止し、メタライズ配線層５とボンディ
ングワイヤ６との接続及びメタライズ配線層５と外部リ
ード端子７とのロウ付けを強固とするにはメタライズ配
線層５の露出する表面にニッケル、金等を１. ０乃至２
０. ０μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
る表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優
れた金属をメッキ法により０. １乃至２０. ０μｍの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層５の酸化腐食を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固なも
のとなすことができる。従って、前記メタライズ配線層
５の酸化腐食を防止し、メタライズ配線層５とボンディ
ングワイヤ６との接続及びメタライズ配線層５と外部リ
ード端子７とのロウ付けを強固とするにはメタライズ配
線層５の露出する表面にニッケル、金等を１. ０乃至２
０. ０μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１７】また前記メタライズ配線層５にロウ付けさ
れる外部リード端子７は内部に収容する半導体素子３を
外部電気回路に接続する作用を為し、外部リード端子７
を外部電気回路に接続することによって内部に収容され
る半導体素子３はメタライズ配線層５及び外部リード端
子７を介し外部電気回路と電気的に接続されることとな
る。
れる外部リード端子７は内部に収容する半導体素子３を
外部電気回路に接続する作用を為し、外部リード端子７
を外部電気回路に接続することによって内部に収容され
る半導体素子３はメタライズ配線層５及び外部リード端
子７を介し外部電気回路と電気的に接続されることとな
る。
【００１８】前記外部リード端子７はコバール金属（Ｆ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）や４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）
等の金属材料から成り、コバール金属等のインゴット
（塊）を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を採用することによって所定の板状に形成され
る。
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）や４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）
等の金属材料から成り、コバール金属等のインゴット
（塊）を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を採用することによって所定の板状に形成され
る。
【００１９】前記絶縁基体１はまたその上面に金属層８
が被着形成されており、該金属層８には蓋体２が半田か
ら成る封止材９を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
が被着形成されており、該金属層８には蓋体２が半田か
ら成る封止材９を介して接合され、これによって絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が
気密に封止される。
【００２０】前記絶縁基体１の上面に被着形成した金属
層８は例えば、タングステン、モリブデン、マンガン等
の高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートに従来周知のス
クリーン印刷法を採用することによって印刷塗布してお
き、セラミックグリーンシートを高温で焼成し絶縁基体
１となす際に同時に絶縁基体１の上面に形成される。
層８は例えば、タングステン、モリブデン、マンガン等
の高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートに従来周知のス
クリーン印刷法を採用することによって印刷塗布してお
き、セラミックグリーンシートを高温で焼成し絶縁基体
１となす際に同時に絶縁基体１の上面に形成される。
【００２１】尚、前記金属層８の表面には封止材９との
濡れ性（反応性）を改善するためにニッケルから成る層
と金から成る層を順次層着させておくことが好ましい。
濡れ性（反応性）を改善するためにニッケルから成る層
と金から成る層を順次層着させておくことが好ましい。
【００２２】また前記絶縁基体１の上面に接合される蓋
体２はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その下面外周から側面全周にかけて予め金属層１０
が被着形成されており、該金属層１０を半田から成る封
止材９を介し絶縁基体１上面の金属層８に接合させるこ
とによって蓋体２は絶縁基体１に接合されることとな
る。
体２はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その下面外周から側面全周にかけて予め金属層１０
が被着形成されており、該金属層１０を半田から成る封
止材９を介し絶縁基体１上面の金属層８に接合させるこ
とによって蓋体２は絶縁基体１に接合されることとな
る。
【００２３】前記絶縁基体１上面に接合される蓋体２は
例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）、
カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た原料粉末を所定形状
のプレス金型内に充填するとともに一定圧力で押圧して
形成し、しかる後、前記成形品を約１５００℃の温度で
焼成することによって製作される。
例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）、
カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た原料粉末を所定形状
のプレス金型内に充填するとともに一定圧力で押圧して
形成し、しかる後、前記成形品を約１５００℃の温度で
焼成することによって製作される。
【００２４】また前記蓋体２の下面外周及び側面全周に
被着形成されている金属層１０は銀や銀 パラジウム等
の金属材料から成り、銀粉末、パラジウム粉末等に適当
なバインダー及び有機溶媒を添加混合して得た金属ペー
ストを蓋体２の下面及び側面に従来周知のスクリーン印
刷法により１０乃至３０μｍの厚みに印刷塗布するとと
もにこれを約９００℃の温度で焼き付けることによって
蓋体２の下面外周及び側面全周に被着形成される。
被着形成されている金属層１０は銀や銀 パラジウム等
の金属材料から成り、銀粉末、パラジウム粉末等に適当
なバインダー及び有機溶媒を添加混合して得た金属ペー
ストを蓋体２の下面及び側面に従来周知のスクリーン印
刷法により１０乃至３０μｍの厚みに印刷塗布するとと
もにこれを約９００℃の温度で焼き付けることによって
蓋体２の下面外周及び側面全周に被着形成される。
【００２５】前記蓋体２はその側面各角部に幅が０．５
ｍｍ以上の平坦面２ａを有する切り欠きＡが形成されて
おり、該切り欠きＡによって蓋体２に外力が印加され、
該外力が蓋体２の側面各角部に集中して蓋体２の側面各
角部に欠けや割れ等が発生するのを有効に防止してい
る。
ｍｍ以上の平坦面２ａを有する切り欠きＡが形成されて
おり、該切り欠きＡによって蓋体２に外力が印加され、
該外力が蓋体２の側面各角部に集中して蓋体２の側面各
角部に欠けや割れ等が発生するのを有効に防止してい
る。
【００２６】また、前記切り欠きＡの平坦面２ａと蓋体
２の各側面との間に位置する角部の角度α、βはそのい
ずれもが１２０°以上の鈍角となっており、蓋体２に外
力が印加されても該外力が蓋体２の各側面と平坦面２ａ
との間の角部に集中することはなく蓋体２に欠けや割れ
等が発生することはない。
２の各側面との間に位置する角部の角度α、βはそのい
ずれもが１２０°以上の鈍角となっており、蓋体２に外
力が印加されても該外力が蓋体２の各側面と平坦面２ａ
との間の角部に集中することはなく蓋体２に欠けや割れ
等が発生することはない。
【００２７】更に前記蓋体２の側面各角部に形成した切
り欠きＡは幅を０．５ｍｍ以上とした平坦面２ａを有し
ていることから蓋体２の側面にスクリーン印刷法を採用
することによって金属層１０を被着させる際、蓋体２の
側面全周がスクリーンマスクに密着して蓋体２の側面全
周に金属層１０を確実に被着させることができる。その
ため、絶縁基体１上面の金属層８と蓋体２の下面及び側
面の金属層１０とを封止材９である半田を介して接合さ
せ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体
素子３を気密に封止した場合、蓋体２の側面全周に半田
溜まりが確実に形成され、封止材９（半田）に半導体素
子３の作動時に発する熱が繰り返し印加され、半田の伸
縮による応力が発生したとしても、該応力は封止材９の
全体に分散されて小さくなり、封止材９にクラックが発
生して容器４の気密封止が破れることは皆無となる。
り欠きＡは幅を０．５ｍｍ以上とした平坦面２ａを有し
ていることから蓋体２の側面にスクリーン印刷法を採用
することによって金属層１０を被着させる際、蓋体２の
側面全周がスクリーンマスクに密着して蓋体２の側面全
周に金属層１０を確実に被着させることができる。その
ため、絶縁基体１上面の金属層８と蓋体２の下面及び側
面の金属層１０とを封止材９である半田を介して接合さ
せ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体
素子３を気密に封止した場合、蓋体２の側面全周に半田
溜まりが確実に形成され、封止材９（半田）に半導体素
子３の作動時に発する熱が繰り返し印加され、半田の伸
縮による応力が発生したとしても、該応力は封止材９の
全体に分散されて小さくなり、封止材９にクラックが発
生して容器４の気密封止が破れることは皆無となる。
【００２８】尚、前記蓋体２の側面各角部に形成する切
り欠きＡはその平坦面２ａの幅が０．５ｍｍ未満である
と蓋体２に外力が印加された際、蓋体２の側面各角部に
外力が集中して蓋体２に欠けや割れ等を発生させてしま
うとともに平坦面２ａにスクリーン印刷法を採用するこ
とによって金属層１０を被着させることができなくな
る。従って、前記蓋体２の側面各角部に形成する切り欠
きＡはその平坦面２ａの幅が０．５ｍｍ以上のものに特
定される。
り欠きＡはその平坦面２ａの幅が０．５ｍｍ未満である
と蓋体２に外力が印加された際、蓋体２の側面各角部に
外力が集中して蓋体２に欠けや割れ等を発生させてしま
うとともに平坦面２ａにスクリーン印刷法を採用するこ
とによって金属層１０を被着させることができなくな
る。従って、前記蓋体２の側面各角部に形成する切り欠
きＡはその平坦面２ａの幅が０．５ｍｍ以上のものに特
定される。
【００２９】また前記切り欠きＡの平坦面２ａと蓋体２
の各側面との間に位置する角部の角度α、βが１２０°
未満となると蓋体２に外力が印加された際、該外力が角
部に集中して蓋体２に欠けや割れ等を発生させてしま
う。従って前記切り欠けＡの平坦面２ａと蓋体２の各側
面との間に位置する角部の角度α、βはそのいずれもが
１２０°以上に特定される。
の各側面との間に位置する角部の角度α、βが１２０°
未満となると蓋体２に外力が印加された際、該外力が角
部に集中して蓋体２に欠けや割れ等を発生させてしま
う。従って前記切り欠けＡの平坦面２ａと蓋体２の各側
面との間に位置する角部の角度α、βはそのいずれもが
１２０°以上に特定される。
【００３０】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
を接着剤を介して取着するとともに半導体素子３の各電
極をメタライズ配線層５にボンディングワイヤ６を介し
て電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に被着
させた金属層８と蓋体２の下面及び側面に被着させた金
属層１０とを半田から成る封止材９を介して接合させ、
絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素
子３を気密に封止することによって製品としての半導体
装置となる。
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
を接着剤を介して取着するとともに半導体素子３の各電
極をメタライズ配線層５にボンディングワイヤ６を介し
て電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に被着
させた金属層８と蓋体２の下面及び側面に被着させた金
属層１０とを半田から成る封止材９を介して接合させ、
絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素
子３を気密に封止することによって製品としての半導体
装置となる。
【００３１】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では蓋体
２の下面外周及び側面全周に銀 パラジウムから成る金
属層１０を形成していたが、これを絶縁基体１の上面に
形成した金属層８と同じ材質、即ち、タングステン、モ
リブデン等で形成してもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では蓋体
２の下面外周及び側面全周に銀 パラジウムから成る金
属層１０を形成していたが、これを絶縁基体１の上面に
形成した金属層８と同じ材質、即ち、タングステン、モ
リブデン等で形成してもよい。
【００３２】また上述の実施例ではプラグイン型の半導
体素子収納用パッケージを例に採って説明したがデュア
ルインライン型等の他の半導体素子収納用パッケージに
も適用可能である。
体素子収納用パッケージを例に採って説明したがデュア
ルインライン型等の他の半導体素子収納用パッケージに
も適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、蓋体の側面各角部に０．５ｍｍ以上の平坦面を
有し、該平坦面と側面とのなす角度が各々１２０°以上
の切り欠きを形成したことから蓋体に外力が印加されて
も該外力は蓋体の全体に分散されて集中することはな
く、その結果、蓋体に外力印加に起因する欠けや割れ等
が発生することは皆無で、絶縁基体と蓋体とから成る容
器内部に半導体素子を気密に封止するのを可能として内
部に収容する半導体素子を長期間にわたり、正常、且つ
安定に作動させることができる。
よれば、蓋体の側面各角部に０．５ｍｍ以上の平坦面を
有し、該平坦面と側面とのなす角度が各々１２０°以上
の切り欠きを形成したことから蓋体に外力が印加されて
も該外力は蓋体の全体に分散されて集中することはな
く、その結果、蓋体に外力印加に起因する欠けや割れ等
が発生することは皆無で、絶縁基体と蓋体とから成る容
器内部に半導体素子を気密に封止するのを可能として内
部に収容する半導体素子を長期間にわたり、正常、且つ
安定に作動させることができる。
【００３４】また同時に蓋体の側面全周に金属層を確実
に被着させて蓋体の側面全周に対し封止材である半田の
溜まりを形成することができ、その結果、封止材である
半田に熱が印加され、半田の伸縮による応力が発生した
としても該応力は封止材全体に均一に分散されて小さく
なり、封止材にクラックが発生するのを皆無として半導
体素子を収容する容器の気密封止を完全となすことがで
きる。
に被着させて蓋体の側面全周に対し封止材である半田の
溜まりを形成することができ、その結果、封止材である
半田に熱が印加され、半田の伸縮による応力が発生した
としても該応力は封止材全体に均一に分散されて小さく
なり、封止材にクラックが発生するのを皆無として半導
体素子を収容する容器の気密封止を完全となすことがで
きる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示すパッケージの蓋体の平面図である。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ２ａ・・平坦面 ３・・・半導体素子 ４・・・容器 ５・・・メタライズ配線層 ７・・・外部リード端子 ８・・・金属層（絶縁基体側） ９・・・封止材 １０・・・金属層（蓋体側） Ａ・・・切り欠き
Claims (1)
- 【請求項１】上面に金属層を有する絶縁基体と、下面外
周部及び側面全周に金属層を有する四角形状の蓋体とか
ら成り、絶縁基体と蓋体の各金属層をロウ材から成る封
止材を介し接合させることによって内部に半導体素子を
気密に封止する半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記蓋体の各側面角部に幅が０．５ｍｍ以上の平坦面を
形成するとともに該平坦面と側面とのなす両端の角度を
各々１２０°以上としたことを特徴とする半導体素子収
納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343736A JP2724083B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343736A JP2724083B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196579A JPH06196579A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2724083B2 true JP2724083B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=18363855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343736A Expired - Fee Related JP2724083B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2724083B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2833655B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1998-12-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4343736A patent/JP2724083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06196579A (ja) | 1994-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |