JP2723723B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP2723723B2 JP2723723B2 JP29192891A JP29192891A JP2723723B2 JP 2723723 B2 JP2723723 B2 JP 2723723B2 JP 29192891 A JP29192891 A JP 29192891A JP 29192891 A JP29192891 A JP 29192891A JP 2723723 B2 JP2723723 B2 JP 2723723B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平面光源やディスプレ
イ等に利用される有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する。
イ等に利用される有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下、
ＥＬ素子という）は、自己発光型のため視認性が高く、
完全固体素子であるため耐衝撃性に優れ、大面積の面発
光体が製造できるという特徴を有しており、現在、無機
蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ素子が実用化さ
れている。しかしながら、無機ＥＬ素子は発光させるた
めに２００Ｖ程度の高い印加電圧が必要であり、又、駆
動方法も複雑である。
ＥＬ素子という）は、自己発光型のため視認性が高く、
完全固体素子であるため耐衝撃性に優れ、大面積の面発
光体が製造できるという特徴を有しており、現在、無機
蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ素子が実用化さ
れている。しかしながら、無機ＥＬ素子は発光させるた
めに２００Ｖ程度の高い印加電圧が必要であり、又、駆
動方法も複雑である。
【０００３】一方、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低
下させることができ、最近、有機薄膜を２層構造にした
新しいタイプの、より低電圧印加（１０Ｖ以下）で比較
的高輝度（１０００ｃｄ／ｍ2 以上）の得られる有機Ｅ
Ｌ素子が報告されている（アプライド・フィジックス・
レターズ ５１巻、９１３頁、１９８７年）。
下させることができ、最近、有機薄膜を２層構造にした
新しいタイプの、より低電圧印加（１０Ｖ以下）で比較
的高輝度（１０００ｃｄ／ｍ2 以上）の得られる有機Ｅ
Ｌ素子が報告されている（アプライド・フィジックス・
レターズ ５１巻、９１３頁、１９８７年）。
【０００４】又、特開平２−８２８７、特開平２−８２
８８、特開平２−８２８９号公報等に記載された新しい
有機蛍光体の開発や層構成を変化させること（化学と工
業、第４２巻、２０２３頁、１９８９年）等により赤色
光〜青色光まで各種の波長域の発光例が報告されてい
る。このように有機ＥＬ素子は各色の発光が可能で且
つ、構成が簡単で、容易に作製できることから、例えば
安価な大面積フルカラー表示素子等として注目されてい
る。
８８、特開平２−８２８９号公報等に記載された新しい
有機蛍光体の開発や層構成を変化させること（化学と工
業、第４２巻、２０２３頁、１９８９年）等により赤色
光〜青色光まで各種の波長域の発光例が報告されてい
る。このように有機ＥＬ素子は各色の発光が可能で且
つ、構成が簡単で、容易に作製できることから、例えば
安価な大面積フルカラー表示素子等として注目されてい
る。
【０００５】しかしながら、充分な輝度が得られるに到
っておらず、発光輝度はまだ数１０００ｃｄ／ｍ2 程度
である。駆動電圧を上げることにより輝度を若干上げる
ことができるが限界が有り、又高い電圧の印加は素子の
破壊をもたらし高輝度を得ることは困難である。
っておらず、発光輝度はまだ数１０００ｃｄ／ｍ2 程度
である。駆動電圧を上げることにより輝度を若干上げる
ことができるが限界が有り、又高い電圧の印加は素子の
破壊をもたらし高輝度を得ることは困難である。
【０００６】８−ヒドロキシキノリンアルミニウムの発
光層に蛍光色素をドーピングしたり（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，６５（９），３６１０−３６１６）、色素を
ドーピングしたり（第５０回応用物理学会学術講演会
（１９８９年）２９Ｐ−ＺＰ−１１）、スチリル系色素
をドーピングしたり（第５１回応用物理学会学術講演会
（１９９０年）２８ａ−ＰＢ−６）することによって発
光効率が向上する場合もあるが、これらの場合はドーピ
ング物質からの発光であり、８−ヒドロキシキノリンア
ルミニウムは電子輸送剤としてのみ機能しており発光剤
としては作用していない。
光層に蛍光色素をドーピングしたり（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，６５（９），３６１０−３６１６）、色素を
ドーピングしたり（第５０回応用物理学会学術講演会
（１９８９年）２９Ｐ−ＺＰ−１１）、スチリル系色素
をドーピングしたり（第５１回応用物理学会学術講演会
（１９９０年）２８ａ−ＰＢ−６）することによって発
光効率が向上する場合もあるが、これらの場合はドーピ
ング物質からの発光であり、８−ヒドロキシキノリンア
ルミニウムは電子輸送剤としてのみ機能しており発光剤
としては作用していない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子は低電圧
駆動が特徴であり、又、素子の破壊がもたらされるため
高い電圧を印加することができない。あるいは高発光効
率の材料がより効率的な素子構造が見い出されていない
ため有機ＥＬ素子においてはいまだ高輝度の発光をする
有機ＥＬ素子が得られていない。本発明は高輝度の発光
をする有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
駆動が特徴であり、又、素子の破壊がもたらされるため
高い電圧を印加することができない。あるいは高発光効
率の材料がより効率的な素子構造が見い出されていない
ため有機ＥＬ素子においてはいまだ高輝度の発光をする
有機ＥＬ素子が得られていない。本発明は高輝度の発光
をする有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機ＥＬ
素子の輝度を向上させるのに鋭意検討した結果、発光層
である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム層に共存さ
せることにより発光効率を向上させ増感効果をもたらす
化合物群があることを見い出し本発明に到った。すなわ
ち、本発明は発光層である８−ヒドロキシキノリンアル
ミニウム層に発光効率を向上させ、増感効果をもたらす
縮合多環芳香族化合物をドーピングすることを特徴とす
る、高輝度発光をする有機薄膜積層型の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関する。
素子の輝度を向上させるのに鋭意検討した結果、発光層
である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム層に共存さ
せることにより発光効率を向上させ増感効果をもたらす
化合物群があることを見い出し本発明に到った。すなわ
ち、本発明は発光層である８−ヒドロキシキノリンアル
ミニウム層に発光効率を向上させ、増感効果をもたらす
縮合多環芳香族化合物をドーピングすることを特徴とす
る、高輝度発光をする有機薄膜積層型の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関する。
【０００９】有機ＥＬ素子には、二層構造と三層構造の
ものが有り、これらの層構成を基板となる透明電極上に
設け、その上に対電極を設けて有機ＥＬ素子を製造す
る。二層構造の場合は、正孔輸送層と電子輸送性発光層
の組み合せあるいは電子輸送層と正孔輸送性発光層の組
み合せから成り、三層構造の場合は正孔輸送層と電子輸
送層で発光層をサンドイッチした構成となる。
ものが有り、これらの層構成を基板となる透明電極上に
設け、その上に対電極を設けて有機ＥＬ素子を製造す
る。二層構造の場合は、正孔輸送層と電子輸送性発光層
の組み合せあるいは電子輸送層と正孔輸送性発光層の組
み合せから成り、三層構造の場合は正孔輸送層と電子輸
送層で発光層をサンドイッチした構成となる。
【００１０】本発明にかかる構成は正孔輸送層と電子輸
送性発光剤である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
層の二層構造あるいはこれに更に電子輸送層を積層した
三層構造である。
送性発光剤である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
層の二層構造あるいはこれに更に電子輸送層を積層した
三層構造である。
【００１１】本発明で用いられる縮合多環芳香族化合物
としては、例えは、フェナントレン、９−メチルフェナ
ントレン、アントラセン、１−メチルアントラセン、２
−メチルアントラセン、９−メチルアントラセン、ベン
ズ［ａ］アントラセン、ピレン、１−メチルピレン、ナ
フタセン、ペリレン、クリセン、トリフェニレン、ベン
ゾフェナントレン、フルオレン、ａｓ−インダセン、ｓ
−インダセン、アセナフチレン、アセフェナントリレ
ン、アセアントリレン、アズレン、ヘプタレン、プレイ
アデン、ピセン等である。これらの化合物が８−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムの発光層に好ましくは０．５
〜１０ｍｏｌ％ドーピングして使用される。又、ドーピ
ングは一般的に８−ヒドロキシキノリンアルミニウムと
これらの化合物を同時蒸着することにより行なうことが
できる。
としては、例えは、フェナントレン、９−メチルフェナ
ントレン、アントラセン、１−メチルアントラセン、２
−メチルアントラセン、９−メチルアントラセン、ベン
ズ［ａ］アントラセン、ピレン、１−メチルピレン、ナ
フタセン、ペリレン、クリセン、トリフェニレン、ベン
ゾフェナントレン、フルオレン、ａｓ−インダセン、ｓ
−インダセン、アセナフチレン、アセフェナントリレ
ン、アセアントリレン、アズレン、ヘプタレン、プレイ
アデン、ピセン等である。これらの化合物が８−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムの発光層に好ましくは０．５
〜１０ｍｏｌ％ドーピングして使用される。又、ドーピ
ングは一般的に８−ヒドロキシキノリンアルミニウムと
これらの化合物を同時蒸着することにより行なうことが
できる。
【００１２】電荷輸送剤としては、電子写真用有機感光
体に使用されている化合物や電荷輸送能を有する化合物
が利用できる。正孔輸送剤としては、例えば、ポルフィ
ン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅
フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド
等のポルフィリン化合物、１，１−ビス｛４−（ジ−ｐ
−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，
４′，４″−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（ｐ−トリル）−ｐ−フェニレ
ンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ナ
フタリン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）−２，
２′−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｍ−トリル
−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール等の芳香族三級アミン、４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノスチルベン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン
等のスチルベン化合物等である。
体に使用されている化合物や電荷輸送能を有する化合物
が利用できる。正孔輸送剤としては、例えば、ポルフィ
ン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅
フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド
等のポルフィリン化合物、１，１−ビス｛４−（ジ−ｐ
−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，
４′，４″−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（ｐ−トリル）−ｐ−フェニレ
ンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ナ
フタリン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）−２，
２′−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−ｍ−トリル
−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール等の芳香族三級アミン、４−ジ−ｐ−トリルアミ
ノスチルベン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′
〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン
等のスチルベン化合物等である。
【００１３】電子輸送剤としては、例えば２−（ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（ｐ−ビフェニリル）
−１，３，５−オキサジアゾール、テトラシアノキノジ
メタン、３，５−ジメチル−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４，４′−ジフェノキノン等である。
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（ｐ−ビフェニリル）
−１，３，５−オキサジアゾール、テトラシアノキノジ
メタン、３，５−ジメチル−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４，４′−ジフェノキノン等である。
【００１４】電子輸送剤としては、例えば、２−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−フェニルフェ
ニル）−１，３，５−オキサジアゾール、２，４，７−
トリニトロ−９−フルオレノン、４−ブトキシカルボニ
ル−９−ジシアノメチリデンフルオレン、３，３′−ビ
ス（ｔｅｒｔ−ブチル）−５，５′−ジメチル−ジフェ
ノキノン−４，４′，３，５′−ビス（ｔｅｒｔ−ブチ
ル）−５，３′−ジメチル−ジフェノキノン−４，
４′、３，５′−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）３′，５′
−ジメチル−ジフェノキノン−４，４′等である。
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−フェニルフェ
ニル）−１，３，５−オキサジアゾール、２，４，７−
トリニトロ−９−フルオレノン、４−ブトキシカルボニ
ル−９−ジシアノメチリデンフルオレン、３，３′−ビ
ス（ｔｅｒｔ−ブチル）−５，５′−ジメチル−ジフェ
ノキノン−４，４′，３，５′−ビス（ｔｅｒｔ−ブチ
ル）−５，３′−ジメチル−ジフェノキノン−４，
４′、３，５′−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）３′，５′
−ジメチル−ジフェノキノン−４，４′等である。
【００１５】有機ＥＬ素子の支持体にはガラス、プラス
チック、石英などが用いられ、この基板上に、金、アル
ミニウム、インジウム、銀、マグネシウム等の金属やイ
ンジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸
化亜鉛などから成る極薄膜の電極を蒸着法等で形成し、
半透明あるいは透明電極とする。この上に電荷輸送層や
発光層を積層し、更にその上に前述したのと同様な電極
を形成して有機ＥＬ素子を製造する。これに直流電圧を
印加し発光を行なう。
チック、石英などが用いられ、この基板上に、金、アル
ミニウム、インジウム、銀、マグネシウム等の金属やイ
ンジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸
化亜鉛などから成る極薄膜の電極を蒸着法等で形成し、
半透明あるいは透明電極とする。この上に電荷輸送層や
発光層を積層し、更にその上に前述したのと同様な電極
を形成して有機ＥＬ素子を製造する。これに直流電圧を
印加し発光を行なう。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１７】実施例１ 市販のＩＴＯガラス電極（松崎真空（株）製 透明導電
膜（標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業（株）製
ＬＣ−６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ボート
にＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−トリ
ル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニルを入
れて、１×１０-5Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ボートを
加熱して１２０Å／分の蒸着速度で蒸着を行ない、膜厚
１０００ÅのＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−トリル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフ
ェニルの正孔注入層をＩＴＯガラス電極上に形成した。
次に８−ヒドロキシキノリンアルミニウムを加熱ボート
に入れ、又、アントラセンをもう１つの加熱ボートに入
れ、アントラセンのドーピング濃度が７ｍｏｌ％となる
ように調整しながら加熱して４００Å／分の蒸着速度で
蒸着を行ない、膜厚１０００Åの発光層を正孔注入層の
上に形成した。
膜（標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業（株）製
ＬＣ−６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ボート
にＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−トリ
ル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニルを入
れて、１×１０-5Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ボートを
加熱して１２０Å／分の蒸着速度で蒸着を行ない、膜厚
１０００ÅのＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−トリル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフ
ェニルの正孔注入層をＩＴＯガラス電極上に形成した。
次に８−ヒドロキシキノリンアルミニウムを加熱ボート
に入れ、又、アントラセンをもう１つの加熱ボートに入
れ、アントラセンのドーピング濃度が７ｍｏｌ％となる
ように調整しながら加熱して４００Å／分の蒸着速度で
蒸着を行ない、膜厚１０００Åの発光層を正孔注入層の
上に形成した。
【００１８】更にその上に膜厚１５００Åのマグネシウ
ム蒸着膜を３ｍｍ×８ｍｍの大きさで形成して対電極と
し、有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電極を正極、マグ
ネシウム電極を負極として直流２６Ｖｏｌｔを印加した
ところ明るい緑色に発光し、輝度計（ミノルタカメラ
（株）製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定したと
ころ１１０００ｃｄ／ｍ2 を示した。
ム蒸着膜を３ｍｍ×８ｍｍの大きさで形成して対電極と
し、有機ＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ電極を正極、マグ
ネシウム電極を負極として直流２６Ｖｏｌｔを印加した
ところ明るい緑色に発光し、輝度計（ミノルタカメラ
（株）製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定したと
ころ１１０００ｃｄ／ｍ2 を示した。
【００１９】更に、アントラセンのドーピング濃度を
３．６ｍｏｌ％になるよう調整した以外は同様にして作
成した有機ＥＬ素子とアントラセンのドーピング濃度を
１．３ｍｏｌ％になるよう調整した以外は同様にして作
成した有機ＥＬ素子について発光輝度を測定したとこ
ろ、直流２６Ｖｏｌｔの印加で夫々１１０００ｃｄ／ｍ
2と６０００ｃｄ／ｍ2 を示した。アントラセンのドー
ピングにより発光輝度が増大していく。これらの有機Ｅ
Ｌ素子の輝度−駆動電圧特性を図１にまとめて示す。
３．６ｍｏｌ％になるよう調整した以外は同様にして作
成した有機ＥＬ素子とアントラセンのドーピング濃度を
１．３ｍｏｌ％になるよう調整した以外は同様にして作
成した有機ＥＬ素子について発光輝度を測定したとこ
ろ、直流２６Ｖｏｌｔの印加で夫々１１０００ｃｄ／ｍ
2と６０００ｃｄ／ｍ2 を示した。アントラセンのドー
ピングにより発光輝度が増大していく。これらの有機Ｅ
Ｌ素子の輝度−駆動電圧特性を図１にまとめて示す。
【図１】又、これらの有機ＥＬ素子の輝度−電流密度特
性を図２にまとめて示す。
性を図２にまとめて示す。
【図２】図２により、アントラセンをドーピングするこ
とにより電流密度が一定でも輝度が増加しており発光効
率が増大していることがわかる。
とにより電流密度が一定でも輝度が増加しており発光効
率が増大していることがわかる。
【００２０】更に、アントラセンをドーピングした有機
ＥＬ素子の発光スペクトル（図３）
ＥＬ素子の発光スペクトル（図３）
【図３】はドーピングをしていない有機ＥＬ素子の発光
スペクトル（図４）
スペクトル（図４）
【図４】と同じであり、ドーピングによる発光スペクト
ルの変化はなく、ドーピングされた有機ＥＬ素子も８−
ヒドロキシキノリンアルミニウムからの発光であること
がわかる。
ルの変化はなく、ドーピングされた有機ＥＬ素子も８−
ヒドロキシキノリンアルミニウムからの発光であること
がわかる。
【００２１】比較例１ 実施例１でアントラセンをドーピングする以外は実施例
１と同様に行なって有機ＥＬ素子を作成した。直流２４
Ｖｏｌｔの印加により２８００ｃｄ／ｍ2 の輝度しか示
さず、アントラセンのドーピングの効果が顕著であるこ
とが明らかである。アントラセンをドーピングしていな
い有機ＥＬ素子の輝度−駆動電圧特性及び輝度−電流密
度特性を上記図１、図２にまとめて示した。
１と同様に行なって有機ＥＬ素子を作成した。直流２４
Ｖｏｌｔの印加により２８００ｃｄ／ｍ2 の輝度しか示
さず、アントラセンのドーピングの効果が顕著であるこ
とが明らかである。アントラセンをドーピングしていな
い有機ＥＬ素子の輝度−駆動電圧特性及び輝度−電流密
度特性を上記図１、図２にまとめて示した。
【００２２】実施例２ 実施例１でアントラセンをドーピング濃度が７ｍｏｌ％
になるよう同時蒸着する代りにクリセンをドーピング濃
度が８ｍｏｌ％になるように同時蒸着する以外は実施例
１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。直流２４Ｖ
ｏｌｔを印加したところ１００００ｃｄ／ｍ2 の輝度で
明るい緑色に発光した。
になるよう同時蒸着する代りにクリセンをドーピング濃
度が８ｍｏｌ％になるように同時蒸着する以外は実施例
１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。直流２４Ｖ
ｏｌｔを印加したところ１００００ｃｄ／ｍ2 の輝度で
明るい緑色に発光した。
【００２３】実施例３ 実施例１でアントラセンをドーピング濃度が７ｍｏｌ％
になるよう同時蒸着する代りに２−メチルアントラセン
をドーピング濃度が５ｍｏｌ％になるように同時蒸着す
る以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製し
た。直流２５Ｖｏｌｔを印加したところ７０００ｃｄ／
ｍ2 の輝度で明るい緑色に発光した。
になるよう同時蒸着する代りに２−メチルアントラセン
をドーピング濃度が５ｍｏｌ％になるように同時蒸着す
る以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製し
た。直流２５Ｖｏｌｔを印加したところ７０００ｃｄ／
ｍ2 の輝度で明るい緑色に発光した。
【００２４】実施例４ 実施例１でアントラセンをドーピング濃度が７ｍｏｌ％
になるよう同時蒸着する代りにベンゾフェナントレンを
ドーピング濃度が５ｍｏｌ％になるように同時蒸着する
以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製し
た。直流２６Ｖｏｌｔを印加したところ６５００ｃｄ／
ｍ2 の輝度で明るい緑色に発光した。
になるよう同時蒸着する代りにベンゾフェナントレンを
ドーピング濃度が５ｍｏｌ％になるように同時蒸着する
以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製し
た。直流２６Ｖｏｌｔを印加したところ６５００ｃｄ／
ｍ2 の輝度で明るい緑色に発光した。
【図１】アントラセンを用いた場合の輝度−駆動電圧特
性を示す。
性を示す。
【図２】アントラセンを用いた場合の輝度−電流密度特
性を示す。
性を示す。
【図３】アントラセンをドーピングしたＥＬ素子の発光
スペクトルを示す。
スペクトルを示す。
【図４】アントラセンをドーピングしていないＥＬ素子
の発光スペクトルを示す。
の発光スペクトルを示す。
１ ドーピング濃度０ｍｏｌ％ ２ ドーピング濃度１．３ｍｏｌ％ ３ ドーピング濃度３．６ｍｏｌ％ ４ ドーピング濃度７ｍｏｌ％
Claims (1)
- 【請求項１】 有機薄膜を積層してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光層の８−ヒドロキシ
キノリンアルミニウムに縮合多環芳香族化合物をドーピ
ングすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29192891A JP2723723B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29192891A JP2723723B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204556A JPH06204556A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2723723B2 true JP2723723B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17775285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1991
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Non-Patent Citations (2)
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|---|
| Ｊ．ＡＰＰＩ．ＰＨＹＳ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年 |
| ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．，１０巻，５２７頁，１９７１年 |
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