JP2710677B2 - 堆積膜形成方法 - Google Patents
堆積膜形成方法Info
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- JP2710677B2 JP2710677B2 JP32082989A JP32082989A JP2710677B2 JP 2710677 B2 JP2710677 B2 JP 2710677B2 JP 32082989 A JP32082989 A JP 32082989A JP 32082989 A JP32082989 A JP 32082989A JP 2710677 B2 JP2710677 B2 JP 2710677B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば樹脂基体または樹脂コーティングし
た基体に真空中で堆積膜を形成する堆積膜形成方法に関
する。
た基体に真空中で堆積膜を形成する堆積膜形成方法に関
する。
［従来の技術］ 光ディスク、光磁気ディスク等の機能性堆積膜を形成
する基体として、樹脂及び樹脂コーティングした基体が
多く使用されているが、成膜前の基体に吸着しているガ
スが堆堆膜の膜質に影響することが知られている。
する基体として、樹脂及び樹脂コーティングした基体が
多く使用されているが、成膜前の基体に吸着しているガ
スが堆堆膜の膜質に影響することが知られている。
そこで、従来は、基体に吸着しているガスを除去する
ために脱気を行ってから成膜していた。
ために脱気を行ってから成膜していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来、どの程度の脱気を行えば良好な
膜質が得られるのかについてはまったく解明されておら
ず、また、いかなるファクターによってガスの除去量を
管理すればよいかについても全く解明されていなかっ
た。すなわち、従来の技術には定量性がなく、基体から
のガスの除去が十分であるかどうか判断ができなかっ
た。そのため、ガスの除去が不十分であることによる堆
積膜の膜質の低下という問題と、または必要以上の脱気
処理を行なったために処理時間が長くなり、生産性に乏
しいという問題が存在した。
膜質が得られるのかについてはまったく解明されておら
ず、また、いかなるファクターによってガスの除去量を
管理すればよいかについても全く解明されていなかっ
た。すなわち、従来の技術には定量性がなく、基体から
のガスの除去が十分であるかどうか判断ができなかっ
た。そのため、ガスの除去が不十分であることによる堆
積膜の膜質の低下という問題と、または必要以上の脱気
処理を行なったために処理時間が長くなり、生産性に乏
しいという問題が存在した。
［課題を解決するための手段］ 本発明の堆堆膜形成方法は、堆積膜を形成する前に、
25℃における基体の放出ガス量を５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるように脱気処理を行うことを特徴とす
る。
25℃における基体の放出ガス量を５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるように脱気処理を行うことを特徴とす
る。
［作用］ 本発明者は、基体からのガスの除去が十分か否かの判
断基準を鋭意探究したところ、基体からのガス放出量を
目安とすればガスの除去が十分か否かを判断し得ること
を知見し、さらに、各種の実験を重ねた結果、25℃にお
ける基体から放出ガス量を５×10-7Torr・/sec・cm2
以下とすれば良好な膜質が得られることを見い出し本発
明をなすにいたったものである。
断基準を鋭意探究したところ、基体からのガス放出量を
目安とすればガスの除去が十分か否かを判断し得ること
を知見し、さらに、各種の実験を重ねた結果、25℃にお
ける基体から放出ガス量を５×10-7Torr・/sec・cm2
以下とすれば良好な膜質が得られることを見い出し本発
明をなすにいたったものである。
さらに、基体から放出ガス量を正確かつ容易に求める
手段を探究したところ、放出ガス量は温度に関係し、さ
らに、一定温度においては、 Ｑ＝Ｓ（P2−P1）/A なる関係式が成立することを知見した。ただし、Q:放出
ガス量、S:排気速度、P2:基体の脱気完了時の圧力、P1:
基体が存在しない時の到達圧力、A:基体表面積である。
従って、温度を25℃とした場合、上式において、S,P1,
A,P2を管理すれば放出ガス量Ｑを５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるまで脱気し得たことを正確に把握し得
ることができ、堆積膜の膜質の向上またはタクト時間の
短縮をはかることが可能となる。
手段を探究したところ、放出ガス量は温度に関係し、さ
らに、一定温度においては、 Ｑ＝Ｓ（P2−P1）/A なる関係式が成立することを知見した。ただし、Q:放出
ガス量、S:排気速度、P2:基体の脱気完了時の圧力、P1:
基体が存在しない時の到達圧力、A:基体表面積である。
従って、温度を25℃とした場合、上式において、S,P1,
A,P2を管理すれば放出ガス量Ｑを５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるまで脱気し得たことを正確に把握し得
ることができ、堆積膜の膜質の向上またはタクト時間の
短縮をはかることが可能となる。
なお、本発明における脱気は、例えば第１図に示すよ
うな装置により行えばよい。
うな装置により行えばよい。
第１図において、１は真空容器である脱気室、２は真
空容器である成膜室、７は成膜すべき基体であり、３は
基体７を固定するホルダー、４は脱気室１を真空排気す
るクライオポンプ、５は脱気室１と成膜室２との仕切
弁、６は成膜室１とクライオポンプ４のメイン排気バル
ブである。
空容器である成膜室、７は成膜すべき基体であり、３は
基体７を固定するホルダー、４は脱気室１を真空排気す
るクライオポンプ、５は脱気室１と成膜室２との仕切
弁、６は成膜室１とクライオポンプ４のメイン排気バル
ブである。
上記の式において、25℃における基体の放出ガス量Ｑ
を５×10-7Torr・/sec・cm2以下になるまで脱気する
ことにより堆積膜の膜質の向上またはタクト時間の短縮
をはかる。
を５×10-7Torr・/sec・cm2以下になるまで脱気する
ことにより堆積膜の膜質の向上またはタクト時間の短縮
をはかる。
［実施例］ 以下本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明を実施するための装置の概要を示した
図であり、高周波マグネトロン両面スパッタ装置であ
る。
図であり、高周波マグネトロン両面スパッタ装置であ
る。
上記構成において、φ5.25インチの光磁気ディスクの
機能性堆積膜用基体であるポリカーボネート基板７を両
面で16枚装着できるホルダー３を６枚、合計96枚の基板
を同時に脱気室１で脱気処理をした後、成膜室２で１ホ
ルダーごとにスパッタ蒸着した。堆積膜はSi3N4とし、
膜厚は1000Åとした。
機能性堆積膜用基体であるポリカーボネート基板７を両
面で16枚装着できるホルダー３を６枚、合計96枚の基板
を同時に脱気室１で脱気処理をした後、成膜室２で１ホ
ルダーごとにスパッタ蒸着した。堆積膜はSi3N4とし、
膜厚は1000Åとした。
成膜後に脱気室に戻し、１バッチ完了とした。これを
６ホルダー行い、６ホルダーで１サイクルとした。
６ホルダー行い、６ホルダーで１サイクルとした。
基体７の放出ガス量を表−１に示す値に各種変化させ
て、成膜を行ない、放出ガスによる膜質の変化を見た。
て、成膜を行ない、放出ガスによる膜質の変化を見た。
A:26815cm2 P1:7.5×10-8Torr S:9300/sec を上式に代入し、P2の値を求め脱気処理を行なった。
（実施例１の評価） 成膜後の基体に鋭利な刃物で1mm間隔で縦横各６本直
交して線を引き１辺1mmの正方形のますを25個形成し、
その上に粘着テープを貼りつけて、十分に密着させた後
に、その粘着テープを剥してテープについてきた正方形
ますの数により基体への膜の密着度を測定した（クロス
ハッチテスト）。即ちテープについてきたもの（剥離
数）が０個（0/25）であれば膜の密着は良好である。
交して線を引き１辺1mmの正方形のますを25個形成し、
その上に粘着テープを貼りつけて、十分に密着させた後
に、その粘着テープを剥してテープについてきた正方形
ますの数により基体への膜の密着度を測定した（クロス
ハッチテスト）。即ちテープについてきたもの（剥離
数）が０個（0/25）であれば膜の密着は良好である。
表−１に結果を示す。表からわかるように、放出ガス
量Ｑが５×10-7Torr・/sec・cm2以下では０コであ
り、膜の密着度が良好であった。また、Ｑ＝５×10-7To
rr・/sec・cm2以下まで脱気するのに要した時間T1は9
0minであり、タクト時間として十分に短い時間であっ
た。
量Ｑが５×10-7Torr・/sec・cm2以下では０コであ
り、膜の密着度が良好であった。また、Ｑ＝５×10-7To
rr・/sec・cm2以下まで脱気するのに要した時間T1は9
0minであり、タクト時間として十分に短い時間であっ
た。
（実施例２） 実施例１においてホルダー３を１枚だけ使用し基体７
をポリカーボネートのかわりにポリメチルメタアクリレ
ートとし、合計16枚、脱気処理を行っ後成膜を行った。
基体の放出ガス量を５×10-7Torr・/sec・cm2以下に
なるまで脱気し、成膜したところ、脱気不足による膜の
密着度不足は認められなかった。
をポリカーボネートのかわりにポリメチルメタアクリレ
ートとし、合計16枚、脱気処理を行っ後成膜を行った。
基体の放出ガス量を５×10-7Torr・/sec・cm2以下に
なるまで脱気し、成膜したところ、脱気不足による膜の
密着度不足は認められなかった。
（実施例３） 実施例２と同様にし、脱気室１と成膜室２が同一の真
空容器で成膜室２にて脱気処理を行ない続いて成膜を行
なう場合、基体７の放出ガス量が５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるよう脱気処理を行ない成膜をしたとこ
ろ脱気処理不足による膜の密着度不足は認められなかっ
た。
空容器で成膜室２にて脱気処理を行ない続いて成膜を行
なう場合、基体７の放出ガス量が５×10-7Torr・/sec
・cm2以下になるよう脱気処理を行ない成膜をしたとこ
ろ脱気処理不足による膜の密着度不足は認められなかっ
た。
（実施例４） 実施例２と同様にし、基体７をガラスに光硬化性樹脂
をコーティングしたいわゆるガラス2P基体を使用した場
合、基体７の放出ガス量が５×10-7Torr・/sec・cm2
以下まで脱気処理を行ない成膜したところ、脱気不足に
よる膜の密着度不足は認められなかった。
をコーティングしたいわゆるガラス2P基体を使用した場
合、基体７の放出ガス量が５×10-7Torr・/sec・cm2
以下まで脱気処理を行ない成膜したところ、脱気不足に
よる膜の密着度不足は認められなかった。
（実施例５） 実施例２と同様にし、スパッタ蒸着ではなく蒸着でポ
リメチルメタアクリレート基体に成膜したところ同様に
良好な結果が得られた。
リメチルメタアクリレート基体に成膜したところ同様に
良好な結果が得られた。
［発明の効果］ 以上、説明したように、真空容器内において例えば樹
脂基体または樹脂コーティングした基体に堆積膜を形成
する時、成膜前の基体の放出ガス量を５×10-7Torr・
sec・cm2以下になるようにしたため良質の堆積膜を定常
的に量産することができることとなった。
脂基体または樹脂コーティングした基体に堆積膜を形成
する時、成膜前の基体の放出ガス量を５×10-7Torr・
sec・cm2以下になるようにしたため良質の堆積膜を定常
的に量産することができることとなった。
また、いかなる脱気処理装置においても、温度、排気
速度で圧力を管理することにより放出ガス量を定量的に
規定し、その値以下まで脱気した後成膜することによ
り、堆積膜の膜質の向上及びタクト時間の短縮をはかる
ことができる。これは良質の堆積膜を定常的に量産しう
るという点で効果がある。
速度で圧力を管理することにより放出ガス量を定量的に
規定し、その値以下まで脱気した後成膜することによ
り、堆積膜の膜質の向上及びタクト時間の短縮をはかる
ことができる。これは良質の堆積膜を定常的に量産しう
るという点で効果がある。
第１図は本発明の実施例に使用する堆積膜形成装置の概
念図である。第２図は、第１図のホルダーのみを表わし
た図である。 （符号の説明） １……脱気室、２……成膜室、３……ホルダー、４……
クライオポンプ、５……仕切弁、６……メイン排気バル
ブ、７……基体。
念図である。第２図は、第１図のホルダーのみを表わし
た図である。 （符号の説明） １……脱気室、２……成膜室、３……ホルダー、４……
クライオポンプ、５……仕切弁、６……メイン排気バル
ブ、７……基体。
Claims (2)
- 【請求項１】樹脂基体又は樹脂をコーティングした基体
上に堆積膜を形成する前に、25℃における前記基体の放
出ガス量を５×10-7Torr・l/sec・cm2以下になるように
脱気処理を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。 - 【請求項２】脱気処理に際しては、次式により放出ガス
量を管理することを特徴とする請求項１記載の堆積膜形
成方法。 Ｑ＝Ｓ（P2−P1）/A ただし、Q:放出ガス量、S:排気速度、P2:基体の脱気完
了時の圧力、P1:基体が存在しない時の到達圧力、A:基
体表面積
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32082989A JP2710677B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 堆積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32082989A JP2710677B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183757A JPH03183757A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2710677B2 true JP2710677B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18125700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32082989A Expired - Fee Related JP2710677B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 堆積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710677B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32082989A patent/JP2710677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03183757A (ja) | 1991-08-09 |
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Legal Events
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