JP2708653B2 - 第２高調波発生素子 - Google Patents
第２高調波発生素子Info
- Publication number
- JP2708653B2 JP2708653B2 JP3289036A JP28903691A JP2708653B2 JP 2708653 B2 JP2708653 B2 JP 2708653B2 JP 3289036 A JP3289036 A JP 3289036A JP 28903691 A JP28903691 A JP 28903691A JP 2708653 B2 JP2708653 B2 JP 2708653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- optical waveguide
- substrate
- harmonic generation
- domain inversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は第２高調波発生素子に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】第２高調波発生素子は入射光を波長が半
分の光に変換する機能を持つ素子である。この素子によ
れば、例えば半導体レーザの光（基本波）を１／２の波
長の光に変換できるので、例えば光ディスクの記憶密度
を数倍にできるなどの利点が得られる。このため、従来
から第２高調波発生素子に関する研究が精力的に行なわ
れている。
分の光に変換する機能を持つ素子である。この素子によ
れば、例えば半導体レーザの光（基本波）を１／２の波
長の光に変換できるので、例えば光ディスクの記憶密度
を数倍にできるなどの利点が得られる。このため、従来
から第２高調波発生素子に関する研究が精力的に行なわ
れている。
【０００３】このような第２高調波発生素子の従来例と
しては例えば文献ａ（ElectronicsLetters （エレクト
ロニクスレターズ）Vol.25,(1989),pp.731-732）に開示
されているものがあった。図３はその説明に供する図で
あり、この第２高調波発生素子を概略的に示した斜視図
である。
しては例えば文献ａ（ElectronicsLetters （エレクト
ロニクスレターズ）Vol.25,(1989),pp.731-732）に開示
されているものがあった。図３はその説明に供する図で
あり、この第２高調波発生素子を概略的に示した斜視図
である。
【０００４】この第２高調波発生素子は、図３に示すよ
うに、ＬｉＮｂＯ3基板１１と、この基板１１の＋Ｃ面
に形成され分極方向がコヒーレンス長ｌC （詳細は
（１）式を参照し後述する。）ごとに反転している周期
的ドメイン反転構造１３と、この周期的ドメイン反転構
造１３の周期方向が導波方向とされた光導波路１５とを
具えた構成とされていた。なお素子長Ｌは、Ｌ＞＞ｌC
となっている。
うに、ＬｉＮｂＯ3基板１１と、この基板１１の＋Ｃ面
に形成され分極方向がコヒーレンス長ｌC （詳細は
（１）式を参照し後述する。）ごとに反転している周期
的ドメイン反転構造１３と、この周期的ドメイン反転構
造１３の周期方向が導波方向とされた光導波路１５とを
具えた構成とされていた。なお素子長Ｌは、Ｌ＞＞ｌC
となっている。
【０００５】ここで、周期的ドメイン反転構造１３は、
基板１１の＋Ｃ面に周期Λで所定幅（ｌC 相当。）及び
所定厚みのチタン（Ｔｉ）を蒸着し、その後このＴｉを
基板１１中に熱拡散させることにより形成したドメイン
反転領域１３ａと、このドメイン反転領域１３ａに隣接
する基板部分１３ｂ（以下、「非反転領域」と略称する
こともある。）とで構成されていた。また、光導波路１
５はプロトン交換法（Ｌｉ+ −Ｈ+ 交換法）により形成
されこの場合ｄの厚みを有していた。ただし、周期的ド
メイン反転構造において周期Λは、コヒーレンス長をｌ
C （詳細は後述する。）で示した場合、Λ＝２ｌC の値
である。
基板１１の＋Ｃ面に周期Λで所定幅（ｌC 相当。）及び
所定厚みのチタン（Ｔｉ）を蒸着し、その後このＴｉを
基板１１中に熱拡散させることにより形成したドメイン
反転領域１３ａと、このドメイン反転領域１３ａに隣接
する基板部分１３ｂ（以下、「非反転領域」と略称する
こともある。）とで構成されていた。また、光導波路１
５はプロトン交換法（Ｌｉ+ −Ｈ+ 交換法）により形成
されこの場合ｄの厚みを有していた。ただし、周期的ド
メイン反転構造において周期Λは、コヒーレンス長をｌ
C （詳細は後述する。）で示した場合、Λ＝２ｌC の値
である。
【０００６】なお、Ｔｉを拡散させた基板部分の分極方
向がＴｉを拡散させなかった部分に対し反転されるとい
うメカニズムは現在のところ不明である。しかし、Ｔｉ
の拡散温度及び濃度を所定の値に設定することにより、
ドメイン反転領域１３ａは１００％の確率で形成できる
ことが知られている。
向がＴｉを拡散させなかった部分に対し反転されるとい
うメカニズムは現在のところ不明である。しかし、Ｔｉ
の拡散温度及び濃度を所定の値に設定することにより、
ドメイン反転領域１３ａは１００％の確率で形成できる
ことが知られている。
【０００７】また、他の従来の第２高調波発生素子とし
ては例えば文献ｂ（Journal of Light-wave Technology
（ジャナル オブ ライトウエーブ テクノロジ）,Vo
l.7,No.10.No.10,(1989), pp.1597〜1600）に開示され
ているものがあった。この文献ｂに開示の素子は、ドメ
イン反転領域１３ａの形成をいわゆる外拡散法（Ｌｉ2
Ｏを基板外部へ放出する方法）で行なっている点が文献
ａのものと相違するが、基本的な構造は文献ａのものと
同一であった。
ては例えば文献ｂ（Journal of Light-wave Technology
（ジャナル オブ ライトウエーブ テクノロジ）,Vo
l.7,No.10.No.10,(1989), pp.1597〜1600）に開示され
ているものがあった。この文献ｂに開示の素子は、ドメ
イン反転領域１３ａの形成をいわゆる外拡散法（Ｌｉ2
Ｏを基板外部へ放出する方法）で行なっている点が文献
ａのものと相違するが、基本的な構造は文献ａのものと
同一であった。
【０００８】ところで、周期的ドメイン反転構造１３が
形成されていないと仮定すると、基本波（角振動数ω；
波長λ）が光導波路１５を下記（１）式で与えられるコ
ヒーレント長（コヒーレンス長ともいう。）ｌC だけ伝
播すると、基本波から第２高調波（角振動数２ω；波長
λ／２）へのエネルギー変換量は最大になる。
形成されていないと仮定すると、基本波（角振動数ω；
波長λ）が光導波路１５を下記（１）式で与えられるコ
ヒーレント長（コヒーレンス長ともいう。）ｌC だけ伝
播すると、基本波から第２高調波（角振動数２ω；波長
λ／２）へのエネルギー変換量は最大になる。
【数１】
【０００９】
【００１０】ただし、（１）式中Ｎ（ω）は光導波路１
５の基本波に対する実効屈折率、Ｎ（２ω）は光導波路
１５の第２高調波に対する実効屈折率である。
５の基本波に対する実効屈折率、Ｎ（２ω）は光導波路
１５の第２高調波に対する実効屈折率である。
【００１１】そして、一般にはＮ（ω）とＮ（２ω）と
は異なる値であるので（１）式中の分母は零にはならな
いからｌC は有限の値になる。例えば、基板１１をＬｉ
ＮｂＯ3 とし、基本波の波長λを８６０ｎｍとし、光導
波路１５の厚さを１μｍとした場合、ｌC は１．７μｍ
程度であるといわれている（文献：「応用物理」第５９
巻，（１９９０），ｐｐ．９９６〜１０１３表３参
照）。
は異なる値であるので（１）式中の分母は零にはならな
いからｌC は有限の値になる。例えば、基板１１をＬｉ
ＮｂＯ3 とし、基本波の波長λを８６０ｎｍとし、光導
波路１５の厚さを１μｍとした場合、ｌC は１．７μｍ
程度であるといわれている（文献：「応用物理」第５９
巻，（１９９０），ｐｐ．９９６〜１０１３表３参
照）。
【００１２】このコヒーレント長ｌC が１．７μｍであ
るということは、基本波が光導波路１５中を１．７μｍ
進めば第２高調波のエネルギーは極大となり、それから
さらに１．７μｍ進めば第２高調波のエネルギーは極小
となることを意味する。つまり第２高調波のエネルギー
が光導波路中においてｌCごとに極大、極小を繰り返す
こととなり、基本波の伝播距離をいくら長くしても第２
高調波のエネルギーはこの極大値を越えることはないこ
とを意味する。これは、基本波と第２高調波の位相整合
がとれていないことに起因する。
るということは、基本波が光導波路１５中を１．７μｍ
進めば第２高調波のエネルギーは極大となり、それから
さらに１．７μｍ進めば第２高調波のエネルギーは極小
となることを意味する。つまり第２高調波のエネルギー
が光導波路中においてｌCごとに極大、極小を繰り返す
こととなり、基本波の伝播距離をいくら長くしても第２
高調波のエネルギーはこの極大値を越えることはないこ
とを意味する。これは、基本波と第２高調波の位相整合
がとれていないことに起因する。
【００１３】しかし、上述の文献ａ、ｂに開示の各第２
高調波発生素子では、コヒーレンス長ｌC ごとに分極方
向を反転させた構成の周期的ドメイン反転構造１３を設
けてあるため、そうしない場合に比べ基本波と第２高調
波の位相整合がとれる。このため、これら第２高調波発
生素子では、基本波の伝播距離が長くなるにつれて高い
エネルギーの第２高調波が得られた。
高調波発生素子では、コヒーレンス長ｌC ごとに分極方
向を反転させた構成の周期的ドメイン反転構造１３を設
けてあるため、そうしない場合に比べ基本波と第２高調
波の位相整合がとれる。このため、これら第２高調波発
生素子では、基本波の伝播距離が長くなるにつれて高い
エネルギーの第２高調波が得られた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
第２高調波発生素子では、ドメイン反転領域１３ａと非
反転領域１３ｂとでは屈折率がわずかではあるが異な
る。これはドメイン反転領域の作製方法に起因している
もので、ドメイン反転領域１３ａをＴｉの熱拡散で作製
した場合、外拡散法で作製した場合を問わず、ドメイン
反転領域１３ａの屈折率の方が非反転領域１３ｂより高
くなる。
第２高調波発生素子では、ドメイン反転領域１３ａと非
反転領域１３ｂとでは屈折率がわずかではあるが異な
る。これはドメイン反転領域の作製方法に起因している
もので、ドメイン反転領域１３ａをＴｉの熱拡散で作製
した場合、外拡散法で作製した場合を問わず、ドメイン
反転領域１３ａの屈折率の方が非反転領域１３ｂより高
くなる。
【００１５】領域１３ａ及び１３ｂ間の屈折率差がわず
かであってもこれら両領域１３ａ，１３ｂの境界では基
本波及び第２高調波ともに散乱されエネルギーの損失が
起こる。１つの境界でのエネルギー損失はあまり大きな
ものではないが、実際の第２高調波発生素子はドメイン
反転領域１３ａを数百も有するので上記境界もこれに応
じた数となるからエネルギー損失の合計は無視できなく
なる。このようなエネルギー損失は、基本波から第２高
調波への変換を高効率に行なおうとした場合問題とな
る。
かであってもこれら両領域１３ａ，１３ｂの境界では基
本波及び第２高調波ともに散乱されエネルギーの損失が
起こる。１つの境界でのエネルギー損失はあまり大きな
ものではないが、実際の第２高調波発生素子はドメイン
反転領域１３ａを数百も有するので上記境界もこれに応
じた数となるからエネルギー損失の合計は無視できなく
なる。このようなエネルギー損失は、基本波から第２高
調波への変換を高効率に行なおうとした場合問題とな
る。
【００１６】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり従ってこの発明の目的は、ドメイン反転領域と
非反転領域との屈折率差をなくすか或いは従来より低減
できる構造を有する第２高調波発生素子を提供すること
にある。
のであり従ってこの発明の目的は、ドメイン反転領域と
非反転領域との屈折率差をなくすか或いは従来より低減
できる構造を有する第２高調波発生素子を提供すること
にある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、ＬｉＮｂＯ3 基板の＋Ｃ面に、
分極方向が周期的に反転している周期的ドメイン反転構
造と、該周期方向が長手方向とされた光導波路とを具
え、かつ、周期的ドメイン反転構造の光導波路中の部分
に電界を加えるための、電極を具え、この電極は、前述
の光導波路上に設けられた第１の電極と、前述のＬｉＮ
ｂＯ3 基板の、第１の電極の両側の部分に、該第１の電
極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電極とで構成して
あることを特徴とする。
め、この発明によれば、ＬｉＮｂＯ3 基板の＋Ｃ面に、
分極方向が周期的に反転している周期的ドメイン反転構
造と、該周期方向が長手方向とされた光導波路とを具
え、かつ、周期的ドメイン反転構造の光導波路中の部分
に電界を加えるための、電極を具え、この電極は、前述
の光導波路上に設けられた第１の電極と、前述のＬｉＮ
ｂＯ3 基板の、第１の電極の両側の部分に、該第１の電
極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電極とで構成して
あることを特徴とする。
【００１８】また、この発明によれば、ＬｉＴａＯ3 基
板の−Ｃ面に、分極方向が周期的に反転している周期的
ドメイン反転構造と、該周期方向が長手方向とされた光
導波路とを具え、かつ、周期的ドメイン反転構造の光導
波路中の部分に電界を加えるための、電極を具え、この
電極は、前述の光導波路上に設けられた第１の電極と、
前述のＬｉＴａＯ3 基板の、第１の電極の両側の部分
に、該第１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電
極とで構成してあることを特徴とする。
板の−Ｃ面に、分極方向が周期的に反転している周期的
ドメイン反転構造と、該周期方向が長手方向とされた光
導波路とを具え、かつ、周期的ドメイン反転構造の光導
波路中の部分に電界を加えるための、電極を具え、この
電極は、前述の光導波路上に設けられた第１の電極と、
前述のＬｉＴａＯ3 基板の、第１の電極の両側の部分
に、該第１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電
極とで構成してあることを特徴とする。
【００１９】
【００２０】ここで、光導波路上に第１の電極を設ける
構成では、一般に第１の電極は金属で構成することにな
る。しかし、金属で第１の電極を構成した場合でこの第
１の電極を光導波路上に直接設けた場合は光導波路を伝
播している光をこの金属が吸収する場合が多くこれによ
り光エネルギーの損失が生じることが多い。このような
場合には、第１の電極と光導波路との間に、該光導波路
の屈折率より小さな屈折率を有しかつ基本波及び第二高
調波を実質的に吸収しない特性の誘電体膜を具えた構成
とするのが良い。
構成では、一般に第１の電極は金属で構成することにな
る。しかし、金属で第１の電極を構成した場合でこの第
１の電極を光導波路上に直接設けた場合は光導波路を伝
播している光をこの金属が吸収する場合が多くこれによ
り光エネルギーの損失が生じることが多い。このような
場合には、第１の電極と光導波路との間に、該光導波路
の屈折率より小さな屈折率を有しかつ基本波及び第二高
調波を実質的に吸収しない特性の誘電体膜を具えた構成
とするのが良い。
【００２１】また、この発明に係る電極は 光導波路上
に設けた第１の電極と、誘電体から成る下地の裏面に該
第１の電極に対向するように設けた第２の電極とで構成
しても良い。この構成の方が第２の電極を第１の電極の
両側に沿って設ける構成より原理的には光導波路に有効
に電界が加わる。ただし、誘電体から成る下地例えばＬ
ｉＮｂＯ3 基板の厚みは通常１ｍｍ程度と厚いのでこれ
に低電圧で有効に電界を加えるには下地の厚さを薄くす
るとか、下地の第２電極形成部分を凹部状にする等の工
夫をするのが好ましい。
に設けた第１の電極と、誘電体から成る下地の裏面に該
第１の電極に対向するように設けた第２の電極とで構成
しても良い。この構成の方が第２の電極を第１の電極の
両側に沿って設ける構成より原理的には光導波路に有効
に電界が加わる。ただし、誘電体から成る下地例えばＬ
ｉＮｂＯ3 基板の厚みは通常１ｍｍ程度と厚いのでこれ
に低電圧で有効に電界を加えるには下地の厚さを薄くす
るとか、下地の第２電極形成部分を凹部状にする等の工
夫をするのが好ましい。
【００２２】
【作用】この発明の構成によれば、周期的ドメイン反転
構造の光導波路中の部分に電界を加えることができるの
で、この電界によりこの部分ではポッケルス効果が生じ
ることになる。ドメイン反転領域及び非反転領域では、
両者で分極方向が反転しているので、加わる電界が大き
くなるにつれ一方は屈折率が増加し他方は屈折率が減少
する。このため、周期的ドメイン反転構造に加える電界
を適正化することにより、ドメイン反転領域と非反転領
域との屈折率差を零或いは従来より小さくできる。
構造の光導波路中の部分に電界を加えることができるの
で、この電界によりこの部分ではポッケルス効果が生じ
ることになる。ドメイン反転領域及び非反転領域では、
両者で分極方向が反転しているので、加わる電界が大き
くなるにつれ一方は屈折率が増加し他方は屈折率が減少
する。このため、周期的ドメイン反転構造に加える電界
を適正化することにより、ドメイン反転領域と非反転領
域との屈折率差を零或いは従来より小さくできる。
【００２３】しかも、誘電体下地としてＬｉＮｂＯ3 を
用いこの＋Ｃ面に光導波路及び周期的ドメイン反転構造
を設け、かつ、電極を、前記光導波路上に設けられた第
１の電極と、この基板の第１の電極の両側の部分に該第
１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電極とで構
成してある。または、該電極を、前記光導波路上に設け
られた第１の電極と、この基板の裏面に前記第１の電極
に対向するように設けた第２の電極とで構成してある。
そのため、＋Ｃ面に垂直な方向の電界が光導波路に有効
に加わるようになるので、低い駆動電圧で屈折率の可変
が行なえる。ＬｉＮｂＯ3 基板の代わりにＬｉＴａＯ3
基板を用いる場合は、その−Ｃ面に光導波路、周期的ド
メイン反転構造および第１電極を設け、かつ、第２電極
を前記第１の電極に沿って設けるか又は基板の裏面に前
記第１の電極に対向するように設ける。この場合も、Ｌ
ｉＮｂＯ3 を用いた場合と同様な作用が得られる。
用いこの＋Ｃ面に光導波路及び周期的ドメイン反転構造
を設け、かつ、電極を、前記光導波路上に設けられた第
１の電極と、この基板の第１の電極の両側の部分に該第
１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電極とで構
成してある。または、該電極を、前記光導波路上に設け
られた第１の電極と、この基板の裏面に前記第１の電極
に対向するように設けた第２の電極とで構成してある。
そのため、＋Ｃ面に垂直な方向の電界が光導波路に有効
に加わるようになるので、低い駆動電圧で屈折率の可変
が行なえる。ＬｉＮｂＯ3 基板の代わりにＬｉＴａＯ3
基板を用いる場合は、その−Ｃ面に光導波路、周期的ド
メイン反転構造および第１電極を設け、かつ、第２電極
を前記第１の電極に沿って設けるか又は基板の裏面に前
記第１の電極に対向するように設ける。この場合も、Ｌ
ｉＮｂＯ3 を用いた場合と同様な作用が得られる。
【００２４】
【実施例】以下、図３を用いて説明した第２高調波発生
素子にこの発明を適用した例により、この発明の第２高
調波発生素子の実施例を説明する。なお、この説明を図
１及び図２を参照して行なう。ここで、図１は実施例の
第２高調波発生素子をこの発明が理解できる程度に概略
的に示した斜視図である。ただし、図１において図３に
示した構成成分と同様な構成成分については図３で用い
た番号と同一の番号を付して示してある。また、図２は
ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉ（チタン）を熱拡散させた場合
その部分と基板との屈折率差がＴｉ濃度にどうように依
存するかを示した図である。
素子にこの発明を適用した例により、この発明の第２高
調波発生素子の実施例を説明する。なお、この説明を図
１及び図２を参照して行なう。ここで、図１は実施例の
第２高調波発生素子をこの発明が理解できる程度に概略
的に示した斜視図である。ただし、図１において図３に
示した構成成分と同様な構成成分については図３で用い
た番号と同一の番号を付して示してある。また、図２は
ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉ（チタン）を熱拡散させた場合
その部分と基板との屈折率差がＴｉ濃度にどうように依
存するかを示した図である。
【００２５】１．構造説明 この実施例の第２高調波発生素子は、ＬｉＮｂＯ3 基板
１１と、この基板１１の＋Ｃ面に設けられた周期的ドメ
イン反転構造１３及び光導波路１５とを従来同様に具
え、さらに、周期的ドメイン反転構造１３の光導波路中
に当たる部分に電界を加えるための電極としてこの場
合、光導波路１５上に誘電体膜２１を介し設けられた第
１の電極２３ａと、ＬｉＮｂＯ3 基板１１の、第１の電
極２３ａの両側の部分に該第１の電極２３ａに沿ってそ
れぞれ設けられた第２の電極２３ｂとで構成した電極２
３を具えている。
１１と、この基板１１の＋Ｃ面に設けられた周期的ドメ
イン反転構造１３及び光導波路１５とを従来同様に具
え、さらに、周期的ドメイン反転構造１３の光導波路中
に当たる部分に電界を加えるための電極としてこの場
合、光導波路１５上に誘電体膜２１を介し設けられた第
１の電極２３ａと、ＬｉＮｂＯ3 基板１１の、第１の電
極２３ａの両側の部分に該第１の電極２３ａに沿ってそ
れぞれ設けられた第２の電極２３ｂとで構成した電極２
３を具えている。
【００２６】ここで、周期的ドメイン反転構造１３は、
従来同様にドメイン反転領域１３ａとこれに接する基板
部分１３ｂ（非反転領域）とで構成してある。ドメイン
反転領域１３ａは、例えば基板１１にＴｉを選択的に熱
拡散させる方法或いは外拡散法により形成できる。ま
た、光導波路１５は例えばプロトン交換法により形成で
きる。
従来同様にドメイン反転領域１３ａとこれに接する基板
部分１３ｂ（非反転領域）とで構成してある。ドメイン
反転領域１３ａは、例えば基板１１にＴｉを選択的に熱
拡散させる方法或いは外拡散法により形成できる。ま
た、光導波路１５は例えばプロトン交換法により形成で
きる。
【００２７】また、誘電体膜２１は光導波路１５の屈折
率よりできるだけ小さな屈折率を有しかつ基本波及び第
２高調波を実質的に吸収しない材料で構成するのが好ま
しい。基本波及び第２高調波の、この誘電体膜２１に起
因する損失を極力少なくするためである。この実施例の
場合はこの誘電体膜２１を厚さが１〜２μｍ程度のＳｉ
Ｏ2 膜で構成している。このＳｉＯ2 膜の形成は例えば
スパッタ法または電子線加熱による真空蒸着法で形成す
ることができる。ただし、第１の電極２３ａを光導波路
１５への光閉じ込めを実用的に行なえかつ基本波及び第
２高調波を実質的に損失させることのない材料で構成で
きた場合は、この誘電体膜２１は設けなくとも良い。
率よりできるだけ小さな屈折率を有しかつ基本波及び第
２高調波を実質的に吸収しない材料で構成するのが好ま
しい。基本波及び第２高調波の、この誘電体膜２１に起
因する損失を極力少なくするためである。この実施例の
場合はこの誘電体膜２１を厚さが１〜２μｍ程度のＳｉ
Ｏ2 膜で構成している。このＳｉＯ2 膜の形成は例えば
スパッタ法または電子線加熱による真空蒸着法で形成す
ることができる。ただし、第１の電極２３ａを光導波路
１５への光閉じ込めを実用的に行なえかつ基本波及び第
２高調波を実質的に損失させることのない材料で構成で
きた場合は、この誘電体膜２１は設けなくとも良い。
【００２８】また、第１の電極２３ａ及び第２の電極２
３ｂは、この場合金（Ａｕ）の薄膜で、より好ましくは
基板側からクロム（Ｃｒ）及び金を積層した２層膜で構
成するのが良い。金はこの種の素子の電極として実績が
あること、また、金のみでは基板に対する実用的な密着
度が得られずクロムを介することにより基板との密着度
が実用的になるからである。ただし、金を第１の電極の
形成材料として用いた場合、上述の誘電体膜２１は必要
である。なお、第１の電極２３ａ及び第２の電極２３ｂ
は勿論互いに電気的に分離しておく必要がある。この際
の両者の離間距離Ｇは、これが大きすぎると光導波路１
５へ所望の電界を加えるに要する電圧が高くなり好まし
くない。現行の製造技術で安定に製造できる範囲を考慮
し、この実施例では両電極２３ａ，２３ｂの離間距離Ｇ
を１μｍ程度としている。これら第１の電極２３ａ及び
２３ｂには図示せずもワイヤボンディング法により引き
出し配線をそれぞれ接続してありこれら引き出し配線を
介し両電極２３ａ，２３ｂ間に電圧を印加することがで
きる。
３ｂは、この場合金（Ａｕ）の薄膜で、より好ましくは
基板側からクロム（Ｃｒ）及び金を積層した２層膜で構
成するのが良い。金はこの種の素子の電極として実績が
あること、また、金のみでは基板に対する実用的な密着
度が得られずクロムを介することにより基板との密着度
が実用的になるからである。ただし、金を第１の電極の
形成材料として用いた場合、上述の誘電体膜２１は必要
である。なお、第１の電極２３ａ及び第２の電極２３ｂ
は勿論互いに電気的に分離しておく必要がある。この際
の両者の離間距離Ｇは、これが大きすぎると光導波路１
５へ所望の電界を加えるに要する電圧が高くなり好まし
くない。現行の製造技術で安定に製造できる範囲を考慮
し、この実施例では両電極２３ａ，２３ｂの離間距離Ｇ
を１μｍ程度としている。これら第１の電極２３ａ及び
２３ｂには図示せずもワイヤボンディング法により引き
出し配線をそれぞれ接続してありこれら引き出し配線を
介し両電極２３ａ，２３ｂ間に電圧を印加することがで
きる。
【００２９】この第２高調波発生素子では、ドメイン反
転領域１３ａ及び非反転領域１３ｂ間の屈折率差はドメ
イン反転領域１３ａの形成方法等で種々の値となる。し
かしこの屈折率差は、第１の電極２３ａ及び第２の電極
２３ｂ間に適正な電圧を印加することにより少なくとも
従来より小さくでき場合によっては零にできる（動作説
明の項参照。）。
転領域１３ａ及び非反転領域１３ｂ間の屈折率差はドメ
イン反転領域１３ａの形成方法等で種々の値となる。し
かしこの屈折率差は、第１の電極２３ａ及び第２の電極
２３ｂ間に適正な電圧を印加することにより少なくとも
従来より小さくでき場合によっては零にできる（動作説
明の項参照。）。
【００３０】２．動作説明 次に、この発明の理解を深めるために、図１を用いて説
明した実施例の第２高調波発生素子の動作について説明
する。
明した実施例の第２高調波発生素子の動作について説明
する。
【００３１】実施例の第２高調波発生素子では、電極２
３を使用しない場合、ドメイン反転領域１３ａの屈折率
は非反転領域１３ｂに比べわずかに大きくなっている。
例えば波長が８００ｎｍ程度の光に対して両領域１３
ａ，１３ｂの屈折率差は０．００１程度と推定される。
この根拠は次の通りである。
３を使用しない場合、ドメイン反転領域１３ａの屈折率
は非反転領域１３ｂに比べわずかに大きくなっている。
例えば波長が８００ｎｍ程度の光に対して両領域１３
ａ，１３ｂの屈折率差は０．００１程度と推定される。
この根拠は次の通りである。
【００３２】ＬｉＮｂＯ3 基板１１の＋Ｃ面にＴｉ（チ
タン）を厚さτで蒸着した後温度Ｔでｔ秒間熱処理して
光導波路を形成した場合、この光導波路の屈折率分布
は、下記の（２）式で与えられる拡散濃度Ｃ（ｙ）の関
数として図２のようにして求められている。ただし、
（２）式中のｙはＬｉＮｂＯ3基板表面からの距離であ
り、Ｄ0 はバルク拡散率、Ｔ0 活性化温度であり、上述
の文献ｃから引用して、Ｄ0 ＝２．５×１０-4ｃｍ2 ／
ｓ、Ｔ0 ＝２．５×１０4 Ｋ（ケルビン）である。ま
た、図２は、文献ｃ（「Guided-Wave Optoelectronics
」(1988),pp.146 〜149 のFig.4.2 ）から引用したも
のである。この文献ｃの光導波路の屈折率分布の考え方
はこの実施例の第２高調波発生素子でのドメイン反転領
域１３ａの屈折率ｎe の算出に適用できる。
タン）を厚さτで蒸着した後温度Ｔでｔ秒間熱処理して
光導波路を形成した場合、この光導波路の屈折率分布
は、下記の（２）式で与えられる拡散濃度Ｃ（ｙ）の関
数として図２のようにして求められている。ただし、
（２）式中のｙはＬｉＮｂＯ3基板表面からの距離であ
り、Ｄ0 はバルク拡散率、Ｔ0 活性化温度であり、上述
の文献ｃから引用して、Ｄ0 ＝２．５×１０-4ｃｍ2 ／
ｓ、Ｔ0 ＝２．５×１０4 Ｋ（ケルビン）である。ま
た、図２は、文献ｃ（「Guided-Wave Optoelectronics
」(1988),pp.146 〜149 のFig.4.2 ）から引用したも
のである。この文献ｃの光導波路の屈折率分布の考え方
はこの実施例の第２高調波発生素子でのドメイン反転領
域１３ａの屈折率ｎe の算出に適用できる。
【数２】
【００３３】
【００３４】そこで、処理温度Ｔ＝１０５０℃＝１３２
３Ｋとし、拡散時間ｔ＝３６００秒とし、蒸着したＴｉ
の膜厚τ＝５ｎｍとし、この実施例の第２高調波発生素
子のドメイン反転領域１３ａのＣ（ｙ）を基板表面から
の深さｙ＝１μｍとした場合について式（２）から求め
ると、 Ｃ（１μｍ）＝０．００２４＝０．２４％ となる。
３Ｋとし、拡散時間ｔ＝３６００秒とし、蒸着したＴｉ
の膜厚τ＝５ｎｍとし、この実施例の第２高調波発生素
子のドメイン反転領域１３ａのＣ（ｙ）を基板表面から
の深さｙ＝１μｍとした場合について式（２）から求め
ると、 Ｃ（１μｍ）＝０．００２４＝０．２４％ となる。
【００３５】そして、この値０．２４％に対するΔｎの
値を図２から読み取ると、Δｎ＝１．３×１０-3程度に
なる。しかし、図２の特性図は波長が６３３ｎｍの光に
対するものであるから、波長８００ｎｍの光についての
Δｎはこれより小さくなり、Δｎ＝１×１０-3＝０．０
０１とすることが妥当である。この値から実施例の第２
高調波発生素子のドメイン反転領域１３ａの屈折率は非
反転領域１３ｂに比べ波長が８００ｎｍ程度の光に対し
て０．００１程度大きくなるとしている。
値を図２から読み取ると、Δｎ＝１．３×１０-3程度に
なる。しかし、図２の特性図は波長が６３３ｎｍの光に
対するものであるから、波長８００ｎｍの光についての
Δｎはこれより小さくなり、Δｎ＝１×１０-3＝０．０
０１とすることが妥当である。この値から実施例の第２
高調波発生素子のドメイン反転領域１３ａの屈折率は非
反転領域１３ｂに比べ波長が８００ｎｍ程度の光に対し
て０．００１程度大きくなるとしている。
【００３６】また、この実施例の第２高調波発生素子で
は第１の電極２３ａ及び第２の電極２３ｂ間に電圧を加
えるとポッケルス効果によりドメイン反転領域１３ａ及
び非反転領域１３ｂの屈折率がそれぞれ変化する。この
屈折率変化の大きさは、両電極２３ａ及び２３ｂ間に加
える電圧の大きさと、両領域１３ａ，１３ｂの双極子モ
ーメント（これは図１中の周期的ドメイン反転構造１３
での矢印の向きに対応する。）とによって決まる。
は第１の電極２３ａ及び第２の電極２３ｂ間に電圧を加
えるとポッケルス効果によりドメイン反転領域１３ａ及
び非反転領域１３ｂの屈折率がそれぞれ変化する。この
屈折率変化の大きさは、両電極２３ａ及び２３ｂ間に加
える電圧の大きさと、両領域１３ａ，１３ｂの双極子モ
ーメント（これは図１中の周期的ドメイン反転構造１３
での矢印の向きに対応する。）とによって決まる。
【００３７】そして、両電極２３ａ及び２３ｂ間に電圧
を印加した場合の屈折率の変化をΔｎで示した場合、こ
のΔｎは、基板１１のＺ軸方向（Ｃ面二垂直な方向）の
電場成分の大きさをＥz とすると、下記（３）式で与え
られる。
を印加した場合の屈折率の変化をΔｎで示した場合、こ
のΔｎは、基板１１のＺ軸方向（Ｃ面二垂直な方向）の
電場成分の大きさをＥz とすると、下記（３）式で与え
られる。
【数３】
【００３８】
【００３９】ただし、（３）式においてｎは光導波路の
屈折率、γ33は１次電気光学係数でありＬｉＮｂＯ3 で
は３２．２×１０-12 ｍ／Ｖである。
屈折率、γ33は１次電気光学係数でありＬｉＮｂＯ3 で
は３２．２×１０-12 ｍ／Ｖである。
【００４０】そこで、例えば、第１の電極２３ａを正
（＋）極、第２の電極２３ｂを負（−）極として両電極
２３ａ，２３ｂ間に電圧を加えると、ドメイン反転領域
１３ａの屈折率は上記（３）式に従い減少しまた、非反
転領域１３ｂの屈折率は（３）式に従い増加する。した
がって、電圧を適当に選ぶことによりドメイン反転領域
１３ａと非反転領域１３ｂとの屈折率差Δｎ（この実施
例では０．００１）を小さくでき場合によっては零にす
ることができる。
（＋）極、第２の電極２３ｂを負（−）極として両電極
２３ａ，２３ｂ間に電圧を加えると、ドメイン反転領域
１３ａの屈折率は上記（３）式に従い減少しまた、非反
転領域１３ｂの屈折率は（３）式に従い増加する。した
がって、電圧を適当に選ぶことによりドメイン反転領域
１３ａと非反転領域１３ｂとの屈折率差Δｎ（この実施
例では０．００１）を小さくでき場合によっては零にす
ることができる。
【００４１】この適正電圧は、理論的には以下のように
算出できる。
算出できる。
【００４２】第１の電極２３ａと第２の電極２３ｂとの
間に電圧Ｖを加えた場合光導波路１５中でのｚ方向の電
場成分の大きさＥz は両電極２３ａ，２３ｂの離間距離
がＧ（図１参照）であるのでほぼ下記（４）式で与えら
れる。
間に電圧Ｖを加えた場合光導波路１５中でのｚ方向の電
場成分の大きさＥz は両電極２３ａ，２３ｂの離間距離
がＧ（図１参照）であるのでほぼ下記（４）式で与えら
れる。
【数４】
【００４３】
【００４４】電場成分の大きさＥz が（４）式で与えら
れるという根拠は、上記文献ｃ（「Guided-Wave Optoel
ectronics 」(1988)）の第１５５頁に（４，２，６）式
即ち下記（５）式があり、さらにこの文献ｃの第１５６
頁のＦｉｇ．４．６をみるとＧ≒１μｍ、≒Γ（Ｇ／ｗ
11）＝Γ（１）＝０．５であるので、（５）式は下記の
（５ａ）式となり、この（５ａ）式と上記（３）式とを
比較することにより上記（４）式となることにある。
れるという根拠は、上記文献ｃ（「Guided-Wave Optoel
ectronics 」(1988)）の第１５５頁に（４，２，６）式
即ち下記（５）式があり、さらにこの文献ｃの第１５６
頁のＦｉｇ．４．６をみるとＧ≒１μｍ、≒Γ（Ｇ／ｗ
11）＝Γ（１）＝０．５であるので、（５）式は下記の
（５ａ）式となり、この（５ａ）式と上記（３）式とを
比較することにより上記（４）式となることにある。
【数５】
【００４５】
【００４６】また、ＬｉＮｂＯ3 の屈折率は周知の通り
ほぼ２．２でありこの値を上記（３）式に代入しそして
Δｎ＝０．００１を与えるＥz を求めるとＥz は５．８
×１０6 Ｖ／ｍ程度となる。
ほぼ２．２でありこの値を上記（３）式に代入しそして
Δｎ＝０．００１を与えるＥz を求めるとＥz は５．８
×１０6 Ｖ／ｍ程度となる。
【００４７】そこで、Ｇ＝１μｍと、このＥz ＝５．８
×１０6 Ｖ／ｍという値をそれぞれ上記（４）式に代入
するとＶ＝１２Ｖ（ボルト）という値が得られる。
×１０6 Ｖ／ｍという値をそれぞれ上記（４）式に代入
するとＶ＝１２Ｖ（ボルト）という値が得られる。
【００４８】しかし、実施例の第２高調波発生素子で
は、第１及び第２電極２３ａ，２３ｂ間に電圧を印加す
ると既に説明したようにドメイン反転領域１３ａ及び非
反転領域１３ｂの一方の屈折率は増加し他方の屈折率は
減少するので両領域１３ａ，１３ｂ間の屈折率差０．０
０１を零にするには上記１２Ｖの半分の電圧６Ｖを両電
極２３ａ，２３ｂ間に印加すれば良いことが分かる。
は、第１及び第２電極２３ａ，２３ｂ間に電圧を印加す
ると既に説明したようにドメイン反転領域１３ａ及び非
反転領域１３ｂの一方の屈折率は増加し他方の屈折率は
減少するので両領域１３ａ，１３ｂ間の屈折率差０．０
０１を零にするには上記１２Ｖの半分の電圧６Ｖを両電
極２３ａ，２３ｂ間に印加すれば良いことが分かる。
【００４９】なお、上述においては誘電体から成る下地
としてＬｉＮｂＯ3基板を用いていたが下地はこれに限
られず他の好適なものでも良い。用い得る基板としては
例えばＬｉＴａＯ3 やＫＴＰ等を挙げることができる。
としてＬｉＮｂＯ3基板を用いていたが下地はこれに限
られず他の好適なものでも良い。用い得る基板としては
例えばＬｉＴａＯ3 やＫＴＰ等を挙げることができる。
【００５０】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の第２高調波発生素子によれば、光導波路中のド
メイン反転領域と非反転領域との屈折率差を電気光学効
果を用いて零または従来より小さくできるので、ドメイ
ン反転領域と非反転領域との境界での光損失を従来より
低減できる。これがため、２次高調波への変換効率が従
来より高い第２高調波発生素子を提供できる。
の発明の第２高調波発生素子によれば、光導波路中のド
メイン反転領域と非反転領域との屈折率差を電気光学効
果を用いて零または従来より小さくできるので、ドメイ
ン反転領域と非反転領域との境界での光損失を従来より
低減できる。これがため、２次高調波への変換効率が従
来より高い第２高調波発生素子を提供できる。
【図１】実施例の第２高調波発生素子の説明に供する斜
視図である。
視図である。
【図２】実施例の説明に供する図であり、ＬｉＮｂＯ3
基板にＴｉ（チタン）を熱拡散させた場合その部分と基
板との屈折率差がＴｉ濃度にどのように依存するかを示
した図である。
基板にＴｉ（チタン）を熱拡散させた場合その部分と基
板との屈折率差がＴｉ濃度にどのように依存するかを示
した図である。
【図３】従来の第２高調波発生素子の説明に供する斜視
図である。
図である。
１１：誘電体から成る下地（例えばＬｉＮｂＯ3 基板） １３：周期的ドメイン反転構造 １３ａ：ドメイン反転領域 １３ｂ：基板部分（非反転領域） １５：光導波路 ２１：誘電体 ２３：電極 ２３ａ：第１の電極 ２３ｂ：第２の電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ＬｉＮｂＯ3 基板の＋Ｃ面に、分極方向
が周期的に反転している周期的ドメイン反転構造と、該
周期方向が長手方向とされた光導波路とを具え、かつ、 前記周期的ドメイン反転構造の光導波路中の部分に電界
を加えるための、電極を具え、 該電極は、前記光導波路上に設けられた第１の電極と、
前記ＬｉＮｂＯ3 基板の、前記第１の電極の両側の部分
に、該第１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電
極とで構成してあることを特徴とする第２高調波発生素
子。 - 【請求項２】 ＬｉＴａＯ3 基板の−Ｃ面に、分極方向
が周期的に反転している周期的ドメイン反転構造と、該
周期方向が長手方向とされた光導波路とを具え、かつ、 前記周期的ドメイン反転構造の光導波路中の部分に電界
を加えるための、電極を具え、 該電極は、前記光導波路上に設けられた第１の電極と、
前記ＬｉＴａＯ3 基板の、前記第１の電極の両側の部分
に、該第１の電極に沿ってそれぞれ設けられた第２の電
極とで構成してあることを特徴とする第２高調波発生素
子。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の第２高調波発
生素子において、 前記光導波路と前記第１の電極との間に該光導波路の屈
折率より小さな屈折率を有しかつ基本波及び第二高調波
を実質的に吸収しない誘電体膜を具えたことを特徴とす
る第２高調波発生素子。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の第２高調波発
生素子において、 前記第２の電極を前記第１の電極に沿って設ける代わり
に、前記基板の裏面に前記第１の電極に対向するように
設けたことを特徴とする第２高調波発生素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3289036A JP2708653B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 第２高調波発生素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3289036A JP2708653B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 第２高調波発生素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127208A JPH05127208A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2708653B2 true JP2708653B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=17738000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3289036A Expired - Fee Related JP2708653B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 第２高調波発生素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708653B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05100266A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-04-23 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光高調波発生素子 |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP3289036A patent/JP2708653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05127208A (ja) | 1993-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2721436B2 (ja) | 第２高調波発生装置 | |
| JP4545380B2 (ja) | 光導波路デバイスならびにそれを用いたコヒーレント光源およびそれを備えた光学装置 | |
| US5734772A (en) | Inverted domain structure in ferroelectric crystals with polarization in the crystal plane | |
| JP3915145B2 (ja) | 光波長変換素子および分極反転の製造方法 | |
| JP2969787B2 (ja) | 非線形強誘電体光学材料に対するドメイン制御方法 | |
| JP3578469B2 (ja) | 光波長変換素子およびその作成方法 | |
| JP2708653B2 (ja) | 第２高調波発生素子 | |
| JP4114694B2 (ja) | 光波長変換素子および短波長光発生装置 | |
| JP3159716B2 (ja) | 導波路構造体 | |
| JP3005225B2 (ja) | ドメイン反転構造部を有する非線形強誘電体光学素子の製造方法 | |
| JP2963989B1 (ja) | 光変調器 | |
| US5339190A (en) | Optical waveguide second harmonic generating element and method of making the same | |
| JP2973963B2 (ja) | 短波長光源 | |
| JP2921208B2 (ja) | 波長変換素子および短波長レーザ光源 | |
| JPH05297430A (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JPH06265956A (ja) | 光波長変換方法 | |
| JP3318058B2 (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP2643735B2 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP3735975B2 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP3049986B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JPS60125809A (ja) | 光導波路 | |
| JPH0812367B2 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP3310024B2 (ja) | 変調機能付高調波発生装置 | |
| JPH05323406A (ja) | 安定化高調波発生装置 | |
| JP3316987B2 (ja) | 分極反転格子と光導波路の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971007 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091017 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101017 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |