JP2699954B2 - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
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- JP2699954B2 JP2699954B2 JP7266926A JP26692695A JP2699954B2 JP 2699954 B2 JP2699954 B2 JP 2699954B2 JP 7266926 A JP7266926 A JP 7266926A JP 26692695 A JP26692695 A JP 26692695A JP 2699954 B2 JP2699954 B2 JP 2699954B2
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- Japan
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- bonding
- bonding tool
- tool
- tin
- semiconductor chip
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが入
り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に
延在するリード部材と該リード部材と対応する前記半導
体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディング
ツールに関する。
り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に
延在するリード部材と該リード部材と対応する前記半導
体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディング
ツールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＩＣは、ＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ−ｉｎｇ）と総称さ
れるＩＣである。このＩＣは、樹脂テープ上に被着され
たリード部材を半導体チップの周辺にあるバンプと接続
される構造を有している。このリード部材をバンプに接
続する場合、リード部材を１本ずつ接合していくシング
ルポイントボンディングとＩＣのリード部材の全てをを
一括して同時に接合するギャングボンディングとある
が、ここではシングルポイントボンディングについて説
明する。
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ−ｉｎｇ）と総称さ
れるＩＣである。このＩＣは、樹脂テープ上に被着され
たリード部材を半導体チップの周辺にあるバンプと接続
される構造を有している。このリード部材をバンプに接
続する場合、リード部材を１本ずつ接合していくシング
ルポイントボンディングとＩＣのリード部材の全てをを
一括して同時に接合するギャングボンディングとある
が、ここではシングルポイントボンディングについて説
明する。
【０００３】図４（ａ）および（ｂ）はＴＡＢ型のＩＣ
のリードのボンディング方法を説明するための図であ
る。ＴＡＢ型のＩＣは、図４（ａ）に示すように、半導
体チップ７のＡｌパッド２上にボールボンディング法や
メッキ法で形成されるＡｕやＣｕなどのバンプ３が形成
されている。一方、ＴＡＢテープ４は、テープに被着さ
れたＣｕ箔がエッチングされて形成されインナーリード
５を有している。さらに、このインナーリード５はアウ
ターリード（図示せず）を含め表面にＡｕやＳｎがメッ
キされている。
のリードのボンディング方法を説明するための図であ
る。ＴＡＢ型のＩＣは、図４（ａ）に示すように、半導
体チップ７のＡｌパッド２上にボールボンディング法や
メッキ法で形成されるＡｕやＣｕなどのバンプ３が形成
されている。一方、ＴＡＢテープ４は、テープに被着さ
れたＣｕ箔がエッチングされて形成されインナーリード
５を有している。さらに、このインナーリード５はアウ
ターリード（図示せず）を含め表面にＡｕやＳｎがメッ
キされている。
【０００４】このＴＡＢテープのインナーリード５と半
導体チップ７のバンプ３との接続は、図４（ｂ）に示す
ように、まず、インナーリードボンダのボンディングス
テージ６に載置された半導体チップ７をＴＡＢテープ４
の開口４ａに入れ、バンプ３の上にそれに対応したイン
ナーリード５が来るように半導体チップ７とＴＡＢテー
プ４は位置合せする。このとき、半導体チップ７はボン
ディングステージ６により所定の温度に加熱されてい
る。次に、インナーリード５の上からボンディングツー
ル７で加圧されインナーリード５とバンプ３は接合され
る。
導体チップ７のバンプ３との接続は、図４（ｂ）に示す
ように、まず、インナーリードボンダのボンディングス
テージ６に載置された半導体チップ７をＴＡＢテープ４
の開口４ａに入れ、バンプ３の上にそれに対応したイン
ナーリード５が来るように半導体チップ７とＴＡＢテー
プ４は位置合せする。このとき、半導体チップ７はボン
ディングステージ６により所定の温度に加熱されてい
る。次に、インナーリード５の上からボンディングツー
ル７で加圧されインナーリード５とバンプ３は接合され
る。
【０００５】このボンディングツール１でインナーリー
ド５とバンプ３を加圧する際に、超音波ホーンで加圧と
同時に超音波を印加して接合する場合がある。いずれに
しても、それ以降は、ＴＡＢテープ４の開口４ａの周囲
にある複数のインナーリード５とそれに対応するバンプ
３が順次接合され、ＴＡＢ型のＩＣのリードボンディン
グが完了する。また、特開平６−２８３５７７号公報に
開示されているように、バンプを形成せず、半導体チッ
プのＡｌのパッドとインナーリードを直接接合するとい
った方法もある。
ド５とバンプ３を加圧する際に、超音波ホーンで加圧と
同時に超音波を印加して接合する場合がある。いずれに
しても、それ以降は、ＴＡＢテープ４の開口４ａの周囲
にある複数のインナーリード５とそれに対応するバンプ
３が順次接合され、ＴＡＢ型のＩＣのリードボンディン
グが完了する。また、特開平６−２８３５７７号公報に
開示されているように、バンプを形成せず、半導体チッ
プのＡｌのパッドとインナーリードを直接接合するとい
った方法もある。
【０００６】図５（ａ）および（ｂ）はボンディングツ
ールの例を示す図である。上記のようなリードボンディ
ングに用いられるボンディングツールは、一例として、
特願平６−１７４４２３号公報に開示されている。この
ボンディングツールは、図５（ａ），（ｂ）で示すよう
な形状をしている。これは、リードの多ピン化および狭
ピッチ化が進むにつれて、隣接するインナーリードに干
渉しないようにボンディングツールの先端を細くしたボ
トルネック形状をしている。
ールの例を示す図である。上記のようなリードボンディ
ングに用いられるボンディングツールは、一例として、
特願平６−１７４４２３号公報に開示されている。この
ボンディングツールは、図５（ａ），（ｂ）で示すよう
な形状をしている。これは、リードの多ピン化および狭
ピッチ化が進むにつれて、隣接するインナーリードに干
渉しないようにボンディングツールの先端を細くしたボ
トルネック形状をしている。
【０００７】そして、これらツールの材質は、チタニウ
ムカーバイド（ＴｉＣ）やタングステンカーバイド（Ｗ
Ｃ）のような耐摩耗性の超硬質合金を使用し、グライン
ディング加工や放電加工を用いて所望の形状に製作し長
寿命のボンディングツールを得ていた。
ムカーバイド（ＴｉＣ）やタングステンカーバイド（Ｗ
Ｃ）のような耐摩耗性の超硬質合金を使用し、グライン
ディング加工や放電加工を用いて所望の形状に製作し長
寿命のボンディングツールを得ていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示用のドライバＩＣのように、ボンディング性能を改善
するために錫メッキを施したリードに図５の超硬質合金
のボンディングツールでボンディングする場合、ボンデ
ィング毎にツール先端にＳｎが付着・堆積し、やがてツ
ールから剥れ、剥れたＳｎ屑が種々の品質の問題を発生
していた。
示用のドライバＩＣのように、ボンディング性能を改善
するために錫メッキを施したリードに図５の超硬質合金
のボンディングツールでボンディングする場合、ボンデ
ィング毎にツール先端にＳｎが付着・堆積し、やがてツ
ールから剥れ、剥れたＳｎ屑が種々の品質の問題を発生
していた。
【０００９】このＳｎ屑の発生による問題をさらに詳細
に説明すると、まず、Ｓｎメッキが施されたＴＡＢテー
プのインナーリードと半導体チップのバンプとをボンデ
ィングする際に、ボンディングツールでインナーリード
を加圧している間に加熱された半導体チップの熱の影響
でインナーリード表面のＳｎメッキが溶融軟化する。ま
た、従来のボンディングツールは、Ｓｎと濡れやすい超
硬質合金などで作られている上にツール先端面が放電加
工されているためツール表面が粗くＳｎが付着しやすい
ものであった。
に説明すると、まず、Ｓｎメッキが施されたＴＡＢテー
プのインナーリードと半導体チップのバンプとをボンデ
ィングする際に、ボンディングツールでインナーリード
を加圧している間に加熱された半導体チップの熱の影響
でインナーリード表面のＳｎメッキが溶融軟化する。ま
た、従来のボンディングツールは、Ｓｎと濡れやすい超
硬質合金などで作られている上にツール先端面が放電加
工されているためツール表面が粗くＳｎが付着しやすい
ものであった。
【００１０】それ故、ツール先端にＳｎが付着堆積し大
きく成長するものは５０μｍ程度の長さになる。その結
果、ボンディングツールの移動経路、つまりインナーリ
ードとＡｌパッドの接合部近傍に落下し、隣接するＡｌ
パッドや、Ａｌパッド周辺の配線間で短絡させ半導体装
置としての信頼性や製造歩留りを低下させるという問題
があった。
きく成長するものは５０μｍ程度の長さになる。その結
果、ボンディングツールの移動経路、つまりインナーリ
ードとＡｌパッドの接合部近傍に落下し、隣接するＡｌ
パッドや、Ａｌパッド周辺の配線間で短絡させ半導体装
置としての信頼性や製造歩留りを低下させるという問題
があった。
【００１１】これを回避する手段として、ＴＡＢテープ
のインナーリードにＳｎメッキを使用せず、ボンディン
グステージで加熱された半導体チップの温度より高い融
点のＡｕをメッキしたＴＡＢテープを使用することが考
えられが、ＴＡＢテープのコストを高くし得策な方法で
はない。
のインナーリードにＳｎメッキを使用せず、ボンディン
グステージで加熱された半導体チップの温度より高い融
点のＡｕをメッキしたＴＡＢテープを使用することが考
えられが、ＴＡＢテープのコストを高くし得策な方法で
はない。
【００１２】また、別の方法として、特開平２−２２２
５５４号公報に開示されているように、インナーリード
の接合面のみＳｎメッキを施し、それ以外の面にはＮｉ
メッキを施したＴＡＢテープを使用する方法がある。こ
の方法ではツールの加圧面にＳｎメッキはないので、ツ
ールへのＳｎの付着を防止できるものの、インナーリー
ドの片面にのみＳｎメッキをつけ、その後Ｓｎメッキ面
以外にＮｉメッキを施すといった２度のメッキ工程を行
うため、やはりＴＡＢテープコストが高くなるとともに
工期が長くなるという問題がある。
５５４号公報に開示されているように、インナーリード
の接合面のみＳｎメッキを施し、それ以外の面にはＮｉ
メッキを施したＴＡＢテープを使用する方法がある。こ
の方法ではツールの加圧面にＳｎメッキはないので、ツ
ールへのＳｎの付着を防止できるものの、インナーリー
ドの片面にのみＳｎメッキをつけ、その後Ｓｎメッキ面
以外にＮｉメッキを施すといった２度のメッキ工程を行
うため、やはりＴＡＢテープコストが高くなるとともに
工期が長くなるという問題がある。
【００１３】従って、本発明の目的は、寿命が長いとと
もに錫メッキ屑が付着しないボンディングツールを提供
することにある。
もに錫メッキ屑が付着しないボンディングツールを提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁
より内側に延在する複数のリード部材に対応する前記半
導体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディン
グツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫
溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化
されて形成される棒状部材であるボンディングツールで
ある。
チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁
より内側に延在する複数のリード部材に対応する前記半
導体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディン
グツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫
溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化
されて形成される棒状部材であるボンディングツールで
ある。
【００１５】また、前記棒状部材の材質がジルコニアで
あることが望ましい。
あることが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１７】本発明は、錫溶液とのぬれ性の大小すなわ
ち、錫溶液の付着力の大小に着目しボンディングツール
の種々の材質による接触角を調査することでボンデイン
グツールの適切な材料を選んでなされたものである。
ち、錫溶液の付着力の大小に着目しボンディングツール
の種々の材質による接触角を調査することでボンデイン
グツールの適切な材料を選んでなされたものである。
【００１８】まず、超硬質合金の他にセラミックスなど
の種々の材質の板状サンプルを準備し、板状サンプルの
一面を鏡面に仕上げた。そして、容器に蓄くわえられた
錫溶液に板状サンプルを垂直に立て浸し、鏡面から裾を
引くように錫溶液が垂れ下る接触角を横型拡大投影機で
測定した。
の種々の材質の板状サンプルを準備し、板状サンプルの
一面を鏡面に仕上げた。そして、容器に蓄くわえられた
錫溶液に板状サンプルを垂直に立て浸し、鏡面から裾を
引くように錫溶液が垂れ下る接触角を横型拡大投影機で
測定した。
【００１９】その結果、ＴｉＣのような超硬質合金は接
触角が約４０°と錫が濡れやすい材質であった。また、
アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）やジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2）は溶融したＳｎとの接触角が約１７０°と非常に
Ｓｎが濡れにくい材質であるという知見が得られた。
触角が約４０°と錫が濡れやすい材質であった。また、
アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）やジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2）は溶融したＳｎとの接触角が約１７０°と非常に
Ｓｎが濡れにくい材質であるという知見が得られた。
【００２０】そこで、本発明の第１の実施の形態として
アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）とジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2 ）の材料で一体化されたボンディングツールの製作
を試みた。これには、まず、粉末状のアルミナをバイン
ド材を含ませ固めてから焼成し前述の図５（ｂ）で示し
た棒状部材に成形した。次に、この棒状部材の先端面の
表面粗さを、Ｒａ０．０５μｍ以下になるように研摩し
ボンディングツールを製作した。
アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）とジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2 ）の材料で一体化されたボンディングツールの製作
を試みた。これには、まず、粉末状のアルミナをバイン
ド材を含ませ固めてから焼成し前述の図５（ｂ）で示し
た棒状部材に成形した。次に、この棒状部材の先端面の
表面粗さを、Ｒａ０．０５μｍ以下になるように研摩し
ボンディングツールを製作した。
【００２１】また、同様の方法で、ジルコニア（ＺｒＯ
2 ）によるボンディングツールを製作した。ただ、Ｚｒ
Ｏ2 はＡｌ2 Ｏ3 より粒径が細く研摩仕上りが良くＲａ
０．０１μｍ以下まで研磨できた。また、ＺｒＯ2 はＡ
ｌ2 Ｏ3 より靱性が高く、ボンディングツールをボトル
ネック形状に加工するときの破損も少く、ツール製造歩
留りもＡｌ2 Ｏ3 より良いという結果が得られた。この
ことを考慮すると、ツール先端サイズは、Ａｌ2 Ｏ3 よ
りツール先端径を細くでき狭いピッチのバンプの接続に
より適しているという利点がある。
2 ）によるボンディングツールを製作した。ただ、Ｚｒ
Ｏ2 はＡｌ2 Ｏ3 より粒径が細く研摩仕上りが良くＲａ
０．０１μｍ以下まで研磨できた。また、ＺｒＯ2 はＡ
ｌ2 Ｏ3 より靱性が高く、ボンディングツールをボトル
ネック形状に加工するときの破損も少く、ツール製造歩
留りもＡｌ2 Ｏ3 より良いという結果が得られた。この
ことを考慮すると、ツール先端サイズは、Ａｌ2 Ｏ3 よ
りツール先端径を細くでき狭いピッチのバンプの接続に
より適しているという利点がある。
【００２２】図１はアルミナおよびジルコニアならびに
超硬材料で一体化してなるボンディングツールを使用し
てボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表であ
る。ちなみに、アルミナおよびジルコニアならびに従来
の超硬で製作したボンディングツールを用いてボンディ
ング実験を行なってみたところ、その結果、図１の表に
示すように、表面をＲａ０．０１μｍ以下に研磨された
ジルコニアのボンディングツールが屑の発生率は０パー
セントという最も優れた結果が得られた。
超硬材料で一体化してなるボンディングツールを使用し
てボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表であ
る。ちなみに、アルミナおよびジルコニアならびに従来
の超硬で製作したボンディングツールを用いてボンディ
ング実験を行なってみたところ、その結果、図１の表に
示すように、表面をＲａ０．０１μｍ以下に研磨された
ジルコニアのボンディングツールが屑の発生率は０パー
セントという最も優れた結果が得られた。
【００２３】一方、アルミナのボンディングツールの屑
発生率は、従来の超硬のボンディングツールの屑発生率
０．８４パーセントより低いものの、０．４パーセント
で半減しただけという予想外の結果であった。そこで、
表面粗さに着目しさらに鏡面に仕上げたものについて試
みたところ、０．３１パーセントであった。このことに
より、ジルコニアとアルミとの屑の発生率の差は表面粗
さに起因するものであると確認できた。
発生率は、従来の超硬のボンディングツールの屑発生率
０．８４パーセントより低いものの、０．４パーセント
で半減しただけという予想外の結果であった。そこで、
表面粗さに着目しさらに鏡面に仕上げたものについて試
みたところ、０．３１パーセントであった。このことに
より、ジルコニアとアルミとの屑の発生率の差は表面粗
さに起因するものであると確認できた。
【００２４】図２は本発明に関連する技術におけるボン
ディングツールの部分破断正面図である。このボンディ
ングツールは、半導体装置の製造における窒化膜が緻密
で硬い膜であるという知見からなされたものである。す
なわち、図２に示すように、シャンク側から伸びる金属
棒体１ｂの先端部に窒化膜１ａを被着させることであ
る。そして、この窒化膜１ａを錫とぬれ性のない材質に
することである。
ディングツールの部分破断正面図である。このボンディ
ングツールは、半導体装置の製造における窒化膜が緻密
で硬い膜であるという知見からなされたものである。す
なわち、図２に示すように、シャンク側から伸びる金属
棒体１ｂの先端部に窒化膜１ａを被着させることであ
る。そして、この窒化膜１ａを錫とぬれ性のない材質に
することである。
【００２５】そこで、この窒化膜の材質を選ぶために、
板状サンプルに種々の窒化膜を形成し、前述の接触角を
求めてみた。その結果、錫溶液との接触角が約１４０°
を示したチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）と約１５０
°のボロンナイトライド（ＢＮ）とが選出された。
板状サンプルに種々の窒化膜を形成し、前述の接触角を
求めてみた。その結果、錫溶液との接触角が約１４０°
を示したチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）と約１５０
°のボロンナイトライド（ＢＮ）とが選出された。
【００２６】そして、靱性の高い工具鋼で金属棒体１ｂ
を製作し先端部をＲａ０．０５μｍに研摩し、気相成長
装置によりチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）およびボ
ロンナイトライド（ＢＮ）の窒化膜１ａを約１μｍ程度
の厚さで形成した。このボンディングツールは、後述す
るが錫の屑の発生率が低くなることは勿論、本体を剛性
の高い工具鋼であるため超音波振動を印加するのに発振
効率が良いという利点がある。
を製作し先端部をＲａ０．０５μｍに研摩し、気相成長
装置によりチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）およびボ
ロンナイトライド（ＢＮ）の窒化膜１ａを約１μｍ程度
の厚さで形成した。このボンディングツールは、後述す
るが錫の屑の発生率が低くなることは勿論、本体を剛性
の高い工具鋼であるため超音波振動を印加するのに発振
効率が良いという利点がある。
【００２７】図３はＴｉＮ膜およびＢＮ膜を施したボン
ディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑
の発生結果を示す表である。ちなみに、ＴｉＮ膜および
ＢＮ膜を施したボンディングツールを使用してボンディ
ング実験を行なったところ、図３に示す結果が得られ
た。すなわち、図３に示すように、ＴｉＮ膜のボンディ
ングツールは屑発生率が０．２パーセントで、ＢＮ膜の
ボンディングツールは０．２４パーセントとともに低い
発生率があった。
ディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑
の発生結果を示す表である。ちなみに、ＴｉＮ膜および
ＢＮ膜を施したボンディングツールを使用してボンディ
ング実験を行なったところ、図３に示す結果が得られ
た。すなわち、図３に示すように、ＴｉＮ膜のボンディ
ングツールは屑発生率が０．２パーセントで、ＢＮ膜の
ボンディングツールは０．２４パーセントとともに低い
発生率があった。
【００２８】この実施の形態のボンディングツールは、
前述の実施形態のボンディングツールに比べシャンクは
超音波振動を効率良く伝える材料に選ぶことができるの
で、超音波振動を印加する場合には有利である。
前述の実施形態のボンディングツールに比べシャンクは
超音波振動を効率良く伝える材料に選ぶことができるの
で、超音波振動を印加する場合には有利である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、錫の付着
しにくく硬度の高い材質でボンディングツールの先端部
を形成することによって、隣接Ａｌパッド間やＡｌパッ
ドと側部配線間でショートの原因になるような大きなＳ
ｎ屑の発生がなくなり、その結果、半導体装置の信頼性
や製造歩留りが低下しないでＴＡＢ型のＩＣを製造でき
るという効果が得られた。
しにくく硬度の高い材質でボンディングツールの先端部
を形成することによって、隣接Ａｌパッド間やＡｌパッ
ドと側部配線間でショートの原因になるような大きなＳ
ｎ屑の発生がなくなり、その結果、半導体装置の信頼性
や製造歩留りが低下しないでＴＡＢ型のＩＣを製造でき
るという効果が得られた。
【図１】アルミナおよびジルコニアならびに超硬材料で
一体化してなるボンディングツールを使用してボンデイ
ングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。
一体化してなるボンディングツールを使用してボンデイ
ングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。
【図２】本発明に関連する技術におけるボンディングツ
ールの部分破断正面図である。
ールの部分破断正面図である。
【図３】ＴｉＮ膜およびＢＮ膜を施したボンディングツ
ールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果
を示す表である。
ールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果
を示す表である。
【図４】ＴＡＢ型のＩＣのリードのボンディング方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図５】ボンディングツールの例を示す図である。
１ ボンディングツール １ａ 窒化膜 １ｂ 金属棒体 ２ Ａｌパッド ３ バンプ ４ ＴＡＢテープ ５ インナーリード ６ ボンディングステージ ７ 半導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップが入り込む開口を有するテ
ープ状部材の該開口縁より内側に延在する複数のリード
部材に対応する前記半導体チップのバンプとを重ね押圧
し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディン
グツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ
性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材である
ことを特徴とするボンディングツール。 - 【請求項２】 前記棒状部材の材質がジルコニアである
ことを特徴とする請求項１記載のボンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266926A JP2699954B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266926A JP2699954B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | ボンディングツール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115969A JPH09115969A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2699954B2 true JP2699954B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=17437609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7266926A Expired - Lifetime JP2699954B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699954B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4525210B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-08-18 | 株式会社村田製作所 | 超音波接合装置 |
| CN110501263B (zh) * | 2018-05-16 | 2022-06-28 | 宝山钢铁股份有限公司 | 一种镀锡板表面润湿性评价方法 |
| WO2020158621A1 (ja) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | ボンディングツールおよびその製造方法、並びにボンディング装置およびボンディング方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5387166A (en) * | 1977-01-11 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic part bonding tool and its production |
| JPS58111332A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Seiko Epson Corp | ボンデイングツ−ルチツプの固定方法 |
| JP2585891B2 (ja) * | 1991-05-20 | 1997-02-26 | 富士通株式会社 | ボンディングツール |
| JP3413942B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2003-06-09 | 住友電気工業株式会社 | 高強度ボンディングツールおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP7266926A patent/JP2699954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115969A (ja) | 1997-05-02 |
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