JP2695871B2 - 新規錯体、その製法及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents
新規錯体、その製法及びそれを用いた光記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規ニッケル錯体、その製法及びそれを用い
た光記録媒体に関する。
た光記録媒体に関する。
［従来の技術］ 近年、光記録媒体の記録層として、金属薄膜に代えシ
アニン色素、トリアリールメタン色素、メロシアニン色
素、ナフトキノン色素、キサンテン色素、スクアリウム
色素などの光吸収反射性色素からなる有機色素薄膜を用
いて、レーザービーム照射光により熱変形を生成させて
記録し、未変形部分との反射光の差を利用して再生、読
取りを行うことが実用化されている。この有機色素薄膜
は融点、分解点が調節できて、熱伝導率も低く、且つ塗
布法で記録薄膜層を形成できるため、生産性の向上、低
コスト化が期待できる方法である。
アニン色素、トリアリールメタン色素、メロシアニン色
素、ナフトキノン色素、キサンテン色素、スクアリウム
色素などの光吸収反射性色素からなる有機色素薄膜を用
いて、レーザービーム照射光により熱変形を生成させて
記録し、未変形部分との反射光の差を利用して再生、読
取りを行うことが実用化されている。この有機色素薄膜
は融点、分解点が調節できて、熱伝導率も低く、且つ塗
布法で記録薄膜層を形成できるため、生産性の向上、低
コスト化が期待できる方法である。
［発明が解決しようとする課題］ ところが有機色素薄膜には、有機色素が自然光又は再
生光レーザービームにより褐色し、長期安定性が充分で
ないという欠点があり、また塗布法による薄膜形成時の
使用溶剤がハロゲン化炭化水素などに限定され、基板と
して用いる樹脂材料との関連で実用上における種々の問
題がある。従って、赤色〜近赤外領域の光に対する保存
性や再生劣化に対する抵抗性の改善された色素あるいは
高性能の光安定化剤に関する研究が、活発に行われてい
るのが現状である。
生光レーザービームにより褐色し、長期安定性が充分で
ないという欠点があり、また塗布法による薄膜形成時の
使用溶剤がハロゲン化炭化水素などに限定され、基板と
して用いる樹脂材料との関連で実用上における種々の問
題がある。従って、赤色〜近赤外領域の光に対する保存
性や再生劣化に対する抵抗性の改善された色素あるいは
高性能の光安定化剤に関する研究が、活発に行われてい
るのが現状である。
本発明は、こうした実情に鑑み、特に有機色素を用い
た光記録媒体に有用で、耐光性、再生劣化の防止に有効
な新規な化合物及びそれを用いて光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
た光記録媒体に有用で、耐光性、再生劣化の防止に有効
な新規な化合物及びそれを用いて光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、上記課題を解決すべく従来より研究を
重ねてきた結果、特定の一群の化合物を見出すに至り、
本発明を完成した。
重ねてきた結果、特定の一群の化合物を見出すに至り、
本発明を完成した。
すなわち、本発明は（１）下記一般式（Ｉ）で表わさ
れるニッケル錯体。
れるニッケル錯体。
式中、Ｒは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲンを
ｎは１又は２を表わす。又、（２）下記一般式（II）を
酸化することを特徴とする請求項（１）記載のニッケル
錯体の製法。
ｎは１又は２を表わす。又、（２）下記一般式（II）を
酸化することを特徴とする請求項（１）記載のニッケル
錯体の製法。
式中、Ｒは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン
を、ｎは１又は２を、Ａは対カチオンを表わす。更に、
（３）基板上に記録層を有する光記録媒体において、該
記録層に請求項（１）記載のニッケル錯体を含む光記録
媒体である。
を、ｎは１又は２を、Ａは対カチオンを表わす。更に、
（３）基板上に記録層を有する光記録媒体において、該
記録層に請求項（１）記載のニッケル錯体を含む光記録
媒体である。
本発明の新規な錯体は、上記のように一般式（Ｉ）で
表わされるが、Ｒとして好ましいものは水素、低級アル
キル、低級アルコキシド、ハロゲンである。本発明とく
に好ましい錯体を例示すれば、たとえば、 におけるＲが、 水素、4,4′−ジメチル、4,4′−ジ−ｔ−ブチル、4,
4′−ジメトキシ、4,4′−ジエトキシ、4,4−ジ−ｎ−
ブトキシ、4,4′−ジ−ｎ−デシルオキシ、4,4′−ジフ
ルオル、2,2′−ジクロル、4,4′−ジクロル、3,4,3′,
4′−テトラクロル、4,4′−ジブロムである錯体を挙げ
ることができる。
表わされるが、Ｒとして好ましいものは水素、低級アル
キル、低級アルコキシド、ハロゲンである。本発明とく
に好ましい錯体を例示すれば、たとえば、 におけるＲが、 水素、4,4′−ジメチル、4,4′−ジ−ｔ−ブチル、4,
4′−ジメトキシ、4,4′−ジエトキシ、4,4−ジ−ｎ−
ブトキシ、4,4′−ジ−ｎ−デシルオキシ、4,4′−ジフ
ルオル、2,2′−ジクロル、4,4′−ジクロル、3,4,3′,
4′−テトラクロル、4,4′−ジブロムである錯体を挙げ
ることができる。
本発明の錯体は一般式（II）で表わされる錯体を酸化
することにより製造することができる。
することにより製造することができる。
又、一般式（II）で示される錯体は以下のようにして
得ることができる。
得ることができる。
先ずSchranger etal JACS 87,1483（'65）の記述に準
じて各々のベンゾイン誘導体またはベンジル誘導体と五
硫化リンを反応後、加水分解、塩化ニッケルなどの遷移
金属化合物を添加することによりビス−（ジチオベンジ
ル誘導体）金属錯体を得る。
じて各々のベンゾイン誘導体またはベンジル誘導体と五
硫化リンを反応後、加水分解、塩化ニッケルなどの遷移
金属化合物を添加することによりビス−（ジチオベンジ
ル誘導体）金属錯体を得る。
別にInorgamic Syntheses 10,8（'67）記述に従っ
て、ナトリウム−cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレン
ジチオレートを合成し、さらに塩化ニッケルなどの遷移
金属化合物を反応させて、この反応液に第４級アンモニ
ウムまたはホスホニウムを添加することにより、ビス
cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチオレート）金
属錯体オニウム塩を得る。
て、ナトリウム−cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレン
ジチオレートを合成し、さらに塩化ニッケルなどの遷移
金属化合物を反応させて、この反応液に第４級アンモニ
ウムまたはホスホニウムを添加することにより、ビス
cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチオレート）金
属錯体オニウム塩を得る。
次に上記ビスジチオベンジル誘導体）金属錯体とビ
ス（cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチオレー
ト）金属錯体オニオム塩とを選択された溶媒中で還流、
配位子変換反応により一般式（II）の錯体を得ることが
できる。
ス（cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチオレー
ト）金属錯体オニオム塩とを選択された溶媒中で還流、
配位子変換反応により一般式（II）の錯体を得ることが
できる。
次に本発明の一般式（Ｉ）の錯覚は一般式（II）の錯
体を選択された溶媒中、例えばクロロホルム中で沃素な
どの酸化剤で一般には室温で酸化反応を行った後、水を
加えて水洗後、溶媒層を分離、溶媒を減圧下に留去して
結晶として得ることができる。
体を選択された溶媒中、例えばクロロホルム中で沃素な
どの酸化剤で一般には室温で酸化反応を行った後、水を
加えて水洗後、溶媒層を分離、溶媒を減圧下に留去して
結晶として得ることができる。
本発明の光情報記録媒体は、基本的には基板上にポリ
メチン化合物を主成分とする有機色素と、上記一般式
（Ｉ）で表わされるニッケル錯体からなる記録層を設け
ることにより構成されるが、必要に応じて基板と記録層
との間に下引き層をあるいは記録層の上に保護層を設け
ることができる。
メチン化合物を主成分とする有機色素と、上記一般式
（Ｉ）で表わされるニッケル錯体からなる記録層を設け
ることにより構成されるが、必要に応じて基板と記録層
との間に下引き層をあるいは記録層の上に保護層を設け
ることができる。
また、このようにして構成された一対の記録媒体を記
録層を内側にして他の基板と空間を介して密封したエア
ーサンドイッチ構造にしてもよく、あるいは保護層を介
して接着した密着サンドイッチ（貼合せ構造）にしても
よい。
録層を内側にして他の基板と空間を介して密封したエア
ーサンドイッチ構造にしてもよく、あるいは保護層を介
して接着した密着サンドイッチ（貼合せ構造）にしても
よい。
次に、本発明の光情報記録媒体を構成する材料および
各層の必要特性について具体的に説明する。
各層の必要特性について具体的に説明する。
（１）基板 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場
合のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、
記録側から行う場合は透明である必要はない。基板材料
としては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミ
ド、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミッ
クあるいは金属などを用いることができる。
合のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、
記録側から行う場合は透明である必要はない。基板材料
としては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミ
ド、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミッ
クあるいは金属などを用いることができる。
なお、基板の表面にはアドレス信号などのプレフォー
マットや案内溝のプレグループが形成されていてもよ
い。
マットや案内溝のプレグループが形成されていてもよ
い。
（２）記録層 記録層はレーザー光の照射による何らかの光学的変化
を生じさせその変化により情報を記録できるもので、ポ
リメチン化合物を主成分とする有機色素薄膜層中に前記
一般式（Ｉ）で表わされるニッケル錯体を含有する。
を生じさせその変化により情報を記録できるもので、ポ
リメチン化合物を主成分とする有機色素薄膜層中に前記
一般式（Ｉ）で表わされるニッケル錯体を含有する。
また、ポリメチン色素としては、シアニン色素、メロ
シアニン色素、クロコニウム色素、ピリリウム色素少な
くとも１種が含まれる。
シアニン色素、クロコニウム色素、ピリリウム色素少な
くとも１種が含まれる。
シアニン色素およびメロシアニン色素としては下記一
般式（Ｉ）、（II）および（III）で表わされるものを
用いることができる。
般式（Ｉ）、（II）および（III）で表わされるものを
用いることができる。
シアニン色素 ただし、R1およびR2は、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアラルキル基またはアルケ
ニル基を示し、Z1およびZ2は置換または未置換の複素環
を完成するに必要な原子群を示し、Z3は置換もしくは未
置換の５員環または６員環を完成するに必要な原子群を
示し、また前記５員環もしくは６員環は芳香族環と縮合
していてもよく、R3は水素原子またはハロゲン原子を示
し、R4およびR5は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基またはアシルオキシ基を示し、Ｘ は酸アニ
オンを示し、そしてｌ、ｍおよびｎは０または１であ
る。
ル基、置換もしくは未置換のアラルキル基またはアルケ
ニル基を示し、Z1およびZ2は置換または未置換の複素環
を完成するに必要な原子群を示し、Z3は置換もしくは未
置換の５員環または６員環を完成するに必要な原子群を
示し、また前記５員環もしくは６員環は芳香族環と縮合
していてもよく、R3は水素原子またはハロゲン原子を示
し、R4およびR5は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基またはアシルオキシ基を示し、Ｘ は酸アニ
オンを示し、そしてｌ、ｍおよびｎは０または１であ
る。
メロシアニン色素 などの環を表わしそしてｎは１または２を示す。
上記色素の代表例を以下を示すが、本発明はこれのみ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
上述したように、本発明の記録層はポリメチン色素と
ニッケル錯体とを主成分とするものであるが、記録特性
及び安定性向上のために、他の染料、例えばフタロシア
ニン系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリ
フェノチアジン系、フェナンスレン系、アントラキノン
（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、トルフェニルアミン系、アズレン系染料や金属
又は金属化合物、例えばIn、Sn、Te、Bi、Al、Se、Ag、
TeO2、SnO、Cu等と混合分散してもよく、積層してもよ
く、さらに必要に応じて他の第３成分例えばバインダ
ー、安定剤、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、分
散剤などを含有していてもよい。
ニッケル錯体とを主成分とするものであるが、記録特性
及び安定性向上のために、他の染料、例えばフタロシア
ニン系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリ
フェノチアジン系、フェナンスレン系、アントラキノン
（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、トルフェニルアミン系、アズレン系染料や金属
又は金属化合物、例えばIn、Sn、Te、Bi、Al、Se、Ag、
TeO2、SnO、Cu等と混合分散してもよく、積層してもよ
く、さらに必要に応じて他の第３成分例えばバインダ
ー、安定剤、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、分
散剤などを含有していてもよい。
上記記録層に含まれるポリメチレン色素とニッケル錯
体との重量比は、ポリメチレン色素に対するニッケル錯
体が10〜40％であることが望ましい。記録層の膜厚は10
0Å〜100μｍ、好ましくは200Å〜２μｍである。そし
て膜形成方法としては溶液塗布法、たとえば浸漬コーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンナーコーティン
グ、ブレードコーティング、ローラーコーティング、カ
ーテンコーティングなどをあるいは他の方法として蒸
着、CVD、スパッター法などを用いることもできる。な
お、塗布に用いる溶媒としては例えばイソプロピルアル
コールなどのアルコール系、メチルエチルケトンなどの
ケトン系、酢酸エチルなどのエステル系、メチルセロソ
ルブなどのエーテル系、ジクロロエタン、クロロホルム
などのハロゲン化アルキル系、トルエン、キシレンなど
の芳香族及びそれらの混合系などをあげることができ
る。
体との重量比は、ポリメチレン色素に対するニッケル錯
体が10〜40％であることが望ましい。記録層の膜厚は10
0Å〜100μｍ、好ましくは200Å〜２μｍである。そし
て膜形成方法としては溶液塗布法、たとえば浸漬コーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンナーコーティン
グ、ブレードコーティング、ローラーコーティング、カ
ーテンコーティングなどをあるいは他の方法として蒸
着、CVD、スパッター法などを用いることもできる。な
お、塗布に用いる溶媒としては例えばイソプロピルアル
コールなどのアルコール系、メチルエチルケトンなどの
ケトン系、酢酸エチルなどのエステル系、メチルセロソ
ルブなどのエーテル系、ジクロロエタン、クロロホルム
などのハロゲン化アルキル系、トルエン、キシレンなど
の芳香族及びそれらの混合系などをあげることができ
る。
（３）下引き層 下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスな
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上及び
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、
（ｆ）プレグループの形成などを目的として使用され
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料例えばアイオノ
マー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、
天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子
物質及びシランカップリング剤などを用いることがで
き、（ｂ）及び（ｃ）目的に対しては上記高分子材料以
外に無機化合物例えば、BiO2、MgF2、SiO、TiO2、ZnO、
TiN、SiNなど、金属または半金属例えばZn、Cu、Ｓ、N
i、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Alなどを用いることができ
る。また、（ｄ）の目的に対しては金属、例えば、Al、
Ag等や金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、
キサンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及び
（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上及び
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護、
（ｆ）プレグループの形成などを目的として使用され
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料例えばアイオノ
マー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、
天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子
物質及びシランカップリング剤などを用いることがで
き、（ｂ）及び（ｃ）目的に対しては上記高分子材料以
外に無機化合物例えば、BiO2、MgF2、SiO、TiO2、ZnO、
TiN、SiNなど、金属または半金属例えばZn、Cu、Ｓ、N
i、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Alなどを用いることができ
る。また、（ｄ）の目的に対しては金属、例えば、Al、
Ag等や金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、
キサンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及び
（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
（４）保護層 保護層は（ａ）記録層をその傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、（ｂ）記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記下引き層に示した材料を用いることができる。
保護する、（ｂ）記録層の保存安定性の向上、反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記下引き層に示した材料を用いることができる。
本発明において、前記下引き層及び保護層には、記録
層の場合と同様に安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても、ポリメチン
化合物を含有させることができる。
層の場合と同様に安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても、ポリメチン
化合物を含有させることができる。
［実施例］ 以下に、実施例を挙げ本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例１ （ジチオベンジン1,2ジシアノエチレンチオレート
Ni（II）錯体の合成 （１−１）ビスジチオ−ベンジルニッケル（II）の
合成 ベンゾイン15.9部と五硫化リン23.4部にジオキサン15
0部を加えて加熱還流、５時間反応を行った。反応液は
徐々に黄橙色になった。反応終了後、不溶物を濾別し、
濾液に塩化ニッケル六水塩9.1部を少量の水に溶解した
液を加えると茶黒色を呈した。
Ni（II）錯体の合成 （１−１）ビスジチオ−ベンジルニッケル（II）の
合成 ベンゾイン15.9部と五硫化リン23.4部にジオキサン15
0部を加えて加熱還流、５時間反応を行った。反応液は
徐々に黄橙色になった。反応終了後、不溶物を濾別し、
濾液に塩化ニッケル六水塩9.1部を少量の水に溶解した
液を加えると茶黒色を呈した。
次いで湯浴中還流を続け、加水分解反応を行った。反
応の進行と共に黒色の針状結晶が析出してきた。３時間
反応後冷却し、黒色針状結晶を濾別した。（収量8.8
部） 一部トルエン−二塩化エチレン混合溶媒から再結晶し
たものはmp 292℃（Lit.mp 292℃）を示した。
応の進行と共に黒色の針状結晶が析出してきた。３時間
反応後冷却し、黒色針状結晶を濾別した。（収量8.8
部） 一部トルエン−二塩化エチレン混合溶媒から再結晶し
たものはmp 292℃（Lit.mp 292℃）を示した。
（１−２）ビス1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチオ
レート）Ni（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの合
成 ソジウム−cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチ
オレート5.6部を水−メタノール（1:1V/V）60部に溶解
し、塩化ニッケル六水塩3.6部を水20部に溶解した液を
加えると暗赤褐色を呈した。次いでテトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムブロマイド10.3部を水−メタノール（1:1V
/V）20部に溶解した液を加え、室温で１時間かきまぜ
た。析出した橙赤色結晶を濾過し、アセトン−ブタノー
ル混合溶液から再結晶した。収量11.2部、mp.141〜142
℃（文献mp.143〜144℃）。
レート）Ni（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの合
成 ソジウム−cis−1,2−ジシアノ−1,2−エチレンジチ
オレート5.6部を水−メタノール（1:1V/V）60部に溶解
し、塩化ニッケル六水塩3.6部を水20部に溶解した液を
加えると暗赤褐色を呈した。次いでテトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムブロマイド10.3部を水−メタノール（1:1V
/V）20部に溶解した液を加え、室温で１時間かきまぜ
た。析出した橙赤色結晶を濾過し、アセトン−ブタノー
ル混合溶液から再結晶した。収量11.2部、mp.141〜142
℃（文献mp.143〜144℃）。
（１−３）（ジチオベンジル1,2ジシアノエチレン
チオレート）Ni（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
塩の合成 （１−１）で得たビスジチオベンジルNi（II）錯体
3.26部および（１−２）で得たビス1,2−ジシアノ−
1,2−エチレンジチオレートNi（II）テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム塩4.94部を1,2−ジクロロエタン120部
と共に２時間還流した。反応終了後溶媒を留去して得た
粗生成物をシリカゲル（WAKO gel C−300）、展開溶媒
［トルエン/1,2−ジクロロエタン（1:1Vol）混合溶媒］
により黒褐色部を分離、分離液を濃縮し、2.16部の黒色
系結晶を得た。結晶の１部をアセトンに溶解しｎ−ブタ
ノールを加えて析出させ、精製したものの融点、元素分
析値は次のとおりであった。
チオレート）Ni（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
塩の合成 （１−１）で得たビスジチオベンジルNi（II）錯体
3.26部および（１−２）で得たビス1,2−ジシアノ−
1,2−エチレンジチオレートNi（II）テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム塩4.94部を1,2−ジクロロエタン120部
と共に２時間還流した。反応終了後溶媒を留去して得た
粗生成物をシリカゲル（WAKO gel C−300）、展開溶媒
［トルエン/1,2−ジクロロエタン（1:1Vol）混合溶媒］
により黒褐色部を分離、分離液を濃縮し、2.16部の黒色
系結晶を得た。結晶の１部をアセトンに溶解しｎ−ブタ
ノールを加えて析出させ、精製したものの融点、元素分
析値は次のとおりであった。
mp.155〜156℃、元素分析の結果 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 59.73％ 6.78％ 6.15％ 分析値 59.52％ 6.79％ 6.04％ （１−４）（ジチオベンジル1,2ジシアノエチレン
チオレートNi（II）（一般式ＩにおいてＲ＝水素）の
合成 （１−３）で得たテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩
0.68部を1,2−ジクロロエタン25部に溶解し、I20.30部
を1.2−ジクロロエタンに溶解したものを室温で添加、
そのまま30minかきまぜ後、分液漏斗に移し、水洗、1,2
−ジクロロエタン溶液を減圧下に濃縮放冷した。析出し
た黒色結晶0.24部を得て、さらにシリカゲル（WAKO gel
C−300）、展開溶媒（トルエン/1,2−ジクロロエタン
（1:1Vol）混合溶媒］により分離精製を行って0.16部の
黒色柱系状結晶を得た。
チオレートNi（II）（一般式ＩにおいてＲ＝水素）の
合成 （１−３）で得たテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩
0.68部を1,2−ジクロロエタン25部に溶解し、I20.30部
を1.2−ジクロロエタンに溶解したものを室温で添加、
そのまま30minかきまぜ後、分液漏斗に移し、水洗、1,2
−ジクロロエタン溶液を減圧下に濃縮放冷した。析出し
た黒色結晶0.24部を得て、さらにシリカゲル（WAKO gel
C−300）、展開溶媒（トルエン/1,2−ジクロロエタン
（1:1Vol）混合溶媒］により分離精製を行って0.16部の
黒色柱系状結晶を得た。
mp.266℃（dec） 元素分析の結果 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 49.00％ 2.28％ 6.35％ 分析値 49.12％ 2.48％ 6.14％ 吸収スペクトル（1,2−ジクロロエタン溶液） λmax 807nm（ε:1.94×104） 実施例２ （4,4′−ジメトキシジチオベンジル1,2ジシアノエ
チレンチオレートNi（II）錯体の合成 （２−１）ビス4,4′−ジメトキシチオベンジルNi
（II）の合成 4,4′−ジメトキシベンゾイン13.6部、五硫化リン15.
6部、ジオキサン200部、塩化ニッケル六水塩5.9部を用
いて、実施例１−１に準じて反応、黒色針状結晶6.3部
を得た。
チレンチオレートNi（II）錯体の合成 （２−１）ビス4,4′−ジメトキシチオベンジルNi
（II）の合成 4,4′−ジメトキシベンゾイン13.6部、五硫化リン15.
6部、ジオキサン200部、塩化ニッケル六水塩5.9部を用
いて、実施例１−１に準じて反応、黒色針状結晶6.3部
を得た。
一部1,2−ジクロロエタンから再結晶したものはmp.32
6℃（dec）［文献値mp.329℃（dec）］ （２−２）（4,4′−ジメトキシジチオベンジル1,2
ジシアノエチレンチオレートNi（II）テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム塩の合成 （２−１）で得た錯体1.32部、実施例１（１−２）で
得た錯体1.32部、1,2−ジクロロエタン75部を用いて、
実施例１（１−３）に準じて反応を行い。黒色結晶1.6
部を得た。
6℃（dec）［文献値mp.329℃（dec）］ （２−２）（4,4′−ジメトキシジチオベンジル1,2
ジシアノエチレンチオレートNi（II）テトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム塩の合成 （２−１）で得た錯体1.32部、実施例１（１−２）で
得た錯体1.32部、1,2−ジクロロエタン75部を用いて、
実施例１（１−３）に準じて反応を行い。黒色結晶1.6
部を得た。
mp.164〜165℃ 元素分析の結果 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 58.14％ 6.78％ 5.65％ 分析値 58.43％ 6.89％ 5.55％ （２−３）（4,4′−ジメトキシジチオベンジル1,2
ジシアノエチレンチオレートNi（II）の合成 （２−２）で得た錯体1.12部、1,2−ジクロロエタン5
0部、沃素0.38部を用いて実施例１、（１−４）に準じ
て反応を行って0.16部の黒色結晶を得た。
ジシアノエチレンチオレートNi（II）の合成 （２−２）で得た錯体1.12部、1,2−ジクロロエタン5
0部、沃素0.38部を用いて実施例１、（１−４）に準じ
て反応を行って0.16部の黒色結晶を得た。
mp.264℃（dec） 元素分析の結果 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 47.92％ 2.81％ 5.59％ 分析値 47.81％ 3.00％ 5.50％ 吸収スペクトル（1,2−ジクロロエタン溶液） λmax 855nm（ε:2.29×104） 実施例３ シアニン色素（日本感光色素製NK−2421）の2,2′−
ジクロロエタン溶液を調製し、これに重量比15％で前記
実施例１で得た（ジチオベンジル1,2ジシアノエチ
レンチオレートNi（II）錯体を溶解させた。この溶液
をガラス基板上に塗布し乾燥させ、厚さ600Åの記録層
を形成し記録媒体を作製した。
ジクロロエタン溶液を調製し、これに重量比15％で前記
実施例１で得た（ジチオベンジル1,2ジシアノエチ
レンチオレートNi（II）錯体を溶解させた。この溶液
をガラス基板上に塗布し乾燥させ、厚さ600Åの記録層
を形成し記録媒体を作製した。
この記録媒体に500ワットのタングステンランプを用
いて54000ルックスの光を照射した後、色素の吸収ピー
ク減少速度を測定した。この結果を同じ色素を使用する
が、それぞれニッケル錯体無添加のものおよびビス
−（1,2,4）−トリクロル−5,9−ジチオフェノレートニ
ッケル（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（下記
式）を添加したものと比較すると、減少速度は相対値で
に対しては0.13倍でありそしてに対しては0.57倍で
あった。さらに、同じ記録媒体について再生光に対する
安定性を確認したところ、上記のものより〜5.4倍以
上および上記のものより〜1.3倍以上改善された。
いて54000ルックスの光を照射した後、色素の吸収ピー
ク減少速度を測定した。この結果を同じ色素を使用する
が、それぞれニッケル錯体無添加のものおよびビス
−（1,2,4）−トリクロル−5,9−ジチオフェノレートニ
ッケル（II）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（下記
式）を添加したものと比較すると、減少速度は相対値で
に対しては0.13倍でありそしてに対しては0.57倍で
あった。さらに、同じ記録媒体について再生光に対する
安定性を確認したところ、上記のものより〜5.4倍以
上および上記のものより〜1.3倍以上改善された。
［効 果］ 以上説明したように本発明錯体の吸収極大波長は800n
m以上を有し、クインチャーとして優れている上に溶剤
に対する溶解性も改良されているため、光情報記録媒体
に応用した場合、保存性の改良、生産工程の簡易化なら
びに低コスト化が達成できる。
m以上を有し、クインチャーとして優れている上に溶剤
に対する溶解性も改良されているため、光情報記録媒体
に応用した場合、保存性の改良、生産工程の簡易化なら
びに低コスト化が達成できる。
また、本発明錯体は、光情報媒体以外にもたとえば赤
外感光性材料フィルター、選択的光吸収または熱線遮断
材料、酸化防止剤等へも利用できる有用な化合物であ
る。
外感光性材料フィルター、選択的光吸収または熱線遮断
材料、酸化防止剤等へも利用できる有用な化合物であ
る。
第１図は実施例１の化合物の赤外線吸収スペクトル図、
第２図は実施例２の化合物の同スペクトル図、
第２図は実施例２の化合物の同スペクトル図、
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表わされるニッケル錯
体。 式中、Ｒは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲンを、
ｎは１又は２を表わす。 - 【請求項２】下記一般式（II）を酸化することを特徴と
する請求項（１）記載のニッケル錯体の製法。 式中、Ｒは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲンを、
ｎは１又は２を、Ａは対カチオンを表わす。 - 【請求項３】基板上に記録層を有する光記録媒体におい
て、該記録層に請求項（１）記載のニッケル錯体を含む
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270714A JP2695871B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 新規錯体、その製法及びそれを用いた光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270714A JP2695871B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 新規錯体、その製法及びそれを用いた光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121997A JPH02121997A (ja) | 1990-05-09 |
| JP2695871B2 true JP2695871B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17489941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270714A Expired - Fee Related JP2695871B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 新規錯体、その製法及びそれを用いた光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695871B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7122535B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-08-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | インモールド加飾成形品の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63270714A patent/JP2695871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02121997A (ja) | 1990-05-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |