JP2692719B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2692719B2 JP2692719B2 JP4002444A JP244492A JP2692719B2 JP 2692719 B2 JP2692719 B2 JP 2692719B2 JP 4002444 A JP4002444 A JP 4002444A JP 244492 A JP244492 A JP 244492A JP 2692719 B2 JP2692719 B2 JP 2692719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- head
- conductor
- soft magnetic
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録、エンコーダ
などで使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
などで使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する）は、主に磁気記録装置の再生用ヘッ
ド、変位センサ（マグネスケール）、角度センサ（エン
コーダ）などの磁場検出用ヘッドとして使われている。
これらでは、ＭＲヘッドをＮ極とＳ極が記録された媒体
上を非接触で移動させ、記録媒体からの磁場強度に応じ
てＭＲヘッドの抵抗値が変化することにより記録信号，
移動距離，あるいは回転角度を検出することを動作原理
としている。
ヘッドと称する）は、主に磁気記録装置の再生用ヘッ
ド、変位センサ（マグネスケール）、角度センサ（エン
コーダ）などの磁場検出用ヘッドとして使われている。
これらでは、ＭＲヘッドをＮ極とＳ極が記録された媒体
上を非接触で移動させ、記録媒体からの磁場強度に応じ
てＭＲヘッドの抵抗値が変化することにより記録信号，
移動距離，あるいは回転角度を検出することを動作原理
としている。
【０００３】磁気記録装置の高記録密度化、変位セン
サ，角度センサの変位あるいは角度の高分解能化のため
には、高感度で高Ｓ／Ｎ比を持つＭＲヘッドの開発が望
まれている。ＭＲヘッドの感度およびＳ／Ｎ比が低いと
高記録密度化，高分解能化が不可能となるだけでなく、
ＭＲヘッド媒体間の距離を近づける必要性が生じ、ＭＲ
ヘッドが記録媒体に衝突するという問題が起きる。
サ，角度センサの変位あるいは角度の高分解能化のため
には、高感度で高Ｓ／Ｎ比を持つＭＲヘッドの開発が望
まれている。ＭＲヘッドの感度およびＳ／Ｎ比が低いと
高記録密度化，高分解能化が不可能となるだけでなく、
ＭＲヘッド媒体間の距離を近づける必要性が生じ、ＭＲ
ヘッドが記録媒体に衝突するという問題が起きる。
【０００４】従来、ＭＲヘッドとしては、強磁性体の磁
気抵抗効果を利用したものが多く使用されてきた。従来
のＭＲヘッドの一例を図４に示す。強磁性体からなる磁
気抵抗素子部７は、その両端がリード線８とつながって
いる。磁気抵抗効果は、強磁性体の抵抗Ｒが強磁性体の
磁化方向９と強磁性体に流す電流方向１０との間の角度
θによって、
気抵抗効果を利用したものが多く使用されてきた。従来
のＭＲヘッドの一例を図４に示す。強磁性体からなる磁
気抵抗素子部７は、その両端がリード線８とつながって
いる。磁気抵抗効果は、強磁性体の抵抗Ｒが強磁性体の
磁化方向９と強磁性体に流す電流方向１０との間の角度
θによって、
【０００５】
【数１】 Ｒ＝Ｒ0 ＋ΔＲ・ｃｏｓ2 θ （１） と変化する現象である。θは外部磁場によって磁化が方
向を変えることによって変化する。ここに、Ｒ0 は磁化
方向９が電流方向１０と垂直になった場合の抵抗、ΔＲ
は磁化方向９と電流方向１０が平行になった場合の抵抗
とＲ0 との差である。ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比はΔＲ／Ｒ
0 で表される。従来、ＭＲヘッドに用いられてきた代表
的な強磁性体であるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＣｕ合金
などではΔＲ／Ｒ0 はいずれも数％程度（室温）と低
く、またΔＲも小さな値しか示さなかった。従って、こ
れらを用いたＭＲヘッドは、Ｓ／Ｎ比，感度ともに不十
分であった。
向を変えることによって変化する。ここに、Ｒ0 は磁化
方向９が電流方向１０と垂直になった場合の抵抗、ΔＲ
は磁化方向９と電流方向１０が平行になった場合の抵抗
とＲ0 との差である。ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比はΔＲ／Ｒ
0 で表される。従来、ＭＲヘッドに用いられてきた代表
的な強磁性体であるＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＣｕ合金
などではΔＲ／Ｒ0 はいずれも数％程度（室温）と低
く、またΔＲも小さな値しか示さなかった。従って、こ
れらを用いたＭＲヘッドは、Ｓ／Ｎ比，感度ともに不十
分であった。
【０００６】また、（１）式から明らかなように、磁気
抵抗効果は磁場反転に対して対称であるため、記録媒体
１１に記録された磁極がＮ極かＳ極かを見分けるために
は、バイアス磁場を印加して動作点を移動させる必要が
あった。バイアス磁場印加法としては、図４に示すよう
に磁気抵抗素子部７に隣接して絶縁体を介して導体ライ
ン１２を配置し、導体ライン１２に直流バイアス電流を
流し、直流バイアス電流が磁気抵抗素子部７に作る磁場
６を利用する方法が採用されている。このため構成部品
数が増え、部品設計上および部品作製上、複雑さが伴な
っている。
抵抗効果は磁場反転に対して対称であるため、記録媒体
１１に記録された磁極がＮ極かＳ極かを見分けるために
は、バイアス磁場を印加して動作点を移動させる必要が
あった。バイアス磁場印加法としては、図４に示すよう
に磁気抵抗素子部７に隣接して絶縁体を介して導体ライ
ン１２を配置し、導体ライン１２に直流バイアス電流を
流し、直流バイアス電流が磁気抵抗素子部７に作る磁場
６を利用する方法が採用されている。このため構成部品
数が増え、部品設計上および部品作製上、複雑さが伴な
っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上、強磁性体の磁気
抵抗効果を利用したＭＲヘッドはＳ／Ｎ比，感度が非常
に低く、また磁場の極性を認識するためには部品構成が
複雑になるという欠点があった。
抵抗効果を利用したＭＲヘッドはＳ／Ｎ比，感度が非常
に低く、また磁場の極性を認識するためには部品構成が
複雑になるという欠点があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、感度が良好で、
Ｓ／Ｎ比が高く、および、磁場の極性を認識するために
部品構成の簡略化された磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することにある。
Ｓ／Ｎ比が高く、および、磁場の極性を認識するために
部品構成の簡略化された磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この様な目的を達成する
ために、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、一対の
電極を両端に有する導体の表面に、軟磁性体が直接ある
いは非磁性体を介して配設されている磁気抵抗素子の前
記一対の電極に高周波電流が印加されたとき、前記磁気
抵抗素子の高周波抵抗が外部磁場に応じて変化すること
に基づいて前記外部磁場を検出する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、前記導体がバイアスラインを兼ね、前
記高周波抵抗の値を実測しその変化から前記外部磁場を
検出し、前記導体に流す直流バイアス電流により発生す
るバイアス磁場によって前記外部磁場の極性の検出を可
能とすることを特徴とする。
ために、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、一対の
電極を両端に有する導体の表面に、軟磁性体が直接ある
いは非磁性体を介して配設されている磁気抵抗素子の前
記一対の電極に高周波電流が印加されたとき、前記磁気
抵抗素子の高周波抵抗が外部磁場に応じて変化すること
に基づいて前記外部磁場を検出する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、前記導体がバイアスラインを兼ね、前
記高周波抵抗の値を実測しその変化から前記外部磁場を
検出し、前記導体に流す直流バイアス電流により発生す
るバイアス磁場によって前記外部磁場の極性の検出を可
能とすることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは高周
波抵抗が大きな磁場依存性を示すため、ＭＲヘッドとし
ての感度が良好で、Ｓ／Ｎ比が非常に高い。
波抵抗が大きな磁場依存性を示すため、ＭＲヘッドとし
ての感度が良好で、Ｓ／Ｎ比が非常に高い。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す模式的斜視図で
あり、一対の電極部３を有する導体ライン１の表面に、
軟磁性体２が積層された構造を成している。４は導体ラ
インに電流を供給するリード線、５は記録媒体、６は記
録媒体５から発生した磁場である。このような構造を持
つＭＲヘッドの電極部３に周波数ｆの電流を流した時の
抵抗Ｒ（ｆ）は、
あり、一対の電極部３を有する導体ライン１の表面に、
軟磁性体２が積層された構造を成している。４は導体ラ
インに電流を供給するリード線、５は記録媒体、６は記
録媒体５から発生した磁場である。このような構造を持
つＭＲヘッドの電極部３に周波数ｆの電流を流した時の
抵抗Ｒ（ｆ）は、
【００１２】
【数２】 Ｒ（ｆ）＝Ｒ0 （ｆ）＋ΔＲmag （ｆ） （２） で表される。ここで、Ｒ0 （ｆ）は軟磁性体が積層され
ていない導体ライン１のみの抵抗、ΔＲmag （ｆ）は軟
磁性体が積層されたことによる抵抗の増加分である。Ｒ
0 （ｆ）は周波数が１ＧＨｚ以下では、ほとんど周波数
に依存せず一定値となる。一方、軟磁性体では、高周波
域で比透磁率の虚数部μ’’（ｆ）が大きくなり、
ていない導体ライン１のみの抵抗、ΔＲmag （ｆ）は軟
磁性体が積層されたことによる抵抗の増加分である。Ｒ
0 （ｆ）は周波数が１ＧＨｚ以下では、ほとんど周波数
に依存せず一定値となる。一方、軟磁性体では、高周波
域で比透磁率の虚数部μ’’（ｆ）が大きくなり、
【００１３】
【数３】 ΔＲmag （ｆ）∝ｆ・μ’’（ｆ） （３） の関係により、ΔＲmag （ｆ）は大きくなる。軟磁性体
に外部磁場を印加していくと、μ’’（ｆ）は徐々に小
さくなり、印加磁場の大きさが軟磁性体の異方性磁場に
比べ十分大きな値となると、遂にはμ’’（ｆ）は零と
なる。従って、図１のＭＲヘッドのＳ／Ｎは、 ΔＲ
mag （ｆ）／Ｒ0 （ｆ） で表されることになる。Ｒ0
（ｆ）は小さく、ΔＲmag （ｆ）は高周波域において非
常に大きな値となるため、このＭＲヘッドは非常に大き
な感度およびＳ／Ｎ比を持つことになる。
に外部磁場を印加していくと、μ’’（ｆ）は徐々に小
さくなり、印加磁場の大きさが軟磁性体の異方性磁場に
比べ十分大きな値となると、遂にはμ’’（ｆ）は零と
なる。従って、図１のＭＲヘッドのＳ／Ｎは、 ΔＲ
mag （ｆ）／Ｒ0 （ｆ） で表されることになる。Ｒ0
（ｆ）は小さく、ΔＲmag （ｆ）は高周波域において非
常に大きな値となるため、このＭＲヘッドは非常に大き
な感度およびＳ／Ｎ比を持つことになる。
【００１４】以下に具体例を示す。導体として膜厚１μ
ｍのＣｕを、軟磁性体として膜厚０．１μｍのＮｉＦｅ
合金を使用した場合、図１に示す形状のＭＲヘッドにお
ける高周波抵抗Ｒ（ｆ）の周波数ｆの依存性を図２に示
す。実線がＲ（ｆ）、破線がＲ0 （ｆ）である。周波数
の上昇に伴い、Ｒ（ｆ）は増加する。特に、ＮｉＦｅ合
金の強磁性共鳴周波数である７５０ＭＨｚ付近において
μ’’（ｆ）が急増するため、（３）式に従いＲ（ｆ）
は最大値をとる。７５０ＭＨｚでのＲ（ｆ）の磁場Ｈの
依存性を図３に示す。外部磁場零の時に５．８０Ωであ
る抵抗値は、外部磁場の増加と共に急激に低下し、Ｎｉ
Ｆｅ合金の異方性磁場５ ０ｅより十分大きな外部磁場
である３０ ０ｅでは、０．６５Ωにまで低下する。こ
の実験では、Ｒ0 ＝０．６５Ω、ΔＲmag ＝５．８０−
０．６５＝５．１５Ωであり、Ｓ／Ｎ比はΔＲmag ／Ｒ
0 ＝５．１５／０．６５＝７．９と非常に高い値とな
る。
ｍのＣｕを、軟磁性体として膜厚０．１μｍのＮｉＦｅ
合金を使用した場合、図１に示す形状のＭＲヘッドにお
ける高周波抵抗Ｒ（ｆ）の周波数ｆの依存性を図２に示
す。実線がＲ（ｆ）、破線がＲ0 （ｆ）である。周波数
の上昇に伴い、Ｒ（ｆ）は増加する。特に、ＮｉＦｅ合
金の強磁性共鳴周波数である７５０ＭＨｚ付近において
μ’’（ｆ）が急増するため、（３）式に従いＲ（ｆ）
は最大値をとる。７５０ＭＨｚでのＲ（ｆ）の磁場Ｈの
依存性を図３に示す。外部磁場零の時に５．８０Ωであ
る抵抗値は、外部磁場の増加と共に急激に低下し、Ｎｉ
Ｆｅ合金の異方性磁場５ ０ｅより十分大きな外部磁場
である３０ ０ｅでは、０．６５Ωにまで低下する。こ
の実験では、Ｒ0 ＝０．６５Ω、ΔＲmag ＝５．８０−
０．６５＝５．１５Ωであり、Ｓ／Ｎ比はΔＲmag ／Ｒ
0 ＝５．１５／０．６５＝７．９と非常に高い値とな
る。
【００１５】なお、本発明によるＭＲヘッドでは、導体
ライン１に直流バイアス電流を流し、直流バイアス電流
が軟磁性体部につくるバイアス磁場によって、Ｒ（ｆ）
−Ｈ曲線（図３参照）上の動作点を移動させ、記録媒体
の磁場の極性を認識することを可能にし、およびＲ
（ｆ）の勾配が最大となる点へ動作周波数を移動させる
ことにより、感度を向上させることが可能となる。この
際、従来のＭＲヘッドでは図４に示すようにバイアス用
の導体ラインが必要であったが、本発明のＭＲヘッドで
は、導体ライン１がバイアス用導体ラインを兼ねるた
め、部品構成が簡略化される。
ライン１に直流バイアス電流を流し、直流バイアス電流
が軟磁性体部につくるバイアス磁場によって、Ｒ（ｆ）
−Ｈ曲線（図３参照）上の動作点を移動させ、記録媒体
の磁場の極性を認識することを可能にし、およびＲ
（ｆ）の勾配が最大となる点へ動作周波数を移動させる
ことにより、感度を向上させることが可能となる。この
際、従来のＭＲヘッドでは図４に示すようにバイアス用
の導体ラインが必要であったが、本発明のＭＲヘッドで
は、導体ライン１がバイアス用導体ラインを兼ねるた
め、部品構成が簡略化される。
【００１６】また、本発明のＭＲヘッドでは、導体およ
び軟磁性体の膜厚を厚くすることにより、Ｒ0 を下げ、
ΔＲmag を上げることができるため、これらの膜厚を適
当に設定することにより、感度、Ｓ／Ｎ比をさらに向上
させることが可能である。この際、軟磁性体の膜厚を厚
くすると、渦電流損失のために強磁性共鳴周波数より低
い周波数で軟磁性体の有効体積が減少してしまう。渦電
流損失を回避するためには、強磁性共鳴周波数における
表皮深さより薄くした軟磁性体からなる層と、非磁性絶
縁体とからなる層とを互いに積層した多層構造によって
軟磁性体部を構成することが効果的である。
び軟磁性体の膜厚を厚くすることにより、Ｒ0 を下げ、
ΔＲmag を上げることができるため、これらの膜厚を適
当に設定することにより、感度、Ｓ／Ｎ比をさらに向上
させることが可能である。この際、軟磁性体の膜厚を厚
くすると、渦電流損失のために強磁性共鳴周波数より低
い周波数で軟磁性体の有効体積が減少してしまう。渦電
流損失を回避するためには、強磁性共鳴周波数における
表皮深さより薄くした軟磁性体からなる層と、非磁性絶
縁体とからなる層とを互いに積層した多層構造によって
軟磁性体部を構成することが効果的である。
【００１７】さらに、軟磁性体２はその形状によって感
じる反磁場の大きさが異なり、例えば、図１では軟磁性
体の高さＷm の方向に大きな反磁場を感じると、ＭＲヘ
ッドの感度は著しく低下することになる。図１におい
て、記録媒体からの磁場を最も感度良く検出するために
は、反磁場の影響を無視できるように、軟磁性体２の形
状をＷm ＞Ｌm （軟磁性体の幅）、Ｗm ＞Ｔm （軟磁性
体の厚み）を満たす短冊状とすることが必要である。
じる反磁場の大きさが異なり、例えば、図１では軟磁性
体の高さＷm の方向に大きな反磁場を感じると、ＭＲヘ
ッドの感度は著しく低下することになる。図１におい
て、記録媒体からの磁場を最も感度良く検出するために
は、反磁場の影響を無視できるように、軟磁性体２の形
状をＷm ＞Ｌm （軟磁性体の幅）、Ｗm ＞Ｔm （軟磁性
体の厚み）を満たす短冊状とすることが必要である。
【００１８】以上より明らかなように、本発明のＭＲヘ
ッドは従来のＭＲヘッドに比べ、感度およびＳ／Ｎ比が
高い、また磁場の極性を認識するための機能をもたせる
際、部品構成が簡略化されるという改善がある。
ッドは従来のＭＲヘッドに比べ、感度およびＳ／Ｎ比が
高い、また磁場の極性を認識するための機能をもたせる
際、部品構成が簡略化されるという改善がある。
【００１９】なお、図１において軟磁性体２は、導体ラ
イン１の表面に直接接触して積層されているが、他の実
施例として、軟磁性体を導体表面に非磁性体を介して設
けたＭＲヘッドも、図１のＭＲヘッドと同様の機能を有
する。
イン１の表面に直接接触して積層されているが、他の実
施例として、軟磁性体を導体表面に非磁性体を介して設
けたＭＲヘッドも、図１のＭＲヘッドと同様の機能を有
する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
抵抗効果型磁気ヘッドは、高周波抵抗が大きな磁場依存
性を示すため、ＭＲヘッドとしての感度、Ｓ／Ｎが非常
に高いという利点がある。また、導体ラインがバイアス
用導体ラインを兼ねているため、磁場の極性を認識する
ための機能をもたせる場合、部品構成が簡略化されると
いう利点がある。
抵抗効果型磁気ヘッドは、高周波抵抗が大きな磁場依存
性を示すため、ＭＲヘッドとしての感度、Ｓ／Ｎが非常
に高いという利点がある。また、導体ラインがバイアス
用導体ラインを兼ねているため、磁場の極性を認識する
ための機能をもたせる場合、部品構成が簡略化されると
いう利点がある。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの実施例を
示す模式的斜視図である。
示す模式的斜視図である。
【図２】本発明の磁気抵抗型磁気ヘッドにおける高周波
抵抗の周波数依存性の一例を示す特性図である。
抵抗の周波数依存性の一例を示す特性図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける高
周波抵抗の磁場依存性の一例を示す特性図である。
周波抵抗の磁場依存性の一例を示す特性図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例を示す
模式的斜視図である。
模式的斜視図である。
１ 導体ライン ２ 軟磁性体 ３ 電極部 ４ リード線 ５ 記録媒体 ６ 磁場 ７ 磁気抵抗素子部 ８ リード線 ９ 磁化方向 １０ 電流方向 １１ 記録媒体 １２ 導体ライン
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の電極を両端に有する導体の表面
に、軟磁性体が直接あるいは非磁性体を介して配設され
ている磁気抵抗素子の前記一対の電極に高周波電流が印
加されたとき、前記磁気抵抗素子の高周波抵抗が外部磁
場に応じて変化することに基づいて前記外部磁場を検出
する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記導体がバ
イアスラインを兼ね、前記高周波抵抗の値を実測しその
変化から前記外部磁場を検出し、前記導体に流す直流バ
イアス電流により発生するバイアス磁場によって前記外
部磁場の極性の検出を可能とすることを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記軟磁性体が、強磁性共鳴周波数にお
ける表皮深さよりも薄い軟磁性体層と非磁性絶縁体層を
交互に積層させてなることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002444A JP2692719B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002444A JP2692719B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05189726A JPH05189726A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2692719B2 true JP2692719B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=11529452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4002444A Expired - Fee Related JP2692719B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692719B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69431614T2 (de) * | 1993-08-25 | 2003-06-12 | Nippon Telegraph & Telephone | Magnetfeldmessverfahren und -vorrichtung |
| JP3639407B2 (ja) * | 1996-05-10 | 2005-04-20 | キヤノン電子株式会社 | 磁気ヘッド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166001A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 磁気的再生装置 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP4002444A patent/JP2692719B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05189726A (ja) | 1993-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3022023B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| US6018443A (en) | Thin film magnetic head having hard films for magnetizing a shield layer in a single domain state | |
| EP0790600B1 (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JP4051271B2 (ja) | 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| US5818685A (en) | CIP GMR sensor coupled to biasing magnet with spacer therebetween | |
| US6469873B1 (en) | Magnetic head and magnetic storage apparatus using the same | |
| JP3657916B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよび垂直磁気記録再生装置 | |
| US5883763A (en) | Read/write head having a GMR sensor biased by permanent magnets located between the GMR and the pole shields | |
| JP2001291214A (ja) | 磁気抵抗センサ並びにこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP3651619B2 (ja) | 磁気抵抗効果型トランスデューサ及び磁気記録装置 | |
| JPH0897488A (ja) | 磁気検出素子 | |
| KR0162119B1 (ko) | 엣지가 바이어스된 자기 저항 센서 | |
| JP3787403B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2692719B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP3131575B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び製造方法並びにそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH1125431A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| US6529352B1 (en) | Magnetoresistive sensing element and magnetic head using the magnetoresistive sensing element | |
| US6590740B2 (en) | Shielded magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
| JP4034661B2 (ja) | ガイドセンサ抵抗値の測定方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0763832A (ja) | 磁気センサおよび磁界検出方法 | |
| JPH11175928A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH08124122A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH07326023A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置 | |
| JP3083090B2 (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JPH08330645A (ja) | 磁気検出素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |