JP2691740B2 - リレー装置 - Google Patents
リレー装置Info
- Publication number
- JP2691740B2 JP2691740B2 JP20237688A JP20237688A JP2691740B2 JP 2691740 B2 JP2691740 B2 JP 2691740B2 JP 20237688 A JP20237688 A JP 20237688A JP 20237688 A JP20237688 A JP 20237688A JP 2691740 B2 JP2691740 B2 JP 2691740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- mos
- gate
- amorphous
- relay device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体リレー装置に関するもので、特に受光
素子として非晶質太陽電池を用い、MOS型電界効果トラ
ンジスタ（以下MOSという）を駆動するようにしたもの
である。
素子として非晶質太陽電池を用い、MOS型電界効果トラ
ンジスタ（以下MOSという）を駆動するようにしたもの
である。
（従来の技術） 個別に製造された発光素子，受光素子,MOS型電界効果
トランジスタを後述の第３図（ａ）に示されるように同
一基台上に配列して金属線により配線したものが用いら
れている。特に受光素子の製造には、14〜17工程の処理
が必要であった。
トランジスタを後述の第３図（ａ）に示されるように同
一基台上に配列して金属線により配線したものが用いら
れている。特に受光素子の製造には、14〜17工程の処理
が必要であった。
（発明が解決しようとする課題） 従来の技術では、受光素子の製造プロセスが非常に複
雑であり、更に各プロセスが高度が技術を必要とするた
め、製造原価が高価であった。３個の素子を金属線で配
線するために、組立て工程が複雑であり、製造原価が高
くかつ装置の寸法が大きい。
雑であり、更に各プロセスが高度が技術を必要とするた
め、製造原価が高価であった。３個の素子を金属線で配
線するために、組立て工程が複雑であり、製造原価が高
くかつ装置の寸法が大きい。
（課題を解決するための手段） 本発明においては、MOSの表面に絶縁膜を介して非晶
質太陽電池を形成し、太陽電池により発生した電圧をMO
Sのゲートに印加するように接続した。
質太陽電池を形成し、太陽電池により発生した電圧をMO
Sのゲートに印加するように接続した。
（作用） 非晶質太陽電池に使用される非晶質シリコン系合金
（ａ−Si:H,a−SiGe:H,a−SiC:Hおよびこれらの弗素系
材料等）はアルカリ液（NaOH,KOH等）に溶解するため、
選択的にエッチングできるので後述の第２図に示される
ような工程によって、MOSの上に容易に形成できる。ま
た、300℃以下の低温で形成することができるので、MOS
の表面に絶縁膜を介して形成してもMOSの特性を損ねる
ことがない。非晶質合金の種類や組成を変化することに
よって、受光特性を変化させることができるので、各種
の波長の発光素子に対して適切なリレー装置としての性
能を発揮できる。
（ａ−Si:H,a−SiGe:H,a−SiC:Hおよびこれらの弗素系
材料等）はアルカリ液（NaOH,KOH等）に溶解するため、
選択的にエッチングできるので後述の第２図に示される
ような工程によって、MOSの上に容易に形成できる。ま
た、300℃以下の低温で形成することができるので、MOS
の表面に絶縁膜を介して形成してもMOSの特性を損ねる
ことがない。非晶質合金の種類や組成を変化することに
よって、受光特性を変化させることができるので、各種
の波長の発光素子に対して適切なリレー装置としての性
能を発揮できる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例のMOSと太陽電池を積層し
たものの略断面図である。Ｐ型の半導体基板20の一方の
面にはN+層よりなるソース（ドドレイン）3,3を形成
し、その間のチャネル上にはゲート絶縁膜１を介してゲ
ート２が形成されている。さらにその上には上述の第２
図で示されるような工程により任意の個数の非晶質太陽
電池５が形成され、その出力は非晶質太陽電池と離れた
位置に絶縁膜４を貫通してゲート電極２に達する接続部
６によってゲートに印加される。７はソース又はドレイ
ン3,3からのリード線である。
たものの略断面図である。Ｐ型の半導体基板20の一方の
面にはN+層よりなるソース（ドドレイン）3,3を形成
し、その間のチャネル上にはゲート絶縁膜１を介してゲ
ート２が形成されている。さらにその上には上述の第２
図で示されるような工程により任意の個数の非晶質太陽
電池５が形成され、その出力は非晶質太陽電池と離れた
位置に絶縁膜４を貫通してゲート電極２に達する接続部
６によってゲートに印加される。７はソース又はドレイ
ン3,3からのリード線である。
第２図（１）〜（７）は非晶質太陽電池形成の工程の
一例を示すもので、下記の（１）〜（７）に対応する。
一例を示すもので、下記の（１）〜（７）に対応する。
（１） 半導体基板21の表面に酸化膜22を形成する。第
１図における絶縁膜４が利用できる （２） 酸化膜22の表面に電極23を蒸着する。
１図における絶縁膜４が利用できる （２） 酸化膜22の表面に電極23を蒸着する。
（３） 所望の個数の太陽電池の素子に分割するためエ
ッチングにより溝24,24を形成する。
ッチングにより溝24,24を形成する。
（４） この表面に通常pinの三層よりなる非晶質膜25
を形成する。
を形成する。
（５） 太陽電池素子分割のため、pin層をエッチング
により分割し溝26,26を形成する。
により分割し溝26,26を形成する。
（６） 全面に透明電極27を形成する。
（７） 太陽電池素子分割のためエッチングにより溝2
8,28を形成する。
8,28を形成する。
上記の溝24,26,28の位置をずらすことによって、最終
的には（７）に示されるように、複数個（例えば３個）
の太陽電池が直列に接続されている。このようにして任
意の個数の太陽電池を形成することができる。
的には（７）に示されるように、複数個（例えば３個）
の太陽電池が直列に接続されている。このようにして任
意の個数の太陽電池を形成することができる。
第３図（ａ）（ｂ）は従来のリレー装置と本発明によ
るリレー装置との対比を示すもので、同図（ａ）は従来
の装置、同図（ｂ）は本発明の装置の斜視図を示す。従
来は同図（ａ）のように基台８の表面に受光素子11とMO
S13とを並べて配置しリード線12で接続し、受光素子11
の上方に発光素子保持台９を設けこれに受光素子10を取
り付けていたが、本発明によるときは同図（ｂ）のよう
に発光素子10の下方に第１図のように形成された受光素
子とMOSの一体型素子15を対向して基台８の上に設けて
ある。14は外部端子である。
るリレー装置との対比を示すもので、同図（ａ）は従来
の装置、同図（ｂ）は本発明の装置の斜視図を示す。従
来は同図（ａ）のように基台８の表面に受光素子11とMO
S13とを並べて配置しリード線12で接続し、受光素子11
の上方に発光素子保持台９を設けこれに受光素子10を取
り付けていたが、本発明によるときは同図（ｂ）のよう
に発光素子10の下方に第１図のように形成された受光素
子とMOSの一体型素子15を対向して基台８の上に設けて
ある。14は外部端子である。
（発明の効果） 本発明によるときは、受光素子とMOSが一体化されて
いるのでスペースを小さくすることができる。また、一
体化により配線を省略できる。製造のプロセスも簡単で
ある。従って、広い用途のリレー装置を安価に製造でき
る。本発明の構成により、もし、ゲート電極にアルミ電
極を用いたとしても、MOS型電界効果トランジスタと非
晶質太陽電池との接合特性を著しく損ねることを確実に
防止することができるとともに、非晶質太陽電池とMOS
型電界効果トランジスタのゲートとの間において電気抵
抗の損失を低減することができる。
いるのでスペースを小さくすることができる。また、一
体化により配線を省略できる。製造のプロセスも簡単で
ある。従って、広い用途のリレー装置を安価に製造でき
る。本発明の構成により、もし、ゲート電極にアルミ電
極を用いたとしても、MOS型電界効果トランジスタと非
晶質太陽電池との接合特性を著しく損ねることを確実に
防止することができるとともに、非晶質太陽電池とMOS
型電界効果トランジスタのゲートとの間において電気抵
抗の損失を低減することができる。
第１図は本発明に用いられるMOSと太陽電池を一体化し
たものの略断面図、第２図（１）乃至（７）は非晶質太
陽電池形成の工程図、第３図（ａ）は従来の装置，
（ｂ）は本発明の装置の斜視図である。 １……ゲート絶縁膜、２……ゲート、３……ソース（ド
レイン）、４……絶縁膜、５……太陽電池、10……発光
素子、15……受光素子とMOSの一体型素子
たものの略断面図、第２図（１）乃至（７）は非晶質太
陽電池形成の工程図、第３図（ａ）は従来の装置，
（ｂ）は本発明の装置の斜視図である。 １……ゲート絶縁膜、２……ゲート、３……ソース（ド
レイン）、４……絶縁膜、５……太陽電池、10……発光
素子、15……受光素子とMOSの一体型素子
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に形成されたMOS型電界効果ト
ランジスタのゲート電極の表面に絶縁物を介して形成さ
れた非晶質太陽電池と、非晶質太陽電池と離隔した位置
において前記絶縁物を貫通しゲート電極に達する接続部
を有し、該接続部に前記非晶質太陽電池とMOS型電界効
果トランジスタのゲートとを接続したリレー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237688A JP2691740B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | リレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237688A JP2691740B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | リレー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251285A JPH0251285A (ja) | 1990-02-21 |
| JP2691740B2 true JP2691740B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16456473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20237688A Expired - Lifetime JP2691740B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | リレー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691740B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645357U (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-14 | 煥林 劉 | 光電気的に隔絶された固体リレー |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250676A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光スイツチ素子 |
| JPS62256484A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-09 | Sharp Corp | 光入力型ｍｏｓトランジスタ |
| JPS6359353U (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-20 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20237688A patent/JP2691740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251285A (ja) | 1990-02-21 |
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