JP2682421B2 - 半導体光集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体光集積回路の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体光集積回路の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上にストライプ状の開口部を
挟んで対向した成長阻止マスクを設けて、この開口部に
有機金属気相成長法（以下ＭＯＶＰＥ）を用いて部分的
に半導体層をエピタキシャル成長する技術（以下選択Ｍ
ＯＶＰＥ）が光半導体素子の製造技術として注目されて
いる。この技術を用いると、半導体層をエッチングする
こと無く光導波路素子を製作することが可能で、製造工
程の簡略化、歩留まりの向上が図れる。この選択ＭＯＶ
ＰＥ技術を、III −Ｖ族化合物半導体からなる量子井戸
構造のエピタキシャル成長に応用すると、 成長原料種（主としてIII 族の有機金属原料）の気
相中における拡散の成長阻止マスク幅依存性に起因した
固相組成変化 成長速度の成長阻止マスク幅依存性に起因した井戸
層厚変化の相乗効果により、成長阻止マスクの幅を部分
的に変えてわずか１回のＭＯＶＰＥ成長を行うだけで、
同一基板面内でのバンドギャップエネルギー（正確には
価電子帯と伝導帯の第１量子準位間の遷移エネルギー）
制御が実現できる。この技術は、複数の異なったバンド
ギャップエネルギーからなる光機能素子のモノリシック
化が要求される光集積回路の製造方法としてまさに理想
的である。既に、この技術を用いて電界吸収型光変調器
と分布帰還レーザをモノリシック集積した集積化光源
や、波長可変ＤＢＲレーザなどが発明者等によって実現
されている。
挟んで対向した成長阻止マスクを設けて、この開口部に
有機金属気相成長法（以下ＭＯＶＰＥ）を用いて部分的
に半導体層をエピタキシャル成長する技術（以下選択Ｍ
ＯＶＰＥ）が光半導体素子の製造技術として注目されて
いる。この技術を用いると、半導体層をエッチングする
こと無く光導波路素子を製作することが可能で、製造工
程の簡略化、歩留まりの向上が図れる。この選択ＭＯＶ
ＰＥ技術を、III −Ｖ族化合物半導体からなる量子井戸
構造のエピタキシャル成長に応用すると、 成長原料種（主としてIII 族の有機金属原料）の気
相中における拡散の成長阻止マスク幅依存性に起因した
固相組成変化 成長速度の成長阻止マスク幅依存性に起因した井戸
層厚変化の相乗効果により、成長阻止マスクの幅を部分
的に変えてわずか１回のＭＯＶＰＥ成長を行うだけで、
同一基板面内でのバンドギャップエネルギー（正確には
価電子帯と伝導帯の第１量子準位間の遷移エネルギー）
制御が実現できる。この技術は、複数の異なったバンド
ギャップエネルギーからなる光機能素子のモノリシック
化が要求される光集積回路の製造方法としてまさに理想
的である。既に、この技術を用いて電界吸収型光変調器
と分布帰還レーザをモノリシック集積した集積化光源
や、波長可変ＤＢＲレーザなどが発明者等によって実現
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、選択Ｍ
ＯＶＰＥ技術によるバンドギャップエネルギー制御は、
固相組成変化と成長層厚変化が成長阻止マスク幅依存性
を示す現象を巧みに応用している。バンドギャップエネ
ルギー変化量に対する両効果の割合は、成長条件によっ
て調節することが可能であるが、おおむね同等である。
これは即ち、バンドギャップエネルギー制御のために成
長阻止マスク幅を基板面内で部分的に変化させると、選
択成長層の層厚まで同時に変化してしまうことを意味す
る。
ＯＶＰＥ技術によるバンドギャップエネルギー制御は、
固相組成変化と成長層厚変化が成長阻止マスク幅依存性
を示す現象を巧みに応用している。バンドギャップエネ
ルギー変化量に対する両効果の割合は、成長条件によっ
て調節することが可能であるが、おおむね同等である。
これは即ち、バンドギャップエネルギー制御のために成
長阻止マスク幅を基板面内で部分的に変化させると、選
択成長層の層厚まで同時に変化してしまうことを意味す
る。
【０００４】実際の光集積回路においては、このように
して製作された量子井戸層をドーピングされたクラッド
層で上下からサンドイッチ状に挟み、ここに電流注入あ
るいは電界印加を行なうことで、発光や光吸収などとい
った光機能素子としての作用を実現する。この際、選択
ＭＯＶＰＥ成長によってアンドープ層厚まで成長阻止マ
スク幅依存性を示すということは、素子抵抗や逆方向耐
圧といった電気的特性まで成長阻止マスク幅とともに変
化してしまうことになり、結果的に光機能素子ごとに信
頼性に直接関わるパラメータが異なってしまうといった
深刻な問題を招く。また、基板面内で部分的に層厚が著
しく異なる場合には、フォトリソグラフィ等のプロセス
不良など歩留まりにかかわる問題も懸念される。
して製作された量子井戸層をドーピングされたクラッド
層で上下からサンドイッチ状に挟み、ここに電流注入あ
るいは電界印加を行なうことで、発光や光吸収などとい
った光機能素子としての作用を実現する。この際、選択
ＭＯＶＰＥ成長によってアンドープ層厚まで成長阻止マ
スク幅依存性を示すということは、素子抵抗や逆方向耐
圧といった電気的特性まで成長阻止マスク幅とともに変
化してしまうことになり、結果的に光機能素子ごとに信
頼性に直接関わるパラメータが異なってしまうといった
深刻な問題を招く。また、基板面内で部分的に層厚が著
しく異なる場合には、フォトリソグラフィ等のプロセス
不良など歩留まりにかかわる問題も懸念される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体光集
積回路の製造方法は、ストライプ状の開口部を挟んで対
向し該開口部の長手軸方向の位置に応じて幅が部分的に
異なるような２本の成長阻止膜を半導体基板上に形成す
る工程と、該半導体基板より屈折率が大きく光を伝搬す
る作用を有する光導波層と発光あるいは光吸収の作用を
有する量子井戸層と該光導波層や該量子井戸層より屈折
率の小さなクラッド層とを選択的有機金属気相成長法を
用いて該開口部に連続してエピタキシャル成長する工程
と、該量子井戸層に電流注入あるいは電界印加を行うた
めの電極構造を形成する工程とを有し、少なくとも該量
子井戸層をエピタキシャル成長する際の成長圧力を該光
導波層や該クラッド層をエピタキシャル成長する場合よ
り上昇させることを特徴とする。
積回路の製造方法は、ストライプ状の開口部を挟んで対
向し該開口部の長手軸方向の位置に応じて幅が部分的に
異なるような２本の成長阻止膜を半導体基板上に形成す
る工程と、該半導体基板より屈折率が大きく光を伝搬す
る作用を有する光導波層と発光あるいは光吸収の作用を
有する量子井戸層と該光導波層や該量子井戸層より屈折
率の小さなクラッド層とを選択的有機金属気相成長法を
用いて該開口部に連続してエピタキシャル成長する工程
と、該量子井戸層に電流注入あるいは電界印加を行うた
めの電極構造を形成する工程とを有し、少なくとも該量
子井戸層をエピタキシャル成長する際の成長圧力を該光
導波層や該クラッド層をエピタキシャル成長する場合よ
り上昇させることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は、図１に示すように、選択成長層にお
ける層厚とバンドギャップエネルギーのマスク幅依存性
が成長圧力に応じて大きく変化する、バンドギャップエ
ネルギー制御選択ＭＯＶＰＥ成長技術に特有の現象を巧
みに応用するものである。即ち、大きなバンドギャップ
エネルギー変化が要求される量子井戸層のみ成長圧力を
上昇させることによってバンドギャップエネルギーのマ
スク幅依存性を助長し、基板面内バンドギャップエネル
ギー制御が特に要求されないクラッド層などでは成長圧
力を減少させることによって層厚変化のマスク幅依存性
を抑制する、動的圧力制御選択ＭＯＶＰＥ技術を提案す
るものである。これにより、層厚変化に起因する電気的
特性のばらつきやプロセス不良といった上述の問題点の
改善が期待できる。
ける層厚とバンドギャップエネルギーのマスク幅依存性
が成長圧力に応じて大きく変化する、バンドギャップエ
ネルギー制御選択ＭＯＶＰＥ成長技術に特有の現象を巧
みに応用するものである。即ち、大きなバンドギャップ
エネルギー変化が要求される量子井戸層のみ成長圧力を
上昇させることによってバンドギャップエネルギーのマ
スク幅依存性を助長し、基板面内バンドギャップエネル
ギー制御が特に要求されないクラッド層などでは成長圧
力を減少させることによって層厚変化のマスク幅依存性
を抑制する、動的圧力制御選択ＭＯＶＰＥ技術を提案す
るものである。これにより、層厚変化に起因する電気的
特性のばらつきやプロセス不良といった上述の問題点の
改善が期待できる。
【０００７】バンドギャップエネルギー制御選択ＭＯＶ
ＰＥ成長において、マスク幅に対するバンドギャップエ
ネルギー変化量ΔＥが成長圧力依存性を示す現象に関し
ては、原料種の消費・拡散・再脱離のバランスが成長圧
力とともに変化するからとの解釈が一般的である。つま
り、成長圧力を上げて原料ガスの流速を下げると、選択
成長領域への原料種拡散を支配する気相中の濃度勾配が
助長されるために成長阻止マスクの横方向への拡散が増
加し、結果としてΔＥのマスク幅依存性は大きくなる。
同時に、成長阻止マスク上に到達した原料種のうちで再
脱離過程によって失われる割合も抑制されるため、行き
場を失った原料種の選択成長層への供給量も増加して、
結果的により強いマスク幅依存性を示すことになる。光
集積素子の実現にあたって必要とされる基板面内バンド
ギャップエネルギー制御を行うには、量子井戸層の形成
時にのみ成長圧力を上昇させればよく、この層以外の成
長時には成長圧力を十分下げることによって電気的特性
を支配するアンドープ層厚の成長阻止マスク幅依存性を
緩和することができる。また、同一基板面内での層厚分
布を必要最小限に抑制することで、歩留り劣化を招くプ
ロセス不良も低減できる。その上、本発明では光導波層
の形成時に ・半導体層のウェットエッチングが不要なため、歩留ま
りや均一性に優れる ・導体層のドライエッチングに見られる表面ダメー層は
無いため、不要な吸収損失が皆無 ・原子層オーダの平滑な光導波路側面が成長中に自然形
成されるため、散乱損失が皆無 ・部分成長を繰り返して形成された光導波路接続部（バ
ットジョイント）に見られる反射が皆無 といった、選択ＭＯＶＰＥ成長特有の優れた特徴はその
まま生かすことができるため、理想的な光集積回路製造
技術を提供することが可能になる。
ＰＥ成長において、マスク幅に対するバンドギャップエ
ネルギー変化量ΔＥが成長圧力依存性を示す現象に関し
ては、原料種の消費・拡散・再脱離のバランスが成長圧
力とともに変化するからとの解釈が一般的である。つま
り、成長圧力を上げて原料ガスの流速を下げると、選択
成長領域への原料種拡散を支配する気相中の濃度勾配が
助長されるために成長阻止マスクの横方向への拡散が増
加し、結果としてΔＥのマスク幅依存性は大きくなる。
同時に、成長阻止マスク上に到達した原料種のうちで再
脱離過程によって失われる割合も抑制されるため、行き
場を失った原料種の選択成長層への供給量も増加して、
結果的により強いマスク幅依存性を示すことになる。光
集積素子の実現にあたって必要とされる基板面内バンド
ギャップエネルギー制御を行うには、量子井戸層の形成
時にのみ成長圧力を上昇させればよく、この層以外の成
長時には成長圧力を十分下げることによって電気的特性
を支配するアンドープ層厚の成長阻止マスク幅依存性を
緩和することができる。また、同一基板面内での層厚分
布を必要最小限に抑制することで、歩留り劣化を招くプ
ロセス不良も低減できる。その上、本発明では光導波層
の形成時に ・半導体層のウェットエッチングが不要なため、歩留ま
りや均一性に優れる ・導体層のドライエッチングに見られる表面ダメー層は
無いため、不要な吸収損失が皆無 ・原子層オーダの平滑な光導波路側面が成長中に自然形
成されるため、散乱損失が皆無 ・部分成長を繰り返して形成された光導波路接続部（バ
ットジョイント）に見られる反射が皆無 といった、選択ＭＯＶＰＥ成長特有の優れた特徴はその
まま生かすことができるため、理想的な光集積回路製造
技術を提供することが可能になる。
【０００８】
〔実施例１〕以下に本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。図２は本発明の第１の実施例である電界吸収型光変
調器とＤＦＢレーザをモノリシック集積した集積化光源
の製造方法を説明する図である。その製造方法を工程順
に説明する。
る。図２は本発明の第１の実施例である電界吸収型光変
調器とＤＦＢレーザをモノリシック集積した集積化光源
の製造方法を説明する図である。その製造方法を工程順
に説明する。
【０００９】まず、図２（ａ）に示すように、面方位が
（１００）のｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、［０１１］方
向への周期が２４０ｎｍ、深さ３０ｎｍの回折格子１０
２を部分的に形成し、この回折格子１０２を設けた部分
をＤＦＢレーザ領域１０３、回折格子１０２がなく平坦
な部分を光変調器領域１０４とする。この基板上に、熱
ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 膜を形成し、フォトリソグラ
フィ技術とエッチングによって、幅２μｍのストライプ
状の開口部１０５を有し、その両脇の幅がＤＦＢレーザ
領域１０３で１７μｍ、光変調器領域１０４で８μｍ
で、開口部１０５の長手軸方向がｎ−ＩｎＰ基板１０１
の［０１１］方向に平行であるような一対の成長阻止マ
スク１０６に加工する。ただし、光変調器領域側の端面
から１５μｍにわたってはこのストライプ状の開口部１
０５の無い窓領域１０７とする。
（１００）のｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、［０１１］方
向への周期が２４０ｎｍ、深さ３０ｎｍの回折格子１０
２を部分的に形成し、この回折格子１０２を設けた部分
をＤＦＢレーザ領域１０３、回折格子１０２がなく平坦
な部分を光変調器領域１０４とする。この基板上に、熱
ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 膜を形成し、フォトリソグラ
フィ技術とエッチングによって、幅２μｍのストライプ
状の開口部１０５を有し、その両脇の幅がＤＦＢレーザ
領域１０３で１７μｍ、光変調器領域１０４で８μｍ
で、開口部１０５の長手軸方向がｎ−ＩｎＰ基板１０１
の［０１１］方向に平行であるような一対の成長阻止マ
スク１０６に加工する。ただし、光変調器領域側の端面
から１５μｍにわたってはこのストライプ状の開口部１
０５の無い窓領域１０７とする。
【００１０】次に、図２（ｂ）に示すように、このスト
ライプ状の開口部１０５に減圧ＭＯＶＰＥ成長装置を用
いて、波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層１０８ (厚さ１００ｎｍ）、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
１０９ (厚さ４０ｎｍ）、波長組成１．３μｍのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰバリア層（厚さ１０ｎｍ）とアンド
ープＩｎＧａＡｓ井戸層（厚さ７ｎｍ）からなる７周期
のアンドープ量子井戸層１１０、波長組成１．１５μｍ
のアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層１１１ (厚さ
４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１２ (厚さ２００
ｎｍ）を連続して選択ＭＯＶＰＥ成長する。この際、成
長圧力は波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層１０８、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１０９、波長組成
１．１５μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層
１１１、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１２で２５Ｔｏｒｒ、
アンドープ量子井戸層１１０で１５０Ｔｏｒｒとしてい
る。また、アンドープＩｎＧａＡｓ井戸層および波長組
成１．３μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰバリア層がＤ
ＦＢレーザ領域１０３においてｎ−ＩｎＰ基板１０１へ
格子整合するように成長条件を調節する。アンドープ量
子井戸層１１０のバンドギャップ波長は、ＤＦＢレーザ
領域１０３において１．５５μｍ、光変調器領域１０４
において１．４８μｍになる。
ライプ状の開口部１０５に減圧ＭＯＶＰＥ成長装置を用
いて、波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層１０８ (厚さ１００ｎｍ）、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
１０９ (厚さ４０ｎｍ）、波長組成１．３μｍのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰバリア層（厚さ１０ｎｍ）とアンド
ープＩｎＧａＡｓ井戸層（厚さ７ｎｍ）からなる７周期
のアンドープ量子井戸層１１０、波長組成１．１５μｍ
のアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層１１１ (厚さ
４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１２ (厚さ２００
ｎｍ）を連続して選択ＭＯＶＰＥ成長する。この際、成
長圧力は波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層１０８、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１０９、波長組成
１．１５μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層
１１１、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１２で２５Ｔｏｒｒ、
アンドープ量子井戸層１１０で１５０Ｔｏｒｒとしてい
る。また、アンドープＩｎＧａＡｓ井戸層および波長組
成１．３μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰバリア層がＤ
ＦＢレーザ領域１０３においてｎ−ＩｎＰ基板１０１へ
格子整合するように成長条件を調節する。アンドープ量
子井戸層１１０のバンドギャップ波長は、ＤＦＢレーザ
領域１０３において１．５５μｍ、光変調器領域１０４
において１．４８μｍになる。
【００１１】次に、図２ (ｃ）に示すように、成長阻止
マスク１０６のストライプ状の開口部１０５をＤＦＢレ
ーザ領域１０３で幅７μｍ、光変調器領域１０４で幅５
μｍまで、フォトリソグラフィ技術とエッチングによっ
て拡幅し、ここにアンドープ１ｎＰ電界緩和層１１３
（厚さ４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１４（厚さ
１．４μｍ）、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１５
（厚さ２００ｎｍ）を選択ＭＯＶＰＥによって成長す
る。ＤＦＢレーザ領域１０３と光変調器領域１０４の電
気的分離を行うため、両領域の境界から光変調器領域側
に長さ２５μｍにわたってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１１５を除去し、分離領域１１６とする。
マスク１０６のストライプ状の開口部１０５をＤＦＢレ
ーザ領域１０３で幅７μｍ、光変調器領域１０４で幅５
μｍまで、フォトリソグラフィ技術とエッチングによっ
て拡幅し、ここにアンドープ１ｎＰ電界緩和層１１３
（厚さ４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層１１４（厚さ
１．４μｍ）、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１５
（厚さ２００ｎｍ）を選択ＭＯＶＰＥによって成長す
る。ＤＦＢレーザ領域１０３と光変調器領域１０４の電
気的分離を行うため、両領域の境界から光変調器領域側
に長さ２５μｍにわたってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１１５を除去し、分離領域１１６とする。
【００１２】次に、図２（ｄ）に示すように、この表面
全体に絶縁膜１１７（厚さ０．３μｍ）を形成し、埋め
込み成長後の頂上部でｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１５が残っている部分にのみフォトリソグラフィ技術
とエッチングによって絶縁膜に開口を設ける。Ｔｉ／Ａ
ｕ電極１１８を蒸着し、フォトリソグラフィ技術とエッ
チングによって電極パターンニングを行う。ｎ−ＩｎＰ
基板１０１を１００μｍ厚に研磨後、裏面にＴｉ／Ａｕ
電極１１９を蒸着する。
全体に絶縁膜１１７（厚さ０．３μｍ）を形成し、埋め
込み成長後の頂上部でｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１５が残っている部分にのみフォトリソグラフィ技術
とエッチングによって絶縁膜に開口を設ける。Ｔｉ／Ａ
ｕ電極１１８を蒸着し、フォトリソグラフィ技術とエッ
チングによって電極パターンニングを行う。ｎ−ＩｎＰ
基板１０１を１００μｍ厚に研磨後、裏面にＴｉ／Ａｕ
電極１１９を蒸着する。
【００１３】最後に、光変調器領域側の端面に低反射膜
１２０、ＤＦＢレーザ領域側の端面に高反射膜１２１を
形成する。（なお、本実施例で記述されている各層厚
は、ＤＦＢレーザ領域の開口部に選択成長されたものの
値である）このようにして製作された集積化光源では、
ＤＦＢレーザ領域１０３に電流注入していくと、回折格
子１０２のピッチおよびこの領域の断面構造より求まる
実効屈折率で決定される波長で単一軸モード発振する。
また光変調器領域１０４のアンドープ量子井戸層１１０
（以下、光吸収層）では、この波長における無バイアス
時の光吸収が実用上問題ない程度に抑制されるよう、バ
ンドギャップエネルギーを１．４８μｍに設定してあ
る。この光吸収層へ電界を印加すると、量子閉じ込めシ
ュタック効果（ＱＣＳＥ）によって透過光に対する吸収
係数が増加するため、光強度変調器として動作する。
１２０、ＤＦＢレーザ領域側の端面に高反射膜１２１を
形成する。（なお、本実施例で記述されている各層厚
は、ＤＦＢレーザ領域の開口部に選択成長されたものの
値である）このようにして製作された集積化光源では、
ＤＦＢレーザ領域１０３に電流注入していくと、回折格
子１０２のピッチおよびこの領域の断面構造より求まる
実効屈折率で決定される波長で単一軸モード発振する。
また光変調器領域１０４のアンドープ量子井戸層１１０
（以下、光吸収層）では、この波長における無バイアス
時の光吸収が実用上問題ない程度に抑制されるよう、バ
ンドギャップエネルギーを１．４８μｍに設定してあ
る。この光吸収層へ電界を印加すると、量子閉じ込めシ
ュタック効果（ＱＣＳＥ）によって透過光に対する吸収
係数が増加するため、光強度変調器として動作する。
【００１４】光変調器領域１０３に３Ｖの逆方向電圧を
印加すると、光吸収層は２００ｋＶ／ｃｍもの強電界で
バイアスされるため、ＱＣＳＥにより１．５５μｍの発
振波長に対する吸収係数は４３００ｃｍ-1も増加する。
全７層からなる井戸層への光閉じ込め係数が４％あるの
で、素子長を２００μｍとすれば１５ｄＢの消光比が得
られる。
印加すると、光吸収層は２００ｋＶ／ｃｍもの強電界で
バイアスされるため、ＱＣＳＥにより１．５５μｍの発
振波長に対する吸収係数は４３００ｃｍ-1も増加する。
全７層からなる井戸層への光閉じ込め係数が４％あるの
で、素子長を２００μｍとすれば１５ｄＢの消光比が得
られる。
【００１５】なお、本実施例に示したような集積化光源
では、光変調器側の出射端面に反射が存在する場合、光
変調器領域１０４を往復して反射光がＤＦＢレーザ領域
１０３にフィードバックされる。この残留端面反射が光
強度変調を通じて動的に変化することにより、発振波長
が光強度変調とともにわずかに変動する波長チャーピン
グと呼ばれる現象が生じ、光ファイバ中を長距離伝送さ
せた後の光信号波形劣化を招く。実用上問題の無いレベ
ルまで波長変動を抑制するためには、およそ０．１％以
下の端面反射率が要求されるが、光デバイス製造に通常
用いられている低反射膜の反射率は成膜装置性能上の制
約から平均して１％程度であり、集積化光源に要求され
る極低反射率を実現するのは極めて困難である。通常の
低反射膜でもこの極低反射率を実現可能な方法として本
実施例では光変調器側端面に長さ１５μｍにわたって第
１回目の選択成長層が存在しない窓領域１０７を設けて
いる。光変調器領域１０４を通過後に窓領域１０７との
境界に達した光は、横方向の光閉じ込めが無いこの窓領
域１０７を円錐状に広がりながら伝搬して端面に達す
る。この端面で反射された光のうち、光変調器領域１０
４の光吸収層に再結合できるのは端面に垂直入射した成
分のみであるため、低反射膜と組み合わせることで実効
的に０．１％以下の反射率を比較的簡単に実現できる。
では、光変調器側の出射端面に反射が存在する場合、光
変調器領域１０４を往復して反射光がＤＦＢレーザ領域
１０３にフィードバックされる。この残留端面反射が光
強度変調を通じて動的に変化することにより、発振波長
が光強度変調とともにわずかに変動する波長チャーピン
グと呼ばれる現象が生じ、光ファイバ中を長距離伝送さ
せた後の光信号波形劣化を招く。実用上問題の無いレベ
ルまで波長変動を抑制するためには、およそ０．１％以
下の端面反射率が要求されるが、光デバイス製造に通常
用いられている低反射膜の反射率は成膜装置性能上の制
約から平均して１％程度であり、集積化光源に要求され
る極低反射率を実現するのは極めて困難である。通常の
低反射膜でもこの極低反射率を実現可能な方法として本
実施例では光変調器側端面に長さ１５μｍにわたって第
１回目の選択成長層が存在しない窓領域１０７を設けて
いる。光変調器領域１０４を通過後に窓領域１０７との
境界に達した光は、横方向の光閉じ込めが無いこの窓領
域１０７を円錐状に広がりながら伝搬して端面に達す
る。この端面で反射された光のうち、光変調器領域１０
４の光吸収層に再結合できるのは端面に垂直入射した成
分のみであるため、低反射膜と組み合わせることで実効
的に０．１％以下の反射率を比較的簡単に実現できる。
【００１６】ＤＦＢレーザ領域１０３は発振波長１．５
５μｍ、しきい値電流１０ｍＡで単一軸モード発振し
た。また、ＤＦＢレーザ領域１０３から光変調器領域１
０４への光の結合効率は１００％であり、光変調器側端
面から１０ｍＷの出射光パワーを得た。また、光変調器
領域１０４に３Ｖの電圧を印加すると１５ｄＢの消光比
が得られた。ＤＦＢレーザ領域１０３と光変調器領域１
０４との間の抵抗は１０ｋΩと、実用上問題ない程度の
電気的分離が実現できた。また、本実施例による集積化
光源を用いて２．５Ｇｂ／ｓ帯における８０ｋｍ伝送を
行なったところ、波長チャーピングが十分抑制されて符
号誤りの無い、良好な伝送特性を実現できた。
５μｍ、しきい値電流１０ｍＡで単一軸モード発振し
た。また、ＤＦＢレーザ領域１０３から光変調器領域１
０４への光の結合効率は１００％であり、光変調器側端
面から１０ｍＷの出射光パワーを得た。また、光変調器
領域１０４に３Ｖの電圧を印加すると１５ｄＢの消光比
が得られた。ＤＦＢレーザ領域１０３と光変調器領域１
０４との間の抵抗は１０ｋΩと、実用上問題ない程度の
電気的分離が実現できた。また、本実施例による集積化
光源を用いて２．５Ｇｂ／ｓ帯における８０ｋｍ伝送を
行なったところ、波長チャーピングが十分抑制されて符
号誤りの無い、良好な伝送特性を実現できた。
【００１７】〔実施例２〕図３（ａ）〜（ｄ）は本発明
の第２の実施例である波長可変分布ブラッグ反射型（Ｄ
ＢＲ）レーザの製造方法を説明する図である。この製造
方法を製作工程順に説明する。
の第２の実施例である波長可変分布ブラッグ反射型（Ｄ
ＢＲ）レーザの製造方法を説明する図である。この製造
方法を製作工程順に説明する。
【００１８】まず、図３（ａ）に示すように、面方位が
（１００) のｎ−ＩｎＰ基板２０１上に、［０１１］方
向への周期が２４０ｎｍ、深さ３０ｎｍの回折格子２０
２を部分的に形成し、この回折格子２０２を設けた部分
をＤＢＲ領域２０３、また回折格子が無い領域を２分し
たうちのＤＢＲ領域に近い方を位相制御領域２０４およ
びＤＢＲ領域から遠い方を活性領域２０５とする。この
基板上に、熱ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 膜を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術とエッチングによって、幅２μｍ
のストライプ状の開口部２０６を有し、その両脇の幅が
ＤＢＲレーザ領域２０３で１２μｍ、位相制御領域２０
４で８μｍ、活性領域２０５で１７μｍで、開口部２０
６の長手軸方向がｎ−ＩｎＰ基板２０１の［０１１］方
向に平行であるような一対の成長阻止マスク２０７に加
工する。
（１００) のｎ−ＩｎＰ基板２０１上に、［０１１］方
向への周期が２４０ｎｍ、深さ３０ｎｍの回折格子２０
２を部分的に形成し、この回折格子２０２を設けた部分
をＤＢＲ領域２０３、また回折格子が無い領域を２分し
たうちのＤＢＲ領域に近い方を位相制御領域２０４およ
びＤＢＲ領域から遠い方を活性領域２０５とする。この
基板上に、熱ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2 膜を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術とエッチングによって、幅２μｍ
のストライプ状の開口部２０６を有し、その両脇の幅が
ＤＢＲレーザ領域２０３で１２μｍ、位相制御領域２０
４で８μｍ、活性領域２０５で１７μｍで、開口部２０
６の長手軸方向がｎ−ＩｎＰ基板２０１の［０１１］方
向に平行であるような一対の成長阻止マスク２０７に加
工する。
【００１９】次に、図３（ｂ）に示すように、このスト
ライプ状の開口部２０６に減圧ＭＯＶＰＥ成長装置を用
いて、波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層２０８（厚さ１００ｎｍ）、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
２０９（厚さ４０ｎｍ）、波長組成１．３μｍのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰバリア層（厚さ１０ｎｍ）とアンド
ープＩｎＧａＡｓ井戸層（厚さ７ｎｍ）からなる７周期
のアンドープ量子井戸層２１０、波長組成１．１５μｍ
のアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層２１１（厚さ
４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層２１２（厚さ２００
ｎｍ）を連続して選択ＭＯＶＰＥ成長する。この際、成
長圧力は波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層２０８、ｎ−ＩｎＰスペーサ層２０９、波長組成
１．１５μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層
２１１、ｐ−ＩｎＰクラッド層２１２で２５Ｔｏｒｒ、
アンドープ量子井戸層２１０で１５０Ｔｏｒｒとしてい
る。また、アンドープＩｎＧａＡｓ井戸層および波長組
成１．３μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰバリア層が活
性領域２０５においてｎ−ＩｎＰ基板１０１へ格子整合
するように成長条件を調節する。アンドープ量子井戸層
２１０のバンドギャップ波長は、ＤＢＲ領域２０３、位
相制御領域２０４、活性領域２０５においてそれぞれ
１．５１μｍ，１．４８μｍ、１．５５μｍになる。
ライプ状の開口部２０６に減圧ＭＯＶＰＥ成長装置を用
いて、波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層２０８（厚さ１００ｎｍ）、ｎ−ＩｎＰスペーサ層
２０９（厚さ４０ｎｍ）、波長組成１．３μｍのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰバリア層（厚さ１０ｎｍ）とアンド
ープＩｎＧａＡｓ井戸層（厚さ７ｎｍ）からなる７周期
のアンドープ量子井戸層２１０、波長組成１．１５μｍ
のアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層２１１（厚さ
４０ｎｍ）、ｐ−ＩｎＰクラッド層２１２（厚さ２００
ｎｍ）を連続して選択ＭＯＶＰＥ成長する。この際、成
長圧力は波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層２０８、ｎ−ＩｎＰスペーサ層２０９、波長組成
１．１５μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰホール加速層
２１１、ｐ−ＩｎＰクラッド層２１２で２５Ｔｏｒｒ、
アンドープ量子井戸層２１０で１５０Ｔｏｒｒとしてい
る。また、アンドープＩｎＧａＡｓ井戸層および波長組
成１．３μｍのアンドープＩｎＧａＡｓＰバリア層が活
性領域２０５においてｎ−ＩｎＰ基板１０１へ格子整合
するように成長条件を調節する。アンドープ量子井戸層
２１０のバンドギャップ波長は、ＤＢＲ領域２０３、位
相制御領域２０４、活性領域２０５においてそれぞれ
１．５１μｍ，１．４８μｍ、１．５５μｍになる。
【００２０】次に、図３（ｃ）に示すように、成長阻止
マスク２０７を内側から幅２μｍずつエッチング除去し
てストライプ状の開口部２０６を拡幅し、ここにアンド
ープＩｎＰスペーサ層２１３（厚さ４０ｎｍ）、ｐ−Ｉ
ｎＰ埋め込み層２１４（厚さ１．４μｍ）、ｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層２１５（厚さ２００ｎｍ）を選択
ＭＯＶＰＥによって成長する。各領域間の電気的分離を
行うため、各領域の境界に均等にまたがる部分を長さ２
５μｍにわたってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
５を除去し、分離領域２１６とする。
マスク２０７を内側から幅２μｍずつエッチング除去し
てストライプ状の開口部２０６を拡幅し、ここにアンド
ープＩｎＰスペーサ層２１３（厚さ４０ｎｍ）、ｐ−Ｉ
ｎＰ埋め込み層２１４（厚さ１．４μｍ）、ｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層２１５（厚さ２００ｎｍ）を選択
ＭＯＶＰＥによって成長する。各領域間の電気的分離を
行うため、各領域の境界に均等にまたがる部分を長さ２
５μｍにわたってｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１
５を除去し、分離領域２１６とする。
【００２１】次に、図３（ｄ）に示すように、この表面
全体に絶縁膜２１７（厚さ０．３μｍ）を形成し、埋め
込み成長後の頂上部でｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２１５が残っている部分にのみフォトリソグラフィ技術
とエッチングによって絶縁膜２１７に開口を設ける。Ｔ
ｉ／Ａｕ電極２１８を蒸着し、フォトリソグラフィ技術
とエッチングによって電極パターニングを行う。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板２０１を１００μｍ厚に研磨後、裏面にＴｉ／
Ａｕ電極２１９を蒸着する。最後に、ＤＢＲ領域側の端
面に低反射膜２２０、活性領域側の端面に高反射膜２２
１を形成する。（なお、本実施例で記述されている各層
厚は、活性領域の開口部に選択成長されたものの値であ
る）このようにして製作された波長可変ＤＢＲレーザで
は、活性領域２０５に電流注入していくと、回折格子２
０２のピッチおよびＤＢＲ領域２０３の断面構造より求
まる実効屈率率で決定される波長で単一軸モード発振す
る。またＤＢＲ領域２０３に電流注入していくと、プラ
ズマ分散効果による屈折率減少に伴って、発振波長は軸
モードジャンプを繰り返しながら短波側に向かって離散
的に変化する。さらに、共振器内を往復する光の位相整
合条件を、位相制御領域２０４への電流注入によって調
節すると、離散的に変化した発振波長間でも発振が可能
になり、発振波長の疑似連続チューニングが実現でき
る。
全体に絶縁膜２１７（厚さ０．３μｍ）を形成し、埋め
込み成長後の頂上部でｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２１５が残っている部分にのみフォトリソグラフィ技術
とエッチングによって絶縁膜２１７に開口を設ける。Ｔ
ｉ／Ａｕ電極２１８を蒸着し、フォトリソグラフィ技術
とエッチングによって電極パターニングを行う。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板２０１を１００μｍ厚に研磨後、裏面にＴｉ／
Ａｕ電極２１９を蒸着する。最後に、ＤＢＲ領域側の端
面に低反射膜２２０、活性領域側の端面に高反射膜２２
１を形成する。（なお、本実施例で記述されている各層
厚は、活性領域の開口部に選択成長されたものの値であ
る）このようにして製作された波長可変ＤＢＲレーザで
は、活性領域２０５に電流注入していくと、回折格子２
０２のピッチおよびＤＢＲ領域２０３の断面構造より求
まる実効屈率率で決定される波長で単一軸モード発振す
る。またＤＢＲ領域２０３に電流注入していくと、プラ
ズマ分散効果による屈折率減少に伴って、発振波長は軸
モードジャンプを繰り返しながら短波側に向かって離散
的に変化する。さらに、共振器内を往復する光の位相整
合条件を、位相制御領域２０４への電流注入によって調
節すると、離散的に変化した発振波長間でも発振が可能
になり、発振波長の疑似連続チューニングが実現でき
る。
【００２２】本実施例による波長可変ＤＢＲレーザで
は、活性領域２０５への注入電流が１５ｍＡで単一軸モ
ード発振し、最大光出力１５ｍＷを得た。また、ＤＢＲ
領域２０３に６０ｍＡの電流注入を行うことにより、最
大波長可変幅７ｎｍを得た。さらに、位相制御領域２０
４への電流注入も同時に行うことで発振波長の疑似連続
チューニング特性を実現した。
は、活性領域２０５への注入電流が１５ｍＡで単一軸モ
ード発振し、最大光出力１５ｍＷを得た。また、ＤＢＲ
領域２０３に６０ｍＡの電流注入を行うことにより、最
大波長可変幅７ｎｍを得た。さらに、位相制御領域２０
４への電流注入も同時に行うことで発振波長の疑似連続
チューニング特性を実現した。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光集
積回路の製造方法では、バンドギャップエネルギー制御
選択ＭＯＶＰＥ成長において従来問題となっていた成長
層厚のマスク幅依存性を、成長中に圧力を動的に変化さ
せることで必要最小限に抑制可能である。これから、半
導体レーザや光変調器、光フィルター、半導体光増幅
器、受光器等の光機能素子をモノリシック化した光集積
回路を、簡単かつ高均一・高歩留りで実現可能であり、
電気的・光学的な特性向上ならびに信頼性の向上も期待
できる。
積回路の製造方法では、バンドギャップエネルギー制御
選択ＭＯＶＰＥ成長において従来問題となっていた成長
層厚のマスク幅依存性を、成長中に圧力を動的に変化さ
せることで必要最小限に抑制可能である。これから、半
導体レーザや光変調器、光フィルター、半導体光増幅
器、受光器等の光機能素子をモノリシック化した光集積
回路を、簡単かつ高均一・高歩留りで実現可能であり、
電気的・光学的な特性向上ならびに信頼性の向上も期待
できる。
【図１】本発明による半導体光集積回路の製造方法で用
いられている、選択ＭＯＶＰＥにおける成長膜厚と成長
阻止マスク幅の関係の成長圧力依存性を説明する図であ
る。（ａ）は断面図、（ｂ）はマスク幅と層厚の関係を
示す図。
いられている、選択ＭＯＶＰＥにおける成長膜厚と成長
阻止マスク幅の関係の成長圧力依存性を説明する図であ
る。（ａ）は断面図、（ｂ）はマスク幅と層厚の関係を
示す図。
【図２】（ａ）は、本発明による第１の実施例であるＤ
ＦＢレーザと電界吸収型光変調器をモノリシック化した
集積化光源の製造方法を説明する平面図であり、（ｂ）
〜（ｄ）は集積化光源の製造方法を工程順に説明する
（ａ）におけるＡ−Ａ′での断面図である。
ＦＢレーザと電界吸収型光変調器をモノリシック化した
集積化光源の製造方法を説明する平面図であり、（ｂ）
〜（ｄ）は集積化光源の製造方法を工程順に説明する
（ａ）におけるＡ−Ａ′での断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明による第２の実施例である波
長可変ＤＢＲレーザの構造を説明する平面図であり、
（ｂ）〜（ｄ）は波長可変ＤＢＲレーザの製造方法を工
程順に説明する（ａ）におけるＢ−Ｂ′での断面図であ
る。
長可変ＤＢＲレーザの構造を説明する平面図であり、
（ｂ）〜（ｄ）は波長可変ＤＢＲレーザの製造方法を工
程順に説明する（ａ）におけるＢ−Ｂ′での断面図であ
る。
１０１ 面方位が（１００) のｎ−ＩｎＰ基板 １０２ 回折格子 １０３ ＤＦＢレーザ領域 １０４ 光変調器領域 １０５ 幅２μｍのストライプ状の開口部 １０６ 成長阻止マスク １０７ 窓領域 １０８ 波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層（厚さ１００ｎｍ） １０９ ｎ−ＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎｍ） １１０ アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量
子井戸層（バリア層の波長組成１．３μｍ） １１１ 波長組成１．１５μｍのアンドープＩｎＧａ
ＡｓＰホール加速層（厚さ４０ｎｍ） １１２ ｐ−ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎｍ） １１３ アンドープＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎ
ｍ） １１４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層（厚さ１．４μｍ） １１５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層（厚さ２０
０ｎｍ） １１６ 分離領域 １１７ 絶縁膜 １１８，１１９ Ｔｉ／Ａｕ電極 １２０ 低反射膜 １２１ 高反射膜 ２０１ 面方位が（１００) のｎ−ＩｎＰ基板 ２０２ 回折格子 ２０３ ＤＳＲ領域 ２０４ 位相制御領域 ２０５ 活性領域 ２０６ 幅２μｍのストライプ状の開口部 ２０７ 成長阻止マスク ２０８ 波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層（厚さ１００ｎｍ） ２０９ ｎ−ＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎｍ） ２１０ アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量
子井戸層（バリア層の波長組成１．３μｍ） ２１１ 波長組成１．１５μｍのアンドープＩｎＧａ
ＡｓＰホール加速層（厚さ４０ｎｍ） ２１２ ｐ−ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎｍ） ２１３ アンドープＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎ
ｍ） ２１４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層（厚さ１．４μｍ） ２１５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層（厚さ２０
０ｎｍ） ２１６ 分離領域 ２１７ 絶縁膜 ２１８，２１９ Ｔｉ／Ａｕ電極 ２２０ 低反射膜 ２２１ 高反射膜
光導波層（厚さ１００ｎｍ） １０９ ｎ−ＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎｍ） １１０ アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量
子井戸層（バリア層の波長組成１．３μｍ） １１１ 波長組成１．１５μｍのアンドープＩｎＧａ
ＡｓＰホール加速層（厚さ４０ｎｍ） １１２ ｐ−ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎｍ） １１３ アンドープＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎ
ｍ） １１４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層（厚さ１．４μｍ） １１５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層（厚さ２０
０ｎｍ） １１６ 分離領域 １１７ 絶縁膜 １１８，１１９ Ｔｉ／Ａｕ電極 １２０ 低反射膜 １２１ 高反射膜 ２０１ 面方位が（１００) のｎ−ＩｎＰ基板 ２０２ 回折格子 ２０３ ＤＳＲ領域 ２０４ 位相制御領域 ２０５ 活性領域 ２０６ 幅２μｍのストライプ状の開口部 ２０７ 成長阻止マスク ２０８ 波長組成１．１５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層（厚さ１００ｎｍ） ２０９ ｎ−ＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎｍ） ２１０ アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量
子井戸層（バリア層の波長組成１．３μｍ） ２１１ 波長組成１．１５μｍのアンドープＩｎＧａ
ＡｓＰホール加速層（厚さ４０ｎｍ） ２１２ ｐ−ＩｎＰクラッド層（厚さ２００ｎｍ） ２１３ アンドープＩｎＰスペーサ層（厚さ４０ｎ
ｍ） ２１４ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層（厚さ１．４μｍ） ２１５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層（厚さ２０
０ｎｍ） ２１６ 分離領域 ２１７ 絶縁膜 ２１８，２１９ Ｔｉ／Ａｕ電極 ２２０ 低反射膜 ２２１ 高反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体光集積回路の製造方法であって、
ストライプ状の開口部を挟んで対向し該開口部の長手軸
方向の位置に応じて幅が部分的に異なるような２本の成
長阻止膜を半導体基板上に形成する工程と、該半導体基
板より屈折率が大きく光を伝搬する作用を有する光導波
層と発光あるいは光吸収の作用を有する量子井戸層と該
光導波層や該量子井戸層より屈折率の小さなクラッド層
とを選択的有機金属気相成長法を用いて該開口部に連続
してエピタキシャル成長する工程と、該量子井戸層に電
流注入あるいは電界印加を行うための電極構造を形成す
る工程とを有し、少なくとも該量子井戸層をエピタキシ
ャル成長する際の成長圧力を該光導波層や該クラッド層
をエピタキシャル成長する場合より上昇させることを特
徴とする半導体光集積回路の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334641A JP2682421B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光集積回路の製造方法 |
| DE69411696T DE69411696T2 (de) | 1993-12-28 | 1994-12-27 | Verfahren zur Herstellung eines integrierten, optischen Halbleiterschaltkreises |
| EP94120765A EP0661783B1 (en) | 1993-12-28 | 1994-12-27 | Method for fabricating semiconductor light integrated circuit |
| CA002139140A CA2139140C (en) | 1993-12-28 | 1994-12-28 | A method for fabricating a semiconductor photonic integrated circuit |
| US08/943,099 US6224667B1 (en) | 1993-12-28 | 1997-09-15 | Method for fabricating semiconductor light integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334641A JP2682421B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光集積回路の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202334A JPH07202334A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2682421B2 true JP2682421B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=18279645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334641A Expired - Fee Related JP2682421B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光集積回路の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0661783B1 (ja) |
| JP (1) | JP2682421B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP1271721A3 (en) * | 1994-12-27 | 2010-05-26 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device |
| JP2770848B2 (ja) * | 1995-09-22 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法 |
| JP2917913B2 (ja) * | 1996-06-10 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
| JPH1056200A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2967737B2 (ja) | 1996-12-05 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置とその製造方法 |
| JP3104789B2 (ja) | 1997-05-02 | 2000-10-30 | 日本電気株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| JP3813450B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2006-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| US7412121B2 (en) * | 2002-10-24 | 2008-08-12 | Applied Research And Photonics, Inc. | Nanophotonic integrated circuit and fabrication thereof |
| KR101115291B1 (ko) | 2003-04-25 | 2012-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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| US20050196710A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus |
| JP4522154B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2010-08-11 | 日本航空電子工業株式会社 | 電気吸収型光変調器 |
| US8158517B2 (en) * | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
| JP2012109628A (ja) * | 2012-03-12 | 2012-06-07 | Opnext Japan Inc | 電界吸収型光変調器集積レーザ素子 |
| US20140185980A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Futurewei Technologies, Inc. | Silicon-On-Insulator Platform for Integration of Tunable Laser Arrays |
| KR102320790B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-11-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 자외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| CN105576502B (zh) * | 2016-02-18 | 2018-08-31 | 武汉光安伦光电技术有限公司 | 高速垂直发射单片集成型直接调制dfb激光器及制作方法 |
| US10923879B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method for fabricating an elctro-absorption modulated laser and electro-absorption modulated laser |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4855255A (en) * | 1988-03-23 | 1989-08-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered laser or waveguide optoelectronic method |
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| JP2890745B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および、光半導体装置の製造方法 |
| DE69115596T2 (de) | 1990-08-24 | 1996-09-19 | Nippon Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung |
| JP2876839B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| FR2683392A1 (fr) * | 1991-11-06 | 1993-05-07 | France Telecom | Procede de realisation de composants optoelectroniques par epitaxie selective dans un sillon. |
| EP0558089B1 (en) * | 1992-02-28 | 2002-06-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical integrated device and method of manufacture thereof, and light receiver using said device |
| BE1006865A6 (nl) * | 1992-04-29 | 1995-01-10 | Imec Inter Uni Micro Electr | Werkwijze voor het fabriceren van opto-electronische componenten. |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334641A patent/JP2682421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-27 EP EP94120765A patent/EP0661783B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-27 DE DE69411696T patent/DE69411696T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-28 CA CA002139140A patent/CA2139140C/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-15 US US08/943,099 patent/US6224667B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0661783A1 (en) | 1995-07-05 |
| JPH07202334A (ja) | 1995-08-04 |
| CA2139140A1 (en) | 1995-06-29 |
| DE69411696T2 (de) | 1999-03-11 |
| CA2139140C (en) | 1999-06-01 |
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| DE69411696D1 (de) | 1998-08-20 |
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