JP2681470B2 - 2次元可変偏向回折素子 - Google Patents
2次元可変偏向回折素子Info
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- JP2681470B2 JP2681470B2 JP62294668A JP29466887A JP2681470B2 JP 2681470 B2 JP2681470 B2 JP 2681470B2 JP 62294668 A JP62294668 A JP 62294668A JP 29466887 A JP29466887 A JP 29466887A JP 2681470 B2 JP2681470 B2 JP 2681470B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光の進行方向を超音波を利用して変える
光偏向装置に係り、特に固体表面上を伝搬する表面弾性
波を回折格子として利用し、その格子定数を変化させる
ことで光の回折の方向を調整可能とした2次元可変偏向
回折素子に関する。 〔従来の技術〕 2次元平面に対して光を走査又は偏向する技術には回
転反射鏡や回転プリズムを2個以上組み合わせて行う方
法や圧電素子を2つ以上用いて2つの自由度をもつ反射
鏡を構成する方法があり、これらはいずれも機械的動作
によるものである。また、同一出願人・同一発明者によ
る「表面弾性波可変回折素子」(特願昭第62−73416
号)にあるような表面弾性波(SAW:Surface Acoustic
Wave)を利用した1次元の光偏向素子を2枚組み合わ
せ、光を2次元的に偏向する方法も考えられる。この構
成によると機械的動作を含まないため非常に偏向時間の
短い(最大偏角を得るに要する時間は数μs)、かつ、
任意方向への光偏向が可能な素子が実現できる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、反射鏡やプリズムを用いた機械的動作
による光偏向は構成体積の縮小化が困難であり、また非
周期的な動作を行なわせようとする制御系を含めた構成
自体が複雑になり、偏向速度も1桁以上遅くなってしま
う。 一方、後者の機械的動作を含まないSAWを利用した方
法は少なくとも2つの偏向素子を組み合わせなければ2
次元的な偏向は実現できない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明では、ニオブ酸リチウム結晶のYカット基板で
なる一枚の圧電性基板上に該圧電性基板のニオブ酸リチ
ウム結晶のX軸との成す角θが70゜から110゜である少
なくとも2方向へ同時に表面弾性波を発生できるよう
に、少なくとも2つの交差指形電極を設ける構造とし
た、こうすることで、2次元平面上での光の任意方向へ
の走査や静止が高い回折効率で大きな偏向角度で自由に
行えるようにした。 〔作用〕 固体表面上を伝搬するSAWは、交差指形電極の形状で
決定される共振周波数f0をもち、またSAWの伝搬速度は
圧電性基板の特性で決まってくる。いま、その伝搬速度
をvoとおくと、SAWにより形成される正弦波状格子の格
子間隔(SAWの空間的波長)dとの関係は、 d=vo/f0 ……(1) である。 このことから、格子間隔dは交差指形電極に入力する
周波数で制御できることがわかる。また、仮りにSAWの
発生強度が10%程度の減少してもよいとすると、SAWの
周波数は中心周波数の5〜10%変化させることが可能で
ある。光の回折角度は格子間隔dで決定されるため、上
述の関係は、入力周波数により回折角度(偏向角度)の
制御ができることを表わしている。 第2図にSAW素子へ入力する周波数の変化と回折輝点
の変動の関係を示す。 第2図(a)は、x軸方向にSAWが伝搬している状態
での回折輝点の位置を表わしている。入射光の波長を
λ、レンズ3の焦点距離をF、中心周波数をfx0、SAWの
伝搬速度をv、焦点面4での回折輝点と光軸との距離を
x0とすると、 x0=fx0・F・λ/v ……(2) の関係がある。 いま、許容変動周波数幅をΔfxとすると、回折輝点の
変動幅Δxは、 Δx=Δfx・F・λ/v ……(3) となる。 これより、回折輝点と光軸との距離x0の変動範囲は、 (fx0−Δfx/2)・F・λ/v≦x0≦(fx0+Δfx/2)・F・λ/v ……(4) と表わされる。 第2図(b)は、y軸方向にSAWが伝搬しているとき
の回折輝点の位置を表わしている。第2図(a)のとき
と同様にして、回折輝点y0の変動範囲を求めると、 (fy0−Δfy/2)・F・λ/v≦y0≦(fy0+Δfy/2)・F・λ/v ……(5) となる。 第2図(c)は、SAWがx軸方向とy軸方向に対し同
時に伝搬しているとき、第2図(a)における焦点面4
に見られる回折輝点の位置を表わしている。圧電性基板
1上には、正弦波状の2次元回折格子が形成されるため
回折輝点のうち軸上以外の輝点pの変動範囲は2次元の
領域に拡がることになる。第2図(a)と第2図(b)
の説明で述べたように、x軸に対する変動範囲がΔx、
y軸に対する変動範囲がΔyであるとき、回折輝点pは
その範囲で切られる2次元平面上の四角形ABCDの領域内
において任意方向への移動や任意位置での静止が入力周
波数の制御で可能となる。 以上の説明は、xy平面の第1の象限についてのみ着目
したが、当然、第2〜4象限についても同様な回折輝点
が見られる。 〔実施例〕 第1図に本発明に係る2次元可変偏向回折素子の一実
施例を示す。圧電性基板1にはよく利用されるニオブ酸
リチウム結晶を使用した。この結晶は3m型の異方性結晶
であるため切り出し面によりSAWの伝搬速度が異なる。 ところで、入力電気信号によるSAW発生の難易度を示
す電気機械結合係数Kは、vsを表面を電気的に短絡した
場合のSAW伝搬速度、voを表面を電気的に開放した場合
のSAW伝搬速度とした場合、 K2=2|vo−vs|/vo ……(6) の関係が与えられるが、この値も前記結晶のカット面と
SAW伝搬方向により様々な値を示す。 第1図(a)に一例として、Yカット基板のSAWの伝
搬方向(θ)と伝搬速度(m/s)の関係を示した。第1
図(a)において実線は表面を電気的に開放した場合の
SAW伝搬速度voを、破線は表面を電気的に短絡した場合
のSAW伝搬速度vsを示す。この図より、θ=70゜からθ
=110゜の範囲では、他の伝搬方向(θ)と比較して伝
搬速度が小さく、かつ、電気機械結合係数Kが大きな値
を示し、さらに、図中の曲線はθ=90゜を中心として、
ほぼ左右対称の特性を示すことが分かる。ここで、伝搬
速度が小さい方が、前述の式(1)の関係より格子間隔
dの値が小さくなり、偏向角度は大きくなる。また、電
気機械結合係数Kが大きい方が回折効率は高いという関
係がある。 このことから、異なる2方向へSAW伝搬を行なわせよ
うとしたとき、この角度範囲(θ=70゜〜110゜)で伝
播方向(θ)を選べば、他の伝播方向(θ)を選んだ場
合と比較して、偏向角度を大きく、かつ、回折効率を高
くできる。 また、前記角度範囲(θ=70゜〜110゜)で対称な2
点、つまり電気機械結合係数Kが等しい伝播方向(θ)
を選べば、同一入力電力で同一な回折効率が期待でき
る。 第1図(b)は、上記の理由より、圧電性基板1とし
てYカット基板を使用し、SAWの伝搬方向をθ=70゜と
θ=110゜に選んで構成した光偏向素子である。この場
合、SAW伝搬方向は直交していないため、回折輝点Pの
変動範囲は平行四辺形ABCD内となる。この第1図(b)
においても第1象限のみを示したが、他の3つの象限で
も同様に回折輝点を生じる。 〔発明の効果〕 以上、述べたように、本発明に係る2次元可変偏向回
折素子によれば、ニオブ酸リチウム結晶のYカット基板
でなる一枚の圧電性基板上に該圧電性基板のニオブ酸リ
チウム結晶のX軸との成す角θが70゜から110゜である
相異なる方向へSAWを同時に発生させることで、正弦波
的な2次元回折素子を圧電性基板表面上に形成して、回
折光の偏向を高い回折効率で大きな偏向角度で2次元的
に行う素子を実現できた。 また、回折素子構成も反射鏡を使ったものに比べ小型
化でき、偏向の掃引時間も大幅に短い2次元の可変偏向
回折素子が実現できた。
光偏向装置に係り、特に固体表面上を伝搬する表面弾性
波を回折格子として利用し、その格子定数を変化させる
ことで光の回折の方向を調整可能とした2次元可変偏向
回折素子に関する。 〔従来の技術〕 2次元平面に対して光を走査又は偏向する技術には回
転反射鏡や回転プリズムを2個以上組み合わせて行う方
法や圧電素子を2つ以上用いて2つの自由度をもつ反射
鏡を構成する方法があり、これらはいずれも機械的動作
によるものである。また、同一出願人・同一発明者によ
る「表面弾性波可変回折素子」(特願昭第62−73416
号)にあるような表面弾性波(SAW:Surface Acoustic
Wave)を利用した1次元の光偏向素子を2枚組み合わ
せ、光を2次元的に偏向する方法も考えられる。この構
成によると機械的動作を含まないため非常に偏向時間の
短い(最大偏角を得るに要する時間は数μs)、かつ、
任意方向への光偏向が可能な素子が実現できる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、反射鏡やプリズムを用いた機械的動作
による光偏向は構成体積の縮小化が困難であり、また非
周期的な動作を行なわせようとする制御系を含めた構成
自体が複雑になり、偏向速度も1桁以上遅くなってしま
う。 一方、後者の機械的動作を含まないSAWを利用した方
法は少なくとも2つの偏向素子を組み合わせなければ2
次元的な偏向は実現できない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明では、ニオブ酸リチウム結晶のYカット基板で
なる一枚の圧電性基板上に該圧電性基板のニオブ酸リチ
ウム結晶のX軸との成す角θが70゜から110゜である少
なくとも2方向へ同時に表面弾性波を発生できるよう
に、少なくとも2つの交差指形電極を設ける構造とし
た、こうすることで、2次元平面上での光の任意方向へ
の走査や静止が高い回折効率で大きな偏向角度で自由に
行えるようにした。 〔作用〕 固体表面上を伝搬するSAWは、交差指形電極の形状で
決定される共振周波数f0をもち、またSAWの伝搬速度は
圧電性基板の特性で決まってくる。いま、その伝搬速度
をvoとおくと、SAWにより形成される正弦波状格子の格
子間隔(SAWの空間的波長)dとの関係は、 d=vo/f0 ……(1) である。 このことから、格子間隔dは交差指形電極に入力する
周波数で制御できることがわかる。また、仮りにSAWの
発生強度が10%程度の減少してもよいとすると、SAWの
周波数は中心周波数の5〜10%変化させることが可能で
ある。光の回折角度は格子間隔dで決定されるため、上
述の関係は、入力周波数により回折角度(偏向角度)の
制御ができることを表わしている。 第2図にSAW素子へ入力する周波数の変化と回折輝点
の変動の関係を示す。 第2図(a)は、x軸方向にSAWが伝搬している状態
での回折輝点の位置を表わしている。入射光の波長を
λ、レンズ3の焦点距離をF、中心周波数をfx0、SAWの
伝搬速度をv、焦点面4での回折輝点と光軸との距離を
x0とすると、 x0=fx0・F・λ/v ……(2) の関係がある。 いま、許容変動周波数幅をΔfxとすると、回折輝点の
変動幅Δxは、 Δx=Δfx・F・λ/v ……(3) となる。 これより、回折輝点と光軸との距離x0の変動範囲は、 (fx0−Δfx/2)・F・λ/v≦x0≦(fx0+Δfx/2)・F・λ/v ……(4) と表わされる。 第2図(b)は、y軸方向にSAWが伝搬しているとき
の回折輝点の位置を表わしている。第2図(a)のとき
と同様にして、回折輝点y0の変動範囲を求めると、 (fy0−Δfy/2)・F・λ/v≦y0≦(fy0+Δfy/2)・F・λ/v ……(5) となる。 第2図(c)は、SAWがx軸方向とy軸方向に対し同
時に伝搬しているとき、第2図(a)における焦点面4
に見られる回折輝点の位置を表わしている。圧電性基板
1上には、正弦波状の2次元回折格子が形成されるため
回折輝点のうち軸上以外の輝点pの変動範囲は2次元の
領域に拡がることになる。第2図(a)と第2図(b)
の説明で述べたように、x軸に対する変動範囲がΔx、
y軸に対する変動範囲がΔyであるとき、回折輝点pは
その範囲で切られる2次元平面上の四角形ABCDの領域内
において任意方向への移動や任意位置での静止が入力周
波数の制御で可能となる。 以上の説明は、xy平面の第1の象限についてのみ着目
したが、当然、第2〜4象限についても同様な回折輝点
が見られる。 〔実施例〕 第1図に本発明に係る2次元可変偏向回折素子の一実
施例を示す。圧電性基板1にはよく利用されるニオブ酸
リチウム結晶を使用した。この結晶は3m型の異方性結晶
であるため切り出し面によりSAWの伝搬速度が異なる。 ところで、入力電気信号によるSAW発生の難易度を示
す電気機械結合係数Kは、vsを表面を電気的に短絡した
場合のSAW伝搬速度、voを表面を電気的に開放した場合
のSAW伝搬速度とした場合、 K2=2|vo−vs|/vo ……(6) の関係が与えられるが、この値も前記結晶のカット面と
SAW伝搬方向により様々な値を示す。 第1図(a)に一例として、Yカット基板のSAWの伝
搬方向(θ)と伝搬速度(m/s)の関係を示した。第1
図(a)において実線は表面を電気的に開放した場合の
SAW伝搬速度voを、破線は表面を電気的に短絡した場合
のSAW伝搬速度vsを示す。この図より、θ=70゜からθ
=110゜の範囲では、他の伝搬方向(θ)と比較して伝
搬速度が小さく、かつ、電気機械結合係数Kが大きな値
を示し、さらに、図中の曲線はθ=90゜を中心として、
ほぼ左右対称の特性を示すことが分かる。ここで、伝搬
速度が小さい方が、前述の式(1)の関係より格子間隔
dの値が小さくなり、偏向角度は大きくなる。また、電
気機械結合係数Kが大きい方が回折効率は高いという関
係がある。 このことから、異なる2方向へSAW伝搬を行なわせよ
うとしたとき、この角度範囲(θ=70゜〜110゜)で伝
播方向(θ)を選べば、他の伝播方向(θ)を選んだ場
合と比較して、偏向角度を大きく、かつ、回折効率を高
くできる。 また、前記角度範囲(θ=70゜〜110゜)で対称な2
点、つまり電気機械結合係数Kが等しい伝播方向(θ)
を選べば、同一入力電力で同一な回折効率が期待でき
る。 第1図(b)は、上記の理由より、圧電性基板1とし
てYカット基板を使用し、SAWの伝搬方向をθ=70゜と
θ=110゜に選んで構成した光偏向素子である。この場
合、SAW伝搬方向は直交していないため、回折輝点Pの
変動範囲は平行四辺形ABCD内となる。この第1図(b)
においても第1象限のみを示したが、他の3つの象限で
も同様に回折輝点を生じる。 〔発明の効果〕 以上、述べたように、本発明に係る2次元可変偏向回
折素子によれば、ニオブ酸リチウム結晶のYカット基板
でなる一枚の圧電性基板上に該圧電性基板のニオブ酸リ
チウム結晶のX軸との成す角θが70゜から110゜である
相異なる方向へSAWを同時に発生させることで、正弦波
的な2次元回折素子を圧電性基板表面上に形成して、回
折光の偏向を高い回折効率で大きな偏向角度で2次元的
に行う素子を実現できた。 また、回折素子構成も反射鏡を使ったものに比べ小型
化でき、偏向の掃引時間も大幅に短い2次元の可変偏向
回折素子が実現できた。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)(b)は本発明に係る2次元可変偏向回折
素子による光の偏向回折素子の一実施例を示しており、
特に第1図(a)はニオブ酸リチウム結晶のYカット基
板におけるSAW伝搬方向と伝搬速度の関係を示す。第2
図は本発明に係る2次元可変偏向回折素子のSAW素子へ
入力する電気信号の周波数fの変化と回折光の回折輝点
の変動の関係を示す。 図において、1は圧電性基板、2は交差指形電極、3は
レンズ、4は焦点面をそれぞれ示す。
素子による光の偏向回折素子の一実施例を示しており、
特に第1図(a)はニオブ酸リチウム結晶のYカット基
板におけるSAW伝搬方向と伝搬速度の関係を示す。第2
図は本発明に係る2次元可変偏向回折素子のSAW素子へ
入力する電気信号の周波数fの変化と回折光の回折輝点
の変動の関係を示す。 図において、1は圧電性基板、2は交差指形電極、3は
レンズ、4は焦点面をそれぞれ示す。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.光透過性を有し、かつ、光学平面をもつ、ニオブ酸
リチウム結晶のYカット基板でなる圧電性基板(1)
と、 該圧電性基板の面に、該圧電性基板のニオブ酸リチウム
結晶のX軸との成す角θが70゜から110゜である少なく
とも2つの相異なる方向へ表面弾性波を発生させ、入射
する光に対して回折格子を形成するように設けられた少
なくとも2つの交差指形電極(2)とを備え、回折作用
による光偏向を2次元的に行わせる2次元可変偏向回折
素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294668A JP2681470B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 2次元可変偏向回折素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294668A JP2681470B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 2次元可変偏向回折素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01134432A JPH01134432A (ja) | 1989-05-26 |
JP2681470B2 true JP2681470B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=17810759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62294668A Expired - Fee Related JP2681470B2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 2次元可変偏向回折素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2681470B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112526777B (zh) * | 2020-12-04 | 2022-06-03 | 西安交通大学 | 一种基于声表面波折射率场虚拟雕刻的声光透镜芯片 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2132374A (en) * | 1982-11-26 | 1984-07-04 | Standard Telephones Cables Ltd | A two-dimensional acousto-optic deflection arrangement |
JPS6294831A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Anritsu Corp | 表面弾性波を利用した光の回折装置 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62294668A patent/JP2681470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01134432A (ja) | 1989-05-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |