JP2668020B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2668020B2 JP2668020B2 JP63223060A JP22306088A JP2668020B2 JP 2668020 B2 JP2668020 B2 JP 2668020B2 JP 63223060 A JP63223060 A JP 63223060A JP 22306088 A JP22306088 A JP 22306088A JP 2668020 B2 JP2668020 B2 JP 2668020B2
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- container
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体製造装置に関する。
（従来の技術） 一般に、処理室内に所定の反応ガスを流通させて被処
理物に処理を施す半導体製造装置、例えば熱処理炉で例
えば半導体ウエハにリン（Ｐ）をドープする場合、反応
ガスとしてPH3ガスを用いるが、この場合には半導体ウ
エハ表面に付着しない過剰なリンから五酸化リンが生
じ、炉を常温に戻すにつれて石英管内壁に固着する問題
のあることは周知である。
理物に処理を施す半導体製造装置、例えば熱処理炉で例
えば半導体ウエハにリン（Ｐ）をドープする場合、反応
ガスとしてPH3ガスを用いるが、この場合には半導体ウ
エハ表面に付着しない過剰なリンから五酸化リンが生
じ、炉を常温に戻すにつれて石英管内壁に固着する問題
のあることは周知である。
また、この対策として、各リン化合物の融点以上に炉
口周辺の温度を上げリン化合物が炉口周辺に付着しない
ようにすることも行われている。
口周辺の温度を上げリン化合物が炉口周辺に付着しない
ようにすることも行われている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記技術によっても炉口から排出され
たリン化合物は排気ラインを流れていく間に冷えて排気
管に付着してしまい、生産性および安全性の面で障害と
なっていた。
たリン化合物は排気ラインを流れていく間に冷えて排気
管に付着してしまい、生産性および安全性の面で障害と
なっていた。
本発明は、上記点に対処してなされたもので、従来に
較べて生産性の向上と安全性の向上を図ることのできる
半導体製造装置を提供しようとするものである。
較べて生産性の向上と安全性の向上を図ることのできる
半導体製造装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、処理室内に所定のガスを流通させ
て被処理物に処理を施す半導体製造装置において、 底部中央に内側に向かって凹陥された凹部を有する円
筒状容器からなり内部に螺旋状気体流を形成するトラッ
プ容器と、 前記トラップ容器の外形に合わせて有底円筒状に形成
され、前記トラップ容器の外周を囲み内部に冷媒を流通
可能とされた側部と、内側中央部に突出し前記トラップ
容器の凹部内に当接され内部に冷媒を流通可能とされた
凸部と、前記側部と前記凸部とを連通する如く設けられ
た底部と有し、前記側部内の天井部近傍に開口する第１
の冷媒配管と前記凸部内の天井部近傍に開口する第２の
冷媒配管とによって内部に冷媒を循環させる冷却ジャケ
ットと を備えた冷却トラップを、前記処理室から排気を行う排
気経路に設けたことを特徴とする。
て被処理物に処理を施す半導体製造装置において、 底部中央に内側に向かって凹陥された凹部を有する円
筒状容器からなり内部に螺旋状気体流を形成するトラッ
プ容器と、 前記トラップ容器の外形に合わせて有底円筒状に形成
され、前記トラップ容器の外周を囲み内部に冷媒を流通
可能とされた側部と、内側中央部に突出し前記トラップ
容器の凹部内に当接され内部に冷媒を流通可能とされた
凸部と、前記側部と前記凸部とを連通する如く設けられ
た底部と有し、前記側部内の天井部近傍に開口する第１
の冷媒配管と前記凸部内の天井部近傍に開口する第２の
冷媒配管とによって内部に冷媒を循環させる冷却ジャケ
ットと を備えた冷却トラップを、前記処理室から排気を行う排
気経路に設けたことを特徴とする。
（作 用） 上記構成の本発明の半導体製造装置では、処理室から
排気を行う排気経路に、外側および凹部からの冷却によ
り効率良く冷却され、かつ、排気気体がトラップ容器内
を螺旋状に回転しながら通過する捕捉能力の高い冷却ト
ラップが設けられている。したがって、リン化合物等の
排気管への付着を低減することができ、生産性の向上
と、安全性の向上を図ることができる。
排気を行う排気経路に、外側および凹部からの冷却によ
り効率良く冷却され、かつ、排気気体がトラップ容器内
を螺旋状に回転しながら通過する捕捉能力の高い冷却ト
ラップが設けられている。したがって、リン化合物等の
排気管への付着を低減することができ、生産性の向上
と、安全性の向上を図ることができる。
（実施例） 以下本発明を縦型熱処理装置に適用した実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
冷却トラップ１は、内部に排気気体が流通されるトラ
ップ容器20と、このトラップ容器20が嵌挿され内部に流
通される冷媒例えば冷却水によりこのトラップ容器20内
を冷却する冷却ジャケット30とから構成されている。
ップ容器20と、このトラップ容器20が嵌挿され内部に流
通される冷媒例えば冷却水によりこのトラップ容器20内
を冷却する冷却ジャケット30とから構成されている。
上記トラップ容器20は、例えば厚さ2mmの石英等から
構成されており、外径例えば120mm、高さ例えば110mmの
中空円筒状に形成されている。また、トラップ容器20の
底部中央には、内径例えば40mm、高さ例えば90mmの円筒
状の凹部21が形成されており、上側周縁部には接線方向
に沿って入口配管22が、上側中央部には出口配管23が接
続されている。さらに、トラップ容器20の内部には、外
径例えば80mmの円筒状に形成された仕切り板24が、底板
25との間に間隔例えば30mmを設ける如く上板26から垂設
されており、入口配管22から流入した排気気体が、図示
矢印の如く仕切り板24の外側を螺旋状に回転しながら下
降し、この後仕切り板24の内側を螺旋状に回転しながら
上昇して出口配管23から導出される如く構成されてい
る。
構成されており、外径例えば120mm、高さ例えば110mmの
中空円筒状に形成されている。また、トラップ容器20の
底部中央には、内径例えば40mm、高さ例えば90mmの円筒
状の凹部21が形成されており、上側周縁部には接線方向
に沿って入口配管22が、上側中央部には出口配管23が接
続されている。さらに、トラップ容器20の内部には、外
径例えば80mmの円筒状に形成された仕切り板24が、底板
25との間に間隔例えば30mmを設ける如く上板26から垂設
されており、入口配管22から流入した排気気体が、図示
矢印の如く仕切り板24の外側を螺旋状に回転しながら下
降し、この後仕切り板24の内側を螺旋状に回転しながら
上昇して出口配管23から導出される如く構成されてい
る。
一方、冷却ジャケット30は、例えば厚さ3mmのステン
レス板等から構成されており、上部から上記トラップ容
器20を嵌挿可能とする如く、外径例えば165mm、高さ例
えば120mmの有底円筒状に形成されている。また、冷却
ジャケット30内側中央には、上記トラップ容器20の凹部
21に合せて、凸部31が形成されており、この凸部31、底
部32、側部33は、内部に冷却水等の冷媒を循環可能に中
空構造とされている。すなわち、中空構造の凸部31内上
部に開口する如く冷媒供給配管34、側部33の上部には冷
媒排出配管35が設けられており、これらの配管により凸
部31、底部32、側部33内に冷却水等の冷媒を循環し、ト
ラップ容器20をその外側および内側（凹部21）から高能
率で冷却可能に構成されている。
レス板等から構成されており、上部から上記トラップ容
器20を嵌挿可能とする如く、外径例えば165mm、高さ例
えば120mmの有底円筒状に形成されている。また、冷却
ジャケット30内側中央には、上記トラップ容器20の凹部
21に合せて、凸部31が形成されており、この凸部31、底
部32、側部33は、内部に冷却水等の冷媒を循環可能に中
空構造とされている。すなわち、中空構造の凸部31内上
部に開口する如く冷媒供給配管34、側部33の上部には冷
媒排出配管35が設けられており、これらの配管により凸
部31、底部32、側部33内に冷却水等の冷媒を循環し、ト
ラップ容器20をその外側および内側（凹部21）から高能
率で冷却可能に構成されている。
上記構成の冷却トラップ１は、第３図に示す如く縦型
熱処理装置の排気系に設けられている。
熱処理装置の排気系に設けられている。
すなわち、例えば石英等から円筒状に構成された反応
管（プロセスチューブ）41は、ほぼ垂直に配設されてお
り、この反応管41を囲繞する如く筒状ヒータ42および図
示しない均熱管、断熱材等が設けられている。また、こ
の反応管41上部および下部には、それぞれ所定の反応ガ
スを導入・排気するための反応ガス導入管43および排気
管44が接続されており、この排気管44には、冷却トラッ
プ１が介挿されている。さらに、反応管41の下方には、
搬送機構として上下動可能とされたボートエレベータ46
が配設されている。このボートエレベータ46上には、保
温筒47が設けられており、この保温筒47は、多数の半導
体ウエハ48が間隔を設けて積層される如く載置されたウ
エハボート49を支持可能に構成されている。そして、こ
のボートエレベータ46により、ウエハボート49に載置さ
れた半導体ウエハ48を反応管41の下部開口から反応管41
内にロード・アンロードするよう構成されている。
管（プロセスチューブ）41は、ほぼ垂直に配設されてお
り、この反応管41を囲繞する如く筒状ヒータ42および図
示しない均熱管、断熱材等が設けられている。また、こ
の反応管41上部および下部には、それぞれ所定の反応ガ
スを導入・排気するための反応ガス導入管43および排気
管44が接続されており、この排気管44には、冷却トラッ
プ１が介挿されている。さらに、反応管41の下方には、
搬送機構として上下動可能とされたボートエレベータ46
が配設されている。このボートエレベータ46上には、保
温筒47が設けられており、この保温筒47は、多数の半導
体ウエハ48が間隔を設けて積層される如く載置されたウ
エハボート49を支持可能に構成されている。そして、こ
のボートエレベータ46により、ウエハボート49に載置さ
れた半導体ウエハ48を反応管41の下部開口から反応管41
内にロード・アンロードするよう構成されている。
上記構成の縦型熱処理装置では、ヒータ42により反応
管41内を予め所定温度例えば数百度程度に加熱してお
き、ボートエレベータ46を上昇させてウエハボート49に
載置された半導体ウエハ48を反応管41内壁に非接触で反
応管41内にロードする。そして、反応ガス導入管43から
反応管41内に所定の反応ガス、例えばSiH4、O2、B2H6、
PH3等を導入し、成膜を行う。また、この時、冷却トラ
ップ１の水冷ジャケット30に冷却水等の冷媒を循環させ
てトラップ容器20の冷却を行う。
管41内を予め所定温度例えば数百度程度に加熱してお
き、ボートエレベータ46を上昇させてウエハボート49に
載置された半導体ウエハ48を反応管41内壁に非接触で反
応管41内にロードする。そして、反応ガス導入管43から
反応管41内に所定の反応ガス、例えばSiH4、O2、B2H6、
PH3等を導入し、成膜を行う。また、この時、冷却トラ
ップ１の水冷ジャケット30に冷却水等の冷媒を循環させ
てトラップ容器20の冷却を行う。
したがって、排気管44からトラップ容器20内に流入し
た反応ガスおよびこの反応ガスから生成したパーティク
ル、例えばPH3ガスと五酸化リンのパーティクル等は、
螺旋状に回転しながら下降、上昇する際に、遠心力およ
び冷却の効果によりこのトラップ容器20内に効率良く捕
捉される。このため、反応ガスから生成されるパーティ
クルの不所望部位への付着および外部への漏洩を防止す
ることができる。また、トラップ容器20は石英からな
り、腐蝕されることもない。
た反応ガスおよびこの反応ガスから生成したパーティク
ル、例えばPH3ガスと五酸化リンのパーティクル等は、
螺旋状に回転しながら下降、上昇する際に、遠心力およ
び冷却の効果によりこのトラップ容器20内に効率良く捕
捉される。このため、反応ガスから生成されるパーティ
クルの不所望部位への付着および外部への漏洩を防止す
ることができる。また、トラップ容器20は石英からな
り、腐蝕されることもない。
なお、上記実施例では、常圧拡散を行う装置の場合に
ついて説明したが、本発明はかかる実施例に限定される
ものではなく、排気系に真空排気用ポンプを設け減圧雰
囲気下で処理を行う装置に適用することができることは
もちろんである。
ついて説明したが、本発明はかかる実施例に限定される
ものではなく、排気系に真空排気用ポンプを設け減圧雰
囲気下で処理を行う装置に適用することができることは
もちろんである。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の半導体製造装置によれば、捕
捉能力の高い冷却トラップによりリン化合物等の反応ガ
スから生成されるパーティクルの不所望部位への付着お
よび外部への漏洩を防止することができ、従来に較べて
生産性の向上と、安全性の向上を図ることができる。
捉能力の高い冷却トラップによりリン化合物等の反応ガ
スから生成されるパーティクルの不所望部位への付着お
よび外部への漏洩を防止することができ、従来に較べて
生産性の向上と、安全性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の要部構成
を示す縦断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は本
発明の一実施例の縦型熱処理装置を示す構成図である。 １……冷却トラップ、20……トラップ容器、21……凹
部、22……入口配管、23……出口配管、24……仕切り
板、25……底板、26……上板、30……冷却ジャケット、
31……凸部、32……底部、33……側部、34……冷媒供給
配管、35……冷媒排出配管。
を示す縦断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は本
発明の一実施例の縦型熱処理装置を示す構成図である。 １……冷却トラップ、20……トラップ容器、21……凹
部、22……入口配管、23……出口配管、24……仕切り
板、25……底板、26……上板、30……冷却ジャケット、
31……凸部、32……底部、33……側部、34……冷媒供給
配管、35……冷媒排出配管。
Claims (1)
- 【請求項１】処理室内に所定のガスを流通させて被処理
物に処理を施す半導体製造装置において、 底部中央に内側に向かって凹陥された凹部を有する円筒
状容器からなり内部に螺旋状気体流を形成するトラップ
容器と、 前記トラップ容器の外形に合わせて有底円筒状に形成さ
れ、前記トラップ容器の外周を囲み内部に冷媒を流通可
能とされた側部と、内側中央部に突出し前記トラップ容
器の凹部内に当接され内部に冷媒を流通可能とされた凸
部と、前記側部と前記凸部とを連通する如く設けられた
底部と有し、前記側部内の天井部近傍に開口する第１の
冷媒配管と前記凸部内の天井部近傍に開口する第２の冷
媒配管とによって内部に冷媒を循環させる冷却ジャケッ
トと を備えた冷却トラップを、前記処理室から排気を行う排
気経路に設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223060A JP2668020B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223060A JP2668020B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271513A JPH0271513A (ja) | 1990-03-12 |
| JP2668020B2 true JP2668020B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16792204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63223060A Expired - Fee Related JP2668020B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668020B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5431168A (en) * | 1993-08-23 | 1995-07-11 | Cordis-Webster, Inc. | Steerable open-lumen catheter |
| JP2006314864A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 排気トラップ装置 |
| JP2011067721A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | トラップ装置および処理装置 |
| CN104480451B (zh) * | 2014-12-12 | 2017-01-18 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种大面积生长石墨烯的装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2668019B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1997-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63223060A patent/JP2668020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0271513A (ja) | 1990-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |