JP2666786B2 - リードレス混成集積回路および回路結線方法 - Google Patents

リードレス混成集積回路および回路結線方法

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JP2666786B2 JP7258932A JP25893295A JP2666786B2 JP 2666786 B2 JP2666786 B2 JP 2666786B2 JP 7258932 A JP7258932 A JP 7258932A JP 25893295 A JP25893295 A JP 25893295A JP 2666786 B2 JP2666786 B2 JP 2666786B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はMCM(Multi
Chip Module)等の複数の半導体チップを
搭載し相互に結線した混成集積回路に関し、特に素子の
試験を容易にするための外部電極を具備するリードレス
混成集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来複数の半導体チップが搭載され基板
上で相互に結線されるリードレス混成集積回路の半導体
チップの機能テストは、混成集積回路の外部端子より条
件設定をして測定可能な一部の項目のみに限定されてお
り、そのため不良検出率が大幅に低下せざるを得なかっ
た。また、実使用に即した機能テストを実行する場合に
おいては、自動化が困難であるため一般的に人手に頼る
ことが多く、コストアップと同時に検査漏れによる不良
品流出の原因となる危険性を有していた。
【0003】これらの問題点を解決する手段として本来
は内部で結線されるべき回路であっても、試験に必要な
端子は一旦外部電極に引き出して試験を可能とし、ユー
ザーサイドでマザーボード上の搭載パターンによって電
極間を接続し必要な結線を形成することが行なわれてい
た。
【0004】また、特開昭58−128754号公報で
開示されされているように、各半導体チップ間の相互結
線は混成集積回路内部で行なわず、搭載する側の基板で
行なうことも提案されている。図3は特開昭58−12
8754号公報で開示された混成集積回路の断面図であ
る。図中符号51は基板、52a、52bは基板51に
搭載された半導体チップ、53a、53bは接続用の金
属線、54は基板51の蓋、55は蓋54を接着するた
めのガラスはんだ、56は半導体チップ52a、52b
を搭載する金属層、57は絶縁体板、58は電極接続用
金属層、59a、59b、59c、59dは基板51の
外部取り出し電極、60ははんだ、61は受動素子搭載
用基板、62a、62bは受動素子搭載用基板61の導
体配線、63a、63b、63c、63dは受動素子搭
載用基板61の外部取り出し用電極である。
【0005】半導体チップ搭載用基板51は、積層した
絶縁体板57と、表面に半導体チップ52a、52bを
搭載する金属層56と、これと間隔をおいて設けられる
電極接続用金属層58とで構成される。電極接続用金属
層58のそれぞれには、基板の裏面に形成された外部取
り出し電極59a、59b、59c、59dの他端が絶
縁体板57を貫通して接続され、金属層56上に半導体
チップ52a、52bを搭載し、金属線53a、53b
で半導体チップ52a、52bの電極と電極接続用金属
層56とを接続し、基板51と蓋54とをガラスはんだ
55で気密封止する。
【0006】内蔵される個々の半導体チップ52a、5
2bを外部取り出し電極59a、59b、59c、59
dを介して個々に特性検査をした後、表面に外部取り出
し用電極63a、63b、63c、63d、内部にそれ
らを接続する配線導体62a、62bを有する受動素子
搭載用基板61に搭載し、対応する外部取り出し用電極
63a、63b、63c、63dと外部取り出し電極5
9a、59b、59c、59dをはんだ60で接着する
ことにより回路が構成され配線接続される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の、試験に必
要な端子を一旦外部電極に引き出して試験可能とし、ユ
ーザーサイドでマザーボード上の搭載パターンによって
電極間を接続し必要な結線を形成する方法では、リード
レス混成集積回路の端面に設けられる端面電極の数が増
加し、そのために集積回路自体が大型化する。一方ユー
ザーサイドでは、本来個々の半導体チップの試験にのみ
必要でユーザーとしては不必要な電極に対応する接続電
極を設ける必要が生じ、さらに本来は不必要な配線の手
間が増加するものである。
【0008】また、上述の半導体チップ間の相互接続
が、受動素子搭載用基板に形成した接続電極、配線層お
よび導電性接着剤により実現される方法では、以下のよ
うな問題がある。
【0009】1)複数の半導体チップを内蔵するモヂュ
ールまたはハイブリッドICとしてユーザーに提供され
る場合は、ユーザー側が本来必要のない接続電極および
配線層を受動用素子搭載用基板に形成する必要がある。
【0010】2)電圧印加スクリーニングを実施する場
合には、モヂュールの外部取り出し電極に合わせた専用
のソケットを準備する必要があり、初期コストが発生す
る。 3)1本の外部結線を設けるためには、それぞれの基板
に2個づつの接続電極と受動素子搭載用基板に1本の導
体配線とを設ける必要があり、外部接続が増えるに従っ
てユーザー側での基板の設計上の制約が大きくなり、結
果としてユーザー側の基板の大型化をもたらすおそれが
ある。
【0011】本発明の目的は、内蔵する半導体素子の試
験のための電極が、基板を大型化することなく外部に設
けられたリードレス混成集積回路と、試験のため分断さ
れた内部結線を容易に再結線する回路結線方法とを提供
することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明のリードレス混成
集積回路は、複数の半導体チップが基板上に実装され、
側面と裏面に外部接続用の複数の端面電極と該端面電極
に連結する裏面電極とを有するリードレス混成集積回路
において、半導体チップ間の内部結線が分断されて、そ
れぞれが半導体チップの電極に接続する複数の回路を形
成し、分断された1組の内部結線に対応して裏面電極の
1個が、複数の回路数に対応して微小間隙によって分割
されて複数の分割裏面電極を形成し、半導体チップの電
極に接続する複数の回路が、分割裏面電極のそれぞれ
に、基板に形成されたスルーホールおよび端面電極を介
して接続されている。
【0013】また、1個の裏面電極から分割された複数
の分割裏面電極と分割のための微小間隙は、接続される
半導体チップの機能試験の際には相互の分割裏面電極間
が絶縁状態に維持され、該リードレス混成集積回路をマ
ザーボードに搭載の際には該マザーボードの分割裏面電
極と対応する位置に形成された搭載ランドおよび分割裏
面電極と搭載ランドとの間に配置されたはんだによって
全体が相互に容易に短絡するように形成されていてもよ
く、分割裏面電極のそれぞれにはバンプが形成されてい
てもよい。
【0014】本発明の回路結線方法は、本発明のリード
レス混成集積回路の分割裏面電極のそれぞれに接続され
ている、分断された内部結線の複数の回路を再結線する
ための回路結線方法であって、リードレス混成集積回路
が搭載されるマザーボードの、分割裏面電極と対応する
位置に形成された搭載ランドに、分割裏面電極を対向さ
せて載置し、分割裏面電極と搭載ランドとの間に配置さ
れたはんだによって全体を相互に短絡させる。
【0015】本発明のリードレス混成集積回路では、分
断されて複数の回路を形成した半導体チップ間の内部結
線が、1個の裏面電極が回路数に対応して微小間隙によ
って分割されて形成された複数の分割裏面電極に接続さ
れているので、1組の内部結線に対して1個の端面電極
とそれに連結する裏面電極が必要となるだけであり、集
積回路の大型化を防げる。
【0016】また、分断された1組の内部結線が通常の
裏面電極が分割された分離裏面電極に接続されているの
で、リードレス混成集積回路が搭載されるマザーボード
の、分割裏面電極と対応する位置に搭載ランドを形成
し、はんだ印刷塗布を行ない、分割裏面電極を対向させ
て載置し、リフローはんだ付け工程を通過させることに
よって、他の外部接続電極と同様な作業で分割裏面電極
の全体を容易に相互に短絡させ内部結線を再結線させる
ことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施
の形態のリードレス混成集積回路の構造の説明図であ
り、図1(a)は、リードレス混成集積回路の部分断面
図であり、図1(b)は、リードレス混成集積回路の部
分下面図である。図中符号11はガラスエポキシ配線基
板、12a、12bはガラスエポキシ配線基板11に搭
載された半導体チップ、13a、13bは接続用の金
線、14は封止用のプリコート樹脂、15はガラスエポ
キシ配線基板11に設けられたスルーホール、16は金
線13bで半導体チップ12aと接続される端面電極、
16a、17aは端面電極16と連結してガラスエポキ
シ配線基板11の裏面に設けられた裏面電極、17bは
裏面電極17aに近接して設けられスルーホール15と
接続する裏面電極、18は端面電極17aと端面電極1
7bを接続するための搭載ランド、19は端面電極17
a、17bと搭載ランド18を接続するためのはんだ、
21は搭載ランド18が搭載されるマザーボード、22
は絶縁用のソルダレジストである。
【0018】ガラスエポキシ配線基板11上に半導体チ
ップ12a、12bが搭載された後、半導体チップ12
a、12bの電極が金線13a、13bでガラスエポキ
シ配線基板11上の所定の接続用金属層に回路接続さ
れ、プリコート樹脂14によって封止される。ガラスエ
ポキシ配線基板11の端面と端面に連続する裏面には、
半導体チップの電極と金線で接続された接続用金属層と
接続する端面電極16と端面電極16に連結する裏面電
極16a、17aが配設されている。
【0019】裏面電極16aは通常の外部接続用電極で
あり、裏面電極17a、裏面電極17bは一つの通常の
裏面電極が2つに分割された分割裏面電極の形態で、本
実施の形態では70μmの間隙を保って相互に近接して
配置され、裏面電極17bには半導体チップ12aの電
極が金線13a、接続用金属層、スルーホール15を経
由して接続されている。裏面電極17aと裏面電極17
bとに接続する半導体チップ12aの電極と半導体チッ
プ12bの電極は本来は混成集積回路の内部で結線され
るべき回路である。この状態で裏面電極17aや17b
を介して個々の半導体チップの機能試験が可能である。
【0020】ユーザー側の実使用時には裏面電極17a
と裏面電極17bとを接続して使用する。即ち、ユーザ
ー側での部品搭載工程においてマザーボード21の裏面
電極17aと裏面電極17bの接触部分に搭載ランド1
8を配設し、はんだ19で接続する。この場合裏面電極
17aと裏面電極17bの集合は通常の裏面電極と共通
の外周形状や配置条件で配置されているので、ユーザー
側はマザーボード21に特別の設計上の配慮をする必要
がなく、搭載ランド18も従来の通常の裏面電極16a
用の設計がそのまま利用でき、マザーボード21上に他
の実装部品と同時に接続される。
【0021】本発明の実施の形態における裏面電極の図
示の分割形状は、一例を示すものであり、はんだにより
容易に接続される間隙により分割されている形状であれ
ば他の形状でもよい。
【0022】次に、本発明の第2の実施の形態を図面を
参照して説明する。図2は本発明の第2の実施の形態の
リードレス混成集積回路の構造の説明図であり、図2
(a)は、リードレス混成集積回路の部分断面図であ
り、図2(b)は、リードレス混成集積回路の部分下面
図である。図中符号31はガラスエポキシ配線基板、3
2a、32bはガラスエポキシ配線基板31に搭載され
た半導体チップ、33a、33b、33cは金線、34
は封止用のプリコート樹脂、35a、35bはガラスエ
ポキシ配線基板31に設けられたスルーホール、36は
半導体チップと金線33bで接続される端面電極、36
a、37aは端面電極36と接続してガラスエポキシ配
線基板31の裏面に設けられた裏面電極、37bは裏面
電極37aに近接して設けられスルーホール35aと接
続する裏面電極、37cは裏面電極37bに近接して設
けられスルーホール35bと接続する裏面電極、38は
端面電極37a、端面電極37bおよび裏面電極37c
を接続するための搭載ランド、39は端面電極37a、
37bおよび37cと搭載ランド38とを接続するため
のはんだ、40は裏面電極36aに設けられたバンプ、
40a、40b、40cは裏面電極37a、37b、3
7cに設けられたバンプ、41は搭載ランド38が搭載
されるマザーボード、42は絶縁用のソルダレジストで
ある。
【0023】ガラスエポキシ配線基板31上に半導体チ
ップ32a、32bが搭載された後、半導体チップ32
a、32bの電極が金線33a、33b、33cでガラ
スエポキシ配線基板31上の所定の接続用金属層に回路
接続され、プリコート樹脂34によって封止される。ガ
ラスエポキシ配線基板31の端面と端面に連続する裏面
には、半導体チップの電極と金線で接続された接続用金
属層と接続する端面電極36と端面電極36に連結する
裏面電極36a、37aが配設されている。
【0024】裏面電極36aは通常の外部接続用電極で
あり、裏面電極37a、裏面電極37bおよび裏面電極
37cは一つの通常の裏面電極が3つに分割された分割
裏面電極の形態で、相互に近接して配置され、裏面電極
37bには半導体チップ32aの1つの電極が金線33
a、接続用金属層、スルーホール35aを経由して接続
されており、裏面電極37cには半導体チップ32aの
他の電極が金線33b、接続用金属層、スルーホール3
5bを経由して接続されている。裏面電極36a、37
a、37bおよび37cにはバンプ40、40a、40
b、40cが形成されている。
【0025】裏面電極37aと接続する半導体チップ3
2bの電極と、裏面電極37bと裏面電極37cに接続
する半導体チップ32aの電極とは本来は混成集積回路
の内部で結線されるべき回路である。この状態で裏面電
極37a、37bや37cを介して個々の半導体チップ
の機能試験が可能である。
【0026】ユーザー側の実使用時には裏面電極37
a、裏面電極37bおよび裏面電極37cを接続して使
用する。即ち、ユーザー側での部品搭載工程においてマ
ザーボード41の裏面電極37a、裏面電極37bおよ
び裏面電極37cの接触部分に搭載ランド38を配設
し、はんだ39で接続する。この実施の形態においては
バンプ40a、40b、および40cへのはんだの這い
上がりが生ずるので3分割以上に分割された場合におい
ても確実な接続が可能になる。
【0027】この場合裏面電極37a、裏面電極37b
および裏面電極37cの集合は通常の裏面電極と共通の
外周形状や配置条件で配置されているのでユーザー側は
マザーボード41に特別の設計上の配慮をする必要がな
く、搭載ランド38も従来の通常の裏面電極36a用の
設計がそのまま利用でき、マザーボード41上に他の実
装部品と同時に接続される。
【0028】本実施の形態では、3分割の例について説
明したが、ファインパターン化により更に多くの分割が
可能であり、本実施例に例示したものに限定されるもの
ではない。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードレ
ス混成集積回路に搭載された複数の半導体チップの搭載
後の個別機能テストを可能とするために、本来は内部結
線されるべき回路を、通常の裏面電極を複数に分割して
設けた裏面電極のそれぞれに接続し、半導体チップの機
能テストは分割された個々の裏面電極を介して行ない、
実使用時には通常の裏面電極と同様にマザーボードに設
けた搭載ランドに共通に接続することによって回路形成
を行なう構造と方法となっているので、以下に示す効果
が得られる。
【0030】1)半導体チップの電極ごとに端面電極と
それに接続する裏面電極を設ける必要がなく、一組の内
部結線に対応して一つの端面電極でよいので、電極の増
大によるリードレス集積回路の大型化を防止できる。
【0031】2)ユーザー側でマザーボードの設計を行
なう場合に、特別の配線層や専用電極を設ける必要がな
いので、ユーザーインターフェースが簡略化される。
【0032】3)電圧印加スクリーニングを行なう場合
に、面接触タイプのコンタクト部を有する汎用のソケッ
トがそのまま流用できるので、新規に治工具を開発する
ためのコストを低減できる。
【0033】4)従来技術の半導体チップ間の相互接続
が、受動素子搭載用基板に形成した接続電極、配線層お
よび導電性接着剤により実現される方法では、一つの内
部結線回路に対して、4個の電極と1つの配線が必要で
あったが、微小間隙で必要な数に分割した通常の裏面電
極が1個でよいので、接続信頼性が向上し、ユーザー側
でのマザーボード設計時の配線制約を受けることがな
く、それによりマザーボードも小型化される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態のリードレス混成集
積回路の構造の説明図である。(a)は、リードレス混
成集積回路の部分断面図である。(b)は、リードレス
混成集積回路の部分下面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態のリードレス混成集
積回路の構造の説明図である。(a)は、リードレス混
成集積回路の部分断面図である。(b)は、リードレス
混成集積回路の部分下面図である。
【図3】特開昭58−128754公報で開示された混
成集積回路の断面図である。
【符号の説明】
11、31 ガラスエポキシ配線基板 12a、12b、32a、32b 半導体チップ 13a、13b、33a、33b、33c 金線 14、34 プリコート樹脂 15、35a、35b スルーホール 16、36 端面電極 16a、17a、36a、37a 端面電極と連結し
た裏面電極 17b、37b、37c スルーホールと接続した裏
面電極 18、38 搭載ランド 19、39 はんだ 21、41 マザーボード 22、42 ソルダレジスト 40、40a、40b、40c バンプ 51 基板 52a、52b 半導体チップ 53a、53b 金属線 54 蓋 55 ガラスはんだ 56 金属層 57 絶縁体板 58 電極接続用金属層 59a、59b、59c、59d 外部取り出し電極 60 はんだ 61 受動素子搭載用基板 62a、62b 導体配線 63a、63b、63c、63d 外部取り出し用電

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の半導体チップが基板上に実装さ
    れ、側面と裏面に外部接続用の複数の端面電極と該端面
    電極に連結する裏面電極とを有するリードレス混成集積
    回路において、 前記半導体チップ間の内部結線が分断されて、それぞれ
    が前記半導体チップの電極に接続する複数の回路を形成
    し、 分断された1組の前記内部結線に対応して、前記裏面電
    極の1個が、前記複数の回路数に対応して微小間隙によ
    って分割されて複数の分割裏面電極を形成し、前記半導
    体チップの電極に接続する複数の前記回路が、前記分割
    裏面電極のそれぞれに、前記基板に形成されたスルーホ
    ールおよび前記端面電極を介して接続されていることを
    特徴とするリードレス混成集積回路。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のリードレス混成集積回
    路において、 1個の裏面電極から分割された前記複数の分割裏面電極
    と分割のための前記微小間隙は、接続される前記半導体
    チップの機能試験の際には相互の分割裏面電極間が絶縁
    状態に維持され、該リードレス混成集積回路をマザーボ
    ードに搭載の際には該マザーボードの前記分割裏面電極
    と対応する位置に形成された搭載ランドおよび前記分割
    裏面電極と前記搭載ランドとの間に配置されたはんだに
    よって全体が相互に容易に短絡するように形成されてい
    ることを特徴とするリードレス混成集積回路。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のリード
    レス混成集積回路において、 前記分割裏面電極のそれぞれにはバンプが形成されてい
    ることを特徴とするリードレス混成集積回路。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれか1項に
    記載のリードレス混成集積回路の前記分割裏面電極のそ
    れぞれに接続されている、分断された前記内部結線の複
    数の回路を再結線するための回路結線方法であって、 前記リードレス混成集積回路が搭載されるマザーボード
    の、前記分割裏面電極と対応する位置に形成された搭載
    ランドに、前記分割裏面電極を対向させて載置し、前記
    分割裏面電極と前記搭載ランドとの間に配置されたはん
    だによって全体を相互に短絡させることを特徴とする回
    路結線方法。
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