JP2666668B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
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- Nanotechnology (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
を読み取る為の磁気ヘッドに関し、特に、磁気抵抗（以
下ＭＲと称す）効果により情報を読み取る磁気ヘッドに
関する。
を読み取る為の磁気ヘッドに関し、特に、磁気抵抗（以
下ＭＲと称す）効果により情報を読み取る磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体からの情報を高い感度で読
み取ることのできる磁気抵抗（ＭＲ）効果を用いた磁気
ヘッドは、ＭＲ素子にバルクハウゼン雑音が生じること
により実用性が制限されている。この雑音は、ＭＲ素子
中の磁気抵抗効果を生じる部分（ＭＲ層）に複数の磁区
が生じ、ランダムな変化をすることによる。
み取ることのできる磁気抵抗（ＭＲ）効果を用いた磁気
ヘッドは、ＭＲ素子にバルクハウゼン雑音が生じること
により実用性が制限されている。この雑音は、ＭＲ素子
中の磁気抵抗効果を生じる部分（ＭＲ層）に複数の磁区
が生じ、ランダムな変化をすることによる。
【０００３】この問題の解決策は米国特許番号４６６３
６８５の“Magnetoresistive HeadTransducer Having P
atterned Longitudinal Bias ”に記載されている。こ
れはＭＲ層の端部領域のみに反強磁性膜による一方向交
換結合バイアス磁界を発生させ、これによってＭＲ層の
端部領域を単磁区化し、この単磁区状態によって読取り
を行う中央領域での単磁区状態を誘導する。磁区発生が
抑制されるために、バルクハウゼン雑音は消滅する。
６８５の“Magnetoresistive HeadTransducer Having P
atterned Longitudinal Bias ”に記載されている。こ
れはＭＲ層の端部領域のみに反強磁性膜による一方向交
換結合バイアス磁界を発生させ、これによってＭＲ層の
端部領域を単磁区化し、この単磁区状態によって読取り
を行う中央領域での単磁区状態を誘導する。磁区発生が
抑制されるために、バルクハウゼン雑音は消滅する。
【０００４】この従来例では、反強磁性膜としてFeMn合
金膜を使用している。ＭＲ層の単磁区化に対して適当な
FeMn合金膜としては、米国特許４１０３３１５や４７８
２４１３や５０１４１４７などに記載されている。これ
らはFeMn膜の組成、膜厚、結晶相について規定してい
る。しかし、平均結晶粒径については規定していない。
尚、この結晶粒径が厳密に全く均一ということは実際に
は不可能なので、ここでは、Ｘ線回折から求めることが
できる結晶粒径として、平均的な結晶粒径、すなわち、
平均結晶粒径とする。
金膜を使用している。ＭＲ層の単磁区化に対して適当な
FeMn合金膜としては、米国特許４１０３３１５や４７８
２４１３や５０１４１４７などに記載されている。これ
らはFeMn膜の組成、膜厚、結晶相について規定してい
る。しかし、平均結晶粒径については規定していない。
尚、この結晶粒径が厳密に全く均一ということは実際に
は不可能なので、ここでは、Ｘ線回折から求めることが
できる結晶粒径として、平均的な結晶粒径、すなわち、
平均結晶粒径とする。
【０００５】次に、従来のＭＲヘッドについて図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００６】図８はＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の
構造を示す断面図、図８（ａ），図８（ｂ）はＭＲヘッ
ドに用いられるＭＲ素子の構造の各例を示す断面図、図
９はＭＲヘッドの構造を示す断面図、図１０は従来例の
ＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の構造を示す断面図、
図１１は従来例のＭＲヘッドの構造を示す断面図であ
る。
構造を示す断面図、図８（ａ），図８（ｂ）はＭＲヘッ
ドに用いられるＭＲ素子の構造の各例を示す断面図、図
９はＭＲヘッドの構造を示す断面図、図１０は従来例の
ＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の構造を示す断面図、
図１１は従来例のＭＲヘッドの構造を示す断面図であ
る。
【０００７】従来例のＭＲヘッドは、一例として図８
（ａ）に示す軟磁性膜２１，非磁性膜２２，ＭＲ膜２
３，反強磁性膜２４の積層構造からなるＭＲ素子のＭＲ
膜２３をNiFe膜３３，反強磁性膜２４をFeMn膜３４と
し、図１０に示す従来のＭＲ素子を作製し、図９に示
すＭＲヘッドに適用している。その従来例のＭＲヘッド
の一例を図１１に示す。
（ａ）に示す軟磁性膜２１，非磁性膜２２，ＭＲ膜２
３，反強磁性膜２４の積層構造からなるＭＲ素子のＭＲ
膜２３をNiFe膜３３，反強磁性膜２４をFeMn膜３４と
し、図１０に示す従来のＭＲ素子を作製し、図９に示
すＭＲヘッドに適用している。その従来例のＭＲヘッド
の一例を図１１に示す。
【０００８】また、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）において、読取り時のノイズを低減するために施さ
れる中央領域を単磁区化するための方法は、特開昭６２
−４０６１０号公報に開示さいれている。この方法は、
ＭＲ膜にFeMnなどの反強磁性体膜を積層することによっ
て両膜の界面に発生する交換結合による一方向性の磁界
によって、中央領域にバイアス磁界を印加しこれを単磁
区化する、というものである。
ド）において、読取り時のノイズを低減するために施さ
れる中央領域を単磁区化するための方法は、特開昭６２
−４０６１０号公報に開示さいれている。この方法は、
ＭＲ膜にFeMnなどの反強磁性体膜を積層することによっ
て両膜の界面に発生する交換結合による一方向性の磁界
によって、中央領域にバイアス磁界を印加しこれを単磁
区化する、というものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲヘ
ッドでは、図８（ａ）に示すＭＲ膜２３をNiFe膜３３、
反強磁性膜２４をFeMn膜３４とした場合、交換結合バイ
アス磁界（Ｈb ）が250℃程度の熱処理により大幅に減
少するという問題が生じている。また、ＭＲヘッドの製
造工程においては250 ℃程度の加熱工程（熱処理）が存
在するため、この工程によるＨb の大幅な減少は、ＭＲ
膜の単磁区化を不安定にする。よって、バルクハウゼン
雑音発生をもたらす。
ッドでは、図８（ａ）に示すＭＲ膜２３をNiFe膜３３、
反強磁性膜２４をFeMn膜３４とした場合、交換結合バイ
アス磁界（Ｈb ）が250℃程度の熱処理により大幅に減
少するという問題が生じている。また、ＭＲヘッドの製
造工程においては250 ℃程度の加熱工程（熱処理）が存
在するため、この工程によるＨb の大幅な減少は、ＭＲ
膜の単磁区化を不安定にする。よって、バルクハウゼン
雑音発生をもたらす。
【００１０】また、公知の特開昭６２−４０６１０号公
報のものに対して、我々が検討した結果、FeMn系の材料
を用いる場合、FeMn系膜を制御することなしにＭＲ膜を
積層すると、特に、ＭＲヘッドの製造において膜の歪を
除去しヘッドの効率を高めるために必要な熱処理（アニ
ール，ａｎｎｅａｌ）を施すと、上記の交換結合磁界が
大幅に減少し、単磁区化出来なくなることが明らかとな
った。すなわち、特開昭６２−４０６１０号公報の方法
を用いても、読み取り時のノイズを低減することが出来
ない場合が多発することが判明した。そこで、さらなる
検討の結果、FeMn系の材料を用いる場合、上記交換結合
磁界はFeMn系膜の結晶粒径と密接に関連しており、熱処
理しても大きい交換結合磁界が得られるるためには、Fe
Mn系膜の結晶粒径が20nm以下であることが明らかとなっ
た。すなわち、FeMn系の薄膜を用いてＭＲヘッドのノイ
ズを低減するためには、その結晶粒径が20nm以下でなけ
ればならない。
報のものに対して、我々が検討した結果、FeMn系の材料
を用いる場合、FeMn系膜を制御することなしにＭＲ膜を
積層すると、特に、ＭＲヘッドの製造において膜の歪を
除去しヘッドの効率を高めるために必要な熱処理（アニ
ール，ａｎｎｅａｌ）を施すと、上記の交換結合磁界が
大幅に減少し、単磁区化出来なくなることが明らかとな
った。すなわち、特開昭６２−４０６１０号公報の方法
を用いても、読み取り時のノイズを低減することが出来
ない場合が多発することが判明した。そこで、さらなる
検討の結果、FeMn系の材料を用いる場合、上記交換結合
磁界はFeMn系膜の結晶粒径と密接に関連しており、熱処
理しても大きい交換結合磁界が得られるるためには、Fe
Mn系膜の結晶粒径が20nm以下であることが明らかとなっ
た。すなわち、FeMn系の薄膜を用いてＭＲヘッドのノイ
ズを低減するためには、その結晶粒径が20nm以下でなけ
ればならない。
【００１１】この熱処理を介した交換結合磁界と結晶粒
径との関係は、従来は全く考えられていなかった概念で
あり、さらに、その相互間系は非常大きいことが判明し
た。そして、この交換結合磁界を安定化するために結晶
粒径を規定する本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ
ヘッドの特性の安定化，製造歩留まりの向上といった、
実質上、多大な利益をもたらす。
径との関係は、従来は全く考えられていなかった概念で
あり、さらに、その相互間系は非常大きいことが判明し
た。そして、この交換結合磁界を安定化するために結晶
粒径を規定する本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ
ヘッドの特性の安定化，製造歩留まりの向上といった、
実質上、多大な利益をもたらす。
【００１２】尚、熱処理とは、ＭＲヘッドの製造におい
て、ヘッドの効率を向上させるために施す工程で、一般
に薄膜を用いた磁気ヘッドの製造工程で用いられる工程
であり、アニール（ａｎｎｅａｌ）とも称する。
て、ヘッドの効率を向上させるために施す工程で、一般
に薄膜を用いた磁気ヘッドの製造工程で用いられる工程
であり、アニール（ａｎｎｅａｌ）とも称する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】(1) 本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドは、軟磁性膜と非磁性膜と磁気抵抗性膜と反
強磁性膜とからなり、基板上に軟磁性膜，非磁性膜，磁
気抵抗性膜，反強磁性膜の順に積層され、反強磁性膜が
素子の端部に存在するようにパタン化された磁気抵抗効
果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁
性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径が20nm
以下であることを特徴としている。 (2) 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗性膜と
非磁性膜と軟磁性膜と反強磁性膜とからなり、基板上に
磁気抵抗性膜，非磁性膜，軟磁性膜，反強磁性膜の順に
積層され、非磁性膜が素子の中央に、反強磁性膜が素子
の端部に存在するようにおのおのパタン化された磁気抵
抗効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前
記反強磁性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒
径が20nm以下であることを特徴としている。 (3) 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、上記(1) ，(2)
の反強磁性膜が、FeMn合金にTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，
Ru，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なく
とも一種類の元素を添加した合金であることを特徴とし
ている。
果型ヘッドは、軟磁性膜と非磁性膜と磁気抵抗性膜と反
強磁性膜とからなり、基板上に軟磁性膜，非磁性膜，磁
気抵抗性膜，反強磁性膜の順に積層され、反強磁性膜が
素子の端部に存在するようにパタン化された磁気抵抗効
果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁
性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径が20nm
以下であることを特徴としている。 (2) 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗性膜と
非磁性膜と軟磁性膜と反強磁性膜とからなり、基板上に
磁気抵抗性膜，非磁性膜，軟磁性膜，反強磁性膜の順に
積層され、非磁性膜が素子の中央に、反強磁性膜が素子
の端部に存在するようにおのおのパタン化された磁気抵
抗効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前
記反強磁性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒
径が20nm以下であることを特徴としている。 (3) 本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、上記(1) ，(2)
の反強磁性膜が、FeMn合金にTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，
Ru，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なく
とも一種類の元素を添加した合金であることを特徴とし
ている。
【００１４】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、反強磁性膜
がFeMn合金、或は、FeMnにTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，R
u，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なく
とも一種類の元素を添加した合金であり、かつ、FeMn合
金、或は、FeMnにTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，H
f，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なくとも一種
類の元素を添加した合金の平均結晶粒径が20nm以下とな
っており、FeMn膜をNiFe膜上に形成する場合、FeMn膜は
NiFe膜にエピタキシャル成長するため、FeMn膜の結晶粒
を小さくするためにはNiFe膜の結晶粒を小さくする必要
がある。NiFe膜の結晶粒を小さくするためには、NiFe膜
が成長を開始する面をアモルファス構造とし、NiFe膜が
エピタキシャル成長しないようにすることが必要であ
る。即ち、図８（ａ）に示す構造のＭＲ素子において
は、非磁性膜の表面をアモルファス構造とする。また、
図８（ｂ）に示す構造のＭＲ素子においては、非磁性膜
の表面をアモルファスとするとともに、ＭＲ膜であるNi
Fe膜の成長を開始する面（ＭＲ素子の下地表面）をもア
モルファスとする。また、図８（ｂ）のとき軟磁性膜と
してはNiFeM 膜（M としては、Rh，Zr，Nb，Hf，Ta，Mo
の元素から選択される少なくとも一種類の元素）とす
る。図８（ａ）では軟磁性膜としてはCo系アモルファス
膜，NiFeM 膜などでよい。
がFeMn合金、或は、FeMnにTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，R
u，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なく
とも一種類の元素を添加した合金であり、かつ、FeMn合
金、或は、FeMnにTi，Cr，Ni，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，H
f，Ta，W ，Re，Osの内から選択される少なくとも一種
類の元素を添加した合金の平均結晶粒径が20nm以下とな
っており、FeMn膜をNiFe膜上に形成する場合、FeMn膜は
NiFe膜にエピタキシャル成長するため、FeMn膜の結晶粒
を小さくするためにはNiFe膜の結晶粒を小さくする必要
がある。NiFe膜の結晶粒を小さくするためには、NiFe膜
が成長を開始する面をアモルファス構造とし、NiFe膜が
エピタキシャル成長しないようにすることが必要であ
る。即ち、図８（ａ）に示す構造のＭＲ素子において
は、非磁性膜の表面をアモルファス構造とする。また、
図８（ｂ）に示す構造のＭＲ素子においては、非磁性膜
の表面をアモルファスとするとともに、ＭＲ膜であるNi
Fe膜の成長を開始する面（ＭＲ素子の下地表面）をもア
モルファスとする。また、図８（ｂ）のとき軟磁性膜と
してはNiFeM 膜（M としては、Rh，Zr，Nb，Hf，Ta，Mo
の元素から選択される少なくとも一種類の元素）とす
る。図８（ａ）では軟磁性膜としてはCo系アモルファス
膜，NiFeM 膜などでよい。
【００１５】以上の方法によって熱処理後のＨb の減少
を抑制することが出来る。
を抑制することが出来る。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１７】図１は本発明の第一の実施例のＭＲヘッド
に用いられるＭＲ素子の構造の一例を示す断面図、図２
はは本発明の第二の実施例のＭＲヘッドに用いられるＭ
Ｒ素子の構造の一例を示す断面図、図３は本発明の第三
の実施例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の構造の一
例を示す断面図、図４は本発明の第一から第三の実施例
のＭＲヘッドの構造を示す断面図、図５は本実施例のＭ
Ｒヘッドに用いられるＭＲ素子のFeMn膜の結晶粒径と交
換結合バイアス磁界の関係を示す図、図６は本実施例の
ＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子のＸ線回折パタンを示
す図、図６（ａ）は試料１のＭＲ素子のＸ線回折パタン
を示す図、図６（ｂ）は試料２のＭＲ素子のＸ線回折パ
タンを示す図、図６（ｃ）は試料３のＭＲ素子のＸ線回
折パタンを示す図、図６（ｄ）は試料４のＭＲ素子のＸ
線回折パタンを示す図、図７は本実施例のＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子のNiFe膜の結晶粒径とFeMn膜の結晶
粒径との関係を示す図である。
に用いられるＭＲ素子の構造の一例を示す断面図、図２
はは本発明の第二の実施例のＭＲヘッドに用いられるＭ
Ｒ素子の構造の一例を示す断面図、図３は本発明の第三
の実施例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の構造の一
例を示す断面図、図４は本発明の第一から第三の実施例
のＭＲヘッドの構造を示す断面図、図５は本実施例のＭ
Ｒヘッドに用いられるＭＲ素子のFeMn膜の結晶粒径と交
換結合バイアス磁界の関係を示す図、図６は本実施例の
ＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子のＸ線回折パタンを示
す図、図６（ａ）は試料１のＭＲ素子のＸ線回折パタン
を示す図、図６（ｂ）は試料２のＭＲ素子のＸ線回折パ
タンを示す図、図６（ｃ）は試料３のＭＲ素子のＸ線回
折パタンを示す図、図６（ｄ）は試料４のＭＲ素子のＸ
線回折パタンを示す図、図７は本実施例のＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子のNiFe膜の結晶粒径とFeMn膜の結晶
粒径との関係を示す図である。
【００１８】ここで、図８（ａ），図８（ｂ）に示すＭ
Ｒヘッドに用いられるＭＲ素子は、従来技術の項で説明
したように、軟磁性膜２１と、非磁性膜２２と、ＭＲ膜
２３と、反強磁性膜２４とから構成されている。
Ｒヘッドに用いられるＭＲ素子は、従来技術の項で説明
したように、軟磁性膜２１と、非磁性膜２２と、ＭＲ膜
２３と、反強磁性膜２４とから構成されている。
【００１９】まず、第一の実施例のＭＲヘッドについて
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２０】図１において、この実施例のＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がCoZr
Mo膜１ａ（以下、CoZrMo膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMn膜４ａ（以
下、FeMn膜と称す）で構成されている。
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がCoZr
Mo膜１ａ（以下、CoZrMo膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMn膜４ａ（以
下、FeMn膜と称す）で構成されている。
【００２１】ここで、軟磁性膜２１をCoZrMo膜、非磁性
膜２２をTa膜としたときの250 ℃での熱処理前後のＨb
およびFeMn膜の平均結晶粒径を表１に示す。表１には更
に、Ta/NiFe/FeMn三層膜、NiFe/FeMn 二層膜の場合につ
いても示した。ここで、CoZrMo膜の膜厚は40nm、Ta膜厚
は10nm、NiFe膜厚は30nm、FeMn膜厚は50nmである。CoZr
Mo/Ta/NiFe/FeMn 四層膜は四層を連続成膜したものと、
Ta成膜後に250 ℃の熱処理（アニール，ａｎｎｅａｌ）
を施した後にNiFe膜、FeMn膜を順次成膜したものとを作
製した。三層膜、二層膜はいずれも連続成膜した。
膜２２をTa膜としたときの250 ℃での熱処理前後のＨb
およびFeMn膜の平均結晶粒径を表１に示す。表１には更
に、Ta/NiFe/FeMn三層膜、NiFe/FeMn 二層膜の場合につ
いても示した。ここで、CoZrMo膜の膜厚は40nm、Ta膜厚
は10nm、NiFe膜厚は30nm、FeMn膜厚は50nmである。CoZr
Mo/Ta/NiFe/FeMn 四層膜は四層を連続成膜したものと、
Ta成膜後に250 ℃の熱処理（アニール，ａｎｎｅａｌ）
を施した後にNiFe膜、FeMn膜を順次成膜したものとを作
製した。三層膜、二層膜はいずれも連続成膜した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１より、CoZrMo/Ta/NiFe/FeMn 四層膜を
連続成膜した素子（試料１）では、熱処理によりＨb は
大幅に減少した。それに対して、Ta膜を成膜した後に熱
処理を施した素子（試料４）ではＨb の減少はみとめら
れなかった。また、Ta/NiFe/FeMn三層膜（試料２）では
四層膜を連続成膜した素子同様Ｈb が大幅に減少し、Ni
Fe/FeMn 二層膜（試料３）ではＨb の減少は認められな
かった。
連続成膜した素子（試料１）では、熱処理によりＨb は
大幅に減少した。それに対して、Ta膜を成膜した後に熱
処理を施した素子（試料４）ではＨb の減少はみとめら
れなかった。また、Ta/NiFe/FeMn三層膜（試料２）では
四層膜を連続成膜した素子同様Ｈb が大幅に減少し、Ni
Fe/FeMn 二層膜（試料３）ではＨb の減少は認められな
かった。
【００２４】このときのFeMn膜の平均結晶粒径は、熱処
理（アニール，ａｎｎｅａｌ）によってＨb が減少した
膜では20nm以上と大きく、Ｈb の減少のない膜では20nm
以下と小さかった。図５は熱処理前後のＨb のFeMn膜の
平均結晶粒径依存性を示す。熱処理前のＨb は結晶粒径
に依存せずに30Oe以上で一定である。それに対し、熱処
理後のＨb は粒径に依存し、粒径が20nm以下の素子では
Ｈb の減少は見られないが、20nm以上では大幅に減少す
る。交換換結合磁界が30Oe未満となるとヘッドノイズ
（バルクハウゼンノイズ）が増大するので、図５から、
交換結合磁界を熱処理後も30Oe以上とする結晶粒径は20
nm以下にする必要がある。
理（アニール，ａｎｎｅａｌ）によってＨb が減少した
膜では20nm以上と大きく、Ｈb の減少のない膜では20nm
以下と小さかった。図５は熱処理前後のＨb のFeMn膜の
平均結晶粒径依存性を示す。熱処理前のＨb は結晶粒径
に依存せずに30Oe以上で一定である。それに対し、熱処
理後のＨb は粒径に依存し、粒径が20nm以下の素子では
Ｈb の減少は見られないが、20nm以上では大幅に減少す
る。交換換結合磁界が30Oe未満となるとヘッドノイズ
（バルクハウゼンノイズ）が増大するので、図５から、
交換結合磁界を熱処理後も30Oe以上とする結晶粒径は20
nm以下にする必要がある。
【００２５】図６（ａ）〜図６（ｄ）に表１の試料１，
２，３，４の熱処理後のＸ線回折パタンを示す。熱処理
後のＨb の減少が顕著であった試料１，２ではNiFe膜と
FeMn膜からの回折強度が非常に強く、結晶粒も大きい。
それに対してＨb の減少がない３，４の試料では回折強
度が弱く、結晶粒は試料１，２に比べて小さい。熱処理
に対して安定なＨb を得るためには、FeMn膜においては
試料３，４の結晶性が求められる。
２，３，４の熱処理後のＸ線回折パタンを示す。熱処理
後のＨb の減少が顕著であった試料１，２ではNiFe膜と
FeMn膜からの回折強度が非常に強く、結晶粒も大きい。
それに対してＨb の減少がない３，４の試料では回折強
度が弱く、結晶粒は試料１，２に比べて小さい。熱処理
に対して安定なＨb を得るためには、FeMn膜においては
試料３，４の結晶性が求められる。
【００２６】図６のＸ線回折パタンから分かるように、
FeMn膜はNiFe膜上にエピタキシャル成長する。よって、
FeMn膜の結晶粒を小さくするためにはFeMn膜が成長する
下地であるNiFe膜の結晶粒を小さくする必要がある。Ni
Fe膜の結晶粒を小さくするためには、NiFe膜がエピタキ
シャル成長しないようにすることが必要である。CoZrMo
/Ta/NiFe/FeMn 四層連続膜、Ta/NiFe/FeMn三層連続膜で
図６に示したようにNiFe膜の結晶性が良好となったの
は、NiFe膜がTa膜上にエピタキシャル成長したためであ
ることが、断面の透過型電子顕微鏡写真によって確認さ
れている。それに対し、CoZrMo/Ta/NiFe/FeMn 四層膜で
もTa成膜後に熱処理を施した膜では、Ta表面にアモルフ
ァス構造の酸化物層が形成されたことによって、NiFe膜
がTa膜上にエピタキシャル成長出来なかったために結晶
粒の小さい膜となった。また、NiFe/FeMn 膜でもNiFe膜
が直接基板上にはエピタキシャル成長出来ないために、
結晶粒の小さい膜となった。
FeMn膜はNiFe膜上にエピタキシャル成長する。よって、
FeMn膜の結晶粒を小さくするためにはFeMn膜が成長する
下地であるNiFe膜の結晶粒を小さくする必要がある。Ni
Fe膜の結晶粒を小さくするためには、NiFe膜がエピタキ
シャル成長しないようにすることが必要である。CoZrMo
/Ta/NiFe/FeMn 四層連続膜、Ta/NiFe/FeMn三層連続膜で
図６に示したようにNiFe膜の結晶性が良好となったの
は、NiFe膜がTa膜上にエピタキシャル成長したためであ
ることが、断面の透過型電子顕微鏡写真によって確認さ
れている。それに対し、CoZrMo/Ta/NiFe/FeMn 四層膜で
もTa成膜後に熱処理を施した膜では、Ta表面にアモルフ
ァス構造の酸化物層が形成されたことによって、NiFe膜
がTa膜上にエピタキシャル成長出来なかったために結晶
粒の小さい膜となった。また、NiFe/FeMn 膜でもNiFe膜
が直接基板上にはエピタキシャル成長出来ないために、
結晶粒の小さい膜となった。
【００２７】図７にFeMn膜とNiFe膜の平均結晶粒径の関
係を示す。NiFe膜の結晶粒を小さくすることによってFe
Mn膜の結晶粒を細かくすることができることが明かであ
る。
係を示す。NiFe膜の結晶粒を小さくすることによってFe
Mn膜の結晶粒を細かくすることができることが明かであ
る。
【００２８】表１中の試料１および４のＭＲ素子を図
９に示す構造のＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲ
ヘッドを作製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基
板２５上に約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。
ＭＲ素子への不要な磁界の進入を阻止するためのシー
ルド膜はNiFe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm
、上シールド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアル
ミナ膜であり膜厚は0.1μm 、電極２９は金膜であり膜
厚は0.2 μm である。トラック幅は３μm とした。
９に示す構造のＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲ
ヘッドを作製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基
板２５上に約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。
ＭＲ素子への不要な磁界の進入を阻止するためのシー
ルド膜はNiFe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm
、上シールド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアル
ミナ膜であり膜厚は0.1μm 、電極２９は金膜であり膜
厚は0.2 μm である。トラック幅は３μm とした。
【００２９】保磁力1800Oeの薄膜媒体に通常の薄膜イン
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、表１中の試料１の
ＭＲ素子によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音
が観測された。それに対して試料４のＭＲ素子による
ＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好
な再生特性を示した。
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、表１中の試料１の
ＭＲ素子によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音
が観測された。それに対して試料４のＭＲ素子による
ＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好
な再生特性を示した。
【００３０】FeMn膜の結晶粒の微細化によるＨb 低減抑
制効果はＭＲヘッドのバルクハウゼン雑音の抑制に効果
的である。
制効果はＭＲヘッドのバルクハウゼン雑音の抑制に効果
的である。
【００３１】また、非磁性膜２２として、Ta膜以外のTi
膜やCr膜などの金属膜を用いた場合もTa膜と同様に、金
属膜成膜後に熱処理を施し金属膜表面にアモルファス構
造の酸化物層を形成することによって、FeMn膜の結晶粒
を微細化できる。また、金属膜の他に、アルミナ膜やシ
リカ膜などのアモルファス膜を用いた場合も同様の効果
が得られる。
膜やCr膜などの金属膜を用いた場合もTa膜と同様に、金
属膜成膜後に熱処理を施し金属膜表面にアモルファス構
造の酸化物層を形成することによって、FeMn膜の結晶粒
を微細化できる。また、金属膜の他に、アルミナ膜やシ
リカ膜などのアモルファス膜を用いた場合も同様の効果
が得られる。
【００３２】次に、第二の実施例のＭＲヘッドについて
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００３３】図２において、この実施例のＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がNiFe
Rh膜１ｂ（以下、NiFeRh膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMn膜４ａ（以
下、FeMn膜と称す）で構成されている。
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がNiFe
Rh膜１ｂ（以下、NiFeRh膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMn膜４ａ（以
下、FeMn膜と称す）で構成されている。
【００３４】ここで、軟磁性膜２１がNiFeRh膜、非磁性
膜２２がTa膜のときの、250 ℃での熱処理前後のＨb お
よびFeMn膜の平均結晶粒径を表２に示す。表２において
試料５のＭＲ素子はＭＲ膜２３であるNiFe膜の下地膜は
アルミナ膜であり、NiFe膜と接する面はアモルファスで
ある。一方、試料６の下地膜はTi膜でありNiFe膜と接す
る面は結晶である。試料５，６ともにNiFe膜厚は30nm、
Ta膜厚は20nm、NiFeRh膜厚は20nm、FeMn膜厚は50nmであ
る。下地膜表面がアモルファスである試料５ではFeMn膜
の結晶粒径が15nm前後と小さく、Ｈb の熱処理による変
化はほとんどない。それに対し、試料６ではFeMn膜の結
晶粒径が25nm前後と大きく、Ｈb の熱処理による減少が
著しい。
膜２２がTa膜のときの、250 ℃での熱処理前後のＨb お
よびFeMn膜の平均結晶粒径を表２に示す。表２において
試料５のＭＲ素子はＭＲ膜２３であるNiFe膜の下地膜は
アルミナ膜であり、NiFe膜と接する面はアモルファスで
ある。一方、試料６の下地膜はTi膜でありNiFe膜と接す
る面は結晶である。試料５，６ともにNiFe膜厚は30nm、
Ta膜厚は20nm、NiFeRh膜厚は20nm、FeMn膜厚は50nmであ
る。下地膜表面がアモルファスである試料５ではFeMn膜
の結晶粒径が15nm前後と小さく、Ｈb の熱処理による変
化はほとんどない。それに対し、試料６ではFeMn膜の結
晶粒径が25nm前後と大きく、Ｈb の熱処理による減少が
著しい。
【００３５】
【表２】
【００３６】試料５および試料６のＭＲ素子を図９に
示す構造のＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲヘッ
ドを作製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基板２
５上に約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。ＭＲ
素子への不要な磁界の進入を阻止するためのシールド
膜はNiFe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm 、上
シールド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアルミナ膜
であり膜厚は0.1 μm、電極２９は金膜であり膜厚は0.2
μm である。ただし、試料６のＭＲ素子の場合は絶
縁層のアルミナ膜の表面にTi層を50nm形成した。トラッ
ク幅は３μm とした。
示す構造のＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲヘッ
ドを作製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基板２
５上に約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。ＭＲ
素子への不要な磁界の進入を阻止するためのシールド
膜はNiFe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm 、上
シールド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアルミナ膜
であり膜厚は0.1 μm、電極２９は金膜であり膜厚は0.2
μm である。ただし、試料６のＭＲ素子の場合は絶
縁層のアルミナ膜の表面にTi層を50nm形成した。トラッ
ク幅は３μm とした。
【００３７】保磁力1800Oeの薄膜媒体に通常の薄膜イン
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、試料６のＭＲ素子
によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音が観測さ
れた。それに対して試料５のＭＲ素子によるＭＲ再生
信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好な再生特
性を示した。
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、試料６のＭＲ素子
によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音が観測さ
れた。それに対して試料５のＭＲ素子によるＭＲ再生
信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好な再生特
性を示した。
【００３８】続いて、第三の実施例のＭＲヘッドについ
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００３９】図３において、この実施例のＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がCoZr
Mo膜１ａ（以下、CoZrMo膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMnCr膜４ｂ
（以下、FeMnCr膜と称す）で構成されている。
用いられるＭＲ素子は、図８に示す軟磁性膜２１がCoZr
Mo膜１ａ（以下、CoZrMo膜と称す）、非磁性膜２２がTa
膜２（以下、Ta膜と称す）、ＭＲ膜２３がNiFe膜３（以
下、NiFe膜と称す）、反強磁性膜２４がFeMnCr膜４ｂ
（以下、FeMnCr膜と称す）で構成されている。
【００４０】ここで、軟磁性膜２１がCoZrMo膜、非磁性
膜２２がTa膜、反強磁性膜２４がFeMnCr膜のときの、25
0 ℃での熱処理前後のＨb およびFeMn膜の平均結晶粒径
を表３に示す。表３において試料７のＭＲ素子はCoZrMo
膜、Ta膜、NiFe膜、FeMnCr膜を連続成膜し、試料８では
Ta成膜後に熱処理を施しTa表面にアモルファス構造の酸
化物を生成した後NiFe膜を成膜した。試料７，８ともに
NiFe膜厚は30nm、Ta膜厚は20nm、CoZrMo膜厚は30nm、Fe
MnCr膜厚は50nmである。試料８ではFeMnCr膜の結晶粒径
が15nm前後と小さく、Ｈb の熱処理による変化はほとん
どない。それに対し、試料７ではFeMnCr膜の結晶粒径が
23nm前後と大きく、Ｈb の熱処理による減少が著しい。
膜２２がTa膜、反強磁性膜２４がFeMnCr膜のときの、25
0 ℃での熱処理前後のＨb およびFeMn膜の平均結晶粒径
を表３に示す。表３において試料７のＭＲ素子はCoZrMo
膜、Ta膜、NiFe膜、FeMnCr膜を連続成膜し、試料８では
Ta成膜後に熱処理を施しTa表面にアモルファス構造の酸
化物を生成した後NiFe膜を成膜した。試料７，８ともに
NiFe膜厚は30nm、Ta膜厚は20nm、CoZrMo膜厚は30nm、Fe
MnCr膜厚は50nmである。試料８ではFeMnCr膜の結晶粒径
が15nm前後と小さく、Ｈb の熱処理による変化はほとん
どない。それに対し、試料７ではFeMnCr膜の結晶粒径が
23nm前後と大きく、Ｈb の熱処理による減少が著しい。
【００４１】
【表３】
【００４２】試料７および試料８のＭＲ素子を図９に
示すＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲヘッドを作
製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基板２５上に
約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。ＭＲ素子
への不要な磁界の進入を阻止するためのシールド膜はNi
Fe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm 、上シール
ド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアルミナ膜であり
膜厚は0.1 μm 、電極２９は金膜であり膜厚は0.2 μm
である。トラック幅は３μm とした。
示すＭＲヘッドに適用して、図４に示すＭＲヘッドを作
製した。基板２５はAl2O3-TiC 材であり、基板２５上に
約３０μm 厚のアルミナ膜２６を形成した。ＭＲ素子
への不要な磁界の進入を阻止するためのシールド膜はNi
Fe膜であり、下シールド２７の厚さは１μm 、上シール
ド３０の厚さは１μm 、絶縁層２８はアルミナ膜であり
膜厚は0.1 μm 、電極２９は金膜であり膜厚は0.2 μm
である。トラック幅は３μm とした。
【００４３】保磁力1800Oeの薄膜媒体に通常の薄膜イン
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、試料７のＭＲ素子
によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音が観測さ
れた。それに対して試料８のＭＲ素子によるＭＲ再生
信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好な再生特
性を示した。
ダクティブヘッドにてトラック幅５μm で記録し、各々
のヘッドにより再生した。その結果、試料７のＭＲ素子
によるＭＲ再生信号にはバルクハウゼン雑音が観測さ
れた。それに対して試料８のＭＲ素子によるＭＲ再生
信号にはバルクハウゼン雑音は観測されず良好な再生特
性を示した。
【００４４】以上の結果は、FeMn膜にCr以外の元素とし
てTi，Ni，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの
内から選択される少なくとも一種類の元素を添加した反
強磁性膜２４の場合でも同様の効果が得られる。
てTi，Ni，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの
内から選択される少なくとも一種類の元素を添加した反
強磁性膜２４の場合でも同様の効果が得られる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドは、軟磁性膜と非磁性膜と磁気抵抗性膜と
反強磁性膜とからなり、基板上に軟磁性膜，非磁性膜，
磁気抵抗性膜，反強磁性膜の順に積層され、反強磁性膜
が素子の端部に存在するようにパタン化された磁気抵抗
効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強
磁性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径を20
nm以下とすることにより、また、磁気抵抗性膜と非磁性
膜と軟磁性膜と反強磁性膜とからなり、基板上に磁気抵
抗性膜，非磁性膜，軟磁性膜，反強磁性膜の順に積層さ
れ、非磁性膜が素子の中央部に、反強磁性膜が素子の端
部に存在するようにおのおのパタン化された磁気抵抗効
果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁
性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径を20nm
以下にすることにより、反強磁性膜による磁気抵抗効果
膜へのバイアス磁界の熱処理による減少が抑制されるた
め、磁気抵抗効果型ヘッドのバルクハウゼン雑音が抑制
され、磁気抵抗効果型ヘッドの特性が安定化するという
効果を奏する。
効果型ヘッドは、軟磁性膜と非磁性膜と磁気抵抗性膜と
反強磁性膜とからなり、基板上に軟磁性膜，非磁性膜，
磁気抵抗性膜，反強磁性膜の順に積層され、反強磁性膜
が素子の端部に存在するようにパタン化された磁気抵抗
効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強
磁性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径を20
nm以下とすることにより、また、磁気抵抗性膜と非磁性
膜と軟磁性膜と反強磁性膜とからなり、基板上に磁気抵
抗性膜，非磁性膜，軟磁性膜，反強磁性膜の順に積層さ
れ、非磁性膜が素子の中央部に、反強磁性膜が素子の端
部に存在するようにおのおのパタン化された磁気抵抗効
果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁
性膜がFeMn合金であり、FeMn合金の平均結晶粒径を20nm
以下にすることにより、反強磁性膜による磁気抵抗効果
膜へのバイアス磁界の熱処理による減少が抑制されるた
め、磁気抵抗効果型ヘッドのバルクハウゼン雑音が抑制
され、磁気抵抗効果型ヘッドの特性が安定化するという
効果を奏する。
【図１】本発明の第一の実施例のＭＲヘッドに用いられ
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第二の実施例のＭＲヘッドに用いられ
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第三の実施例のＭＲヘッドに用いられ
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
るＭＲ素子の構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第一から第三の実施例のＭＲヘッドの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図５】本実施例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の
FeMn膜の結晶粒径と交換結合バイアス磁界の関係を示す
図である。
FeMn膜の結晶粒径と交換結合バイアス磁界の関係を示す
図である。
【図６】本実施例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の
Ｘ線回折パタンを示す図である。 図６（ａ）は試料１のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｂ）は試料２のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｃ）は試料３のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｄ）は試料４のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。
Ｘ線回折パタンを示す図である。 図６（ａ）は試料１のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｂ）は試料２のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｃ）は試料３のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。 図６（ｄ）は試料４のＭＲ素子のＸ線回折パタンを示す
図である。
【図７】本実施例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の
NiFe膜の結晶粒径とFeMn膜の結晶粒径との関係を示す図
である。
NiFe膜の結晶粒径とFeMn膜の結晶粒径との関係を示す図
である。
【図８】ＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の構造を示す
断面図である。図８（ａ），図８（ｂ）はＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子の構造の各例を示す断面図である。
断面図である。図８（ａ），図８（ｂ）はＭＲヘッドに
用いられるＭＲ素子の構造の各例を示す断面図である。
【図９】ＭＲヘッドの構造を示す断面図である。
【図１０】従来例のＭＲヘッドに用いられるＭＲ素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図１１】従来例のＭＲヘッドの構造を示す断面図であ
る。
る。
１ａ CoZrMo膜 １ｂ NiFeRh膜 ２ Ta膜 ３ NiFe膜 ４ａ FeMn膜 ４ｂ FeMnCr膜 ２１ 軟磁性体 ２２ 非磁性膜 ２３ ＭＲ膜 ２４ 反強磁性膜 ２５ 基板 ２６ アルミナ膜 ２７ 下シールド ２８ 絶縁層 ２９ 電極 ３０ 上シールド ３３ NiFe膜 ３４ FeMn膜 ＭＲ素子 従来のＭＲ素子
Claims (3)
- 【請求項１】 軟磁性膜と非磁性膜と磁気抵抗性膜と反
強磁性膜とからなり、基板上に軟磁性膜，非磁性膜，磁
気抵抗性膜，反強磁性膜の順に積層され、反強磁性膜が
素子の端部に存在するようにパタン化された磁気抵抗効
果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記反
強磁性膜がFeMn合金であり、前記FeMn合金の平均結晶粒
径が20nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗性膜と非磁性膜と軟磁性膜と反
強磁性膜とからなり、基板上に磁気抵抗性膜，非磁性
膜，軟磁性膜，反強磁性膜の順に積層され、非磁性膜が
素子の中央に、反強磁性膜が素子の端部に存在するよう
におのおのパタン化された磁気抵抗効果素子を有する磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記反強磁性膜がFeMn合
金であり、前記FeMn合金の平均結晶粒径が20nm以下であ
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記反強磁性膜が、FeMn合金にTi，Cr，
Ni，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Hf，Ta，W ，Re，Osの内から
選択される少なくとも一種類の元素を添加した合金であ
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341744A JP2666668B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341744A JP2666668B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203336A JPH06203336A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2666668B2 true JP2666668B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=18348433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341744A Expired - Fee Related JP2666668B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666668B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2785678B2 (ja) * | 1994-03-24 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | スピンバルブ膜およびこれを用いた再生ヘッド |
| US5717550A (en) * | 1996-11-01 | 1998-02-10 | Read-Rite Corporation | Antiferromagnetic exchange biasing using buffer layer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4663685A (en) * | 1985-08-15 | 1987-05-05 | International Business Machines | Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP4341744A patent/JP2666668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06203336A (ja) | 1994-07-22 |
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