JP2663929B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- semiconductor element
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特にマイクロＢＧＡ型の半導体装置
及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特にマイクロＢＧＡ型の半導体装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面に形成されたリードパターンに接続
するスルーホールを有する電気絶縁基板と、前記電気絶
縁基板の裏面に、前記スルーホールに接続する電極端子
（パッド）を有して貼付けられた半導体素子（ペレッ
ト）と、前記電気絶縁基板のリードパターンに接合する
外部端子とを含むマイクロＢＧＡ型の半導体装置の外部
端子は、電気絶縁基板上のリードパターン先端のランド
に球状またはペレット状の金属ろう材を仮付けしたり、
金属ろう材を粉末状にしフラックスと混ぜペースト状に
しランドにスクリーン印刷し、その後金属ろう材の融点
以上の温度でリフローすることで接着し、かつ形状を整
えていた。金属ろう材には、共晶半田が多く用いられて
いるが、球状の高融点半田を共晶半田でコーティングし
たものや球状の高融点半田を共晶半田のペーストで接着
するものもある。
するスルーホールを有する電気絶縁基板と、前記電気絶
縁基板の裏面に、前記スルーホールに接続する電極端子
（パッド）を有して貼付けられた半導体素子（ペレッ
ト）と、前記電気絶縁基板のリードパターンに接合する
外部端子とを含むマイクロＢＧＡ型の半導体装置の外部
端子は、電気絶縁基板上のリードパターン先端のランド
に球状またはペレット状の金属ろう材を仮付けしたり、
金属ろう材を粉末状にしフラックスと混ぜペースト状に
しランドにスクリーン印刷し、その後金属ろう材の融点
以上の温度でリフローすることで接着し、かつ形状を整
えていた。金属ろう材には、共晶半田が多く用いられて
いるが、球状の高融点半田を共晶半田でコーティングし
たものや球状の高融点半田を共晶半田のペーストで接着
するものもある。
【０００３】従来、マイクロＢＧＡ型以外に外部端子に
球状の共晶半田を用いた半導体装置には、プラスチック
・ボール・グリッド・アレイ（Ｐ・ＢＧＡ）といわれる
ものがあった。Ｐ・ＢＧＡ型の半導体装置の場合、外部
端子ピッチが１ｍｍまたは１．２７ｍｍと比較的に広
く、外部端子である球状の共晶半田も直径０．７ｍｍ〜
０．９ｍｍと大きく、しかも共晶半田であるためリフロ
ー時に外部端子部分が完全に溶融し、半田の表面張力に
基づくセルフアライメント作用のため、基板に実装する
場合の位置合せ精度はさほど必要なかった。
球状の共晶半田を用いた半導体装置には、プラスチック
・ボール・グリッド・アレイ（Ｐ・ＢＧＡ）といわれる
ものがあった。Ｐ・ＢＧＡ型の半導体装置の場合、外部
端子ピッチが１ｍｍまたは１．２７ｍｍと比較的に広
く、外部端子である球状の共晶半田も直径０．７ｍｍ〜
０．９ｍｍと大きく、しかも共晶半田であるためリフロ
ー時に外部端子部分が完全に溶融し、半田の表面張力に
基づくセルフアライメント作用のため、基板に実装する
場合の位置合せ精度はさほど必要なかった。
【０００４】これに対し、マイクロＢＧＡ型の半導体装
置の外部端子ピッチは、０．４ｍｍ〜０．６５ｍｍであ
り、外部端子の大きさが０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであ
り、基板に実装する場合の位置精度が高いレベルで要求
されていた。
置の外部端子ピッチは、０．４ｍｍ〜０．６５ｍｍであ
り、外部端子の大きさが０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであ
り、基板に実装する場合の位置精度が高いレベルで要求
されていた。
【０００５】このためマイクロＢＧＡ型の半導体装置の
実装には、光学技術を用いた位置合せ装置が用いられて
いた。これは、テレビジョンカメラで実装基板側の搭載
用パッドとマイクロＢＧＡ型半導体装置側の外部端子を
撮影し、モニタ上で位置を合せた後実装する方法であ
る。以下図７（ａ），（ｂ）を参照し説明する。
実装には、光学技術を用いた位置合せ装置が用いられて
いた。これは、テレビジョンカメラで実装基板側の搭載
用パッドとマイクロＢＧＡ型半導体装置側の外部端子を
撮影し、モニタ上で位置を合せた後実装する方法であ
る。以下図７（ａ），（ｂ）を参照し説明する。
【０００６】まず図７（ａ）に示すように、通常下側に
実装基板３００を置き、ロボットアーム４００でマイク
ロＢＧＡ型半導体装置１００を持ち上げ、実装基板３０
０の搭載用パッド上に移動する。この場合、ロボットア
ーム４００の先端は真空ピンセットになっており、マイ
クロＢＧＡ型の半導体装置１００の半導体素子の電極端
子を有する面と対向する裏面を吸着している。あらかじ
め入力してある座標データに基づいた位置にロボットア
ーム４００が移動したら、マイクロＢＧＡ型の半導体装
置１００と実装基板３００との間に一般に半透鏡５００
を入れる。これは半透鏡５００側方に位置するテレビジ
ョンカメラ２００にマイクロＢＧＡ型の半導体装置１０
０の外部端子７の映像と実装基板３００の搭載用パッド
（図７（ｂ）の３００−１）の映像を送るためのもので
上下方向の映像を水平方向に９０°変換する機能を有す
る。
実装基板３００を置き、ロボットアーム４００でマイク
ロＢＧＡ型半導体装置１００を持ち上げ、実装基板３０
０の搭載用パッド上に移動する。この場合、ロボットア
ーム４００の先端は真空ピンセットになっており、マイ
クロＢＧＡ型の半導体装置１００の半導体素子の電極端
子を有する面と対向する裏面を吸着している。あらかじ
め入力してある座標データに基づいた位置にロボットア
ーム４００が移動したら、マイクロＢＧＡ型の半導体装
置１００と実装基板３００との間に一般に半透鏡５００
を入れる。これは半透鏡５００側方に位置するテレビジ
ョンカメラ２００にマイクロＢＧＡ型の半導体装置１０
０の外部端子７の映像と実装基板３００の搭載用パッド
（図７（ｂ）の３００−１）の映像を送るためのもので
上下方向の映像を水平方向に９０°変換する機能を有す
る。
【０００７】次に同一のテレビジョンカメラ２００で得
たマイクロＢＧＡ型の半導体装置１００の外部端子７の
映像と実装基板３００の搭載用パッド３００−１の映像
を図７（ｂ）に示すようにモニタ画面上で重ね、位置ず
れをチェックする。ずれている場合は、ロボットアーム
４００の位置を微調整する。位置合せが終了したら、半
透鏡５００を移動させ、ロボットアーム４００を下げ、
マイクロＢＧＡ型の半導体装置１００を実装基板３００
に搭載する。この場合、マイクロＢＧＡ型の半導体装置
１００の外部端子７、または実装基板３００の搭載用パ
ッド３００−１に粘着性のフラックスを予め塗布してお
き、その粘着力で仮付けすることが多い。
たマイクロＢＧＡ型の半導体装置１００の外部端子７の
映像と実装基板３００の搭載用パッド３００−１の映像
を図７（ｂ）に示すようにモニタ画面上で重ね、位置ず
れをチェックする。ずれている場合は、ロボットアーム
４００の位置を微調整する。位置合せが終了したら、半
透鏡５００を移動させ、ロボットアーム４００を下げ、
マイクロＢＧＡ型の半導体装置１００を実装基板３００
に搭載する。この場合、マイクロＢＧＡ型の半導体装置
１００の外部端子７、または実装基板３００の搭載用パ
ッド３００−１に粘着性のフラックスを予め塗布してお
き、その粘着力で仮付けすることが多い。
【０００８】その後リフローし、外部端子７と搭載用パ
ッド３００−１を接合する。
ッド３００−１を接合する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したマイクロ
ＢＧＡ型の半導体装置を実装する場合、マイクロＢＧＡ
型半導体装置を実装する毎に半透鏡を入れ、モニタで位
置合せを行う必要が有り、しかもモニタでの位置合せも
自動化が難しく、作業者が行っているのが現状である。
ＢＧＡ型の半導体装置を実装する場合、マイクロＢＧＡ
型半導体装置を実装する毎に半透鏡を入れ、モニタで位
置合せを行う必要が有り、しかもモニタでの位置合せも
自動化が難しく、作業者が行っているのが現状である。
【００１０】そこで簡単に位置合せを行う方法として特
開平１−９８２３５号公報に記載されているように半導
体素子を直接実装する場合において半導体素子の基材で
あるシリコンが赤外線を透過することを利用し、実装基
板表面と半導体素子表面に位置合せ用マークを設け、赤
外線顕微鏡で半導体素子裏面から位置合せする方法が考
えられた。
開平１−９８２３５号公報に記載されているように半導
体素子を直接実装する場合において半導体素子の基材で
あるシリコンが赤外線を透過することを利用し、実装基
板表面と半導体素子表面に位置合せ用マークを設け、赤
外線顕微鏡で半導体素子裏面から位置合せする方法が考
えられた。
【００１１】しかし、マイクロＢＧＡ型の半導体装置の
場合半導体素子を電気絶縁基板に貼付けており、電気絶
縁基板には通常ポリイミド樹脂等の有機フィルムが多く
用いられ、この有機フィルムは通常赤外線を透過しない
ため、特開平１−９８２３５号公報に記載されている手
法は適用できなかった。
場合半導体素子を電気絶縁基板に貼付けており、電気絶
縁基板には通常ポリイミド樹脂等の有機フィルムが多く
用いられ、この有機フィルムは通常赤外線を透過しない
ため、特開平１−９８２３５号公報に記載されている手
法は適用できなかった。
【００１２】このように従来のマイクロＢＧＡ型の半導
体装置は、実装基板に実装する際の位置合せに工数が掛
かり、コストアップの要因になるという問題があった。
体装置は、実装基板に実装する際の位置合せに工数が掛
かり、コストアップの要因になるという問題があった。
【００１３】本発明の目的は実装を自動的に迅速に行う
のに適したマイクロＢＧＡ型の半導体装置及びその製造
方法を提供することにある。
のに適したマイクロＢＧＡ型の半導体装置及びその製造
方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
表面に形成されたリードパターンに接続するスルーホー
ルを有する電気絶縁基板と、前記電気絶縁基板の裏面
に、前記スルーホールに接続する電極端子を有して貼付
けられた半導体素子と、前記電気絶縁基板のリードパタ
ーンに接合する外部端子とを含む半導体装置において、
前記半導体素子の電極端子が設けられている面と対向す
る面に画像処理用のターゲットマークが複数個設けられ
ているというものである。
表面に形成されたリードパターンに接続するスルーホー
ルを有する電気絶縁基板と、前記電気絶縁基板の裏面
に、前記スルーホールに接続する電極端子を有して貼付
けられた半導体素子と、前記電気絶縁基板のリードパタ
ーンに接合する外部端子とを含む半導体装置において、
前記半導体素子の電極端子が設けられている面と対向す
る面に画像処理用のターゲットマークが複数個設けられ
ているというものである。
【００１５】この場合、電気絶縁基板は有機フィルムと
することができる。
することができる。
【００１６】また、ターゲットマークは十字状とするこ
とができる。
とができる。
【００１７】本発明の半導体装置の製造方法は、表面の
中央部に設けられた、先端にランドを有する複数のリー
ドパターン、前記各リードパターンに接続し裏面に導出
されるスルーホール及び周辺部に設けられた位置決め用
の第１の穴及び又は搬送用の第２の穴を有する電気絶縁
基板を準備する工程と、半導体素子の電極端子と前記電
気絶縁基板のスルーホールとを接続して前記半導体素子
を前記電気絶縁基板に貼付ける工程と、前記電気絶縁基
板表面のランドに外部端子を設ける工程と、前記ランド
と一定の位置関係にある位置決め手段を基準にして前記
半導体素子の電極端子が設けられている面の対向面の複
数箇所にそれぞれ画像処理用のターゲットマークを形成
した後、前記電気絶縁基板を前記半導体素子の外周に沿
って切断する工程とを有するというものである。
中央部に設けられた、先端にランドを有する複数のリー
ドパターン、前記各リードパターンに接続し裏面に導出
されるスルーホール及び周辺部に設けられた位置決め用
の第１の穴及び又は搬送用の第２の穴を有する電気絶縁
基板を準備する工程と、半導体素子の電極端子と前記電
気絶縁基板のスルーホールとを接続して前記半導体素子
を前記電気絶縁基板に貼付ける工程と、前記電気絶縁基
板表面のランドに外部端子を設ける工程と、前記ランド
と一定の位置関係にある位置決め手段を基準にして前記
半導体素子の電極端子が設けられている面の対向面の複
数箇所にそれぞれ画像処理用のターゲットマークを形成
した後、前記電気絶縁基板を前記半導体素子の外周に沿
って切断する工程とを有するというものである。
【００１８】ここで、前記第１の穴又は第２の穴を基準
にしてターゲットマークを形成することができる。
にしてターゲットマークを形成することができる。
【００１９】この場合、電気絶縁基板は有機フィルムと
することができる。
することができる。
【００２０】更に、レーザ光線によりターゲットマーク
を刻印することができる。
を刻印することができる。
【００２１】ターゲットマークを利用して半導体装置の
外部端子と実装基板の搭載用パッドとの位置合せを行な
うことが可能となる。
外部端子と実装基板の搭載用パッドとの位置合せを行な
うことが可能となる。
【００２２】ターゲットマークの位置は、ランドと一定
の位置関係のある位置決め手段を基準として設けられる
ので、外部端子の位置と関連づけられる。
の位置関係のある位置決め手段を基準として設けられる
ので、外部端子の位置と関連づけられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｃ）は本発明の半
導体装置の第１の実施の形態を示す上面図及び下面図、
図１（ｂ）は図１（ｃ）のＸ−Ｘ線断面図である。
導体装置の第１の実施の形態を示す上面図及び下面図、
図１（ｂ）は図１（ｃ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２４】この実施の形態は、表面に形成されたリー
ドパターン１に接続するスルーホール２を有する電気絶
縁基板３（ポリイミドフィルム）と、電気絶縁基板３の
裏面に、スルーホール２に接続する電極端子（パッド）
を有してポリイミド系熱可塑性樹脂でなる接着層４によ
り貼付けられた半導体素子５（ペレット）と、電気絶縁
基板３のリードパターン１に接合する外部端子７とを含
む半導体装置において、半導体素子５の電極端子が設け
られている面と対向する面に画像処理用の十字状のター
ゲットマーク８−１，８−２が設けられているというも
のである。すなわち、ターゲットマーク８−１，８−２
が設けられている以外は従来のマイクロＢＧＡ型の半導
体装置と同じである。
ドパターン１に接続するスルーホール２を有する電気絶
縁基板３（ポリイミドフィルム）と、電気絶縁基板３の
裏面に、スルーホール２に接続する電極端子（パッド）
を有してポリイミド系熱可塑性樹脂でなる接着層４によ
り貼付けられた半導体素子５（ペレット）と、電気絶縁
基板３のリードパターン１に接合する外部端子７とを含
む半導体装置において、半導体素子５の電極端子が設け
られている面と対向する面に画像処理用の十字状のター
ゲットマーク８−１，８−２が設けられているというも
のである。すなわち、ターゲットマーク８−１，８−２
が設けられている以外は従来のマイクロＢＧＡ型の半導
体装置と同じである。
【００２５】次に、本発明の半導体装置の製造方法の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００２６】図２（ａ）は電気絶縁基板の上面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図、図３は電気
絶縁基板の下面図である。
（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図、図３は電気
絶縁基板の下面図である。
【００２７】この電気絶縁基板３は厚さ２５μｍのポリ
イミドフィルムの表面の中央部に、先端にランド１０を
有するリードパターン１、各リードパターン１に接続し
裏面に導出される直径６０〜８０μｍのスルーホール２
及び周辺部に４個の位置決め用の第１の穴（ツーリング
ホール１４）及び搬送用の１４個の第２の穴（スプロケ
ットホール１５）を有している。
イミドフィルムの表面の中央部に、先端にランド１０を
有するリードパターン１、各リードパターン１に接続し
裏面に導出される直径６０〜８０μｍのスルーホール２
及び周辺部に４個の位置決め用の第１の穴（ツーリング
ホール１４）及び搬送用の１４個の第２の穴（スプロケ
ットホール１５）を有している。
【００２８】また、電気絶縁基板３の片面にポリイミド
系熱可塑性樹脂の接着層４が貼付けてある。接着層４
は、接着する半導体素子とほぼ同じ大きさ、即ち、後述
する切断部を表す２点鎖線１２で示す領域とほぼ同じ大
きさにしてある。
系熱可塑性樹脂の接着層４が貼付けてある。接着層４
は、接着する半導体素子とほぼ同じ大きさ、即ち、後述
する切断部を表す２点鎖線１２で示す領域とほぼ同じ大
きさにしてある。
【００２９】接着層４と電気絶縁基板３を貫通しリード
パターン１に接続されたスルーホール２は電解めっきに
より銅２ａが充填され、接着層４からバンプ状に飛出し
ている。なお、銅２ａの表面には厚さ１〜２μｍのＡｕ
めっき層（図示しない）が設けられている。
パターン１に接続されたスルーホール２は電解めっきに
より銅２ａが充填され、接着層４からバンプ状に飛出し
ている。なお、銅２ａの表面には厚さ１〜２μｍのＡｕ
めっき層（図示しない）が設けられている。
【００３０】リードパターン１は厚さ１８μｍ，幅１０
０μｍの銅箔でなりその先端には直径１００〜２００μ
ｍのランド１０が設けらている。１３はテストパッドで
ある。２点鎖線１１とリードパターン１の交差位置にス
ルーホール２が設けられている。又、リードパターン１
は図示しないソルダレジスト膜で被覆されており、その
ソルダレジスト膜にはランド１０及びテストパッド１３
とその近傍には開口が設けられている。
０μｍの銅箔でなりその先端には直径１００〜２００μ
ｍのランド１０が設けらている。１３はテストパッドで
ある。２点鎖線１１とリードパターン１の交差位置にス
ルーホール２が設けられている。又、リードパターン１
は図示しないソルダレジスト膜で被覆されており、その
ソルダレジスト膜にはランド１０及びテストパッド１３
とその近傍には開口が設けられている。
【００３１】まず、図４（ａ）に示すように、ボンディ
ング装置の載置台１７に半導体素子５を載せ、このスル
ーホールが接着層４からバンプ状に飛出ている部分６ａ
を半導体素子５のパッドに接続する。１８は超音波ボン
ディング図のツールである。この際、全体をポリイミド
系熱可塑性樹脂である接着層４が流動性を示す温度に加
熱し、半導体素子１を電気絶縁基板３に貼付ける。本実
施の形態では３２０℃まで加熱している。
ング装置の載置台１７に半導体素子５を載せ、このスル
ーホールが接着層４からバンプ状に飛出ている部分６ａ
を半導体素子５のパッドに接続する。１８は超音波ボン
ディング図のツールである。この際、全体をポリイミド
系熱可塑性樹脂である接着層４が流動性を示す温度に加
熱し、半導体素子１を電気絶縁基板３に貼付ける。本実
施の形態では３２０℃まで加熱している。
【００３２】この貼付け終了後に、テストパッドを使用
して電気的試験を行なうことができる。
して電気的試験を行なうことができる。
【００３３】次に、ソルダレジスト膜６の開口１６部に
共晶半田を球状にしたものを高粘度のフラックスを介し
て搭載し、その後共晶半田の融点以上に加熱し、接着す
る。ここでは、フラックスにロジン系フラックスでＪＩ
Ｓ規格でタイプＲと規定されているものを用い、加熱は
温度２１０℃、時間１分でおこなった。球状半田の大き
さは直径１２０μｍである。このようにして、図４
（ｂ）、図１に示すように、ピッチ０．５ｍｍで格子状
に配置した外部端子７を形成する。
共晶半田を球状にしたものを高粘度のフラックスを介し
て搭載し、その後共晶半田の融点以上に加熱し、接着す
る。ここでは、フラックスにロジン系フラックスでＪＩ
Ｓ規格でタイプＲと規定されているものを用い、加熱は
温度２１０℃、時間１分でおこなった。球状半田の大き
さは直径１２０μｍである。このようにして、図４
（ｂ）、図１に示すように、ピッチ０．５ｍｍで格子状
に配置した外部端子７を形成する。
【００３４】次に図４（ｃ）に示すように半導体素子５
の裏面を上にし、電気絶縁基板３の周辺部に有るツーリ
ングホール１４に位置決めピン２０を挿入することによ
って位置を決め、半導体素子５の裏面にレーザマーカ１
９で商標・品名等捺印（図１の９）をすると共に向い合
う２コーナーに十字状のターゲットマーク（図１の８−
１，８−２）を刻印する。ターゲットマークは長さ０．
７ｍｍ，幅０．１２ｍｍの２本の線を直角に交差した形
を有している。
の裏面を上にし、電気絶縁基板３の周辺部に有るツーリ
ングホール１４に位置決めピン２０を挿入することによ
って位置を決め、半導体素子５の裏面にレーザマーカ１
９で商標・品名等捺印（図１の９）をすると共に向い合
う２コーナーに十字状のターゲットマーク（図１の８−
１，８−２）を刻印する。ターゲットマークは長さ０．
７ｍｍ，幅０．１２ｍｍの２本の線を直角に交差した形
を有している。
【００３５】次に図４（ｄ）に示すように電気絶縁基板
３の半導体素子５外周部の切断部２１（図２の２点鎖線
１２で示した部分）をレーザ切断機を用いて切断する。
３の半導体素子５外周部の切断部２１（図２の２点鎖線
１２で示した部分）をレーザ切断機を用いて切断する。
【００３６】次に選別を行い製造工程は終了となる。図
４（ｃ）を参照して説明した工程を有している点以外は
従来のマイクロＢＧＡ型の半導体装置の製造方法と同じ
である。
４（ｃ）を参照して説明した工程を有している点以外は
従来のマイクロＢＧＡ型の半導体装置の製造方法と同じ
である。
【００３７】本実施の形態では、外部端子数２９６ピン
（便宜上、図１，図２は１６ピンのみを示した）、半導
体素子は外形が１４．９６ｍｍ×１４．９６ｍｍのＣＭ
ＯＳゲートアレイを用いた。
（便宜上、図１，図２は１６ピンのみを示した）、半導
体素子は外形が１４．９６ｍｍ×１４．９６ｍｍのＣＭ
ＯＳゲートアレイを用いた。
【００３８】なお、捺印工程での位置決めに電気絶縁基
板のツーリングホールを使用したが、本発明はこれに限
定したものではなく、十分な位置精度が得られれば、例
えばスプロケットホール１５を用いても良く、電気絶縁
基板上にターゲットマークを設け光学的方法で位置決め
をしてもよい。
板のツーリングホールを使用したが、本発明はこれに限
定したものではなく、十分な位置精度が得られれば、例
えばスプロケットホール１５を用いても良く、電気絶縁
基板上にターゲットマークを設け光学的方法で位置決め
をしてもよい。
【００３９】次に本発明の半導体装置の第２の実施の形
態について説明する。
態について説明する。
【００４０】図５はこの第２の実施の形態を示す上面図
である。
である。
【００４１】本実施の形態では、ターゲットマーク８−
１Ａ，８−２Ａ，８−３ＡをＬ字状にし、Ｌ字の開孔し
ている方を半導体素子５のコーナ側に向け、三カ所のコ
ーナ設けている。
１Ａ，８−２Ａ，８−３ＡをＬ字状にし、Ｌ字の開孔し
ている方を半導体素子５のコーナ側に向け、三カ所のコ
ーナ設けている。
【００４２】ターゲットマークのサイズは、長さ０．３
５ｍｍ、幅０．１ｍｍの２本の線でなり、十字状のター
ゲットマークと比べ画像処理時に若干認識に時間が掛か
るもの、スペースが限られている場合に有効である。ま
た、三カ所に設けることで半導体素子の方向も自動的に
認識できるようにしている。
５ｍｍ、幅０．１ｍｍの２本の線でなり、十字状のター
ゲットマークと比べ画像処理時に若干認識に時間が掛か
るもの、スペースが限られている場合に有効である。ま
た、三カ所に設けることで半導体素子の方向も自動的に
認識できるようにしている。
【００４３】これら以外の事は第１の実施の形態と同じ
である。
である。
【００４４】次に、本発明の半導体装置の実施について
説明する。はじめに図６（ａ）に示すようにテレビジョ
ンカメラ２００でマイクロＢＧＡ型の半導体装置１００
Ａ（図１に示したもの）のターゲットマーク８−１，８
−２を画像として取り込み、画像認識処理によりマイク
ロＢＧＡ型半導体装置１００Ａの位置を特定する。な
お、２００−１はテレビジョンカメラからの同軸照明光
である。
説明する。はじめに図６（ａ）に示すようにテレビジョ
ンカメラ２００でマイクロＢＧＡ型の半導体装置１００
Ａ（図１に示したもの）のターゲットマーク８−１，８
−２を画像として取り込み、画像認識処理によりマイク
ロＢＧＡ型半導体装置１００Ａの位置を特定する。な
お、２００−１はテレビジョンカメラからの同軸照明光
である。
【００４５】次に図６（ｂ）に示すように実装基板３０
０に設けられたターゲットマーク３００−２１，３００
−２２を画像として取り込み画像認識処理により実装基
板３００上の搭載用パッド３００−１の位置を特定す
る。
０に設けられたターゲットマーク３００−２１，３００
−２２を画像として取り込み画像認識処理により実装基
板３００上の搭載用パッド３００−１の位置を特定す
る。
【００４６】その後図６（ｃ）に示すようにロボットア
ーム４００でマイクロＢＧＡ型半導体装置１００Ａを搭
載用パッド３００−１部に搬送し搭載する。
ーム４００でマイクロＢＧＡ型半導体装置１００Ａを搭
載用パッド３００−１部に搬送し搭載する。
【００４７】最後に全体または部分的に加熱し、外部端
子７に素材である半田の融点以上に加熱し接続する。
子７に素材である半田の融点以上に加熱し接続する。
【００４８】本発明の実施の形態で説明した２９６ピン
の場合、従来例と同様の方法で実施時位置決めをした場
合、作業者の練度にも影響されるが１個当り約３〜５分
かかっていたが、以上説明したように自動機を用いるこ
とができるので、１個当り約８秒で実装用の位置決めが
出来るようになった。
の場合、従来例と同様の方法で実施時位置決めをした場
合、作業者の練度にも影響されるが１個当り約３〜５分
かかっていたが、以上説明したように自動機を用いるこ
とができるので、１個当り約８秒で実装用の位置決めが
出来るようになった。
【００４９】また、実装した場合の位置精度も十分有
り、位置ズレによる実装不良等の発生も無かった。
り、位置ズレによる実装不良等の発生も無かった。
【００５０】
【発明の効果】以上、説明した様に本発明によれば、外
部端子と一定の位置関係を有するターゲットマークを有
するマイクロＢＧＡ型の半導体装置が得られるので、実
装基板へ実装する際、半導体装置の外部端子と実装基板
上の実装用パッドとの位置合わせをターゲットマークを
用い画像処理技術により自動的に正確かつ迅速に行うこ
とができ、作業性が大幅に向上する。すなわち、マイク
ロＢＧＡ型の半導体装置の実装性を改善できるという効
果がある。
部端子と一定の位置関係を有するターゲットマークを有
するマイクロＢＧＡ型の半導体装置が得られるので、実
装基板へ実装する際、半導体装置の外部端子と実装基板
上の実装用パッドとの位置合わせをターゲットマークを
用い画像処理技術により自動的に正確かつ迅速に行うこ
とができ、作業性が大幅に向上する。すなわち、マイク
ロＢＧＡ型の半導体装置の実装性を改善できるという効
果がある。
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施の形態を示す
上面図（図１（ａ）），下面図（図１（ｃ））及び図１
（ｃ）のＸ−Ｘ線断面図（図１（ｂ））である。
上面図（図１（ａ）），下面図（図１（ｃ））及び図１
（ｃ）のＸ−Ｘ線断面図（図１（ｂ））である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態
に使用する電気絶縁基板の上面図（図２（ａ））及び図
２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図（図２（ｂ））である。
に使用する電気絶縁基板の上面図（図２（ａ））及び図
２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図（図２（ｂ））である。
【図３】図２に対応する下面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態
について説明するための（ａ）〜（ｄ）に分図して示す
工程順断面図である。
について説明するための（ａ）〜（ｄ）に分図して示す
工程順断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第２の実施の形態を示す
上面図である。
上面図である。
【図６】本発明の半導体装置の実施について説明するた
めの（ａ）〜（ｃ）に分図して示す工程順斜視図であ
る。
めの（ａ）〜（ｃ）に分図して示す工程順斜視図であ
る。
【図７】従来の半導体装置の実施について説明するため
の（ａ），（ｂ）に分図して示す工程順模式図である。
の（ａ），（ｂ）に分図して示す工程順模式図である。
１ リードパターン ２ スルーホール ２ａ 銅 ３ 電気絶縁基板 ４ 接着層 ５ 半導体素子 ６ ソルダレジスト膜 ７ 外部端子 ８−１，８−１Ａ，８−２，８−２Ａ，８−３Ａ タ
ーゲットマーク ９ 捺印 １０ ランド １１ スルーホール位置を説明するための２点鎖線 １２ 切断位置を示す２点鎖線 １３ テストパッド １４ ツーリングホール １５ スプロケットホール １６ 開口 １７ 載置台 １８ ツール １９ レーザマーカ ２０ 位置決めピン ２１ 切断部 １００，１００Ａ 半導体装置 ２００ テレビジョンカメラ ２００−１ 照明光 ３００ 実装基板 ３００−１ 搭載用パッド ３００−２１，３００−２２ ターゲットマーク ４００ ロボットアーム
ーゲットマーク ９ 捺印 １０ ランド １１ スルーホール位置を説明するための２点鎖線 １２ 切断位置を示す２点鎖線 １３ テストパッド １４ ツーリングホール １５ スプロケットホール １６ 開口 １７ 載置台 １８ ツール １９ レーザマーカ ２０ 位置決めピン ２１ 切断部 １００，１００Ａ 半導体装置 ２００ テレビジョンカメラ ２００−１ 照明光 ３００ 実装基板 ３００−１ 搭載用パッド ３００−２１，３００−２２ ターゲットマーク ４００ ロボットアーム
Claims (7)
- 【請求項１】 表面に形成されたリードパターンに接続
するスルーホールを有する電気絶縁基板と、前記電気絶
縁基板の裏面に、前記スルーホールに接続する電極端子
を有して貼付けられた半導体素子と、前記電気絶縁基板
のリードパターンに接合する外部端子とを含む半導体装
置において、前記半導体素子の電極端子が設けられてい
る面と対向する面に画像処理用のターゲットマークが複
数個設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 電気絶縁基板が有機フィルムである請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 ターゲットマークが十字状である請求項
１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 表面の中央部に設けられた、先端にラン
ドを有する複数のリードパターン、前記各リードパター
ンに接続し裏面に導出されるスルーホール及び周辺部に
設けられた位置決め用の第１の穴及び又は搬送用の第２
の穴を有する電気絶縁基板を準備する工程と、半導体素
子の電極端子と前記電気絶縁基板のスルーホールとを接
続して前記半導体素子を前記電気絶縁基板に貼付ける工
程と、前記電気絶縁基板表面のランドに外部端子を設け
る工程と、前記ランドと一定の位置関係にある位置決め
手段を基準にして前記半導体素子の電極端子が設けられ
ている面の対向面の複数箇所にそれぞれ画像処理用のタ
ーゲットマークを形成した後、前記電気絶縁基板を前記
半導体素子の外周に沿って切断する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１の穴又は第２の穴を基準にしてター
ゲットマークを形成する請求項４記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 電気絶縁基板が有機フィルムである請求
項４又は５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 レーザ光線によりターゲットマークを刻
印する請求項４，５又は６記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7222391A JP2663929B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7222391A JP2663929B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969537A JPH0969537A (ja) | 1997-03-11 |
| JP2663929B2 true JP2663929B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16781638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7222391A Expired - Lifetime JP2663929B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663929B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368156A (ja) | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4130158B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| CN111693851A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 奥士康精密电路（惠州）有限公司 | 一种成品测试防呆的方法 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP7222391A patent/JP2663929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0969537A (ja) | 1997-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970520 |