JP2658643B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2658643B2 JP2658643B2 JP3192292A JP19229291A JP2658643B2 JP 2658643 B2 JP2658643 B2 JP 2658643B2 JP 3192292 A JP3192292 A JP 3192292A JP 19229291 A JP19229291 A JP 19229291A JP 2658643 B2 JP2658643 B2 JP 2658643B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特にシラン（Ｓi Ｈ
4 ）ガスを使用する装置において、このシランガスと酸
素（Ｏ2 ）との混合による爆発反応を防止する半導体製
造装置に関する。
4 ）ガスを使用する装置において、このシランガスと酸
素（Ｏ2 ）との混合による爆発反応を防止する半導体製
造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の表面に絶縁膜を形成する処
理を行うに際して、この絶縁膜形成処理装置部にシラン
ガスを供給するようにしている。このシランガスは、許
容濃度が５ppm と毒性が非常に強いものであると共に、
このシランガスと酸素ガスとが混合した場合に爆発反応
を示すようになる、非常に危険性の高いガスである。
理を行うに際して、この絶縁膜形成処理装置部にシラン
ガスを供給するようにしている。このシランガスは、許
容濃度が５ppm と毒性が非常に強いものであると共に、
このシランガスと酸素ガスとが混合した場合に爆発反応
を示すようになる、非常に危険性の高いガスである。
【０００３】このため、シランガスを使用する半導体の
製造装置にあっては、災害の発生を防ぐために、シラン
ガスを窒素等の不活性ガスにより希釈することや、ある
いはシランガスを導く配管を２重配管構造として、シラ
ンガスが外部に漏出することを防止するようにしている
と共に、ガス漏れ検知器の設置、圧力変動によるリーク
チェック等の種々の対策が行われている。
製造装置にあっては、災害の発生を防ぐために、シラン
ガスを窒素等の不活性ガスにより希釈することや、ある
いはシランガスを導く配管を２重配管構造として、シラ
ンガスが外部に漏出することを防止するようにしている
と共に、ガス漏れ検知器の設置、圧力変動によるリーク
チェック等の種々の対策が行われている。
【０００４】この様な半導体製造装置においては、シラ
ンガスの流通される排管内には酸素ガスが存在しないよ
うに構成している。しかし、配管の損傷等によって排管
外の空気がシランガス配管内に入り込む可能性があり、
もしシランガス排管の内部に外部空気が入り込んだ状態
に気付かずシランガスを導入すれば、このシランガスと
酸素ガスとの混合による爆発反応を起こす虞がある。ま
た、毒性のあるシランガスのリークが起こることもあ
る。
ンガスの流通される排管内には酸素ガスが存在しないよ
うに構成している。しかし、配管の損傷等によって排管
外の空気がシランガス配管内に入り込む可能性があり、
もしシランガス排管の内部に外部空気が入り込んだ状態
に気付かずシランガスを導入すれば、このシランガスと
酸素ガスとの混合による爆発反応を起こす虞がある。ま
た、毒性のあるシランガスのリークが起こることもあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、特にシランガスを使用した
半導体絶縁膜形成処理が終わった後の排管部において、
酸素ガスの混入が無いことを定量的に確認することがで
き、安全性がより確実に得られるようにした半導体製造
装置を提供しようとするものである。
な点に鑑みなされたもので、特にシランガスを使用した
半導体絶縁膜形成処理が終わった後の排管部において、
酸素ガスの混入が無いことを定量的に確認することがで
き、安全性がより確実に得られるようにした半導体製造
装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置にあっては、シランガス貯蔵源からのガスを半導
体用絶縁膜形成手段に供給すると共に、この絶縁膜形成
手段からの排出ガスを排管を介してガス処理手段に供給
して外部に排気されるようにするものであり、この場合
特に排管部に酸素濃度検出手段を設定し、排管内の酸素
濃度を検出監視するようにしている。
造装置にあっては、シランガス貯蔵源からのガスを半導
体用絶縁膜形成手段に供給すると共に、この絶縁膜形成
手段からの排出ガスを排管を介してガス処理手段に供給
して外部に排気されるようにするものであり、この場合
特に排管部に酸素濃度検出手段を設定し、排管内の酸素
濃度を検出監視するようにしている。
【０００７】
【作用】この様に構成される半導体製造装置にあって
は、例えばポンプ交換等の保守作業によって、排管内に
外気が入り込んだような欠陥が生じたときには、この排
管部に設置した酸素濃度検出手段によって、排管内の酸
素濃度が所定値を越えていることが検知される。したが
って、この状態ではシランガス貯蔵源からのシランガス
の供給が禁止され、排管内の酸素濃度が所定値以下の状
態となっているときにのみ、半導体用絶縁膜処理手段に
対してシランガスが供給される。したがって、シランガ
スと酸素ガスとの混合による爆発反応の発生を確実に防
止でき、安全性が確保されるものである。
は、例えばポンプ交換等の保守作業によって、排管内に
外気が入り込んだような欠陥が生じたときには、この排
管部に設置した酸素濃度検出手段によって、排管内の酸
素濃度が所定値を越えていることが検知される。したが
って、この状態ではシランガス貯蔵源からのシランガス
の供給が禁止され、排管内の酸素濃度が所定値以下の状
態となっているときにのみ、半導体用絶縁膜処理手段に
対してシランガスが供給される。したがって、シランガ
スと酸素ガスとの混合による爆発反応の発生を確実に防
止でき、安全性が確保されるものである。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。図１はシランガスを使用する半導体用の絶縁
膜の形成装置の構成を示すもので、シランガスはガスボ
ンベ11に貯蔵されている。このガスボンベ11は貯蔵室12
の内部に設置されているもので、このボンベ11のシラン
ガスは導入管13を介して絶縁薄膜形成装置14に導かれ
る。この場合、貯蔵室12と絶縁薄膜形成装置14との間に
は、別の配管15が形成され、この配管15内に導入管13が
設定される２重配管構造とされている。
説明する。図１はシランガスを使用する半導体用の絶縁
膜の形成装置の構成を示すもので、シランガスはガスボ
ンベ11に貯蔵されている。このガスボンベ11は貯蔵室12
の内部に設置されているもので、このボンベ11のシラン
ガスは導入管13を介して絶縁薄膜形成装置14に導かれ
る。この場合、貯蔵室12と絶縁薄膜形成装置14との間に
は、別の配管15が形成され、この配管15内に導入管13が
設定される２重配管構造とされている。
【０００９】絶縁薄膜形成装置14で使用された後のシラ
ンガスは真空ポンプ16で吸引され、シランガス排管17を
通ってガス処理装置18に導かれ、処理される。そして、
このガス処理装置18からの無害の排ガスは排気ダクト19
を介して適宜排気される。
ンガスは真空ポンプ16で吸引され、シランガス排管17を
通ってガス処理装置18に導かれ、処理される。そして、
このガス処理装置18からの無害の排ガスは排気ダクト19
を介して適宜排気される。
【００１０】この装置にあっては、シランガスによる災
害の発生を防止するため、シランガスの漏れ防止対策と
共に、酸素ガスの混入による爆発反応を防止するため
に、２重排管構造と共に、排管17に導かれるガスに窒素
（Ｎ2 ）等の不活性ガスによる希釈等の安全対策がとら
れている。
害の発生を防止するため、シランガスの漏れ防止対策と
共に、酸素ガスの混入による爆発反応を防止するため
に、２重排管構造と共に、排管17に導かれるガスに窒素
（Ｎ2 ）等の不活性ガスによる希釈等の安全対策がとら
れている。
【００１１】また、シランガスの漏出等を検出するた
め、シランガスの貯蔵室12、絶縁薄膜形成装置14、排ガ
スの導入室20、さらに２重配管構造とする配管15等に、
シランガスのガス漏れ検知器211 、212 、213 および21
4 を設置し、ガスモニタシステム22でガス洩れを監視し
ている。
め、シランガスの貯蔵室12、絶縁薄膜形成装置14、排ガ
スの導入室20、さらに２重配管構造とする配管15等に、
シランガスのガス漏れ検知器211 、212 、213 および21
4 を設置し、ガスモニタシステム22でガス洩れを監視し
ている。
【００１２】この様に対策を施すことによってシランガ
スの漏洩は確実に監視することができるが、特に排管17
部において酸素ガスが存在していても、それを確認する
ことができない。
スの漏洩は確実に監視することができるが、特に排管17
部において酸素ガスが存在していても、それを確認する
ことができない。
【００１３】例えば、半導体製造作業の間に何等かの保
守作業によって排管17内に外気が侵入し、酸素が存在す
る状態にあったとしてもこれを確認することができず、
この状態でシランガスを流す可能性がある。この様な状
況ではシランガスと酸素との混合によって爆発反応を起
こす危険性が大きい。
守作業によって排管17内に外気が侵入し、酸素が存在す
る状態にあったとしてもこれを確認することができず、
この状態でシランガスを流す可能性がある。この様な状
況ではシランガスと酸素との混合によって爆発反応を起
こす危険性が大きい。
【００１４】このため、この実施例で示した装置におい
ては、排管17にバルブ23を介して酸素濃度検出器24を設
置する。そして、シランガスボンベ11からシランガスを
絶縁薄膜形成装置14に供給する前に希釈Ｎ2 の供給を停
止し（但しポンプ用バラストＮ2 は流し放し）、分岐バ
ルブ23を開いて排管17内の酸素の有無を確認する。
ては、排管17にバルブ23を介して酸素濃度検出器24を設
置する。そして、シランガスボンベ11からシランガスを
絶縁薄膜形成装置14に供給する前に希釈Ｎ2 の供給を停
止し（但しポンプ用バラストＮ2 は流し放し）、分岐バ
ルブ23を開いて排管17内の酸素の有無を確認する。
【００１５】シラン（Ｓi Ｈ4 ）は許容濃度が０．５pp
mと毒性が強いと共に、酸素との混合による爆発限界が
０．８〜９８％と非常に危険なガスである。したがっ
て、排管17内において、酸素ガスの混入濃度が０．８％
未満であることを定量的に確認する必要がある。
mと毒性が強いと共に、酸素との混合による爆発限界が
０．８〜９８％と非常に危険なガスである。したがっ
て、排管17内において、酸素ガスの混入濃度が０．８％
未満であることを定量的に確認する必要がある。
【００１６】酸素濃度検出器24においては、排管17内の
酸素濃度が０．８％未満であることを確認するもので、
バルブ23を開いて排管17内の酸素ガス濃度を検出して、
その濃度が０．８％未満であることが確認されたとき
に、シランガスボンベ11から絶縁薄膜形成装置14に対し
てシランガスを供給する。もし、排管17内の酸素濃度が
０．８％以上であれば、排管17等の欠陥等の酸素の混入
原因を調査し、その原因が排除された後にシランカズス
の供給が開始されるようにする。
酸素濃度が０．８％未満であることを確認するもので、
バルブ23を開いて排管17内の酸素ガス濃度を検出して、
その濃度が０．８％未満であることが確認されたとき
に、シランガスボンベ11から絶縁薄膜形成装置14に対し
てシランガスを供給する。もし、排管17内の酸素濃度が
０．８％以上であれば、排管17等の欠陥等の酸素の混入
原因を調査し、その原因が排除された後にシランカズス
の供給が開始されるようにする。
【００１７】この酸素濃度検出器24は、シランガス排管
17のできるだけ後方の、排ガス処理装置18の前に取り付
けると効果的である。排管17中のガスは、ポンプおよび
ダクトの力によって後方に引かれているものであるた
め、酸素濃度検出器24を排管17の後方に配置することに
よって、排管17の全体の酸素の混入の有無を確実に確認
できる。
17のできるだけ後方の、排ガス処理装置18の前に取り付
けると効果的である。排管17中のガスは、ポンプおよび
ダクトの力によって後方に引かれているものであるた
め、酸素濃度検出器24を排管17の後方に配置することに
よって、排管17の全体の酸素の混入の有無を確実に確認
できる。
【００１８】この様に排管17に酸素濃度検出器24を設置
することによって、排管17の損傷を発見した例を図２に
示す。すなわち、真空ポンプ16の交換作業を行った翌日
において、排管17内の酸素濃度が約３．０％であった。
したがって、この状態ではシランガスの導入を停止し、
排管17を再度調査したところ、真空ポンプ16との接続部
であるフランジ部分に損傷が発見され、この損傷部分か
ら外気が入り込んでいることが確認された。この損傷の
発見されたフランジを交換した後、排管17内の酸素濃度
は０％に戻り、安全が確認されてシランガスの導入によ
る半導体製造作業が開始された。
することによって、排管17の損傷を発見した例を図２に
示す。すなわち、真空ポンプ16の交換作業を行った翌日
において、排管17内の酸素濃度が約３．０％であった。
したがって、この状態ではシランガスの導入を停止し、
排管17を再度調査したところ、真空ポンプ16との接続部
であるフランジ部分に損傷が発見され、この損傷部分か
ら外気が入り込んでいることが確認された。この損傷の
発見されたフランジを交換した後、排管17内の酸素濃度
は０％に戻り、安全が確認されてシランガスの導入によ
る半導体製造作業が開始された。
【００１９】すなわち、排管17部に酸素濃度検出器24を
設置することによって、排管17内でシランガスと酸素と
の混合により爆発反応が起こることが阻止され、またシ
ランガスのリークが防止される結果となった。
設置することによって、排管17内でシランガスと酸素と
の混合により爆発反応が起こることが阻止され、またシ
ランガスのリークが防止される結果となった。
【００２０】そして、この様な酸素濃度検出器24によっ
て、シランガスの配管以外のガス配管においても、その
配管の欠陥を発見することができるものであり、ガスの
漏れを防止すると共に、酸素ガスとの混合反応を防止で
きるようになる。
て、シランガスの配管以外のガス配管においても、その
配管の欠陥を発見することができるものであり、ガスの
漏れを防止すると共に、酸素ガスとの混合反応を防止で
きるようになる。
【００２１】上記実施例においては、シランガスを絶縁
薄膜形成装置14に流す前に配管17内の酸素濃度を検出
し、配管17内の酸素濃度が０．８％以下になっているこ
とが確認されたならば、手動操作でシランガスを流すよ
うにしている。
薄膜形成装置14に流す前に配管17内の酸素濃度を検出
し、配管17内の酸素濃度が０．８％以下になっているこ
とが確認されたならば、手動操作でシランガスを流すよ
うにしている。
【００２２】図３はこの様な点を考慮して構成した第２
の実施例を示すもので、酸素濃度検出器24からの出力信
号によって、シランガスボンベ11からの導入管13に至る
通路に設けた電磁弁25を制御するようにしている。すな
わち、酸素濃度検出器24で配管17内の酸素濃度が０．８
％を越える状態となったときに、電磁弁25を強制的に閉
じ、シランガスが薄膜形成装置14に導入されることを禁
止し、安全性をさらに向上させるようにしている。
の実施例を示すもので、酸素濃度検出器24からの出力信
号によって、シランガスボンベ11からの導入管13に至る
通路に設けた電磁弁25を制御するようにしている。すな
わち、酸素濃度検出器24で配管17内の酸素濃度が０．８
％を越える状態となったときに、電磁弁25を強制的に閉
じ、シランガスが薄膜形成装置14に導入されることを禁
止し、安全性をさらに向上させるようにしている。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体製造
装置によれば、特にシランガスを使用するような場合に
おいて、シランガスが酸素ガスと混合するような状態を
未然に発見することができるものであり、爆発の発生を
確実に防止できる。また同時にガス洩れの発生する欠陥
の発見も効果的に行える。ここで、安全性を確実にする
ために排管に導かれるガスに窒素等の不活性ガスによる
希釈が行われ、この排管部の酸素濃度を検出するに際し
ては、この希釈ガスの供給を停止して排管内の酸素の有
無を確認しているもので、排管内の酸素の存在の判定が
より明確に実行されて、この製造装置の安全性がさらに
向上される。
装置によれば、特にシランガスを使用するような場合に
おいて、シランガスが酸素ガスと混合するような状態を
未然に発見することができるものであり、爆発の発生を
確実に防止できる。また同時にガス洩れの発生する欠陥
の発見も効果的に行える。ここで、安全性を確実にする
ために排管に導かれるガスに窒素等の不活性ガスによる
希釈が行われ、この排管部の酸素濃度を検出するに際し
ては、この希釈ガスの供給を停止して排管内の酸素の有
無を確認しているもので、排管内の酸素の存在の判定が
より明確に実行されて、この製造装置の安全性がさらに
向上される。
【図１】この発明の一実施例に係る半導体製造装置を説
明する構成図。
明する構成図。
【図２】排管内の酸素濃度の状況を説明する図。
【図３】この発明の他の実施例を説明する構成図。
11…シランガスボンベ、12…貯蔵室、13…導入管、14…
絶縁薄膜形成装置、15…配管（２重配管）、16…真空ポ
ンプ、17…排管、18…ガス処理装置、19…排気ダクト、
23…分岐バルブ、24…酸素濃度検出器。
絶縁薄膜形成装置、15…配管（２重配管）、16…真空ポ
ンプ、17…排管、18…ガス処理装置、19…排気ダクト、
23…分岐バルブ、24…酸素濃度検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 宗生 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−222630（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板に薄膜を形成するためのシラ
ンガスを貯蔵するガス貯蔵源と、 このガス貯蔵源からの出力シランガスが供給される半導
体用絶縁膜形成手段と、 この絶縁膜形成手段からの排出ガスが吸引して導かれる
排管と、 この排管に導かれるガスを不活性の希釈ガスにより希釈
する希釈手段と、 前記排管を介して導かれたガスを処理し排気管から排出
させるガス処理手段と、 前記排管に設けられ、この排管内に流れるガス中の酸素
濃度を検出する酸素濃度検出手段とを具備し、 この酸素濃度検出手段では、前記希釈手段での希釈ガス
の供給を停止して酸素濃度の検出を行い、この検出濃度
が０．８％を越える状態となったときに、前記シランガ
スが前記半導体用絶縁膜形成手段に供給されることを禁
止するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192292A JP2658643B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192292A JP2658643B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536673A JPH0536673A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2658643B2 true JP2658643B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16288852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192292A Expired - Fee Related JP2658643B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658643B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249308B1 (ko) * | 1996-11-12 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체 공정챔버용 진공장치 및 그 관리방법 |
| JP2005216911A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャル成長装置の排ガス処理システム |
| JP4501799B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 住友電気工業株式会社 | 排ガス処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222630A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応処理装置 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3192292A patent/JP2658643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536673A (ja) | 1993-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |