JP2653480B2 - セフェム誘導体結晶 - Google Patents

セフェム誘導体結晶

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JP2653480B2 JP63167832A JP16783288A JP2653480B2 JP 2653480 B2 JP2653480 B2 JP 2653480B2 JP 63167832 A JP63167832 A JP 63167832A JP 16783288 A JP16783288 A JP 16783288A JP 2653480 B2 JP2653480 B2 JP 2653480B2
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  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 本発明は特定の結晶構造を有するセフェム誘導体に関
するものである。
特開昭62−123189号公報には次の構造式で示される7
β−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド〕
−3−(4−カルバモイル−1−キヌクリジニオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシレイトおよびこの化
合物が優れた抗菌力を有することが記載されている。
しかし,同公報に記載されているものは,非晶形また
はタイプIの結晶である。非晶形の化合物は,溶液の凍
結乾燥,溶媒の急激な留去,貧溶媒添加による化合物の
急激な析出等の方法により得られる。また,タイプIの
結晶はエタノール−水混合溶媒中より晶析すると得られ
る。このうちタイプIの結晶は室温1ケ月保存(密封容
器中)で化合物の残存率は50%以下と非常に安定性が悪
い。また非晶形の化合物は,タイプIの結晶より安定性
はよいが,それでも室温6ケ月の保存(密封容器中)で
残存率が90%以下と安定性が十分とはいえない。本発明
者等は鋭意研究の結果,特定の結晶形(タイプIII)を
有する化合物の安定性が優れていることを見い出し,本
発明を完成したものである。
したがって,本発明の目的は,安定性の優れた上記化
合物の結晶およびその製造方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明化合物は,6.2,5.1および5.0(単位はオングス
トローム)の面間隔dを含むX線回折パターンを有する
7β−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジア
ゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド〕−3−(4−カルバモイル−1−キヌクリジニオ)
メチル−3−セフェム−4−カルボキシレイト結晶(タ
イプIII結晶と称する)である。
このタイプIII結晶は,X線回折において,6.2,5.1およ
び5.0(オングストローム)の面間隔dにおいて強い回
折強度を有することが特徴的である。
本発明のタイプIII結晶は,次の方法による得ること
ができる。7β−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4
−チアジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノア
セトアミド〕−3−(4−カルバモイル−1−キヌクリ
ジニオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレイト
(原料化合物と称す)を水およびメタノールの混合溶媒
中より晶析させ,ついで水分含有量が5%(W/W)以下
になるまで乾燥することにより得られる。
上記の条件下においてタイプIII結晶が得られるが,
安定性の点から水分含有量は低いほど望ましい。
水およびメタノールの混合溶媒としては水1部(V)
に対し,メタノール0.1〜1.5部(V)の割合のものが好
ましい。また晶析温度としては−10℃〜20℃が好まし
い。乾燥手段としては,真空乾燥,真空凍結乾燥等を採
用することができる。
このタイプIII結晶は乾燥状態においては非常に安定
であるが,湿度の高い雰囲気下においては,安定性はあ
まり良くないので,密封条件下における保存に適してい
る。注射用の抗菌剤は通常バイアル中に密封して販売さ
れるので,このような場合にタイプIII結晶を用いれば
優れた安定性を発揮する。本発明のタイプIII結晶の製
造をバイアル中で行い,密封してそのまま製品とするこ
とができる。
次に実施例を示し,本発明をさらに詳しく説明する。
実施例1 10mlのバイアルに原料化合物1gを入れ,蒸留水4mlを
加えて溶解した。ついでメタノール5mlを加え,3℃で12
時間保存して結晶を析出させた。これを−40℃まで冷却
した後,試料温度を0℃以下に保持しながら40時間真空
乾燥,ついで試料温度を25℃まで上昇させつつ20時間真
空乾燥し,タイプIII結晶〔水分含有量1.03%(W/W)を
得た。このバイアルを乾燥窒素下で封栓した。得られた
タイプIII結晶のX線回折パターンは次のとおりであ
る。
また,タイプIII結晶のNMRスペクトル(δ,D2O)は次
のとおりである。
2.3(6H,m),3.5〜4.0(8H,m),4.2(3H,s),5.45(1H,
d,J=6Hz),5.97(1H,d,J=6Hz) 実施例2 水3ml,メタノール4mlを用いる以外は実施例1と同様
にしてタイプIII結晶〔水分含有量0.9%(W/W)〕を得
た。X線回折パターン,NMRスペクトルは実施例1と同様
であった。
実施例3 原料化合物100gを蒸留水450mlに溶解し,メタノール6
00mlを加えた後,これを100本の10mlバイアルに分注し
た。これらを3℃で18時間保存して結晶を析出させた。
これらを−40℃まで冷却した後,試料温度を0℃以下に
保持しながら40時間真空乾燥,ついで試料温度を25℃ま
で上昇させながら15時間真空乾燥し,タイプIII結晶
〔水分含有量1.40%(W/W)〕を得た。このバイアルを
乾燥窒素下で封栓した。X線回折パターン,NMRスペクト
ルは実施例1と同様であった。
実施例4 原料化合物100gを蒸留水350mlに溶解し,メタノール4
00mlを加えた後,これを100本の10mlバイアルに分注し
た。これらを3℃で12時間保存して結晶を析出させた。
以後実施例3と同様にして真空乾燥してタイプIII結晶
〔水分含有量1.31%(W/W)〕を得た。X線回折パター
ン,NMRスペクトルは実施例1と同様であった。
実施例5 実施例1における原料化合物,蒸留水,メタノールの
比率(W/W/W)を下記のように変化させた以外は,実施
例1と同様にしてタイプIII結晶を得た。X線回折パタ
ーン,NMRスペクトルは実施例1と同様であった。
実施例6 原料化合物100gを蒸留水450mlに溶解し,メタノール4
50mlを加えた後,5℃にて12時間放置した。析出した結晶
を取し,−20℃に冷却したメタノールで洗浄した。こ
れを5℃,相対湿度80%の雰囲気下で一夜乾燥後,100本
の10mlバイアルに分けて入れ,真空乾燥してタイプIII
結晶〔水分含有量0.93%(W/W)〕を得た。X線回折パ
ターン,NMRスペクトルは実施例1と同様であった。
実施例7 原料化合物,蒸留水,メタノールの比率を下記のよう
に変化させた以外は,実施例6と同様にしてタイプIII
結晶を得た。X線回折パターン,NMRスペクトルはいずれ
も実施例1と同様であった。
〔発明の効果〕 本発明で得られたタイプIII結晶を乾燥窒素雰囲気下
で容器に密封し,その化学的安定性を調べた。すなわち
保存後の試料を高速液体クロマトグラフィーで分析し,
化合物の残存率を求めた。対照としてタイプI結晶およ
び非晶形を用いた。各試料は次のようにして調製した。
タイプIII結晶:実施例1と同様してタイプIII結晶を
得,これを乾燥窒素雰囲気下で容器に密封した。
タイプI結晶:原料化合物の20%(W/W)水溶液に6倍
量(V)のエタノールを加え,温度5℃で12時間保存し
た。析出した結晶を取して冷却したエタノールで洗浄
後,室温にて風乾した〔水分含有量26.2%(W/W)〕。
これを乾燥窒素雰囲気下で容器に密封した。
非晶形:原料化合物の20%(W/W)水溶液を真空凍結乾
燥した〔水分含有量0.9%(W/W)〕。これを乾燥窒素雰
囲気下で容器に密封した。
上記のとおり,本発明のタイプIII結晶は,タイプI
結晶および非晶形に比べて安定性が優れている。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】6.2,5.1および5.0(単位はオングストロー
    ム)の面間隔dを含むX線回折パターンを有する7β−
    〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
    −3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド〕−3
    −(4−カルバモイル−1−キヌクリジニオ)メチル−
    3−セフェム−4−カルボキシレイト結晶。
  2. 【請求項2】次のX線回折パターン: 面間隔d(単位オングストローム) 13.3 11.2 8.2 7.8 7.3 6.7 6.5 6.2 6.0 5.6 5.4 5.1 5.0 4.8 4.7 4.5 4.4 4.3 4.1 4.0 3.9 3.7 3.6 3.5 3.4 3.3 3.2 を有する特許請求の範囲第1項記載の結晶。
  3. 【請求項3】7β−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,
    4−チアジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ
    アセトアミド〕−3−(4−カルバモイル−1−キヌク
    リジニオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレイ
    トを水およびメタノールの混合溶媒中より晶析させ,つ
    いで水分含有量が5%(W/W)以下になるまで乾燥する
    ことを特徴とする,6.2,5.1および5.0(単位はオングス
    トローム)の面間隔dを含むX線回折パターンを有する
    結晶の製造方法。
  4. 【請求項4】水およびメタノールの混合溶媒として水1
    部(V)に対しメタノール0.1〜15部(V)の混合溶媒
    を用い,−10℃〜20℃で晶析させることを特徴とする特
    許請求の範囲第3項記載の結晶の製造方法。
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