JP2646535B2 - イオンビーム銃 - Google Patents

イオンビーム銃

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JP2646535B2
JP2646535B2 JP61264241A JP26424186A JP2646535B2 JP 2646535 B2 JP2646535 B2 JP 2646535B2 JP 61264241 A JP61264241 A JP 61264241A JP 26424186 A JP26424186 A JP 26424186A JP 2646535 B2 JP2646535 B2 JP 2646535B2
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JP
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誠一 岩松
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    • H01J2237/06—Sources
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、水素イオン,Heイオン,Arイオン等のガス・
イオン放出用イオン・ビーム銃の先端構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、ガス・イオン・ビーム銃は、極細線Ｗ線の先端
を液化ガスで濡らすか、あるいは、ピン・ホールからの
ガスを放出を行なうと云う方法が用いられていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記従来技術によると、Ｗ線方式の場合は液
化ガスを用いなればならず、又、ピンホール方式の場合
と同様に真空度を保つのが困難という問題点があつた。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、液化ガ
スを用いず、ガス状態で且つ真空度を高く保つことがで
きるイオン・ビーム銃を先端構造を提供する事を目的と
する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のイオンビーム銃は、ガス室にガスを導入し、
前記ガスを前記ガス室と真空室とを隔絶するプレートの
イオン放出部を通してイオン化し、前記真空室にイオン
ビームを発生させるイオンビーム銃において、 前記イオン放出部は、前記プレートの一部に設けられ
たシリコン単結晶粒界の界面からなることを特徴とす
る。
〔作用〕
パラジウム，チタン等は水素ガスを透過すると共に、
タングステン等はアルゴン・ガス等を透過し、更に結晶
粒界等の界面もこれらガス体を透過する作用があり、こ
れらの極細線を埋めこんだ板をガス・イオン・ビーム銃
先端に採用すれば、真空室側の真空度を落さずに、ガス
・イオン，ビームを放射できる作用がある。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明を理解するための比較例を示すガス・
イオン・ビーム銃のガス・イオン放出部の断面図であ
る。すなわち、イオン・ビーム銃鏡体を構成するフラン
ジの上面には、例えばパラジウム線を芯に周辺を鉄で形
成された棒を延伸させて、パラジウム線３を0.1μｍ以
下の極めて細く形成した棒を切断研磨にてプレート状と
したプレート２を貼付けて形成される。この場合、高圧
ガス室側のH2ガスは、パラジウム線３内を透過し、真空
室側にプロトン（Hf）として引出されてプロトン・ビー
ムが形成される。
第２図は本発明の実施例を示すガス・イオン・ビーム
銃の要部の断面図である。すなわち、フランジ１の上面
には、シリコン単結晶事から成るプレート12がイオン・
ビームあるいは電子線ビームにより融解再結晶化によつ
て形成された結晶粒界を中心部に含んで貼付けられて成
る。この場合には、H2ガスは、結晶粒界内を透過して、
真空側にプロトン・イオンとして引出し、放出されるこ
ととなる。
尚、粒界は２種の異なる物質の界面を用いても良いこ
とは云うまでもない。
〔発明の効果〕
本発明は、イオンビーム銃に、ガス室と真空室を隔絶
したプレートに埋め込まれた微細な径のイオン放出部を
設けることで、真空室の真空度を落とさずに効率よく、
且つ、不要に広がらない微細なイオンビームを放出でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す、ガス・イ
オン・ビーム銃の要部の断面図である。 1,11……フランジ 2,12……プレート ３……パラジウム 13……結晶粒界

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガス室にガスを導入し、前記ガスを前記ガ
    ス室と真空室とを隔絶するプレートのイオン放出部を通
    してイオン化し、前記真空室にイオンビームを発生させ
    るイオンビーム銃において、 前記イオン放出部は、シリコン単結晶からなる前記プレ
    ートの一部に設けられたシリコン結晶粒界の界面からな
    ることを特徴とするイオンビーム銃。
JP61264241A 1986-10-13 1986-11-06 イオンビーム銃 Expired - Lifetime JP2646535B2 (ja)

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US07/107,424 US4902897A (en) 1986-10-13 1987-10-13 Ion beam gun and ion beam exposure device
KR1019920019579A KR930001433B1 (ko) 1986-10-13 1992-10-23 이온 빔 총

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JPS59130056A (ja) * 1983-01-17 1984-07-26 Nec Corp プロトンビ−ム照射源

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