JP2645733B2

JP2645733B2 - 抵抗体

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Publication number: JP2645733B2
Application number: JP63248805A
Authority: JP
Inventors: 行雄川口; 透木練
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-09-29
Filing date: 1988-09-29
Publication date: 1997-08-25
Anticipated expiration: 2012-08-25
Also published as: JPH0294404A

Description

【発明の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本発明は、電気抵抗値のコントロールが容易な炭化ホ
ウ素抵抗体に関する。

＜従来の技術＞炭化ホウ素はサーミスタ特性を示すことが知られてお
り、スパッタリングで炭化ホウ素のNTCサーミスタを作
成することが行われている。

しかし、炭化ホウ素スパッタリング膜では、高い電気
抵抗値を得ることが難しいという欠点がある。

また、特開昭56−73407号、同57−10908号、同57−10
909号、同57−11811号等では、スパッタガス雰囲気の希
ガス中に不純ガスを添加し、基板温度を制御して炭化ホ
ウ素のスパッタリングを行う旨が提案されている。

しかし、これらの提案では、電気抵抗値は逆に減少
し、また不純ガス濃度と基板温度を厳密に制御しなけれ
ばならないという欠点がある。

＜発明が解決しようとする課題＞本発明の主たる目的は、電気抵抗値を増大でき、しか
もそのコントロールが容易な炭化ホウ素系抵抗体を提供
することにある。

＜課題を解決するための手段＞本発明者らはこのような目的につき検討を行ったとこ
ろ、化学量論組成の炭化ホウ素B₄Cの組成をＣリッチに
すると、容易に高い電気抵抗値を得ることができること
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。

すなわち、本発明はB/Cの原子比が1.5以上、４未満で
ある炭化ホウ素を含むことを特徴とする抵抗体である。

＜作用＞本発明の組成の炭化ホウ素は、容易に電気抵抗値を10
³〜10⁸Ωの範囲で制御でき、しかも500℃程度の高温で
安定な電気抵抗値とＢ定数とが得られる。

＜具体的構成＞本発明における炭化ホウ素のB/Cの原子比は、1.5以
上、４未満、特に1.5〜3.7である。

このようなB/C比では抵抗値が向上し、例えば小面積
のスパッタ膜としたときでも10³〜10⁸Ωの範囲で抵抗値
をコントロールできる。

なお、ElliottらのARF−220012 for U.S.Atomic Enev
gy Commission Contact,No.AT（11−１）−578 May 1−
Apr.30,1961によれば、B₄Cに相当量のＣが固溶すること
が知られている。しかし、これにより、電気抵抗値が大
きくなり、しかも500℃程度にて安定なＢ定数をもつこ
とは従来知られていない。

このような炭化ホウ素は、従来公知の下記のようなB₄
Cの製造方法において、原料のホウ素成分と炭素成分の
量比を変えることによって容易に製造することができ
る。

１）元素状ホウ素と炭素の直接反応（例えば2000〜2400
℃）２）無水ホウ酸（ホウ酸またはホウ砂）の炭素還元３）窒化ホウ素の炭素還元４）炭素の存在下における無水ホウ酸のMg還元（テルミ
ット反応）５）炭素の存在下における炭化水素、水素による三塩化
ホウ素の還元（気相反応）このような炭化ホウ素から本発明の抵抗体を形成する
には種々の態様がある。

まず、第１は炭化ホウ素の粉末を用いた焼結体であ
る。

この場合には、炭化ホウ素のみで通常の粉末冶金法に
従い焼結成型品を得てもよい。

ただ、この場合は焼結温度が2000〜2300℃と高いた
め、マトリックス物質を含有させることが好ましい。

この場合、特に高温用サーミスタとしては下記のよう
な組成が好適である。

マトリックス物質としてはAl、Siおよび2A族元素の酸
化物の１種以上であることが好ましい。

マトリックス物質をこのような酸化物とすることによ
り、焼結性が向上し、ガラス封止等の際の発泡が減少す
る。

このような酸化物としては、酸化アルミニウム（Al₂O
₃、特にα−Al₂O₃）であってもよい。あるいは、酸化シ
リコン（SiO₂）、さらには種々の量比の酸化アルミニウ
ム−酸化シリコンであってもよい。酸化シリコンを用い
ることによって、切断加工性が向上し、チップ化が容易
となる。また、これらにかえ、あるいはこれらに加え、
2A族元素の酸化物の１種以上であってもよい。

2A族元素の酸化物を含有させることによって、電気抵
抗値のコントロールが容易となり、焼結体ウェハ内にて
生じる電気抵抗値の位置的なバラツキも小さくなる。ま
た、切断加工も容易となる。

2A族元素（Be、Mg、Ca、Sr、Ba）の酸化物としては、
酸化マグネシウム（MgO）、酸化カルシウム（CaO）、酸
化ストロンチウム（SrO）、酸化バリウム（BaO）が特に
好ましい。

2A族元素の酸化物の量は、目的とする電気抵抗値に応
じマトリックス物質の０〜100％の範囲の中から適宜決
定すればよい。さらに、マトリックス物質は、Al、Siお
よび2A族元素の酸化物の１種以上に加え、4A族元素の酸
化物の１種以上を含有してもよい。

4A族元素の酸化物を含有することによって、電気抵抗
値のコントロールが容易となり、その焼結体内でのバラ
ツキも小さくなり、切断加工性も向上する。

4A族元素（Ti、Zr、Hf）の酸化物としては、酸化チタ
ン（TiO₂）、酸化ジルコニウム（ZrO₂）が好ましい。

これら4A族元素の酸化物の量は、炭化ケイ素を炭化ホ
ウ素の含有量に対し、体積比で0.5以下、特に0.3以下で
ある。

これは、体積比が0.5をこえると、4A族元素の酸化物
が焼成時に、炭化ホウ素により還元されて導体性をもっ
てしまい、炭化ホウ素が導体路形成物質の主体となら
ず、高温でのサーミスタ特性等やその安定性が低下する
からである。

このようなマトリックス物質を形成する酸化物焼結体
の具体例としては、α−Al₂O₃、SiO₂、ムライト（3Al₂O
₃・2SiO₂）、ステアタイト２（MgO・SiO₂）、フォルス
テライト（2MgO・SiO₂）、ジルコン（ZrO²・SiO₂）、磁
器（SiO₂・Al₂O₃）、マグネシア（MgO）、Al₂O₃・CaO、
Al₂O₃・TiO₂、BaO・SiO₂等、“Engineering Properties
of Ceramics Databook to Guide Materials Selection
for Structural Applications"Battele Memorial Inst
itute Columbus Laboratries P445〜P447、P459、P46
9、P472、P479〜P480に記載の複合酸化物などが挙げら
れる。

これらの酸化物焼結体の化学式は、それぞれカッコ内
に示されるもの等であるが、化学量論的にその組成を多
少はずれてもよい。また、その平均グレイン粒径は通常
0.1〜100μｍ、特に0.1〜10μｍの範囲にある。

焼結体中における本発明の炭化ホウ素の含有量は、一
般に７体積％以上であればよい。

焼結体中における本発明の炭化ホウ素は、その平均粒
系は通常0.1〜15μｍの範囲にあるものである。

焼結体には、さらに炭化ケイ素が含有されていてもよ
い。

炭化ケイ素は、化学式SiCで示されるものであり、化
学量論的にその組成を多少はずれてもよい。また、その
平均グレイン粒径は、通常0.1〜15μｍの範囲にある。

ただし、炭化ケイ素の含有量は、前記マトリックス物
質の含有量に対し体積％で56体積％以下、好ましくは40
体積％以下である。

この体積％が56体積％をこえると、抵抗値が低下し、
またガラス封止工程等で発泡が生じじ、ガラス封止によ
る素子化が困難となるからである。

また、炭化ケイ素、炭化ホウ素およびマトリックス物
質の体積％は、焼結体の切断面を鏡面加工したのち、こ
れを電子顕微鏡観察し、各成分の面積％を算出し、これ
を体積％とすればよい。

本発明は、これら炭化ホウ素、あるいは炭化ホウ素と
炭化ケイ素とが、マトリックス物質中にて導電路を形成
してサーミスタ特性等を発揮するものである。そして、
これらから形成される導電路は400℃以上の高温にて安
定で、良好なサーミスタ特性等を有するものである。

次に、前記マトリックス物質の酸化物焼結体に酸化ア
ルミニウム（α−Al₂O₃）を適用した場合についてより
詳細に説明する。この場合、組成は、上記の焼結体を化
学分析して得たwt％で示している。

酸化アルミニウム（α−Al₂O₃）、炭化ケイ素（SiC）
および炭化ホウ素、特にＢ_3.7Ｃの含有量を、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝100wt％にて、それぞれ順にx wt％、y wt％、z wt
％とした場合、酸化アルミニウム、炭化ケイ素および炭
化ホウ素の組成（x,y,z）が第１図に示すように、３元
組成図でＡ（100,0,0）、Ｂ（0,0,100）Ｃ（50,50,0）
によって囲まれ、かつＡ点、Ｂ点、Ｃ点およびＡ−Ｃ線
を含まない組成範囲にある。この場合、好ましくは、Ｄ
（95,0,5）、Ｅ（5,0,95）、Ｃ（50,50,0）、Ｆ（95,5,
0）によって囲まれた組成範囲、より好ましくは、Ｄ（9
5,0,5）、Ｇ（50,0,50）、Ｃ（50,50,0）Ｆ（95,5,0）
によって囲まれた組成範囲、特に好ましくはＤ（95,0,
5）、Ｈ（80,0,20）、Ｉ（65,35,0）Ｆ（95,5,0）によ
って囲まれた組成範囲により好ましい結果を得る。

この際、AC線上の点は含まないものとし、特に炭化ホ
ウ素量はｎ線で示される5wt％（７体積％）以上とする
ものである。

このような組成範囲とするのは、第１図においてＡ
（100,0,0）点、すなわち酸化アルミニウムあるいはマ
トリックス物質100wt％となると高温でも高抵抗とな
り、Ｂ（0,0,100）点、すなわち炭化ホウ素100wt％とな
ると焼結体とするのが困難となるからであり、またBC線
より下になると、サーミスタ素子とした時のＢ定数が大
きくなり、焼結体とするのも困難となるからである。

そして、DF線以下になると炭化ホウ素添加の効果によ
り所望の抵抗値を得ることができ、また、EC線以上にな
ると焼結性が向上し、良好なサーミスタ特性を得ること
ができる。

なお、Ｅ点での炭化ホウ素含有量95wt％は、97体積％
に相当する。

そして、GC線以上となって、Al₂O₃量が50wt％以上と
なると焼結性はより一層良好なものとなる。

このような場合、炭化ホウ素添加の効果の一つはAl₂O
₃あるいはマトリックス物質の抵抗を低下することにあ
る。そして、この抵抗低下の効果はDGCFで囲まれる領域
内で発現し、この領域内で炭化ホウ素および／または炭
化ケイ素量が増加するにつれ抵抗値は漸減する。しかし
GC線をこえると抵抗変化は飽和し抵抗値はほとんど低下
しないことになる。

なお、このDHIFで囲まれる領域は、より好ましくはＪ
（90,0,10）、Ｋ（85,0,15）、Ｌ（80,20,0）Ｍ（70,3
0,0）で囲まれる領域（だだしLM線は含まず）となる
と、より一層好ましい抵抗値が得ることができる。

以上においては、マトリックス物質としてα−Al₂O₃
を単独で用い、α−Al₂O₃、炭化ケイ素SiCおよび炭化ホ
ウ素、特にＢ_3.7Ｃの含有量をｘ、ｙ、ｚとした場合の
好ましい組成範囲について述べてきた。

α−Al₂O₃を他のマトリックス物質にかえて用いる場
合には、他のマトリックス物質の理論密度をρ_ｍ、α−
Al₂O₃の理論密度をρａをしたとき、Ａ＝100/（ρ_mx/ρ
ａ＋ｙ＋ｚ）とすると、マトリックス物質はAxρ_m/ρａ
重量部、炭化ケイ素はAy重量部、炭化ホウ素はAz重量部
用いればよい。そして、前記第１図の点Ａ〜Ｍの（x,y,
z）に対応する（Axρ_mx/ρa,Ay,Az）にて決定される各
組成範囲が各成分の好適な含有重量範囲である。

このような場合、各成分の理論密度は、前記Battele
Memorial Institute Columbus Labovatoriesの文献に記
載されており、またそれから容易に計算可能である。

α−Al₂O₃はρａ＝3.98g/cm³、Ｂ_3.7Ｃは2.5g/cm³、S
iCは3.21g/cm³であり、この他、例えば2MgO・SiO₂は3.7
1g/cm³等である。

また、焼結体の実測密度は、焼結体の理論密度の75％
以上、特に90〜100％、特に95〜100％であることが好ま
しい。これにより、素子の電気抵抗値の経時変化特性が
向上する。

本発明における焼結体では、炭化ホウ素、あるいは炭
化ケイ素の一部が焼成中に酸化物に変化していてもよ
い。

あるいは前記酸化物の一部が炭化物に変化していても
よい。

ただし、酸化ホウ素の含有量は０〜1wt％で特に0.1〜
0.5wt％であることが好ましい、酸化ホウ素、特にB₂O₃はガラス質となり、ガラス相が
増加し、低融点となり、電気抵抗のコントロールや、焼
結体の粒子径のコントロール等が困難となるからであ
る。

本発明における材料は、マトリックス物質と、導電路
形成物質として炭化ホウ素を含有するものに、さらに副
成分として3A族元素の一種以上を元素換算で好ましくは
0.01〜10wt％含有させた焼結体から構成させることがで
きる。

3A族元素は、金属単体として含有させても、化合物と
して含有させても、あるいはこれらを複合含有させても
よい。

3A族元素としては、特にＹ、Ceが好ましく、化合物と
して含有させる場合は、これらの元素の酸化物（Y₂O₃、
CeO₂）あるいは炭化物が好ましい。

これらの元素を元素換算で好ましくは0.01〜10wt％含
有させることにより、電気抵抗値のコントロールが容易
となり、焼結体ウエハ内の電気抵抗値の位置的バラツキ
が小さくなる。

また、3A族元素にかえ、あるいはこれに加え、副成分
として、鉄を好ましくは金属単体、酸化物（Fe₂O₃）、
炭化物の１種以上の形で含有させてもよい。

Feも3A族元素と同等の効果をもつ。

Feの含有量は、元素換算で0.01〜10wt％が好ましい。

なお、鉄以外の８族元素、例えばCo、Ni、Ru等では、
500℃以上の使用温度で酸素欠陥の量が変化しやすく、
含有量が多くなると、電気抵抗の経時劣化が生じる。こ
のため鉄以外の８族元素の金属単体、酸化物、炭化物等
の含有は排除されるものではないが、元素換算で1wt％
以下、特に０〜0.5wt％であることが好ましい。

このような効果は、前記においてマトリックス物質に
ついて述べたように、2A族元素および4A族元素の酸化物
でも実現する。そして、これらの好適含有量は、前記し
たように、マトリックス物質の全部または一部であり、
しかも元素換算で0.01wt％以上であることが好ましい。

さらに、この2A族元素および4A族元素、好ましくはM
g、Ca、Sr、Ba、Ti、Zrの１種以上は元素単体であって
も、炭化物であってもよく、好ましくは元素換算で0.01
〜10wt％の含有量にて、抵抗値のコントロールが容易と
なり、そのバラツキが小さくなる。

さらに、必要に応じ、他の副成分も、例えば単体、酸
化物、炭化物等の形で含有することができる。

まず、5A族、6A族元素については、その含有に効果は
ないが、必ずしもその含有は排除されるものではない。
ただし、多量の添加はサーミスタ特性等を低下させるの
で、元素換算で10wt％、特に1wt％をこえないことが好
ましい。

次に、1A族元素、例えばNa、Li等については特に含有
されないことが好ましい。これはサーミスタ素子等の抵
抗体素子に電圧を印加すると、これらのイオンが移動、
拡散し、抵抗が経時劣化しやすいからである。また、ガ
ラス封止の際に、ガラス中に、これらが拡散しやすく、
特性劣化が生じやすいからである。

1A族元素の含有量は元素換算で０〜1wt％、特に０〜
0.001wt％であることが好ましい。

また、7A族元素の含有も好ましくない。7A族元素は価
数が変化しやすく、特性の経時変化が生じやすいからで
ある。

7A族元素の含有量は、元素換算で０〜1wt％、特に０
〜0.05wt％であることが好ましい。

さらに、1B族、2B族も、経時変化が生じやすいので、
元素換算で０〜1wt％、特に０〜0.05wt％であることが
好ましい。

この他、Ｂ、Al以外の3B族元素Ga、In、Tlも０〜1wt
％程度以下含有されてもよい。

ただし、Ｃ、Si、Ｏ、Ｎ以外の4B族、5B族、6B族、7B
族元素等は特性上好ましくないので０〜1wt％の含有量
であることが好ましい。

なお、副成分としては、微量の窒化物、ケイ化物、ホ
ウ化物等が含有されていてもよい。

これら副成分の総計は10wt％以下であることが好まし
い。

焼結体中におけるこれらの副成分は、化合物として含
有される場合は、化学量論的にその組成を多少はずれて
もよい。また、その平均粒径は、金属単体の場合は、通
常１〜５μｍの範囲にあり、化合物の場合は、通常0.1
〜５μｍの範囲にある。

さらに必要に応じ、前記の副成分あるいは焼結により
これらに変化する化合物、例えば炭酸塩、有機金属化合
物等を添加する。

2A族、3A族、4A族、Feの金属単体あるいは化合物の粉
末としては、一般に平均粒径１〜５μｍで、純度95wt％
以上のものを用いる。あるいは溶液添加してもよい。

このような焼結体は次のようにして得られる。

所定量の酸化アルミニウム等のマトリックス物質の粉
末と炭化ホウ素粉末とをエタノール、アセトン等の溶媒
を加えてボールミル等により湿式混合する。酸化アルミ
ニウム（Al₂O₃）等の上記酸化物の粉末としては一般に
平均粒径0.1〜５μｍで、純度99.5wt％以上のものを用
いる。

これら酸化物は、炭酸塩、有機金属化合物等の焼結に
よって酸化物になる化合物であってもよい。

炭化ホウ素粉末としては一般に平均粒径0.5〜５μｍ
で純度97wt％以上のものを用いる。

また、炭化ケイ素（SiC）粉末としては一般に平均粒
径0.5〜５μｍで通常純度98wt％以上のものを用いる。

溶媒量は粉末の100〜120wt％程度とする。

また、必要に応じてさらに、分散剤等を添加してもよ
い。

その後上記混合物を室温で加圧成形し、酸素雰囲気中
あるいは非酸化性雰囲気中で常圧焼結法、ホットプレス
（HP）焼結法、熱間静水圧（HIP）法などによりこの成
形体を焼結した後、放冷して得られる。

加圧成形の際の圧力は、500〜2000Kg/cm²程度であ
る。

焼結時の非酸化性雰囲気としては、N₂、Ar、He等の不
活性ガス、Ｈ、CO、各種炭化水素など、あるいはこれら
の混合雰囲気、さらには真空等の種々のものであってよ
い。

常圧焼結法の場合は大気圧でよく、焼結時の温度は16
00〜1900℃、より好ましくは1750〜1800℃で有効であ
る。

温度が1600℃より低い場合には、長時間焼結しても十
分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、Al₂O₃等の
酸化物とSiCおよび／またはB₄Cとの相互反応が激しくな
るからである。

焼結時間は、通常0.5〜２時間であり、特に、1750℃
では１時間程度であることが好ましい。

HP焼結法の場合、プレス圧力は150〜250Kg/cm²、温度
は1500〜1800℃、特に1600〜1750℃が好ましい。

温度が1500℃より低いと、緻密な焼結体が得られず、
1800℃より高いと、Al₂O₃等の上記マトリックス物質と
炭化ホウ素との相互反応が激しくなるからである。

焼結時間は、一般に１〜３時間である。

HIP焼結法の場合は、原料粉末の成形体を酸素雰囲気
中あるいは非酸化性雰囲気中（例えば、1200℃まで真空
中、その後はAr雰囲気中等が好ましい）で予備焼結し、
次いでHIP炉内でこの予備焼結体を焼結する。予備焼結
の温度は1400〜1650℃、その時間は１〜３時間とするの
がよい。

また、HIP法における温度は1200〜1500℃、焼結時間
は１〜５時間、圧力は1000〜1500Kg/cm²であり、酸素雰
囲気中あるいはAr等の不活性雰囲気中で行えばよい。

この場合、室温で酸素ガス、Arガス等を300〜400Kg/c
m²まで加圧し、その後、上記のように加熱により圧力を
かける。

このように作製した焼結体は、抵抗値が500℃で10²〜
10⁷Ωcm程度であり、400〜800℃の温度範囲で使用ない
し保存しても抵抗値の変化はほとんどない。また、Ｂの
値も50〜480℃で1000〜5000Kである。

焼結体の組成比と抵抗率（ρ）との関係を調べると、
炭化ホウ素添加量によるρ変化が急峻でなく、組成比を
変化させることにより所望の抵抗を得ることが容易とな
る。

また、酸化アルミニウムを前記の酸化物にかえた場合
は、サーミスタチップ等として適用したとき切断加工性
が改善される。

本発明の材料においては、2A族、3A族、4A族およびFe
から選ばれた少なくとも一種以上の元素を含有させるこ
とにより電気抵抗値をコントロールできる。

上記のようにして作成した抵抗体は、サーミスタチッ
プとしてサーミスタ素子に適用できる。

また、これらは、バリスタ特性も発揮する。

この際には、点ABC、より好ましくは点AGCで囲まれる
領域（ただし、AC線は含まず）で良好な特性を発揮す
る。

このような焼結体は、いわゆる厚膜法にて、ペースト
を印刷し、焼成することによって作製してもよい。

なお、炭化ホウ素を単独で焼結する場合、焼結温度以
外、焼成条件は前記と同様でよいが、スペーサーとし
て、酸化アルミニウム等の前記マトリックス物質を用い
ると、焼結温度が低下し、好ましい結果を得る。

これは、焼成に際し、酸化アルミニウムが炭化ホウ素
中に拡散することにより、焼成が促進されるのであると
考えられる。この際、酸化アルミニウム等は炭化ホウ素
中に、10〜1000ppm程度含有されることになる。

さらに、炭化ホウ素はスパッタリング膜として、サー
ミスタ、バリスタ等の抵抗体としてもよい。

ターゲットとしては、上記の炭化ホウ素の焼結体を用
い、動作圧0.3〜4Pa、投入電力200〜400W程度で通常の
スパッタリングを行えばよい。

なお、基板温度は10〜1000℃程度とする。

＜実施例＞以下、本発明の実施例を揚げ、本発明をさらに詳細に
説明する。

実施例１元素状ホウ素と炭素とを用い、これを種々の混合比で
混合し、2300℃の温度で反応させ、紛砕し、B/Cの量な
る組成の粒径0.5〜2.0μｍの炭化ホウ素を得た。

このものをプレス圧力200〜300kg/cm²、焼結温度1500
〜1800℃でホットプレス焼結した。この際、スペーサー
としてAl₂O₃成形体を用い、厚さ10mm、Al₂O₃含有量100p
pmの炭化ホウ素ターゲットを得た。

Ｘ線回折の結果、ターゲット中には、B₄CとＣの存在
が確認された。

このターゲットを用い、Al₂O₃基板上にスパッタリン
グを行い、２μｍの厚さの薄膜を形成した。

スパッタリング条件は、高周波電力300W、Ar雰囲気、
動作圧力1Pa、基板温度700℃とした。

膜のB/Cの原子比と抵抗値を表１に示す。

表１に示される結果から、本発明の炭化ホウ素膜は抵
抗値が格段と向上することがわかる。

実施例２平均粒径1.2μｍのAl₂O₃（純度99.9wt％以上）、下記
表２に示される組成の平均粒径1.2μｍの炭化ホウ素お
よび平均粒径1.0μｍのSiC（純度99.5wt％以上）を、表
２に示すような割合で秤量し、アセトンを用いてボール
ミルにて20時間湿式混合した。

混合したスラリーを乾燥造粒し、内径77mmの黒鉛型に
充填した。これをAr雰囲気または真空（10^-2Torr）中で
表２に示される焼結温度で、プレス圧力200〜300Kg/cm²
でホットプレス焼結を行った。

冷却後、それぞれの焼結体を型から取り出し、＃200
ダイヤモンド砥石にて加工し、0.75×0.75×0.5mmにチ
ップ化した。

これらのチップ化したものについて、所定の方法で電
極付けを行って、500℃における抵抗値（Ω）およびサ
ーミスタ定数Ｂを測定した。

また、、500℃−3000時間でのを測定した。

これらの結果を表２に示す。

なお、表２には焼結体の密度の理論密度に対する密度
比（％）が示される。

なお、組成の体積％は、焼結体の表面を鏡面研磨し
て、この電子顕微鏡写真から算出したものである。

表２に示される結果から、本発明の効果があきらかで
ある。

実施例３実施例２の本発明の試料２〜６において、サーミスタ
材料中のAl₂O₃を同容量の 3Al₂O₃・2SiO₂ 2MgO・SiO₂ MgO BaO・Al₂O₃・2SiO₂ 2CaO・SiO₂ 2CaO・Al₂O₃・SiO₂ 2MgO・2Al₂O₃・5SiO₂ SrO・Al₂O₃・2SiO₂ BaO・Al₂O₃ CaO・2Al₂O₃ MgO・Al₂O₃ にそれぞれ置き換えるほかは、同様にして種々の試料を
作製した。

これらの実測密度と理論密度の比は、90〜100％であ
り、炭化ホウ素の体積％は試料２〜６とほぼ同一であっ
た。このような試料について切断加工性を調べた。

この結果、本実施例の試料は実施例１の試料より切断
加工性が向上していることが確認された。

また、実施例１と同様の項目について特性を調べたと
ころ、同等の結果が得られた。

実施例４実施例２の本発明のサンプルに、MgCO₃、CaCO₃、SrCO
₃、BaCo₃、Y₂O₃、TiO₃、ZrO₂、Fe₂O₃またはCeO₂を添加
して、それぞれの酸化物を0.2wt％含有させたところ、
抵抗の変動係数が低下した。

＜発明の効果＞本発明によれば電気抵抗値が高いものとなり、しかも
そのコントロールがきわめて容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明における抵抗体の組成の１例を示す組
成３元図である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】B/Cの原子比が1.5以上、４未満である炭化
ホウ素を含むことを特徴とする抵抗体。
【請求項２】前記炭化ホウ素を含有する焼結体である請
求項１に記載の抵抗体。
【請求項３】さらに、マトリックス物質を含有する請求
項２に記載の抵抗体。
【請求項４】前記炭化ホウ素の薄膜である請求項１に記
載の抵抗体。