JP2643459B2 - Power device drive / protection circuit - Google Patents
Power device drive / protection circuitInfo
- Publication number
- JP2643459B2 JP2643459B2 JP1176318A JP17631889A JP2643459B2 JP 2643459 B2 JP2643459 B2 JP 2643459B2 JP 1176318 A JP1176318 A JP 1176318A JP 17631889 A JP17631889 A JP 17631889A JP 2643459 B2 JP2643459 B2 JP 2643459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power device
- short
- protection circuit
- drive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧制御形パワーデバイスを出力素子とし
て用いるパワーICモジユール等のパワーデバイス回路に
関し、特にそのパワーデバイスの駆動回路において過電
流及び短絡の保護機能を持つパワーデバイスの駆動・保
護回路に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power device circuit such as a power IC module using a voltage control type power device as an output element, and more particularly, to an overcurrent and a short circuit in a drive circuit of the power device. The present invention relates to a drive / protection circuit for a power device having the above protection function.
従来、パワーデバイス回路において用いられている電
圧制御形パワーデバイスの駆動・過電流保護回路の一例
を第３図に示して説明する。第３図において、１はマイ
クロコンピユータ（以下マイコンと略称する）、２は駆
動（ドライバー）回路、３は電流検出内蔵の電圧制御形
パワーデバイスとしてのIGBTであり、そのエミツタＥは
接地され、コレクタＣが誘導性負荷６に接続されてい
る。そして、このIGBT3を駆動する駆動回路２にはマイ
コン１より入力信号VINが入力され、ゲート抵抗４を介
してIGBT3のゲートＧに接続されている。また駆動回路
２はそのゲートＧに逆バイアスを印加するため＋VCCと
−VEEの２電源が供給されている。また、IGBT3のセンス
ＳとエミツタＥの間に接続されたセンス抵抗５によりIG
BT3のコレクタ電流ICをモニターし、その電圧と基準電
圧源７の基準電圧Vref1を比較器８で比較することによ
り、過電流の検出を行ない、過電流状態になると異常信
号VFOをマイコン１に出力するものとなつている。An example of a drive / overcurrent protection circuit for a voltage-controlled power device conventionally used in a power device circuit will be described with reference to FIG. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a microcomputer (hereinafter abbreviated as a microcomputer), 2 denotes a drive (driver) circuit, 3 denotes an IGBT as a voltage-controlled power device with a built-in current detector, and an emitter E is grounded and a collector is provided. C is connected to the inductive load 6. An input signal VIN is input from the microcomputer 1 to the drive circuit 2 for driving the IGBT 3, and is connected to the gate G of the IGBT 3 via the gate resistor 4. The drive circuit 2 is supplied with two power supplies of + V CC and -V EE to apply a reverse bias to its gate G. The sense resistor 5 connected between the sense S and the emitter E of the IGBT 3
Monitoring the collector current I C of BT3, the microcomputer by comparing the reference voltage V ref1 of the voltage and the reference voltage source 7 by the comparator 8 performs the detection of the overcurrent, when an overcurrent condition abnormality signal V FO 1 is output.
次に動作について第４図のタイミングチヤートを参照
して説明する。なお、第４図において太い矢印で示す符
号Ｉの部分は通常時の波形を示し、同じく符号IIの部分
は過電流時の波形を、符号IIIの部分は短絡時の波形を
それぞれ示している。Next, the operation will be described with reference to the timing chart of FIG. In FIG. 4, a portion indicated by a thick arrow I indicates a normal waveform, a portion II indicates a waveform at the time of overcurrent, and a portion III indicates a waveform at the time of short circuit.
まず通常の状態（符号Ｉの部分）では、マイコン１よ
りの第４図（ｄ）に示す入力信号VINに対応して、駆動
回路２の出力であるゲート印加電圧VGEは、−VEEから＋
VCCの電源レベルとなる（第４図（ｄ））。このため、I
GBT3はオン状態となり、コレクタ電流ICが流れる（第４
図（ａ））。そしてコレクタ電流ICが増加し、過電流検
出レベルを越えた過電流状態（符号IIの部分）では、コ
レクタ電流ICが過電流検出レベル21を越えると、比較器
８からマイコン１に異常信号VFOが出力される（第４図
（ｃ））。すると、マイコン１はその異常信号に基づき
処理を行なつた後、入力信号VINを「Ｈ」レベルから
「Ｌ」レベルとする（第４図（ｄ））。そのため、駆動
回路２はその出力を−VEEの電源レベルとし、IGBT3のゲ
ートＧを逆バイアスすることによつてIGBT3をオフと
し、コレクタ電流ICを遮断する。また、符号SHで示す短
絡時に短絡電流が流れた状態（符号IIIの部分）でも、
その電流が過電流検出レベル21を越えるため、過電流状
態と同様の動作によりコレクタ電流ICを遮断し、保護を
行なうことができる。First, in a normal state (part I), the gate applied voltage VGE which is the output of the drive circuit 2 is −V EE , corresponding to the input signal V IN from the microcomputer 1 shown in FIG. From +
It becomes the power supply level of V CC (FIG. 4 (d)). For this reason, I
GBT3 is turned on, flows a collector current I C is (4
Figure (a). The collector current I C is increased, the overcurrent state exceeding the overcurrent detection level (portion of reference numeral II), the collector current I C exceeds overcurrent detection level 21, the abnormal signal from the comparator 8 to the microcomputer 1 VFO is output (FIG. 4 (c)). Then, after performing the processing based on the abnormal signal, the microcomputer 1 changes the input signal VIN from the “H” level to the “L” level (FIG. 4D). Therefore, the driving circuit 2 is the output power level of -V EE, and turns off the Yotsute IGBT3 to reverse bias the gate G of the IGBT3, to cut off the collector current I C. Moreover, even a state short-circuit current during a short circuit indicated by symbol S H flows (part of the code III),
Since the current exceeds the overcurrent detection level 21, to cut off the collector current I C by the same operation as the overcurrent condition, it is possible to provide protection.
しかし、従来の電圧制御形パワーデバイスの駆動・過
電流保護回路は、以上のように構成されているので、過
電流が発生し、パワーデバイスの保護のためにゲート印
加電圧を下げるためにマイコンによる信号処理が必要で
あつた。また、マイコンのソフトウエアによるために計
算時間や異常信号のサンプリング時間が必要なため、入
力信号にフイードバツクをかけるのに時間がかかる。こ
のためパワーデバイスに短絡が生じた場合、フイードバ
ツクがかかるまで、パワーデバイスが破壊しない短絡耐
量のあるデバイスを使用しなければならず、スイツチン
グスピード,VCE(sat)等の特性を悪くした状態で使用し
ていた。また、パワーデバイスをブリツジ構成に接続し
た場合、オフ状態のデバイスにdv/dtが印加されゲート
電圧が上昇し、誤動作するのを防止するために、オフ時
にゲートを逆バイアスする必要がある。このため、駆動
回路を２電源で使用するか，あるいは１電源で、逆バイ
アス用のダイオード回路やレギユレータ回路を使用する
必要があつた。However, since the conventional drive / overcurrent protection circuit for a voltage-controlled power device is configured as described above, an overcurrent occurs and a microcomputer is used to lower the gate applied voltage to protect the power device. Signal processing was required. In addition, since the calculation time and the sampling time of the abnormal signal are required because of the software of the microcomputer, it takes time to feed back the input signal. Therefore, if a short circuit occurs in the power device, a device with a short-circuit tolerance that does not destroy the power device must be used until feedback occurs, and the characteristics such as switching speed and V CE (sat) are deteriorated. I was using it. Further, when the power device is connected in a bridge configuration, it is necessary to reverse-bias the gate at the time of off in order to prevent dv / dt from being applied to the device in the off state, increase the gate voltage, and prevent malfunction. For this reason, it has been necessary to use a drive circuit with two power supplies or one power supply and use a reverse bias diode circuit and a regulator circuit.
本発明は上記のような問題点に解消するためになされ
たもので、IGBTなどのパワーデバイスの短絡耐量に関係
なく、スイツチングスピードとVCE(sat)等の特性の良い
状態のデバイスを使用するための、過電流保護・短絡保
護回路を得るとともに、１電源で、逆バイアスをしない
でdv/dtによるゲート電圧の誤動作をしない駆動回路を
得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and uses a device having good characteristics such as switching speed and V CE (sat) irrespective of the short-circuit tolerance of a power device such as an IGBT. It is an object of the present invention to obtain an overcurrent protection / short-circuit protection circuit and a driving circuit that does not reverse bias and does not malfunction the gate voltage due to dv / dt with one power supply.
本発明に係る電圧制御形パワーデバイスの駆動・過電
流及び短絡保護回路は、短絡が発生すると同時に、その
パワーデバイスのゲート印加電圧を低下させてそのコレ
クタ電流を低下させる動作を入力パルス毎に行なうとと
もに、過電流保護は、過電流発生から誘導性負荷などの
場合のフリーホイールダイオードのリカバリー電流を考
慮し、あるデイレイ時間後に直接駆動回路の遮断を行な
う。また、その駆動回路のオフ時に、IGBT等のパワーデ
バイスのゲートとエミツタ間を低インピーダンスでシヨ
ートしたものである。The drive / overcurrent and short-circuit protection circuit of the voltage-controlled power device according to the present invention performs an operation of lowering the gate applied voltage of the power device and lowering the collector current thereof for each input pulse at the same time when a short circuit occurs. At the same time, the overcurrent protection directly shuts off the drive circuit after a certain delay time in consideration of the recovery current of the freewheel diode in the case of inductive load or the like from occurrence of overcurrent. When the drive circuit is turned off, a short circuit is established between the gate and the emitter of a power device such as an IGBT with low impedance.
本発明に係る短絡保護回路は、短絡が発生すると同時
にゲート印加電圧を低下させ、コレクタ電流を低下させ
ることができるので、IGBT等のパワーデバイスの短絡耐
量にあわせて短絡とする検出値を設定でき、スイツチン
グタイム,VCE(sat)を最良にしたデバイスを自由に使用
できる。また過電流保護回路も、フリーホイールのリカ
バリー電流分を除くためのデイレイ時間を設けるだけ
で、直接駆動回路を遮断するため、高速動作が可能とな
る。しかもマイコンによる信号処理は不要で、異常信号
による状態検出のマイコンは行なうだけとなり、マイコ
ンの負荷が軽くなる。また、IGBT等のパワーデバイスの
オフ時に、ゲートとエミツタ間を低インピーダンスでシ
ョートすることにより、dv/dtによるゲート誤動作を防
止できるとともに、逆バイアス回路が不要となり、１電
源で、すべての駆動保護回路を動作させることが可能と
なる。Since the short-circuit protection circuit according to the present invention can reduce the gate applied voltage and reduce the collector current at the same time when a short-circuit occurs, the detection value of the short-circuit can be set according to the short-circuit tolerance of a power device such as an IGBT. The device having the best switching time and V CE (sat) can be used freely. Also, the overcurrent protection circuit directly cuts off the drive circuit only by providing a delay time for removing the recovery current of the freewheel, thereby enabling high-speed operation. In addition, signal processing by the microcomputer is unnecessary, and the microcomputer only detects the state based on the abnormal signal, thereby reducing the load on the microcomputer. In addition, when a power device such as an IGBT is turned off, the gate and the emitter are short-circuited with low impedance to prevent gate malfunction due to dv / dt, and no reverse bias circuit is required, and all drive protection is possible with one power supply. The circuit can be operated.
以下、本発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明によるパワーデバイスの駆動・保護回路の一
実施例を示すブロツク構成図である。第１図において、
マイコン１よりの入力信号VINは、R/Sフリップフロップ
であって、入力信号がリセット端子に接続され入力信号
が印加される度にリセットされるパルス・バイ・パルス
形のラッチ回路10を経て駆動回路２とターンオフ回路11
に入力されると共に、駆動回路２からゲート抵抗４を介
してIGBT3のゲートＧに接続される。そして入力信号の
オフ時には、ターンオフ回路11によりIGBT3のゲートＧ
を低インピーダンスでグランド（IGBT3のエミツタ電
位）にシヨートするように接続されている。また、IGBT
3のセンスＳとエミツタＥの間に接続されたセンス抵抗
５により、IGBT3のコレクタ電流ICをモニターし、短絡
検出は基準電圧源12の基準電圧Vref2と，過電流検出は
基準電圧源７の基準電圧Vref1（Vref2）と電圧比較を
それぞれ比較器13,比較器８で行なう。さらに、短絡保
護用の比較器13の出力は、入力信号VINが入力されるパ
ルス・バイ・パルス形ラツチ回路14に入力され、短絡が
発生するとその入力信号のオン状態中、駆動回路２の出
力電圧をゲート抵抗４と4aで抵抗分割して、IGBT3のゲ
ートに印加するように接続されている。また、過電流保
護用の比較器８の出力は、誘導性負荷６側のフリーホイ
ールダイオード（図示せず）によるリカバリー電流分を
除くべく予め決められたデイレイ時間tdのデイレイ回路
９を介して、マイコン１に異常信号を出力するととも
に、駆動回路２の出力を遮断するためパルス・バイ・パ
ルス形スイツチ回路10に入力されている。なお、図中同
一符号は同一または相当部分を示している。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a drive / protection circuit for a power device according to the present invention. In FIG.
The input signal V IN from the microcomputer 1 is an R / S flip-flop, which passes through a pulse-by-pulse type latch circuit 10 in which the input signal is connected to a reset terminal and reset each time an input signal is applied. Drive circuit 2 and turn-off circuit 11
And is connected from the drive circuit 2 to the gate G of the IGBT 3 via the gate resistor 4. When the input signal is off, the gate G of the IGBT 3 is turned off by the turn-off circuit 11.
Are connected to ground (emitter potential of IGBT3) with low impedance. Also, IGBT
The collector current I C of the IGBT 3 is monitored by the sense resistor 5 connected between the sense S 3 and the emitter E, and the short-circuit is detected by the reference voltage V ref2 of the reference voltage source 12 and the over-current is detected by the reference voltage source 7. And the reference voltage V ref1 (V ref2 ) is compared by the comparator 13 and the comparator 8, respectively. Further, the output of the comparator 13 for short-circuit protection is input to a pulse-by-pulse type latch circuit 14 to which the input signal V IN is input. When a short-circuit occurs, the drive circuit 2 is turned on while the input signal is on. The output voltage is divided by the gate resistors 4 and 4a, and is connected so as to be applied to the gate of the IGBT3. The output of the comparator 8 for overcurrent protection via the Deirei circuit 9 of a predetermined Deirei time t d to excluding recovery current caused by the inductive load 6 side of the freewheeling diode (not shown) An abnormal signal is output to the microcomputer 1 and is input to the pulse-by-pulse switch circuit 10 for shutting off the output of the drive circuit 2. The same reference numerals in the drawings indicate the same or corresponding parts.
次に上記実施例構成の動作について、第２図のタイミ
ングチヤートを参照して説明する。まず通常の動作（符
号Ｉの部分）では、マイコン１よりの第２図（ｄ）に示
す入力信号VINに対応して、駆動回路２の出力であるゲ
ート印加電圧VGEが＋VCCの電源レベルになり（第２図
（ｂ））、IGBT3はオンしてコレクタ電流ICが流れる
（第２図（ａ））。そしてコレクタ電流ICが増加して過
電流検出レベル21をこえると（符号IIの部分）、過電流
保護回路を構成する比較器８の出力信号は、そのデイレ
イ回路９のデイレイ時間tdだけ遅れて、ラツチ回路10を
経て駆動回路２を遮断し、その出力のゲート印加電圧V
GEを「０」Ｖとし、同時に異常信号VFOをマイコン１に
出力する。そのため、マイコン１は異常信号の発生を検
知するだけでよく、入力信号が「Ｌ」レベルになると、
パルス・バイ・パルス形ラツチ回路10により自動的に異
常状態のラツチはリセツトされる。Next, the operation of the above embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. First, in normal operation (part of the code I), in response to the input signal V IN shown in the second diagram of a microcomputer 1 (d), the power of which is the output of the driver circuit 2 applied gate voltage V GE is + V CC becomes level (FIG. 2 (b)), IGBT 3 is the collector current I C flows on (FIG. 2 (a)). When the collector current I C exceeds overcurrent detection level 21 increases (portion of reference numeral II), the output signal of the comparator 8 constituting the overcurrent protection circuit is delayed by Deirei time t d of the Deirei circuit 9 Then, the drive circuit 2 is cut off via the latch circuit 10, and the gate applied voltage V
GE is set to “0” V, and an abnormal signal VFO is output to the microcomputer 1 at the same time. Therefore, the microcomputer 1 only needs to detect the occurrence of the abnormal signal, and when the input signal becomes “L” level,
The abnormal latch is automatically reset by the pulse-by-pulse latch circuit 10.
また、符号SHで示す短絡時に短絡電流が流れた場合
（符号IIIの部分）は、そのコレクタ電流ICが短絡検出
レベル22を越えると同時に、短絡保護回路を構成する比
較器13の出力がパルス・バイ・パルス形ラツチ回路14に
入力される。これにより、ゲート印加電圧VGEがVCC電源
レベルからゲート抵抗４及び4aの抵抗分割により低下し
（第２図（ｂ））、そのラツチ回路14によつて入力信号
が「Ｈ」レベルの間はラツチする。そして上記短絡保護
回路が働き、コレクタ電流ICは減少するが、この時の電
流値を過電流検出レベル21以上とすると、上記過電流状
態と同様に「td」の時間遅れの後、IGBT3のゲートを遮
断し、異常信号を出力する（第２図（ｃ））。Further, when a short circuit current during a short circuit indicated by symbol S H flows (part of the code III) and, at the same time the collector current I C exceeds the short circuit detection level 22, the output of the comparator 13 constituting a short-circuit protection circuit It is input to the pulse-by-pulse type latch circuit 14. Thus, the applied gate voltage V GE is lowered by resistance division of the gate resistor 4 and 4a from the V CC power supply level (Figure 2 (b)), while by connexion input signal to the latch circuit 14 is at "H" level Ratchet. And the short-circuit protection circuit is working, the collector current I C is decreased, the current value at this time is the overcurrent detection level 21 or higher, after a time delay as in the overcurrent state "t d", IGBT 3 Is shut off and an abnormal signal is output (FIG. 2 (c)).
また、駆動回路２とターンオフ回路11のタイミング
は、その駆動回路２の出力が「Ｌ」レベルから「Ｈ」レ
ベルとなる直前に、ターンオフ回路11はIGBT3のゲート
・エミツタ間を高インピーダンスにし、「Ｈ」レベルか
ら「Ｌ」レベルになつた直後に、ゲート・エミツタ間を
低インピーダンスにする。これにより、IGBT3がオフ状
態では、ターンオフ回路11によりIGBT3のゲート・エミ
ツタが低インピーダンスにシヨートされる。そのため、
IGBTをブリツジ構成とした場合に発生するdv/dtに伴な
うゲート電圧変動による誤動作を防止することができ
る。The timing of the drive circuit 2 and the turn-off circuit 11 is such that the turn-off circuit 11 sets the impedance between the gate and the emitter of the IGBT 3 to high impedance immediately before the output of the drive circuit 2 changes from "L" level to "H" level. Immediately after the level changes from the "H" level to the "L" level, the impedance between the gate and the emitter is reduced. As a result, when the IGBT 3 is off, the turn-off circuit 11 short-circuits the gate emitter of the IGBT 3 to a low impedance. for that reason,
It is possible to prevent a malfunction due to a gate voltage fluctuation accompanying dv / dt that occurs when the IGBT is configured in a bridge configuration.
なお、上記実施例では、パワーデバイスとして電流検
出内蔵IGBTについて述べたが、電圧制御形のパワーデバ
イスであれば、MOS FET等であつてもよく、また電流検
出内蔵のデバイスでなくても、他の方法によりコレクタ
電流をモニターし、電流を電圧に変換するセンサを用い
れば、上記実施例と同様の効果を奏する。In the above-described embodiment, an IGBT with a built-in current detection has been described as a power device. However, any voltage-controlled power device may be a MOS FET or the like. If a sensor that monitors the collector current and converts the current into a voltage is used by the method described above, the same effect as in the above embodiment can be obtained.
また、短絡保護回路が動作した時、上記実施例ではコ
レクタ電流が過電流検出レベル以上である場合について
述べたが、コレクタ電流が過電流検出レベル以下になつ
た場合は、短絡保護回路出力（パルス・バイ・パルス形
ラツチ回路14の出力）を家電流検出用基準電圧源７にフ
イードバツクし、短絡が発生した場合の過電流検出レベ
ルを下げれば上記実施例と同様の効果を奏する。In the above embodiment, when the short-circuit protection circuit is activated, the case where the collector current is equal to or higher than the overcurrent detection level has been described. If the output of the bi-pulse type latch circuit 14 is fed back to the reference voltage source 7 for house current detection and the overcurrent detection level in the event of a short circuit is lowered, the same effect as in the above embodiment can be obtained.
以上のように本発明によれば、駆動回路においてパワ
ーデバイスのオフ状態時にゲート・エミツタを低インピ
ーダンスにしたことにより、逆バイアスが不要になり、
１電源化を実現できるとともに、短絡保護回路と過電流
保護回路の組合せにより、パワーデバイスの短絡耐量を
考慮することなしに使用できる。また、マイコン等の外
部フイードバツクを必要とせずに保護を行なうので、高
速動作が可能となり、安価な回路が得られる効果があ
る。As described above, according to the present invention, by setting the gate emitter to a low impedance when the power device is in the off state in the drive circuit, reverse bias becomes unnecessary,
A single power supply can be realized, and the combination of the short-circuit protection circuit and the overcurrent protection circuit allows the power device to be used without considering the short-circuit tolerance of the power device. In addition, since protection is performed without the need for an external feedback circuit such as a microcomputer, high-speed operation is possible and an inexpensive circuit can be obtained.
第１図は本発明の一実施例によるパワーデバイスの駆動
・保護回路のブロツク構成図、第２図はその実施例の動
作説明に供するタイミングチヤート、第３図は従来例に
よる駆動・過電流保護回路のブロツク構成図、第４図は
そのタイミングチヤートである。 ２……駆動回路、３……IGBT、4,4a……ゲート抵抗、５
……センス抵抗、６……誘導性負荷、7,12……基準電圧
源、８……過電流保護用比較器、９……デイレイ回路、
10,14……ラツチ回路、11……ターンオフ回路、13……
短絡保護用比較器。FIG. 1 is a block diagram of a drive / protection circuit for a power device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment, and FIG. 3 is a drive / overcurrent protection according to a conventional example. FIG. 4 is a block diagram of the circuit, and FIG. 4 is a timing chart thereof. 2 ... Drive circuit, 3 ... IGBT, 4,4a ... Gate resistance, 5
... sense resistor, 6 ... inductive load, 7, 12 ... reference voltage source, 8 ... comparator for overcurrent protection, 9 ... delay circuit,
10,14… Latch circuit, 11… Turn-off circuit, 13…
Short circuit protection comparator.
Claims (3)
パワーデバイスに与える駆動回路において、 上記パワーデバイスがオフ状態のときにそのデバイスの
ゲートとエミッタ間をゲート抵抗より低インピーダンス
とするターンオフ回路を備えたことを特徴とするパワー
デバイスの駆動・保護回路。1. A drive circuit for applying an output voltage to a voltage-controlled power device via a gate resistor, wherein a turn-off circuit for lowering the impedance between a gate and an emitter of the device when the power device is in an off-state is lower than the gate resistance. A drive / protection circuit for a power device, comprising:
パワーデバイスに与える駆動回路において、 上記パワーデバイスの電流センサよりの信号を第１の基
準電圧と比較し、その出力を遅延回路を通して上記パワ
ーデバイスの駆動回路に帰還し、過電流を検出したとき
設定時間後にパワーデバイスをオフ状態にする過電流保
護回路と、上記電流センサよりの信号を第１の基準電圧
より大きな第２の基準電圧と比較し、短絡を検出したと
き上記駆動回路の出力電圧を低下させる短絡保護回路と
を備え、この短絡保護回路の検出時における上記電流セ
ンサよりの信号を過電流保護回路の検出レベル以上に設
定することにより、設定時間後にパワーデバイスをオフ
状態にすることを特徴とするパワーデバイスの駆動・保
護回路。2. A drive circuit for providing an output voltage to a voltage-controlled power device via a gate resistor, wherein a signal from a current sensor of the power device is compared with a first reference voltage, and the output is passed through a delay circuit. An overcurrent protection circuit that returns to a drive circuit of the power device and turns off the power device after a set time when an overcurrent is detected; and a second reference voltage that outputs a signal from the current sensor that is higher than the first reference voltage. A short-circuit protection circuit that lowers the output voltage of the drive circuit when a short circuit is detected, and sets a signal from the current sensor when the short-circuit protection circuit is detected to a level equal to or higher than the detection level of the overcurrent protection circuit. A power device drive / protection circuit, wherein the power device is turned off after a set time.
パワーデバイスに与える駆動回路において、 上記パワーデバイスがオフ状態のときにそのデバイスの
ゲートとエミッタ間をゲート抵抗より低インピーダンス
とするターンオフ回路と、上記パワーデバイスの電流セ
ンサよりの信号を第１の基準電圧と比較し、その出力を
遅延回路を通して上記パワーデバイスの駆動回路に帰還
し、過電流を検出したとき設定時間後にパワーデバイス
をオフ状態にする過電流保護回路と、上記電流センサよ
りの信号を第１の基準電圧より大きな第２の基準電圧と
比較し、短絡を検出したとき上記駆動回路の出力電圧を
低下させる短絡保護回路とを備え、この短絡保護回路の
検出時における上記電流センサよりの信号を過電流保護
回路の検出レベル以上に設定することにより、設定時間
後にパワーデバイスをオフ状態にすることを特徴とする
パワーデバイスの駆動・保護回路。3. A drive circuit for applying an output voltage to a voltage-controlled power device via a gate resistor, wherein a turn-off circuit for lowering the impedance between a gate and an emitter of the device when the power device is in an off-state is lower than the gate resistance. And a signal from the current sensor of the power device is compared with a first reference voltage, and the output is fed back to the drive circuit of the power device through a delay circuit. When the overcurrent is detected, the power device is turned off after a set time. An overcurrent protection circuit for setting a state, a short-circuit protection circuit for comparing a signal from the current sensor with a second reference voltage larger than the first reference voltage, and reducing an output voltage of the drive circuit when a short circuit is detected. The signal from the current sensor at the time of detection of the short-circuit protection circuit is set to be equal to or higher than the detection level of the overcurrent protection circuit. A power device drive / protection circuit, wherein the power device is turned off after a set time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176318A JP2643459B2 (en) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | Power device drive / protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176318A JP2643459B2 (en) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | Power device drive / protection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340517A JPH0340517A (en) | 1991-02-21 |
| JP2643459B2 true JP2643459B2 (en) | 1997-08-20 |
Family
ID=16011490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176318A Expired - Lifetime JP2643459B2 (en) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | Power device drive / protection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643459B2 (en) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004047916A1 (en) | 2002-11-27 | 2004-06-10 | Tokuyama Corporation | Iontophoresis apparatus |
| JP4504222B2 (en) * | 2005-02-21 | 2010-07-14 | 矢崎総業株式会社 | Overcurrent detection device |
| JP2006296511A (en) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Transcutaneous Technologies Inc | External preparation, method for applying external preparation, iontophoresis device, and transdermal patch |
| DE102005023652B3 (en) * | 2005-05-23 | 2006-08-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Circuit arrangement for controlling e.g. insulated gate bipolar transistor, has circuit part for detecting switching condition of TOP switch and for detecting and evaluating current flow through level shifter for controlling secondary side |
| CA2661877A1 (en) | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Tti Ellebeau, Inc. | Non-destructive systems, devices, and methods for evaluating iontophoresis drug delivery devices |
| EP2061553A2 (en) | 2006-09-05 | 2009-05-27 | Tti Ellebeau, Inc. | Impedance systems, devices and methods for evaluating iontophoretic properties of compounds |
| JP5119262B2 (en) * | 2006-11-29 | 2013-01-16 | コンティネンタル オートモーティブ システムズ ユーエス， インコーポレイティッド | IGBT operation control apparatus and method in fast defect mode situation |
| JP4961977B2 (en) * | 2006-11-30 | 2012-06-27 | 株式会社デンソー | Overcurrent protection circuit |
| JP2009060358A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Denso Corp | Overcurrent protection circuit and power conversion system |
| JP4957916B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-06-20 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device drive circuit |
| JP4928588B2 (en) * | 2009-07-08 | 2012-05-09 | パナソニック電工Ｓｕｎｘ竜野株式会社 | D / A converter |
| JP5315155B2 (en) | 2009-07-23 | 2013-10-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Semiconductor element control device, automotive electrical system |
| JP5411630B2 (en) * | 2009-09-03 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | Load drive device |
| EP2495875A4 (en) | 2009-10-26 | 2013-12-18 | Nissan Motor | Driving circuit for switching element and power converter |
| JP5115829B2 (en) * | 2010-06-09 | 2013-01-09 | 株式会社デンソー | Switching device |
| JP2012080456A (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Thine Electronics Inc | Protection circuit |
| JP5146555B2 (en) * | 2011-02-28 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | Switching element drive circuit |
| JP5522094B2 (en) * | 2011-03-09 | 2014-06-18 | 三菱電機株式会社 | Gate circuit |
| JP5834462B2 (en) * | 2011-04-21 | 2015-12-24 | 株式会社デンソー | Load drive device |
| JP5796450B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-10-21 | 富士電機株式会社 | Switching device control device |
| JP5724913B2 (en) * | 2012-03-15 | 2015-05-27 | トヨタ自動車株式会社 | Power converter |
| JP5644830B2 (en) | 2012-10-18 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | Drive circuit for switching element to be driven |
| JP6104660B2 (en) * | 2013-03-21 | 2017-03-29 | 本田技研工業株式会社 | Short-circuit current protection device |
| JP6264379B2 (en) * | 2013-09-06 | 2018-01-24 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| JP6349856B2 (en) | 2014-03-27 | 2018-07-04 | 株式会社デンソー | Drive device |
| US10770882B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-08 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Power module |
| CN108233880B (en) * | 2018-03-16 | 2024-07-26 | 苏州工业园区海沃科技有限公司 | Solid-state power amplifier protection system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296410A (en) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Drive circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426250A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Canon Kk | Memory readout circuit for cpu |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1176318A patent/JP2643459B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296410A (en) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | Drive circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340517A (en) | 1991-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2643459B2 (en) | Power device drive / protection circuit | |
| JP3040342B2 (en) | Control circuit for power MOS gate type circuit | |
| JP2999887B2 (en) | IGBT overcurrent protection circuit and semiconductor integrated circuit device | |
| JP3448340B2 (en) | IGBT fault current limiting circuit and method | |
| WO2009135156A2 (en) | Protection method, system and apparatus for a power converter | |
| JP3780898B2 (en) | Power device drive circuit | |
| JPH05299991A (en) | Monolithic power mos integrated circuit | |
| JP2881755B2 (en) | Power element drive circuit | |
| JPH05276761A (en) | Method and circuit for detecting overcurrent in power semiconductor element and inverter using the same | |
| US4926283A (en) | Temperature protected transistor circuit and method of temperature protecting a transistor | |
| JP4118496B2 (en) | Power semiconductor device and overcurrent protection circuit | |
| JPH05218836A (en) | Driving circuit for insulated gate element | |
| JP3240489B2 (en) | IGBT overcurrent protection device and IGBT protection device | |
| JPS61261920A (en) | Overcurrent protecting circuit for conductive modulation type mosfet | |
| CN109714033B (en) | Driving device and method for power device | |
| US6597553B2 (en) | Short circuit protection for a high or low side driver with low impact to driver performance | |
| JPH10336876A (en) | Current breaker | |
| JP3918778B2 (en) | Protection circuit | |
| JPH0720365B2 (en) | Driving circuit for electrostatic induction type self-extinguishing element | |
| JPH0685496B2 (en) | Gate drive circuit for electrostatic induction type self-extinguishing device | |
| JPS61261919A (en) | Overcurrent protecting circuit for conductive modulation type mosfet | |
| JPH10276075A (en) | Driving circuit for voltage driven type semiconductor device | |
| KR100310645B1 (en) | Over-current protection circuit using desaturation in IPM | |
| JP3039092B2 (en) | Short circuit protection circuit | |
| JPH0257011A (en) | Over-current protecting circuit for igbt |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080502 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 13 |