JP2641387B2 - 化合物半導体の結晶成長方法及び結晶成長装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は溶液結晶成長に関する。
蒸気圧の高い化合物半導体、特にＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のバルク結晶成長技術として、成長温度を低下でき
る溶液結晶成長が期待されている。

【０００２】

【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は高い融点を
有し、さらに構成元素の蒸気圧が高い。従って融液成長
では結晶成長容器に高い耐圧性が必要となるばかりでな
く、成長した結晶には高密度の結晶欠陥が生じ易い。

【０００３】溶液成長を利用すると、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の結晶成長温度を低下することが可能となり、
良質の結晶を得られる可能性がある。溶媒としてはＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体の構成元素であるＩＩ族元素やＶ
Ｉ族元素を用いる方法が提案されている。

【０００４】図５に、従来の技術によるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の溶液成長による結晶成長装置の構成例を示
す。図中左側に結晶成長装置を断面で示し、右側に結晶
装置内に設定される温度分布をグラフで示す。

【０００５】２種類の適当な径を有する石英管を接続し
て結晶成長容器１が形成されている。なお、初めは上端
を開放しておく。結晶成長容器１内の下部にはカーボン
等の熱伝導率のよい材料で作成したヒートシンク６が配
置されている。

【０００６】ヒートシンク６は、結晶成長容器１に固定
されている。ヒートシンク６の上面に、ヒートシンクと
ほぼ同径でウエハ状のシード結晶５が載置され、その上
から適当な長さのヒートシンクと同じ外径を有した円筒
状のシード止め４が挿入され、結晶成長容器１に固定さ
れている。なお、原料充填前の状態においては、結晶成
長容器１のたとえば上部が開放されている。

【０００７】結晶成長容器１に溶媒３としてＳｅ−Ｔｅ
（所定混合比のＳｅとＴｅ）、ソース結晶２としてＺｎ
Ｓｅ多結晶を挿入する。なお、ＺｎＳｅ結晶成長の溶媒
としてＳｅのみを用いるとＺｎＳｅの溶解度が低い。Ｓ
ｅ−Ｔｅを用いるのは、Ｔｅを添加して溶解度を増大さ
せるためである。ソース結晶２、溶媒３を投入した後、
結晶成長容器１内を真空排気し、開放部を封止する。

【０００８】このように準備した結晶成長アンプルを、
図５右側に示すような温度勾配を設定した外熱型の電気
炉中に配置する。外熱型電気炉は炉心管７の周囲にヒー
タ線８を巻回したもので構成され、炉心管７内部に結晶
成長容器１を収容するための縦型空間が形成されてい
る。

【０００９】炉心管７内部には、図中右側で示すよう
に、上部で高く、下部で低くなる縦方向温度分布が設定
される。ソース結晶２が配置される位置の温度がＴｓ、
結晶成長が生じるシード結晶５表面の位置の温度がＴｇ
で示されている。Ｔｓ＞Ｔｇである。

【００１０】このような温度分布内に結晶成長容器１が
配置されると、高温部のソース結晶２は、高温部での飽
和溶解度まで溶媒３に溶解する。なお、高温での飽和溶
解度は低温での飽和溶解度よりも高い。溶媒３中に溶解
したソース結晶成分は、拡散によって低温部にも移動
し、低温部の溶液を過飽和状態にする。

【００１１】シード結晶５が低温部に配置され、過飽和
溶液と接触することにより、シード結晶５上に結晶成長
が生じる。このようにして、シード結晶５上にバルク状
の単結晶を成長させる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来方法
による結晶成長装置では、ヒートシンク上にシード結晶
を載置し、直接シード止めで押さえることによりシード
結晶を固定している。石英の膨張率は０．５×１０^-6／
Ｋであり、ＺｎＳｅの膨張率７．５５×１０^-6／Ｋより
小さい。

【００１３】このため、結晶成長容器を高温中に配置し
た際に、シード結晶及びヒートシンクが膨張する量は、
石英の結晶成長容器が膨張する量よりも大きい。この膨
張量の差により、シード結晶のシード止めによって押さ
えられている部分に圧縮応力が加わる。これにより、シ
ード結晶の結晶性が悪化する。この結晶性の悪化したシ
ード結晶上に結晶が成長するため、成長結晶の結晶性も
悪化することになる。

【００１４】本発明の目的は、結晶成長時にシード結晶
に加わる応力を緩和し、結晶性の良好なＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の結晶成長技術を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の溶液結晶成長装
置は、溶媒の上下に温度差を形成し、溶媒の高温部にソ
ース結晶を配置し、溶媒の低温部にシード結晶を配置
し、シード結晶上に結晶成長を行う溶液結晶成長装置に
おいて、内径がシード結晶の径よりもやや大きく、深さ
がシード結晶の厚さとほぼ等しいかまたはシード結晶の
厚さよりも深くその差が２０μｍ以下である凹部を上面
のほぼ中央に有するヒートシンクと、内径がシード結晶
の径よりもやや小さく、外径が前記ヒートシンクの外径
とほぼ等しい、前記ヒートシンク上に前記凹部とほぼ同
心円状に配置されたリング状部材と、シード結晶とほぼ
同径の内径を有する円筒状のシード止めとを含む。

【００１６】本発明の他の溶液結晶成長装置は、溶媒の
上下に温度差を形成し、溶媒の高温部にソース結晶を配
置し、溶媒の低温部にシード結晶を配置し、シード結晶
上に結晶成長を行う溶液結晶成長装置において、溶媒の
下部に配置され、上面にシード結晶が載置されるヒート
シンクと、内径がシード結晶の径よりもやや大きく、厚
さがシード結晶の厚さとほぼ等しいかまたはシード結晶
の厚さよりも厚くその差が２０μｍ以下である、前記ヒ
ートシンク上に載置され、その内部にシード結晶が配置
される第１のリング状部材と、内径がシード結晶の径よ
りもやや小さく、外径が前記ヒートシンクの外径とほぼ
等しい、前記第１のリング状部材上に、前記第１のリン
グ状部材とほぼ同心円状に配置された第２のリング状部
材と、シード結晶とほぼ同径の内径を有する円筒状のシ
ード止めとを含む。

【００１７】

【作用】シード結晶の周囲に、シード結晶と熱膨張率が
近い部材で構成され、高さがシード結晶の厚さとほぼ等
しいかまたはやや高いリング状部分を設け、このリング
状部分の上に、内径がシード結晶の径よりもやや小さい
リング状部材を配置し、このリング状部材をシード止め
で押さえることにより、シード結晶をほぼ固定すること
ができる。

【００１８】高温時に、熱膨張率の差によって、シード
結晶の周囲に設けられたリング状部分及びその上に配置
されたリング状部材に圧縮応力が加わる。シード結晶の
厚さは、その周囲のリング状部分の高さにほぼ等しいか
またはやや薄いため、シード結晶には、圧縮応力が加わ
らないか、加わったとしても応力のほとんどの成分は周
囲のリング状部分に加わるため、シード結晶自体に加わ
る応力は緩和される。

【００１９】このため、高温での結晶成長時にシード結
晶に加わる応力によってシード結晶自体の結晶性が悪化
することを防止できる。これにより、結晶性の良い成長
結晶を得ることが可能になる。

【００２０】

【実施例】以下、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＳｅ
をＳｅ−Ｔｅ溶媒を用いて成長する場合を例にとって説
明する。ＺｎＳｅは、青色発光半導体素子として期待さ
れる材料である。

【００２１】まず、シード結晶と同径の成長結晶を得る
ための本発明者らの先の提案について、図３、図４を参
照して説明する。図３は、先の提案による結晶成長装置
を示す。図中左側に結晶成長装置の断面図を示し、図中
右側に炉内に設定される温度分布を示す。結晶成長容器
１、ソース結晶２、溶媒３、シード止め４、シード結晶
５、ヒートシンク６、炉心管７及びヒータ線８の基本構
成は図５の従来例と同様である。以下に、先の提案が従
来例と異なる点について説明する。

【００２２】ヒートシンク６の上面中央部には、予め円
形で深さ０．１〜０．５ｍｍの凹部１０が形成され、そ
の底面は平坦かつ鏡面に処理されている。シード結晶５
は、ヒートシンク６上面の円形の凹部１０の径よりも若
干小さな径を有するウエハ状のＺｎＳｅ単結晶である。
シード結晶５は、ヒートシンク６の上面に形成された円
形の凹部１０に載置される。円筒状のシード止め４は、
その内径がシード結晶５の径とほぼ同じものである。

【００２３】図４は、結晶成長部の拡大断面図を示す。
シード結晶５が凹部１０内で移動するのを防止するた
め、シード結晶５の上面はヒートシンク６の外周部より
上に出ている。シード止め４端部の内周の角は、予めバ
ーナーにより丸められている。このため、シード止め４
の端部には、シード結晶５の径よりわずかに小さな径の
部分が作られている。これにより、シード結晶５を確実
に固定することが可能となる。

【００２４】このように準備した、結晶成長容器１を炉
心管７内に挿入し、図３右図の温度勾配を与えると、シ
ード結晶５上にシード止め４の内径に沿った円柱状で、
かつシード結晶の径と同じ径を有するバルク状ＺｎＳｅ
単結晶が成長する。バーナで溶融することによって形成
したシード止め４端部の突起は、滑らかな表面を有し、
結晶成長はシード止め４内面に沿って進行する。

【００２５】上記提案では、シード結晶と同径の成長結
晶を得ることができる。しかし、高温時にシード結晶５
に圧縮応力が加わる点で、従来例と同様の問題がある。
次に、図１及び図２を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。

【００２６】図１は、本発明の実施例による結晶成長装
置を示す。図中左側に結晶成長装置の断面図を示し、図
中右側に炉内に設定される温度分布を示す。適当な径を
有する小口径の石英管１ａと大口径の石英管１ｂとを接
続し、結晶成長容器１を準備する。なお、この段階では
大口径の石英管１ｂ上部は開放された状態である。

【００２７】この結晶成長容器１を弗酸でエッチング
し、水洗浄を行って表面を清浄化する。表面を清浄化し
た結晶成長容器１の底部にカーボン等の熱伝導率のよい
材料で作成したヒートシンク６を収納し、真空ベーキン
グを施す。ヒートシンク６は、熱膨張係数がシード結晶
の熱膨張係数と同程度のものが好ましい。

【００２８】ヒートシンク６の一部に予め刻みを入れて
おき、真空ベーキング後、成長容器１をそれに応じて変
形させることによってヒートシンク６を固定する。ヒー
トシンク６の上面中央部には、予め、シード結晶の直径
よりも若干大きい内径を有しかつシード結晶の厚さに等
しいかまたは若干深い円形の凹部を形成しておく。凹部
１０の深さとシード結晶５の厚さとの差は、後述するよ
うに２０μｍ以下であることが好ましい。その底面は平
坦かつ鏡面に処理をしておく。

【００２９】シード結晶５としてウエハ状のＺｎＳｅ単
結晶を準備する。シード結晶５を鏡面研磨した後洗浄
し、鏡面エッチングを施す。シード結晶５を凹部１０内
に載置する。シード結晶の面方位は、（１１１）面が望
ましいが、他の面でもよい。

【００３０】シード結晶５の径よりも若干小さい内径及
び小口径の石英管１ａの内径よりも若干小さい外径を有
し、数十μｍ〜数百μｍ程度の厚さを有するカーボン等
のリング１１をヒートシンク６上に載置する。さらに、
ヒートシンク６と同じ外径、かつシード結晶５の径と同
じ内径を有する石英等の円筒状のシード止め４を挿入
し、シード止め４を結晶成長容器１に融着することによ
り、リング１１を固定する。

【００３１】リング１１を固定することにより、シード
結晶５は、凹部１０内に若干の余裕をもってほぼ固定さ
れる。本実施例で使用したシード結晶５は、直径８ｍ
ｍ、厚さ５００μｍ、凹部１０は、内径８．２ｍｍ、深
さ５００〜５２０μｍ、リング１１は、内径７．７ｍ
ｍ、厚さ１００μｍ、シード止め４は、内径８ｍｍのも
のである。

【００３２】その後、溶媒３として所定組成のＳｅ−Ｔ
ｅ混合物、ソース結晶２としてＺｎＳｅの多結晶を結晶
成長容器１内に投入する。ソース結晶２、溶媒３を充填
した結晶成長容器１を真空排気装置に接続し、その内部
を２×１０^-6Ｔｏｒｒよりも高い真空度に真空排気し、
開放端を封止する。

【００３３】このように準備した結晶成長容器を倒立ま
たは斜めに傾け、シード結晶と溶媒を分離して一定時
間、一定温度に保持することにより溶媒３中にＺｎＳｅ
を飽和溶解させる。その後、この結晶成長容器１を縦に
することにより、飽和溶液をシード結晶に接触させる。
このとき、溶解しないで残ったソース結晶２は、結晶成
長容器１の段差を利用して保持される。

【００３４】次に、結晶成長容器１を、図１右側に示す
ような所定の温度分布を形成した電気炉内に配置する。
電気炉は内部に結晶成長容器１を収容することのできる
縦型空間を形成する炉心管７の周囲にヒータ線８を巻回
した構成を有する。

【００３５】なお、電気炉内においてはソース結晶２の
配置される位置の温度をＴｓ、シード結晶５表面の結晶
成長が生じる部分の温度をＴｇで表す。ソース結晶２
は、ソース温度Ｔｓで溶媒３中に飽和溶解度まで溶解す
る。ソース結晶成分は溶媒中を拡散し、低温部にまで移
動する。低温部においては飽和溶解度が低いため、溶液
は過飽和溶液となる。

【００３６】適当な過飽和度を有する過飽和溶液が温度
Ｔｇのシード結晶５に接触することにより、シード結晶
５上にバルク状ＺｎＳｅ単結晶が成長する。成長開始当
初は、リング１１の内面に沿って成長するが、その高さ
がリング１１の厚さを越えるとシード止め４の内面に沿
って成長する。このようにして、シード止め４の内径に
沿った円柱状で、かつシード結晶の径と同じ径を有する
バルク状ＺｎＳｅ単結晶が成長する。

【００３７】図２（Ａ）は、シード結晶の固定部の拡大
断面図を示す。ヒートシンク６上面の凹部１０にシード
結晶５が載置されている。ヒートシンク６上にリング１
１が載置されている。リング１１は、シード止め４によ
って押さえつけられて固定されている。

【００３８】上記実施例で用いたヒートシンク６とシー
ド結晶５の熱膨張係数はほぼ同程度である。従って、シ
ード結晶５とヒートシンク６上面の凹部１０の外周部と
の垂直方向の膨張量は同程度である。このため、シード
止め４から受ける圧縮応力の大部分は凹部１０の外周部
に加わり、シード結晶５に加わる応力が緩和される。

【００３９】なお、カーボンの熱膨張係数は７．９×１
０^-6／Ｋであり、ＺｎＳｅの熱膨張係数７．５５×１０
^-6／Ｋとほぼ等しい。従って、ヒートシンクにカーボン
を使用することにより、応力の緩和効果をより高めるこ
とができる。

【００４０】これにより、結晶成長時におけるシード結
晶の応力歪みによる結晶性の悪化を防止でき、結晶性の
良好な成長結晶を得ることができる。高分解能Ｘ線回折
装置によるロッキングカーブの半値幅は、図３、図４に
示す先の提案による方法で得られた成長結晶では数十〜
数百秒であったのに対し、本実施例による方法で得られ
た成長結晶ではシード結晶と同等の５〜８秒であった。

【００４１】このように、本実施例によれば、先の提案
による方法に比べて成長結晶の結晶性を著しく改善する
ことができる。また、Ｘ線回折によるロッキングカーブ
半値幅による評価において、シード結晶とほぼ同等の成
長結晶を得ることができる。

【００４２】凹部１０の深さがシード結晶５の厚さより
も２０μｍ以上深くなると、シード結晶５の下部に溶媒
が回り込む。回り込んだ溶媒中には温度勾配が形成さ
れ、高温部のシード結晶が溶解し、低温部のヒートシン
ク上に析出してしまう。また、下部に回り込んだ溶媒に
よりシード結晶５が傾くと、成長結晶の目的とする結晶
面が軸方向からずれてしまう。逆に、凹部１０の深さが
シード結晶５の厚さよりも浅い場合には、リング１１が
ヒートシンク６から浮いた状態となり、シード結晶５に
全ての応力が加わる。このため、シード結晶の結晶性が
悪化する。

【００４３】従って、凹部１０の深さはシード結晶５の
厚さと等しいか、またはシード結晶５の厚さより深い場
合であっても、その差は２０μｍ以下であるいことが好
ましい。

【００４４】また、本実施例では、シード止め４のシー
ド結晶側の端部を垂直加工するのみでよいため、より高
精度に加工できる。このため、より均一にシード結晶の
外周部を押さえることができる。

【００４５】以上、シード結晶をヒートシンク上面のほ
ぼ中央に位置決めし、かつ膨張率の差による応力を緩和
するために、ヒートシンク上面に凹部を設ける方法につ
いて説明したが、必ずしも凹部である必要はなく、シー
ド結晶の周囲に応力を吸収するための部材が配置されて
いればよい。

【００４６】図２（Ｂ）は、ヒートシンクの上面に凹部
を設ける代わりに、シード結晶の径よりも若干大きい内
径を有するリングを載置した場合のシード結晶固定部の
拡大断面図を示す。

【００４７】平坦かつ鏡面仕上げをしたヒートシンク６
の上部に、カーボン等のリング１２が載置されている。
リング１２の内径はシード結晶５の径よりも若干大き
く、外径はヒートシンク６とほぼ同じである。また、そ
の厚さは、シード結晶５とほぼ等しいか、または若干厚
い。シード結晶５とリング１２との厚さの差は、図２
（Ａ）の凹部１０の深さの場合と同様に、２０μｍ以下
であることが好ましい。

【００４８】シード結晶５は、リング１２内に挿入され
てヒートシンク６上に載置されている。リング１２上に
は、図２（Ａ）と同様に、リング１１、シード止め４が
順番に載置され、シード止め４を石英管に融着すること
により、リング１１、１２が固定される。

【００４９】本実施例で使用したシード結晶は直径８ｍ
ｍ、厚さ５００μｍ、リング１２は内径８．２ｍｍ、厚
さ５００〜５２０μｍ、リング１１は内径７．７ｍｍ、
厚さ１００μｍ、シード止めは内径８ｍｍである。

【００５０】このように構成した結晶成長容器は、図２
（Ａ）における凹部１０の外周部をヒートシンク６と別
体化したものであり、基本的構成は変わらない。従っ
て、図２（Ａ）の場合と同様の効果を得ることができ
る。

【００５１】以上、Ｓｅ−Ｔｅ溶媒を用い、ＺｎＳｅを
結晶成長する場合を例にとって説明したが、本発明は、
シード結晶の周囲に設けられたシード結晶と熱膨張率が
ほぼ等しい部材により、シード結晶に加わる応力を緩和
することによって作用効果を得るものであるため、Ｓｅ
−Ｔｅ溶媒を用いたＺｎＳｅの溶液結晶成長に限らず、
広くＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の溶液結晶成長に適用す
ることが可能である。

【００５２】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
溶液結晶成長において、結晶成長時にシード結晶に加わ
る応力を緩和することができる。このため、結晶性の良
好なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の単結晶を成長させるこ
とが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による溶液結晶成長を説明する
ための溶液結晶成長装置の断面図および温度分布のグラ
フである。

【図２】図１の実施例による溶液結晶成長装置のシード
結晶固定部の拡大断面図である。

【図３】先の提案による溶液結晶成長を説明するための
溶液結晶成長装置の断面図および温度分布のグラフであ
る。

【図４】先の提案による溶液結晶成長装置のシード結晶
固定部の拡大断面図である。

【図５】従来の技術による溶液結晶成長を説明するため
の溶液結晶成長装置の断面図および温度分布のグラフで
ある。

【符号の説明】

１ 結晶成長容器 ２ ソース結晶 ３ 溶媒 ４ シード止め ５ シード結晶 ６ ヒートシンク ７ 炉心管 ８ ヒータ線 １０ 凹部 １１、１２ リング

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥野 保男 神奈川県横浜市緑区藤が丘２−37−２ Ａ302 審査官 近野 光知 (56)参考文献 特開 昭61−270299（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−57637（ＪＰ，Ｕ) 特公 平５−39911（ＪＰ，Ｂ２) 特許2525930（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶媒の上下に温度差を形成し、溶媒の高
   温部にソース結晶を配置し、溶媒の低温部にシード結晶
   を配置し、シード結晶上に結晶成長を行う溶液結晶成長
   装置において、 内径がシード結晶の径よりもやや大きく、深さがシード
   結晶の厚さとほぼ等しいかまたはシード結晶の厚さより
   も深くその差が２０μｍ以下である凹部を上面のほぼ中
   央に有するヒートシンクと、 内径がシード結晶の径よりもやや小さく、外径が前記ヒ
   ートシンクの外径とほぼ等しい、前記ヒートシンク上に
   前記凹部とほぼ同心円状に配置されたリング状部材と、 シード結晶とほぼ同径の内径を有し、前記リング状部材
   を固定するための円筒状のシード止めとを含む溶液結晶
   成長装置。
2. 【請求項２】 溶媒の上下に温度差を形成し、溶媒の高
   温部にソース結晶を配置し、溶媒の低温部に配置された
   ヒートシンク上にシード結晶を載置し、シード結晶上に
   結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、 前記ヒートシンクの上面に設けられた、内径がシード結
   晶の径よりもやや大きく、深さがシード結晶の厚さとほ
   ぼ等しいかまたはシード結晶の厚さよりも深くその差が
   ２０μｍ以下である凹部にシード結晶を挿入して載置
   し、 前記ヒートシンク上に、内径がシード結晶の径よりもや
   や小さく、外径が前記ヒートシンクの外径とほぼ等しい
   リング状部材を、前記凹部と同心円状に配置し、 シード結晶とほぼ同径の内径を有する円筒状のシード止
   めで前記リング状部材を固定し、 シード結晶上に単結晶を成長させる溶液結晶成長方法。
3. 【請求項３】 溶媒の上下に温度差を形成し、溶媒の高
   温部にソース結晶を配置し、溶媒の低温部にシード結晶
   を配置し、シード結晶上に結晶成長を行う溶液結晶成長
   装置において、 溶媒の下部に配置され、上面にシード結晶が載置される
   ヒートシンクと、 内径がシード結晶の径よりもやや大きく、厚さがシード
   結晶の厚さとほぼ等しいかまたはシード結晶の厚さより
   も厚くその差が２０μｍ以下である、前記ヒートシンク
   上に載置され、その内部にシード結晶が配置される第１
   のリング状部材と、 内径がシード結晶の径よりもやや小さく、外径が前記ヒ
   ートシンクの外径とほぼ等しく、前記第１のリング状部
   材とほぼ同心円状に前記第１のリング状部材上に配置さ
   れた第２のリング状部材と、 シード結晶とほぼ同径の内径を有し、前記第１及び第２
   のリング状部材を固定するための円筒状のシード止めと
   を含む溶液結晶成長装置。
4. 【請求項４】 溶媒の上下に温度差を形成し、溶媒の高
   温部にソース結晶を配置し、溶媒の低温部に配置された
   ヒートシンク上にシード結晶を載置し、シード結晶上に
   結晶成長を行う溶液結晶成長方法において、 上面がほぼ平坦な前記ヒートシンク上に、内径がシード
   結晶の径よりもやや大きく、厚さがシード結晶の厚さと
   ほぼ等しいかまたはシード結晶の厚さよりも厚くその差
   が２０μｍ以下である第１のリング状部材を載置し、 シード結晶を、前記第１のリング状部材の中に挿入して
   前記ヒートシンク上に載置し、 前記第１のリング状部材の上に、内径がシード結晶の径
   よりもやや小さく、外径が前記ヒートシンクの外径とほ
   ぼ等しい第２のリング状部材を、前記第１のリング状部
   材とほぼ同心円状に配置し、 シード結晶とほぼ同径の内径を有する円筒状のシード止
   めで前記第２のリング状部材を固定し、 シード結晶上に単結晶を成長させる溶液結晶成長方法。