JP2630531B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JP2630531B2 JP2630531B2 JP34660391A JP34660391A JP2630531B2 JP 2630531 B2 JP2630531 B2 JP 2630531B2 JP 34660391 A JP34660391 A JP 34660391A JP 34660391 A JP34660391 A JP 34660391A JP 2630531 B2 JP2630531 B2 JP 2630531B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置、特
に、０．６μｍ帯の低しきい値電流特性と高出力特性を
有する可視光半導体レーザ装置に関する。
に、０．６μｍ帯の低しきい値電流特性と高出力特性を
有する可視光半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】０．６μｍ帯可視光半導体レーザ装置
は、光ディスク装置，レーザプリンタ，ＰＯＳ等の光情
報処理装置の書込みあるいは読み取りを高性能化するた
めの光源として期待されている。そして、この可視光半
導体レーザ装置としては、低しきい値電流特性と高出力
特性を有することが要求されている。
は、光ディスク装置，レーザプリンタ，ＰＯＳ等の光情
報処理装置の書込みあるいは読み取りを高性能化するた
めの光源として期待されている。そして、この可視光半
導体レーザ装置としては、低しきい値電流特性と高出力
特性を有することが要求されている。
【０００３】図６は、従来の半導体発光装置の構成説明
図である。この図において、２１はｎ+ −ＧａＡｓ基
板、２２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、２３はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、２４はＧａＩｎＰ活性層、２５は
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２６はｐ−ＧａＩｎＰ
エッチングストップ層、２７はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層、
２８はｐ−ＧａＩｎＰ層、２９はｐ−ＧａＡｓキャップ
層、３０はｎ−ＧａＡｓ埋め込み層、３１はｐ+ −Ｇａ
Ａｓコンタクト層である。
図である。この図において、２１はｎ+ −ＧａＡｓ基
板、２２はｎ−ＧａＡｓバッファ層、２３はｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、２４はＧａＩｎＰ活性層、２５は
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２６はｐ−ＧａＩｎＰ
エッチングストップ層、２７はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層、
２８はｐ−ＧａＩｎＰ層、２９はｐ−ＧａＡｓキャップ
層、３０はｎ−ＧａＡｓ埋め込み層、３１はｐ+ −Ｇａ
Ａｓコンタクト層である。
【０００４】この従来の半導体発光装置は、まず、ｎ+
−ＧａＡｓ基板２１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２
２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ＧａＩｎＰ活
性層２４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５、ｐ−Ｇ
ａＩｎＰエッチングストップ層２６、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８、ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層２９を順次成長し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の
上の発光領域に相当する部分にストライプ状のエッチン
グマスクを形成し、発光領域以外の領域のｐ−ＧａＡｓ
キャップ層２９、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８、ｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰ層２７をｐ−ＧａＩｎＰエッチングストップ層２
６の表面までエッチングし、その跡にｎ−ＧａＡｓ埋め
込み層３０を成長し、さらに、ｐ+ −ＧａＡｓコンタク
ト層３１を成長することによって製造される。
−ＧａＡｓ基板２１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２
２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ＧａＩｎＰ活
性層２４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５、ｐ−Ｇ
ａＩｎＰエッチングストップ層２６、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８、ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層２９を順次成長し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の
上の発光領域に相当する部分にストライプ状のエッチン
グマスクを形成し、発光領域以外の領域のｐ−ＧａＡｓ
キャップ層２９、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８、ｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰ層２７をｐ−ＧａＩｎＰエッチングストップ層２
６の表面までエッチングし、その跡にｎ−ＧａＡｓ埋め
込み層３０を成長し、さらに、ｐ+ −ＧａＡｓコンタク
ト層３１を成長することによって製造される。
【０００５】この半導体発光装置の、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７／ｐ−ＧａＩｎＰ層２８／ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層２９からなる積層構造において、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の間にｐ−Ｇａ
ＩｎＰ層２８が介挿されているのは、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９に直接接触する
場合に生じる価電子帯の大きいヘテロ障壁を、それらの
層間に形成される小さいヘテロ障壁に分割して電気抵抗
を低減するためである。
Ｐ層２７／ｐ−ＧａＩｎＰ層２８／ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層２９からなる積層構造において、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の間にｐ−Ｇａ
ＩｎＰ層２８が介挿されているのは、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９に直接接触する
場合に生じる価電子帯の大きいヘテロ障壁を、それらの
層間に形成される小さいヘテロ障壁に分割して電気抵抗
を低減するためである。
【０００６】図７は、従来の半導体発光装置のエネルギ
バンド構造図である。この図にみられるように、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の間
にｐ−ＧａＩｎＰ層２８が挿入されているため、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＩｎＰ層２８の界面のヘ
テロ障壁を２００ｍｅＶ程度に、また、ｐ−ＧａＩｎＰ
層２８とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の界面のヘテロ障
壁を３００ｍｅＶ程度に小さくすることができる。
バンド構造図である。この図にみられるように、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の間
にｐ−ＧａＩｎＰ層２８が挿入されているため、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＩｎＰ層２８の界面のヘ
テロ障壁を２００ｍｅＶ程度に、また、ｐ−ＧａＩｎＰ
層２８とｐ−ＧａＡｓキャップ層２９の界面のヘテロ障
壁を３００ｍｅＶ程度に小さくすることができる。
【０００７】従来、このｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２７とｐ
−ＧａＩｎＰ層２８の界面に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２
７とｐ−ＧａＩｎＰ層２８の中間的な組成を有するＡｌ
ＧａＩｎＰ層を挿入して、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２７と
ｐ−ＧａＩｎＰ層２８の界面の２００ｍｅＶ程度のヘテ
ロ障壁をさらに低減することが提案されている。
−ＧａＩｎＰ層２８の界面に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２
７とｐ−ＧａＩｎＰ層２８の中間的な組成を有するＡｌ
ＧａＩｎＰ層を挿入して、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２７と
ｐ−ＧａＩｎＰ層２８の界面の２００ｍｅＶ程度のヘテ
ロ障壁をさらに低減することが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、上記のよ
うに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＩｎＰ層２
８の界面に、これらの層の中間的な組成を有するＡｌＧ
ａＩｎＰ層を挿入することによって両層の界面のヘテロ
障壁を低減することができても、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８
とｐ−ＧａＡｓ層２９の界面の３００ｍｅＶ程度のヘテ
ロ障壁が依然として存在している。
うに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＩｎＰ層２
８の界面に、これらの層の中間的な組成を有するＡｌＧ
ａＩｎＰ層を挿入することによって両層の界面のヘテロ
障壁を低減することができても、ｐ−ＧａＩｎＰ層２８
とｐ−ＧａＡｓ層２９の界面の３００ｍｅＶ程度のヘテ
ロ障壁が依然として存在している。
【０００９】そして、このヘテロ障壁が存在するため
に、正孔の注入が阻害され、電流−電圧特性に大きな抵
抗が現れ、動作電流によってその部分に発熱がおこり、
しきい値電流の増加や効率の低下を招くという問題があ
った。
に、正孔の注入が阻害され、電流−電圧特性に大きな抵
抗が現れ、動作電流によってその部分に発熱がおこり、
しきい値電流の増加や効率の低下を招くという問題があ
った。
【００１０】本発明は、電流供給経路を構成するｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＡｓ層２９の間に生じる
ヘテロ障壁を低くしてこの部分の電気抵抗を低減し、動
作電流による発熱を防ぐことによって、低しきい値電流
で高効率の半導体レーザ装置等の半導体発光装置を提供
することを目的とする。
ｌＧａＩｎＰ層２７とｐ−ＧａＡｓ層２９の間に生じる
ヘテロ障壁を低くしてこの部分の電気抵抗を低減し、動
作電流による発熱を防ぐことによって、低しきい値電流
で高効率の半導体レーザ装置等の半導体発光装置を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体発
光装置においては、上記の目的を達成するために、発光
領域の電流供給経路であるｐ−ＧａＡｓキャップ層（１
１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０＜ｚ＜１）（７）の間にｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）を形成し、さら
に、このｐ−ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌ
r Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の
間にｐ−Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，
０＜ｖ＜１）（１０）を形成した構成を採用した。
光装置においては、上記の目的を達成するために、発光
領域の電流供給経路であるｐ−ＧａＡｓキャップ層（１
１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層（０＜ｚ＜１）（７）の間にｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）を形成し、さら
に、このｐ−ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌ
r Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の
間にｐ−Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，
０＜ｖ＜１）（１０）を形成した構成を採用した。
【００１２】また、この場合、ｐ−Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ
1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，０＜ｖ＜１）（１０）の組成
を厚さ方向に徐々に変化して両層のエネルギバンドを滑
らかに接続して、ヘテロ障壁を低減することができる。
1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，０＜ｖ＜１）（１０）の組成
を厚さ方向に徐々に変化して両層のエネルギバンドを滑
らかに接続して、ヘテロ障壁を低減することができる。
【００１３】また、発光領域の電流供給経路であるｐ−
ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）の間に
ｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜
ｚ）（９）を形成し、さらに、このｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層（１１）とｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間にｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
層（０＜ｗ＜１）（１５）を形成した構成を採用した。
ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）の間に
ｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜
ｚ）（９）を形成し、さらに、このｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層（１１）とｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間にｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
層（０＜ｗ＜１）（１５）を形成した構成を採用した。
【００１４】そしてまた、発光領域の電流供給経路であ
るｐ−ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ
1-z ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）
の間にｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦
ｒ＜ｚ）（９）を形成し、さらに、このｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層（１１）およびｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間に、ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層（１１）に接してｐ−Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層
（０＜ｓ＜１）（１６）を、ｐ−（Ａｌr Ｇａ 1-r ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）に接してｐ−Ｇ
ａt Ｉｎ1-t Ｐ層（０＜ｔ＜０．５）（１７）を形成し
た構成を採用した。
るｐ−ＧａＡｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ
1-z ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）
の間にｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦
ｒ＜ｚ）（９）を形成し、さらに、このｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層（１１）およびｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間に、ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層（１１）に接してｐ−Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層
（０＜ｓ＜１）（１６）を、ｐ−（Ａｌr Ｇａ 1-r ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）に接してｐ−Ｇ
ａt Ｉｎ1-t Ｐ層（０＜ｔ＜０．５）（１７）を形成し
た構成を採用した。
【００１５】
【作用】本発明のように、半導体発光装置の電流供給経
路を構成するｐ−ＧａＩｎＰ層２８とｐ−ＧａＡｓ層２
９の界面に、これらの半導体層のエネルギギャップの中
間的なエネルギギャップを有する組成の半導体層、ある
いは、これらの半導体層のエネルギギャップの差異を滑
らかに接続するために組成を厚さ方向に徐々に変えた半
導体層を介挿すると、半導体層間のヘテロ障壁が低減、
あるいは、消滅して、正孔の注入が阻害されることがな
くなり、電気抵抗が低減されるため、動作電流による発
熱が低減され、低しきい値電流特性と高効率特性をもつ
半導体発光装置を提供することができる。
路を構成するｐ−ＧａＩｎＰ層２８とｐ−ＧａＡｓ層２
９の界面に、これらの半導体層のエネルギギャップの中
間的なエネルギギャップを有する組成の半導体層、ある
いは、これらの半導体層のエネルギギャップの差異を滑
らかに接続するために組成を厚さ方向に徐々に変えた半
導体層を介挿すると、半導体層間のヘテロ障壁が低減、
あるいは、消滅して、正孔の注入が阻害されることがな
くなり、電気抵抗が低減されるため、動作電流による発
熱が低減され、低しきい値電流特性と高効率特性をもつ
半導体発光装置を提供することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例の半導体発光装置につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１７】（第１実施例）図１（Ａ），（Ｂ）は、本
発明の第１実施例の半導体発光装置の構成説明図であ
る。
発明の第１実施例の半導体発光装置の構成説明図であ
る。
【００１８】この図において、１はｎ+ −ＧａＡｓ基
板、２はｎ+ −ＧａＡｓバッファ層、３はｎ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層、４はＧａ
0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ活性層、５はｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラッド層、６はｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐエッチングストップ層、７はｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層、８はｐ−（Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層、９はｐ−Ｇ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層、１０はｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層、１１はｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層、１２はｎ−ＧａＡｓ埋め込み層、１３はｐ+
−ＧａＡｓコンタクト層である。
板、２はｎ+ −ＧａＡｓバッファ層、３はｎ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層、４はＧａ
0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ活性層、５はｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラッド層、６はｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐエッチングストップ層、７はｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層、８はｐ−（Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層、９はｐ−Ｇ
ａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層、１０はｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層、１１はｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層、１２はｎ−ＧａＡｓ埋め込み層、１３はｐ+
−ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１９】この半導体発光装置は、下記の工程によっ
て製造される。
て製造される。
【００２０】第１工程（図１（Ａ）参照） 面方位（１００）のｎ+ −ＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯ
ＶＰＥ法によって、厚さ１．０μｍのｎ+ −ＧａＡｓバ
ッファ層２、厚さ１．０μｍのｎ−（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３、厚さ０．０７μ
ｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、厚さ０．２μｍのｐ
−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラッド層
５、厚さ１００Åのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング
ストップ層６、厚さ０．８μｍのｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７、厚さ０．１μ
ｍのｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間
層８、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中
間層９、厚さ０．１μｍのｐ−Ｉｎ 0.25Ｇａ0.75Ａｓ
0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層１１を順次成長する。
ＶＰＥ法によって、厚さ１．０μｍのｎ+ −ＧａＡｓバ
ッファ層２、厚さ１．０μｍのｎ−（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３、厚さ０．０７μ
ｍのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層４、厚さ０．２μｍのｐ
−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラッド層
５、厚さ１００Åのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチング
ストップ層６、厚さ０．８μｍのｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７、厚さ０．１μ
ｍのｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間
層８、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中
間層９、厚さ０．１μｍのｐ−Ｉｎ 0.25Ｇａ0.75Ａｓ
0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０、厚さ０．１μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層１１を順次成長する。
【００２１】このとき、原料ガスとして、ＩＩＩ族元素
にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＥＧ（トリ
エチルガリウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、
Ｖ族元素にはＰＨ3 （ホスフィン）、ＡｓＨ3 （アルシ
ン）を用いる。
にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＥＧ（トリ
エチルガリウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、
Ｖ族元素にはＰＨ3 （ホスフィン）、ＡｓＨ3 （アルシ
ン）を用いる。
【００２２】ドーパントとしては、ｐ型にＤＭＺ（ディ
メチル亜鉛）、ｎ型にＨ2 Ｓｅ（セレン化水素）を用い
る。
メチル亜鉛）、ｎ型にＨ2 Ｓｅ（セレン化水素）を用い
る。
【００２３】第２工程（図示されていない。） ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１の上に＜０１１＞方向に幅
６μｍのＳｉＯ2 膜のストライプマスクを通常のフォト
リソグラフ技術を用いて形成する。
６μｍのＳｉＯ2 膜のストライプマスクを通常のフォト
リソグラフ技術を用いて形成する。
【００２４】第３工程（図１（Ｂ）参照） ＳｉＯ2 膜のストライプマスクを用いて硫酸と過酸化水
素水と水の混合液を用いた化学エッチングによって、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層１１を除去した後、低温において
塩酸を用いた化学エッチングによって、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ第２中間層９、ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層８、および、ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７をｐ−Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層６を用いて除去する。
素水と水の混合液を用いた化学エッチングによって、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層１１を除去した後、低温において
塩酸を用いた化学エッチングによって、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ第２中間層９、ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層８、および、ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0. 5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７をｐ−Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層６を用いて除去する。
【００２５】第４工程（図１（Ｂ）参照） 第３工程によって除去したｐ−ＧａＡｓキャップ層１
１，ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１
０，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９，ｐ−（Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層８，ｐ−（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ） 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７の跡
に、ＭＯＶＰＥ法によってｎ−ＧａＡｓ埋め込み層１２
を成長する。
１，ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１
０，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９，ｐ−（Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間層８，ｐ−（Ａ
ｌ0.7 Ｇａ0.3 ） 0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド層７の跡
に、ＭＯＶＰＥ法によってｎ−ＧａＡｓ埋め込み層１２
を成長する。
【００２６】第５工程（図１（Ｂ）参照） ＳｉＯ2 膜のストライプマスクをフッ酸で除去した後、
ＭＯＶＰＥ法によってｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層１３
を成長する。
ＭＯＶＰＥ法によってｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層１３
を成長する。
【００２７】第６工程（図示されていない。） 下側にＡｕＧｅ／Ａｕ構造のｎ側電極を形成し、上側に
ＡｕＺｎ／Ａｕ構造のｐ側電極を形成し、発光領域に共
振器長３００μｍのファブリペロ共振器を形成して半導
体発光装置を完成する。
ＡｕＺｎ／Ａｕ構造のｐ側電極を形成し、発光領域に共
振器長３００μｍのファブリペロ共振器を形成して半導
体発光装置を完成する。
【００２８】この実施例の特徴とする構成は、上記の、
ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１１のヘテロ構造である。
ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１１のヘテロ構造である。
【００２９】図２は、第１実施例の半導体発光装置のエ
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−ＧａＡｓキャップ層１１が直接接触す
る場合に生じていた高い障壁（図７参照）が、ｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９とｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０の間の低い障壁と、ｐ−Ｉ
ｎ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０の間とｐ
−ＧａＡｓキャップ層１１の間の低い障壁に分散されて
いるため、電気抵抗を低減することができる。この実施
例による半導体発光装置（可視光半導体レーザ装置）
は、しきい値電流が３０ｍＡと低く、効率が０．５ｍＷ
／ｍＡと高く、良好な特性を示した。
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−ＧａＡｓキャップ層１１が直接接触す
る場合に生じていた高い障壁（図７参照）が、ｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９とｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０の間の低い障壁と、ｐ−Ｉ
ｎ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層１０の間とｐ
−ＧａＡｓキャップ層１１の間の低い障壁に分散されて
いるため、電気抵抗を低減することができる。この実施
例による半導体発光装置（可視光半導体レーザ装置）
は、しきい値電流が３０ｍＡと低く、効率が０．５ｍＷ
／ｍＡと高く、良好な特性を示した。
【００３０】なお、上記の実施例においては、第２中間
層９がｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐによって形成されている
として説明したが、この層が製造上の理由によりこれに
若干のＡｌが添加されたｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）であっても、上記と同様の効
果を奏する。
層９がｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐによって形成されている
として説明したが、この層が製造上の理由によりこれに
若干のＡｌが添加されたｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）であっても、上記と同様の効
果を奏する。
【００３１】（第２実施例）この実施例においては、第
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐ
v 層（０．５≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１）１４で構成され、
ｕあるいはｖの値が層厚方向に徐々に変化して組成が傾
斜（グレーディッド）し、Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐv
層１４の組成が、下端で下層のｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
第２中間層９の組成と一致し、上端で上層のｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層１１の組成と一致し、ＧａＡｓ基板と格子
整合していることが特徴である。
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐ
v 層（０．５≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１）１４で構成され、
ｕあるいはｖの値が層厚方向に徐々に変化して組成が傾
斜（グレーディッド）し、Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐv
層１４の組成が、下端で下層のｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
第２中間層９の組成と一致し、上端で上層のｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層１１の組成と一致し、ＧａＡｓ基板と格子
整合していることが特徴である。
【００３２】なお、この場合、ｕとｖの範囲はその上層
と下層の半導体層の組成によって変わり、一般的には、
０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１である。この実施例において
は、ヘテロ障壁は消滅している。
と下層の半導体層の組成によって変わり、一般的には、
０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１である。この実施例において
は、ヘテロ障壁は消滅している。
【００３３】図３は、第２実施例の半導体発光装置のエ
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−ＧａＡｓキャップ層１１の間が傾斜し
た直線で接続されており、障壁が存在しない。したがっ
て、この実施例の場合、電気抵抗が低減され、半導体発
光装置のしきい値電流を低下し、効率を向上することが
できる。
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−ＧａＡｓキャップ層１１の間が傾斜し
た直線で接続されており、障壁が存在しない。したがっ
て、この実施例の場合、電気抵抗が低減され、半導体発
光装置のしきい値電流を低下し、効率を向上することが
できる。
【００３４】（第３実施例）この実施例においては、第
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、ｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層
１５（０＜ｗ＜１）で構成され、ｗの値がｐ−ＧａＡｓ
キャップ層１１に近づくにしたがって０に漸近すること
が特徴である。
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、ｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層
１５（０＜ｗ＜１）で構成され、ｗの値がｐ−ＧａＡｓ
キャップ層１１に近づくにしたがって０に漸近すること
が特徴である。
【００３５】図４は、第３実施例の半導体発光装置のエ
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層１５のエネルギ
バンドには僅かに障壁が形成されるが、ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１１とｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層１５とは傾斜
する直線によって接続されており障壁が存在しない。
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層１５のエネルギ
バンドには僅かに障壁が形成されるが、ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１１とｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層１５とは傾斜
する直線によって接続されており障壁が存在しない。
【００３６】したがって、この実施例の場合、電気抵抗
が低減され、半導体発光装置のしきい値電流を低下し、
効率を向上することができる。この実施例においては、
Ｖ族元素としてＡｓとＰの両方を含む半導体層を使う必
要がないため、組成制御が容易になる利点がある。
が低減され、半導体発光装置のしきい値電流を低下し、
効率を向上することができる。この実施例においては、
Ｖ族元素としてＡｓとＰの両方を含む半導体層を使う必
要がないため、組成制御が容易になる利点がある。
【００３７】（第４実施例）この実施例においては、第
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１
１に近い側のｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６（０＜ｓ＜
１）と、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９に近い側
のｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層１７（０＜ｔ＜０．５）の２
重構造とし、ｓあるいはｔの値を接触面での組成を可能
な限り一致させるように調整していることが特徴であ
る。
１実施例の半導体発光装置の、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0. 5 Ｐ
第２中間層９／ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第
３中間層１０／ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１のヘテロ構
造の、ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層
１０に相当する半導体層が、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１
１に近い側のｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６（０＜ｓ＜
１）と、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層９に近い側
のｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層１７（０＜ｔ＜０．５）の２
重構造とし、ｓあるいはｔの値を接触面での組成を可能
な限り一致させるように調整していることが特徴であ
る。
【００３８】したがって、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１
と接触する面では、ｐ型Ａｌs Ｇａ 1-s Ａｓ層１６の組
成をｐ−ＧａＡｓとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１１と
一致させることができる。
と接触する面では、ｐ型Ａｌs Ｇａ 1-s Ａｓ層１６の組
成をｐ−ＧａＡｓとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１１と
一致させることができる。
【００３９】そして、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間
層９と接触する面では、ｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層の組成
をｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐとしてｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ第２中間層９と一致させることができる。しかし、ｐ
型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６とｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層
１７の接触面での組成を一致させることはできない。
層９と接触する面では、ｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層の組成
をｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐとしてｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ第２中間層９と一致させることができる。しかし、ｐ
型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６とｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層
１７の接触面での組成を一致させることはできない。
【００４０】図５は、第４実施例の半導体発光装置のエ
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層１７の接触面にお
けるエネルギバンドは連続し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１１とｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６の接触面における
エネルギバンドは連続する。
ネルギバンド構造図である。この図に示されているよう
に、この実施例においては、ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第
２中間層９とｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層１７の接触面にお
けるエネルギバンドは連続し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１１とｐ型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６の接触面における
エネルギバンドは連続する。
【００４１】そして、ｐ型Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ層１７とｐ
型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６の接触面に僅かな障壁が形
成される。したがって、この実施例の場合、電気抵抗が
低減され、半導体発光装置のしきい値電流を低下し、効
率を向上することができる。
型Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層１６の接触面に僅かな障壁が形
成される。したがって、この実施例の場合、電気抵抗が
低減され、半導体発光装置のしきい値電流を低下し、効
率を向上することができる。
【００４２】この実施例においては、Ｇａt Ｉｎ1-t Ｐ
層１７（０＜ｔ＜０．５）はＧａＡｓ基板と格子整合し
ないが、その厚さを臨界膜厚以下にすることによって結
晶欠陥が発生するのを防ぐことができる。また、この実
施例によれば、ＡｌＧａＡｓ層１６のＡｌの組成を少な
くすることができるため、酸化性の強いＡｌに起因する
欠陥を入りにくくすることができる。
層１７（０＜ｔ＜０．５）はＧａＡｓ基板と格子整合し
ないが、その厚さを臨界膜厚以下にすることによって結
晶欠陥が発生するのを防ぐことができる。また、この実
施例によれば、ＡｌＧａＡｓ層１６のＡｌの組成を少な
くすることができるため、酸化性の強いＡｌに起因する
欠陥を入りにくくすることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
動作電流経路に存在するヘテロ障壁を低くして低抵抗化
することができるため、低しきい値電流特性と高効率の
半導体発光装置を実現することができ、可視光情報処理
装置の高性能化に寄与するところが大きい。
動作電流経路に存在するヘテロ障壁を低くして低抵抗化
することができるため、低しきい値電流特性と高効率の
半導体発光装置を実現することができ、可視光情報処理
装置の高性能化に寄与するところが大きい。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は第１実施例の半導体発光装置
の構成説明図である。
の構成説明図である。
【図２】第１実施例の半導体発光装置のエネルギバンド
構造図である。
構造図である。
【図３】第２実施例の半導体発光装置のエネルギバンド
構造図である。
構造図である。
【図４】第３実施例の半導体発光装置のエネルギバンド
構造図である。
構造図である。
【図５】第４実施例の半導体発光装置のエネルギバンド
構造図である。
構造図である。
【図６】従来の半導体発光装置の構成説明図である。
【図７】従来の半導体発光装置のエネルギバンド構造図
である。
である。
１ ｎ+ −ＧａＡｓ基板 ２ ｎ+ −ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層 ４ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ５ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラ
ッド層 ６ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層 ７ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラ
ッド層 ８ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間
層 ９ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層 １０ ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層 １１ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １２ ｎ−ＧａＡｓ埋め込み層 １３ ｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層
層 ４ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ５ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラ
ッド層 ６ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層 ７ ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラ
ッド層 ８ ｐ−（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１中間
層 ９ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２中間層 １０ ｐ−Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ａｓ0.5 Ｐ0.5 第３中間層 １１ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １２ ｎ−ＧａＡｓ埋め込み層 １３ ｐ+ −ＧａＡｓコンタクト層
Claims (4)
- 【請求項１】 発光領域の電流供給経路であるｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）の間にｐ−
（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）
（９）が形成され、さらに、該ｐ−ＧａＡｓキャップ層
（１１）とｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間にｐ−Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ
1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，０＜ｖ＜１）（１０）が形成
された構成を含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 電流供給経路であるｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層（１１）およびｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）層（９）の間に形成されたｐ−
Ｉｎ1-u Ｇａu Ａｓ1-v Ｐv 層（０＜ｕ＜１，０＜ｖ＜
１）（１０）の組成が厚さ方向に徐々に変化してグレー
デッド構造になっていることを特徴とする請求項１記載
の半導体発光装置。 - 【請求項３】 発光領域の電流供給経路であるｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）の間にｐ−
（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）
（９）が形成され、さらに、該ｐ−ＧａＡｓキャップ層
（１１）とｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間にｐ−Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ層
（０＜ｗ＜１）（１５）が形成された構成を含むことを
特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項４】 発光領域の電流供給経路であるｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層（１１）とｐ−（Ａｌz Ｇａ1-z ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｚ＜１）（７）の間にｐ−
（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）
（９）が形成され、さらに、該ｐ−ＧａＡｓキャップ層
（１１）とｐ−（Ａｌr Ｇａ1-r ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層
（０≦ｒ＜ｚ）（９）の間に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
（１１）に接してｐ−Ａｌs Ｇａ1-s Ａｓ層（０＜ｓ＜
１）（１６）が、ｐ−（Ａｌr Ｇａ 1-r ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ層（０≦ｒ＜ｚ）（９）に接してｐ−Ｇａt Ｉｎ1-t
Ｐ層（０＜ｔ＜０．５）（１７）が形成された構成を含
むことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34660391A JP2630531B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34660391A JP2630531B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183228A JPH05183228A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2630531B2 true JP2630531B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=18384550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34660391A Expired - Fee Related JP2630531B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630531B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34660391A patent/JP2630531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05183228A (ja) | 1993-07-23 |
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