JP2628157B2 - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
- Publication number
- JP2628157B2 JP2628157B2 JP62023897A JP2389787A JP2628157B2 JP 2628157 B2 JP2628157 B2 JP 2628157B2 JP 62023897 A JP62023897 A JP 62023897A JP 2389787 A JP2389787 A JP 2389787A JP 2628157 B2 JP2628157 B2 JP 2628157B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- pulse
- optical device
- ferroelectric liquid
- peak value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性
を利用して電気光学変換を行なう装置に関するものであ
り、とりわけその駆動方法の改良に関するものである。
を利用して電気光学変換を行なう装置に関するものであ
り、とりわけその駆動方法の改良に関するものである。
本発明は強誘電性液晶の自発分極と負の誘電異方性を
利用して、各安定状態を作り出す印加電圧を液晶分子が
応答しにくいチョッピング部分と応答しやすい直流パル
ス部分とを結合し、一度の線順次走査で同時に、それぞ
れの安定状態を各々のマトリックス画素に書き込むこと
ができる駆動方法において、非選択期間中に印加される
交換パルスの波高値を調節することによって、コントラ
ストの高い電気光学変換装置を提供することができる。
利用して、各安定状態を作り出す印加電圧を液晶分子が
応答しにくいチョッピング部分と応答しやすい直流パル
ス部分とを結合し、一度の線順次走査で同時に、それぞ
れの安定状態を各々のマトリックス画素に書き込むこと
ができる駆動方法において、非選択期間中に印加される
交換パルスの波高値を調節することによって、コントラ
ストの高い電気光学変換装置を提供することができる。
強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性を利用し
て、一度の線順次走査で書き込める方式は既に出願し
た。本発明は、この駆動方式の改良であるため、先に出
願した駆動方式を従来例として説明する。
て、一度の線順次走査で書き込める方式は既に出願し
た。本発明は、この駆動方式の改良であるため、先に出
願した駆動方式を従来例として説明する。
第２図は先に出願した駆動方式を説明するものであ
る。第２図（ｃ）は、液晶セルのマトリックス電極構成
図である。２のセグメントS1,S2及び２本のコモンC1,C2
が４つのマトリックス画素（以下ドットという）D1,D2,
D3,D4を構成するように配置されている。
る。第２図（ｃ）は、液晶セルのマトリックス電極構成
図である。２のセグメントS1,S2及び２本のコモンC1,C2
が４つのマトリックス画素（以下ドットという）D1,D2,
D3,D4を構成するように配置されている。
第２図（Ｂ）に各ドットに印加される波形を示す。な
お本例においては、線順次走査でコモンC1を選択しか
つ、コモンC1上にドットD1とD2に同時に各々白と黒を書
き込む波形を示している。以下この期間をC1に対する選
択期間と呼ぶ。非選択コモンC2上のドットD3,D4につい
ては、従前の状態を保持する波形が印加される。以下、
この期間をC2に対する非選択期間と呼ぶ。
お本例においては、線順次走査でコモンC1を選択しか
つ、コモンC1上にドットD1とD2に同時に各々白と黒を書
き込む波形を示している。以下この期間をC1に対する選
択期間と呼ぶ。非選択コモンC2上のドットD3,D4につい
ては、従前の状態を保持する波形が印加される。以下、
この期間をC2に対する非選択期間と呼ぶ。
ドットD1に対して選択期間のうち前半部ではチョッピ
ングされた正のパルスが又、後半部では負の直流パルス
が印加される。SmC＊分子はチョッピングパルスでは応
答せず負の直流パルスで応答するので、ドットD1は白
（第２の安定状態）に書き込まれる。
ングされた正のパルスが又、後半部では負の直流パルス
が印加される。SmC＊分子はチョッピングパルスでは応
答せず負の直流パルスで応答するので、ドットD1は白
（第２の安定状態）に書き込まれる。
ドットD2に対しては選択期間のうち前半部では正の直
流パルスが印加され、後半部では負のチョッピングパル
スが印加される。SmC＊分子は前半の正の直流パルスに
応答しドットD2は黒（第１の安定状態）に書き込まれ
る。後半のチョッピングパルスには応答しない。
流パルスが印加され、後半部では負のチョッピングパル
スが印加される。SmC＊分子は前半の正の直流パルスに
応答しドットD2は黒（第１の安定状態）に書き込まれ
る。後半のチョッピングパルスには応答しない。
以上述べたように選択期間を２分し時分割的に前半を
黒書込みに後半を白書込みに利用し、１回の走査で同時
に白及び黒を書き込む。このときチョッピングされたパ
ルスによってSmC＊分子は、応答しないという現象を利
用している。
黒書込みに後半を白書込みに利用し、１回の走査で同時
に白及び黒を書き込む。このときチョッピングされたパ
ルスによってSmC＊分子は、応答しないという現象を利
用している。
さて、非選択ドットD3及びD4には交流パルスが加えら
れ、Δε＜０に基づく誘電トルクによって既にD3及びD4
に書き込まれている状態を保持する。
れ、Δε＜０に基づく誘電トルクによって既にD3及びD4
に書き込まれている状態を保持する。
以上に述べた走査を多数のコモン及びセグメントに対
して線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれ
ば）１フレームで画面の書き換えが可能である。
して線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれ
ば）１フレームで画面の書き換えが可能である。
第２図（Ａ）は、第２図（Ｂ）に示すドットD1〜D4に
印加される駆動波形を作るため、セグメント及びコモン
に印加される波形を示したものである。ａはコモンC1に
印加されるコモン選択信号、ｂはコモンC2に印加される
コモン非選択信号、ｃはセグメントS1に印加れさる白書
き込み信号、ｄはセグメントS2に印加される黒書込み信
号である。
印加される駆動波形を作るため、セグメント及びコモン
に印加される波形を示したものである。ａはコモンC1に
印加されるコモン選択信号、ｂはコモンC2に印加される
コモン非選択信号、ｃはセグメントS1に印加れさる白書
き込み信号、ｄはセグメントS2に印加される黒書込み信
号である。
さて、従来の駆動法で駆動されたSmC＊の電気光学装
置のコントラストは非選択期間中の透過光強度によって
決まる。この非選択期間中にドットに印加される波形は
第２図（Ｂ）のD3,D4ドットに印加されているものであ
る。この時、発生する誘電トルクは、この波形の波高値
及び印加時間とSmC＊材料がもつ誘電異方性Δεの値に
依存し、波高値が大きく印加時間が長いほど、またΔε
の絶対値が大きいほどこの誘電トルクは強く発生する。
誘電トルクが強く発生するということは、液晶分子の長
軸を電界方向に対して垂直に向かせるということであ
り、前記液晶分子の長軸はガラス基板と平行になろうと
する。このガラス基板に平行に分子が並んだ時、コント
ラスト最大になることが理論的にわかっている。
置のコントラストは非選択期間中の透過光強度によって
決まる。この非選択期間中にドットに印加される波形は
第２図（Ｂ）のD3,D4ドットに印加されているものであ
る。この時、発生する誘電トルクは、この波形の波高値
及び印加時間とSmC＊材料がもつ誘電異方性Δεの値に
依存し、波高値が大きく印加時間が長いほど、またΔε
の絶対値が大きいほどこの誘電トルクは強く発生する。
誘電トルクが強く発生するということは、液晶分子の長
軸を電界方向に対して垂直に向かせるということであ
り、前記液晶分子の長軸はガラス基板と平行になろうと
する。このガラス基板に平行に分子が並んだ時、コント
ラスト最大になることが理論的にわかっている。
ところで、従来例で説明いしたように非選択ドット
D3,D4に印加される波形は波高値が±2V1と±V2の高周波
信号であるが、先に出願したものには、このV1電圧の値
に関する記述がなく、V1電圧値によってはコントラスト
が悪い電気光学装置になってしまうという問題点があ
る。
D3,D4に印加される波形は波高値が±2V1と±V2の高周波
信号であるが、先に出願したものには、このV1電圧の値
に関する記述がなく、V1電圧値によってはコントラスト
が悪い電気光学装置になってしまうという問題点があ
る。
本発明は、コントラストの高いSmC＊電気光学装置を
提供することを目的とし、使用する液晶材料の誘電率異
方性Δεに応じて十分、液晶分子がガラス基板に対して
平行になるように波高値V1を設定すようにした。
提供することを目的とし、使用する液晶材料の誘電率異
方性Δεに応じて十分、液晶分子がガラス基板に対して
平行になるように波高値V1を設定すようにした。
非選択ドットD3及びD4に印加される波形を作り出して
いるコモン及びセグメント波形は第２図（Ａ）のb,c,d
である。そのうち、セグメント波形c,dは、選択ドットD
1及びD2に印加される波形に影響を与えているため、こ
の波高値は変えられない。したがって、コモン波形ｂの
波高値のみを変えてやれば、非選択ドットD3及びD4に印
加される波形の波高値を任意に変えられる。
いるコモン及びセグメント波形は第２図（Ａ）のb,c,d
である。そのうち、セグメント波形c,dは、選択ドットD
1及びD2に印加される波形に影響を与えているため、こ
の波高値は変えられない。したがって、コモン波形ｂの
波高値のみを変えてやれば、非選択ドットD3及びD4に印
加される波形の波高値を任意に変えられる。
第１図（Ａ）は第２図（Ａ）のコモン波形ｂの波高値
を2V1にした時の波形と、第２図（Ａ）のセグメント波
形ｃ、ｄを書いたものである。これらの印加波形からマ
トリックスドットD3及びD4に実際に印加される波形を第
１図（Ｂ）に示す。図はセグメント電位を基準に書いて
いる。コモン波形の波高値を2V1にすると、非選択ドッ
トD3及びD4に印加される波形の波高値は±3V1及び±2V1
に増加することがわかる。したがって誘電率異方性Δε
が小さい液晶材料を用いた場合には、誘電トルクを十分
に発生させるために、コモン波形ｂの波高値を大きく
し、逆に誘電率異方性Δεが大きい液晶材料を用いた場
合には、コモン波形ｂの波高値を小さくして、必要に応
じた誘電トルクを発生させるように、コモン波形ｂの波
高値を任意に調節する。
を2V1にした時の波形と、第２図（Ａ）のセグメント波
形ｃ、ｄを書いたものである。これらの印加波形からマ
トリックスドットD3及びD4に実際に印加される波形を第
１図（Ｂ）に示す。図はセグメント電位を基準に書いて
いる。コモン波形の波高値を2V1にすると、非選択ドッ
トD3及びD4に印加される波形の波高値は±3V1及び±2V1
に増加することがわかる。したがって誘電率異方性Δε
が小さい液晶材料を用いた場合には、誘電トルクを十分
に発生させるために、コモン波形ｂの波高値を大きく
し、逆に誘電率異方性Δεが大きい液晶材料を用いた場
合には、コモン波形ｂの波高値を小さくして、必要に応
じた誘電トルクを発生させるように、コモン波形ｂの波
高値を任意に調節する。
コモン波形ｂを発生するコモン駆動回路を第３図に示
す。１はシフトレジスタであって選択期間を指定する信
号FLM及びFLMを各コモンに線順次に分配するためのコモ
ンシフトパルスCLIを入力する。シフトレジスタ11の出
力はゲート群２に接続している。ゲート群２はDF1及びD
F2を入力しその出力はトランスミッションゲート３及び
４を制御する。一方、シフトレジスタ11の出力は、ま
た、トランスミションゲート５〜８を制御する。トラン
スミッションゲート５と７にはそれぞれ±V1の電圧、そ
してトランスミッションゲート6,8には、それぞれ±VX
の電圧が入力される。そしてトランスミッションゲート
５と６の出力はトランスミッションゲート３へ、またト
ランスミッションゲート７と８の出力はトランスミッシ
ョンゲート４に入力される。トランスミッションゲート
３と４の出力は、各コモン端子に入力される。
す。１はシフトレジスタであって選択期間を指定する信
号FLM及びFLMを各コモンに線順次に分配するためのコモ
ンシフトパルスCLIを入力する。シフトレジスタ11の出
力はゲート群２に接続している。ゲート群２はDF1及びD
F2を入力しその出力はトランスミッションゲート３及び
４を制御する。一方、シフトレジスタ11の出力は、ま
た、トランスミションゲート５〜８を制御する。トラン
スミッションゲート５と７にはそれぞれ±V1の電圧、そ
してトランスミッションゲート6,8には、それぞれ±VX
の電圧が入力される。そしてトランスミッションゲート
５と６の出力はトランスミッションゲート３へ、またト
ランスミッションゲート７と８の出力はトランスミッシ
ョンゲート４に入力される。トランスミッションゲート
３と４の出力は、各コモン端子に入力される。
今、シフトレジスタ11の出力がHIGHのときは、トラン
スミッションゲート5,7が導通し、トランスミッション
ゲート３と４には±V1の電圧が出力される。この時、ゲ
ート群２はDF1を受け入れトランスミッションゲート３
を前半導通させ、トランスミッションゲート14を後半導
通させる。その結果コモンC1には、従来例と同じ第２図
（Ａ）ａに示すコモン選択信号を出力する。一方、シフ
トレジスタ11の出力がLOWのとき、トランスミッション
ゲート6,8が導通し、電圧±VXがトランスミッションゲ
ート3,4に出力される。その時、ゲート群２はDF2を受け
入れ、DF2に同期した±VXで振動する交流パルス（第４
図タイミングチャート参照のこと）をコモンC2に出力す
る。これは第１図（Ａ）のｂに示すコモン非選択信号で
ある。ここでVX電圧は、任意に調節されることを意味
し、第１図（Ａ）のｂの波形を作り出すには、VXを2V1
に設定すれば良い。
スミッションゲート5,7が導通し、トランスミッション
ゲート３と４には±V1の電圧が出力される。この時、ゲ
ート群２はDF1を受け入れトランスミッションゲート３
を前半導通させ、トランスミッションゲート14を後半導
通させる。その結果コモンC1には、従来例と同じ第２図
（Ａ）ａに示すコモン選択信号を出力する。一方、シフ
トレジスタ11の出力がLOWのとき、トランスミッション
ゲート6,8が導通し、電圧±VXがトランスミッションゲ
ート3,4に出力される。その時、ゲート群２はDF2を受け
入れ、DF2に同期した±VXで振動する交流パルス（第４
図タイミングチャート参照のこと）をコモンC2に出力す
る。これは第１図（Ａ）のｂに示すコモン非選択信号で
ある。ここでVX電圧は、任意に調節されることを意味
し、第１図（Ａ）のｂの波形を作り出すには、VXを2V1
に設定すれば良い。
一方、セグメント駆動回路については従来と同じであ
る。
る。
以上に述べたように本発明によれば、SmC＊分子の自
発分極及び負の誘電率異方性を利用して、白及び黒の２
つの光学状態を１回の走査で同時に書き込むことができ
る電気光学装置の駆動法において、非選択期間中にコモ
ン電極に出力される対称な交流パルスの波高値を、液晶
材料の誘電率異方性Δεの値に応じて任意に調節し、出
力することによって、液晶分子をガラス基板と水平に保
持させることができるので、コントラストの高い電気光
学装置を得ることができるという効果がある。
発分極及び負の誘電率異方性を利用して、白及び黒の２
つの光学状態を１回の走査で同時に書き込むことができ
る電気光学装置の駆動法において、非選択期間中にコモ
ン電極に出力される対称な交流パルスの波高値を、液晶
材料の誘電率異方性Δεの値に応じて任意に調節し、出
力することによって、液晶分子をガラス基板と水平に保
持させることができるので、コントラストの高い電気光
学装置を得ることができるという効果がある。
第１図（Ａ）は本発明のコモン及びセグメントに印加さ
れる波形図、第１図（Ｂ）はマトリックスドットに印加
される波形図、第２図（Ａ）は従来のコモン及びセグメ
ントに印加される波形図、第２図（Ｂ）は従来のマトリ
ックスドットに印加される波形図、第２図（Ｃ）はマト
リックス電極構成図、第３図はコモン駆動回路図、第４
図はコモンに供給される信号のタイムチャートである。 １……シフトレジスタ ２……ゲート群 3,4,5,6,7,8……トランスミッションゲート
れる波形図、第１図（Ｂ）はマトリックスドットに印加
される波形図、第２図（Ａ）は従来のコモン及びセグメ
ントに印加される波形図、第２図（Ｂ）は従来のマトリ
ックスドットに印加される波形図、第２図（Ｃ）はマト
リックス電極構成図、第３図はコモン駆動回路図、第４
図はコモンに供給される信号のタイムチャートである。 １……シフトレジスタ ２……ゲート群 3,4,5,6,7,8……トランスミッションゲート
Claims (2)
- 【請求項１】液晶分子の長軸に垂直な方向に自発分極を
有し、かつ少なくとも高周波領域において、負の誘電率
異方性を有する強誘電性液晶薄膜に、コモン電極の選択
期間に、液晶分子の応答しない高周波のチョッピングパ
ルス及び液晶分子の応答する直流パルスの結合よりなる
パルスを印加することができる駆動回路を持つ強誘電性
液晶電気光学装置であって、非選択期間中のコモン電極
上に出力される交流パルスの被高値を任意にかつコモン
電極の選択期間に印加される電圧波高値とは独立に変え
ることができる駆動回路を持つことを特徴とする強誘電
性液晶電気光学装置。 - 【請求項２】前記非選択期間中のコモン電極上に出力さ
れる交流パルスの波高値は、液晶分子がガラス基板とほ
ぼ平行または完全に平行になるような誘電トルクが発生
する電圧値以上であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の強誘電性液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023897A JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023897A JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192020A JPS63192020A (ja) | 1988-08-09 |
| JP2628157B2 true JP2628157B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=12123248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023897A Expired - Lifetime JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628157B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2637517B2 (ja) * | 1988-11-10 | 1997-08-06 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262833A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶マトリツクスパネルの駆動法 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP62023897A patent/JP2628157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63192020A (ja) | 1988-08-09 |
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