JPS63192020A - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
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- JPS63192020A JPS63192020A JP2389787A JP2389787A JPS63192020A JP S63192020 A JPS63192020 A JP S63192020A JP 2389787 A JP2389787 A JP 2389787A JP 2389787 A JP2389787 A JP 2389787A JP S63192020 A JPS63192020 A JP S63192020A
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- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 title claims description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性を
利用して電気光学変換を行なう装置に関するものであり
、とりわけその駆動方法の改良に関するものである。
利用して電気光学変換を行なう装置に関するものであり
、とりわけその駆動方法の改良に関するものである。
本発明は強誘電性液晶の自発分極と負の誘電異方性を利
用して、各安定状態を作り出す印加電圧を液晶分子が応
答しにくいチッソピング部分と応答しやすい直流パルス
部分とを結合し、一度の線順次走査で同時に、それぞれ
の安定状態を各々のマトリックス画素に書き込むことが
できる駆動方法において、非選択期間中に印加される交
流パルスの波高値を調節することによって、コントラス
トの高い電気光学変換装置を提供することができる。
用して、各安定状態を作り出す印加電圧を液晶分子が応
答しにくいチッソピング部分と応答しやすい直流パルス
部分とを結合し、一度の線順次走査で同時に、それぞれ
の安定状態を各々のマトリックス画素に書き込むことが
できる駆動方法において、非選択期間中に印加される交
流パルスの波高値を調節することによって、コントラス
トの高い電気光学変換装置を提供することができる。
強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性を利用して
、一度の線順次走査で書き込める方式は既に出願した０
本発明は、この駆動方式の改良であるため、先に出願し
た駆動方式を従来例として説明する。
、一度の線順次走査で書き込める方式は既に出願した０
本発明は、この駆動方式の改良であるため、先に出願し
た駆動方式を従来例として説明する。
第２図は先に出願した駆動方式を説明するものである。
第２図１ｃＩは、液晶セルのマトリックス電極構成図で
ある。２のセグメントＳＩ＋ Ｓｔ及び２本のコモンＣ
，，ＣＩが４つのマトリックス画素（以下ドツトという
） ０１１１１．、 （ｈ、 Ｄａを構成するように配
置されている。
ある。２のセグメントＳＩ＋ Ｓｔ及び２本のコモンＣ
，，ＣＩが４つのマトリックス画素（以下ドツトという
） ０１１１１．、 （ｈ、 Ｄａを構成するように配
置されている。
第２図（Ｂ）に各ドツトに印加される波形を示す。
なお本例においては、線順次走査でコモンＣ１を選択し
かつ、コモンＣ１上のドツトＤ１とり、に同時に各々白
と黒を書き込む波形を示している。以下この期間をＣ２
に対する選択期間と呼ぶ、非選択コモンＣ２上のドツト
Ｏｓ、 Ｄｏについては、従前の状態を保持する波形が
印加される。以下、この期間をＣ１に対する非選択期間
と呼ぶ。
かつ、コモンＣ１上のドツトＤ１とり、に同時に各々白
と黒を書き込む波形を示している。以下この期間をＣ２
に対する選択期間と呼ぶ、非選択コモンＣ２上のドツト
Ｏｓ、 Ｄｏについては、従前の状態を保持する波形が
印加される。以下、この期間をＣ１に対する非選択期間
と呼ぶ。
トン）Ｄｏに対して選択期間のうち前半部ではチョッピ
ングされた正のパルスが又、後半部では負の直流パルス
が印加される＠ Ｓａｃ”分子はチョッピングパルスで
は応答せず負の直流パルスで応答するのでトン）Ｄｏは
白（第２の安定状態）に書き込まれる。
ングされた正のパルスが又、後半部では負の直流パルス
が印加される＠ Ｓａｃ”分子はチョッピングパルスで
は応答せず負の直流パルスで応答するのでトン）Ｄｏは
白（第２の安定状態）に書き込まれる。
ドツトＤ８に対しては選択期間のうち前半部では正の直
流パルスが印加され、後半部では負のチョッピングパル
スが印加される。 Ｓａｃ”分子は前半の正の直流パル
スに応答しドツトＤ！は黒（第１の安定状態）に書き込
まれる。後半のチョッピングパルスには応答しない。
流パルスが印加され、後半部では負のチョッピングパル
スが印加される。 Ｓａｃ”分子は前半の正の直流パル
スに応答しドツトＤ！は黒（第１の安定状態）に書き込
まれる。後半のチョッピングパルスには応答しない。
以上述べたように選択期間を２分し時分割的に前半を黒
書込みに後半を白書込みに利用し、１回の走査で同時に
白及び黒を書き込む、このときチョッピングされたパル
スによっては５ＬＩＩＣ″分子は、応答しないという現
象を利用している。
書込みに後半を白書込みに利用し、１回の走査で同時に
白及び黒を書き込む、このときチョッピングされたパル
スによっては５ＬＩＩＣ″分子は、応答しないという現
象を利用している。
さて、非選択ドツトＤｓ及びＤ＃には交流パルスが加え
られ、Δε〈Ｏに基づく誘電トルクによって既に０３及
びＤ４に書き込まれている状態を保持する。
られ、Δε〈Ｏに基づく誘電トルクによって既に０３及
びＤ４に書き込まれている状態を保持する。
以上に述べた走査を多数のコモン及びセグメントに対し
て線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれば）
１フレームで画面の書き換えが可能である。
て線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれば）
１フレームで画面の書き換えが可能である。
第２図（Ａ）は、第２図（Ｂ）に示すドツト０．〜Ｄオ
に印加される駆動波形を作るため、セグメント及びコモ
ンに印加される波形を示したものである。ａはコモンＣ
Ｉに印加されるコモン選択信号、ｂはコモンＣ！に印加
されるコモン非選択信号、ＣはセグメントＳ１に印加れ
さる白書込み信号、ｄはセグメン）Ｓｇに印加される黒
書込み信号である。
に印加される駆動波形を作るため、セグメント及びコモ
ンに印加される波形を示したものである。ａはコモンＣ
Ｉに印加されるコモン選択信号、ｂはコモンＣ！に印加
されるコモン非選択信号、ＣはセグメントＳ１に印加れ
さる白書込み信号、ｄはセグメン）Ｓｇに印加される黒
書込み信号である。
さて、従来の駆動法で駆動されたＳａｃ”の電気光学装
置のコントラストは非選択期間中の透過光強度によって
決まる。この非選択期間中にドツトに印加される波形は
第２図（Ｂ）の０３． Ｄオドフトに印加されているも
のである。この時、発生する誘電トルクは、この波形の
波高値及び印加時間とＳａｃ”材料がもつ誘電異方性Δ
εΦ値に依存し、波高値が太き（印加時間が長いほど、
またΔεの絶対値が大きいほどこの誘電トルクは強く発
生する。誘電トルクが強く発生するということは、液晶
分子の長軸を電界方向に対して垂直に向かせるというこ
とであり、前記液晶分子の長袖はガラス基板と平行にな
ろうとする。このガラス基板に平行に分子が並んだ時、
コントラスト最大になることが理論的にわかっている。
置のコントラストは非選択期間中の透過光強度によって
決まる。この非選択期間中にドツトに印加される波形は
第２図（Ｂ）の０３． Ｄオドフトに印加されているも
のである。この時、発生する誘電トルクは、この波形の
波高値及び印加時間とＳａｃ”材料がもつ誘電異方性Δ
εΦ値に依存し、波高値が太き（印加時間が長いほど、
またΔεの絶対値が大きいほどこの誘電トルクは強く発
生する。誘電トルクが強く発生するということは、液晶
分子の長軸を電界方向に対して垂直に向かせるというこ
とであり、前記液晶分子の長袖はガラス基板と平行にな
ろうとする。このガラス基板に平行に分子が並んだ時、
コントラスト最大になることが理論的にわかっている。
ところで、従来例で説明したように非選択ドツトＤｓ、
Ｄ４に印加される波形は波高値が±２ｔｌ＋と±Ｖ！の
高周波信号であるが、先に出願したものには、このＶ、
電圧の値に関する記述がなく、ｖ１電圧値によつてはコ
ントラストが悪い電気光学装置になってしまうという問
題点がある。
Ｄ４に印加される波形は波高値が±２ｔｌ＋と±Ｖ！の
高周波信号であるが、先に出願したものには、このＶ、
電圧の値に関する記述がなく、ｖ１電圧値によつてはコ
ントラストが悪い電気光学装置になってしまうという問
題点がある。
本発明は、コントラストの高いＳｉ＋Ｃ”電気光学装置
を提供することを目的とし、使用する液晶材料の誘電率
異方性Δεに応じて十分、液晶分子がガラス基板に対し
て平行になるよう波高値ｖ１を設定するようにした。
を提供することを目的とし、使用する液晶材料の誘電率
異方性Δεに応じて十分、液晶分子がガラス基板に対し
て平行になるよう波高値ｖ１を設定するようにした。
非選択ドツトＤｓ及びＤうに印加される波形を作り出し
ているコモン及びセグメント波形は第２図（Ａ）のす、
ｃ、ｄである。そのうち、セグメント波形ｃ、ｄは、選
択ドツトＤ＋及びＤ２に印加される波形に影響を与えて
いるため、この波高値は変えられない、したがって、コ
モン波形すの波高値のみを変えてやれば、非選択ドツト
Ｄｓ及びＤ＃に印加される波形の波高値を任意に変えら
れる。
ているコモン及びセグメント波形は第２図（Ａ）のす、
ｃ、ｄである。そのうち、セグメント波形ｃ、ｄは、選
択ドツトＤ＋及びＤ２に印加される波形に影響を与えて
いるため、この波高値は変えられない、したがって、コ
モン波形すの波高値のみを変えてやれば、非選択ドツト
Ｄｓ及びＤ＃に印加される波形の波高値を任意に変えら
れる。
第１図（Ａ）は第２図（Ａ）のコモン波形すの波高値を
２Ｖ＋にした時の波形と、第２図（Ａ）のセグメント波
形ｃ、ｄを書いたものである。これらの印加波形からマ
トリックスドツトＤ３及びＤ４に実際に印加される波形
を第１図（Ｂ）に示す０図はセグメント電位を基準に書
いている。コモン波形の波高値を２Ｖ＋にすると、非選
択ドツトＤ３及びり、に印加される波形の波高値は±３
Ｌ及び±２Ｖ＋に増加することがわかる。したがって誘
電率異方性Δεが小さい液晶材料を用いた場合には、誘
電トルクを十分に発生させるために、コモン波形すの波
高値を大きくし、逆に誘電率異方性Δεが大きい液晶材
料を用いた場合には、コモン波形すの波高値を小さくし
て、必要に応じた誘電トルクを発生させるように、コモ
ン波形すの波高値を任意に調節する。
２Ｖ＋にした時の波形と、第２図（Ａ）のセグメント波
形ｃ、ｄを書いたものである。これらの印加波形からマ
トリックスドツトＤ３及びＤ４に実際に印加される波形
を第１図（Ｂ）に示す０図はセグメント電位を基準に書
いている。コモン波形の波高値を２Ｖ＋にすると、非選
択ドツトＤ３及びり、に印加される波形の波高値は±３
Ｌ及び±２Ｖ＋に増加することがわかる。したがって誘
電率異方性Δεが小さい液晶材料を用いた場合には、誘
電トルクを十分に発生させるために、コモン波形すの波
高値を大きくし、逆に誘電率異方性Δεが大きい液晶材
料を用いた場合には、コモン波形すの波高値を小さくし
て、必要に応じた誘電トルクを発生させるように、コモ
ン波形すの波高値を任意に調節する。
コモン波形すを発生するコモン駆動回路を第３図に示す
、１はシフトレジスタであって選択期間を指定する信号
ＦＬＭ及びＦＬＭを各コモンに線Ｍｆｆ次に分配するた
めのコモンシフトパルスＣＬＩを入力する。シフトレジ
スタ１１の出力はゲート群２に接続している。ゲート群
２はＤＰＩ及びＤＦ２を入力しその出力はトランスミッ
ションゲート３及び４を制御する。一方、シフトレジス
タ１１の出力は、また、トランスミッションゲート５〜
８を制御する。トランスミッションゲート５と７にはそ
れぞれ±ｖ１の電圧、そしてトランスミッションゲート
６．８には、それぞれ±Ｖ、の電圧が入力される。そし
てトランスミッションゲート５と６の出力はトランスミ
ッションゲート３へ、またトランスミッションゲート７
と８の出力はトランスミッションゲート４に入力される
。トランスミッションゲート３と４の出力は、各コモン
端子に入力される。
、１はシフトレジスタであって選択期間を指定する信号
ＦＬＭ及びＦＬＭを各コモンに線Ｍｆｆ次に分配するた
めのコモンシフトパルスＣＬＩを入力する。シフトレジ
スタ１１の出力はゲート群２に接続している。ゲート群
２はＤＰＩ及びＤＦ２を入力しその出力はトランスミッ
ションゲート３及び４を制御する。一方、シフトレジス
タ１１の出力は、また、トランスミッションゲート５〜
８を制御する。トランスミッションゲート５と７にはそ
れぞれ±ｖ１の電圧、そしてトランスミッションゲート
６．８には、それぞれ±Ｖ、の電圧が入力される。そし
てトランスミッションゲート５と６の出力はトランスミ
ッションゲート３へ、またトランスミッションゲート７
と８の出力はトランスミッションゲート４に入力される
。トランスミッションゲート３と４の出力は、各コモン
端子に入力される。
今、シフトレジスタ１１の出力がＨＩＧＨのときは、ト
ランスミッションゲート５，７が導通し、トランスミッ
ションゲート３と４には±ｖｌの電圧が出力される。こ
の時、ゲート群２はＤＰＩを受は入れトランスミッショ
ンゲート３を前半導通させ、トランスミッションゲート
１４を後半導通させる。
ランスミッションゲート５，７が導通し、トランスミッ
ションゲート３と４には±ｖｌの電圧が出力される。こ
の時、ゲート群２はＤＰＩを受は入れトランスミッショ
ンゲート３を前半導通させ、トランスミッションゲート
１４を後半導通させる。
その結果コモンＣ３には、従来例と同じ第２図（Ａ）ａ
に示すコモン選択信号を出力する。一方、シフトレジス
タ１１の出力がＬＯＷのとき、トランスミッションゲー
ト６．８が導通し、電圧±Ｖ、がトランスミッションゲ
ート３．４に出力される。その時、ゲート群２はＤＦ２
を受は入れ、ＤＦ２に同期した±ｖｌｌで振動する交流
パルス（第４図タイミングチャート参照のこと）をコモ
ンＣ３に出力する。これは第１図（Ａ）のｂに示すコモ
ン非選択信号である。ここでＶ、電圧は、任意に調節さ
れることを意味し、第１図（Ａ）のｂの波形を作り出す
には、ｖｌを２Ｖ＋に設定すれば良い。
に示すコモン選択信号を出力する。一方、シフトレジス
タ１１の出力がＬＯＷのとき、トランスミッションゲー
ト６．８が導通し、電圧±Ｖ、がトランスミッションゲ
ート３．４に出力される。その時、ゲート群２はＤＦ２
を受は入れ、ＤＦ２に同期した±ｖｌｌで振動する交流
パルス（第４図タイミングチャート参照のこと）をコモ
ンＣ３に出力する。これは第１図（Ａ）のｂに示すコモ
ン非選択信号である。ここでＶ、電圧は、任意に調節さ
れることを意味し、第１図（Ａ）のｂの波形を作り出す
には、ｖｌを２Ｖ＋に設定すれば良い。
一方、セグメント駆動回路については従来と同じである
。
。
以上に述べたように本発明によれば、ＳｓＣ”分子の自
発分極及び負の誘電率異方性を利用して、白及び黒の２
つの光学状態を１回の走査で同時に書き込むことができ
る電気光学装置の駆動法において、非選択期間中にコモ
ン電極に出力される対称な交流パルスの波高値を、液晶
材料の誘電率異方性Δεの値に応じて任意に調節し、出
力することによって、液晶分子をガラス基板と水平に保
持させることができるので、コントラストの高い電気光
学装置を得ることができるという効果がある。
発分極及び負の誘電率異方性を利用して、白及び黒の２
つの光学状態を１回の走査で同時に書き込むことができ
る電気光学装置の駆動法において、非選択期間中にコモ
ン電極に出力される対称な交流パルスの波高値を、液晶
材料の誘電率異方性Δεの値に応じて任意に調節し、出
力することによって、液晶分子をガラス基板と水平に保
持させることができるので、コントラストの高い電気光
学装置を得ることができるという効果がある。
第１図（Ａ）は本発明のコモン及びセグメントに印加さ
れる波形図、第１図（Ｂ）はマトリックスドツトに印加
される波形図、第２図（Ａ）は従来のコモン及びセグメ
ントに印加される波形図、第２図（Ｂ）は従来のマトリ
ックスドツトに印加される波形図、第２図（Ｃ）はマ）
ＩＪソクス電極構成図、第３図はコモン駆動回路図、
第４図はコモンに供給される信号のタイムチャートであ
る。 ｌ・・・・・シフトレジスタ ２・・・・・ゲート群 ３．４．５，６．７．ＩＩＩ・・・ トランスミッションゲート 以上 コｔン電糧及び゛ｔ７メント電極にε口別ぐれる液形図
第１図（Ａ、） １ト蓮１尺マトリ７スド・・ＩトにＥロア７０ＯＲるシ
皮形図第 １ 図 （Ｂ） コモン電極Ｊ１メ七１メソト電優に印ｉ口されろ；皮形
図第２図（Ａ） マトリ−／クス）”！／ ） ＋で印訓コれろ波形３第
２図 （Ｂ） マトリックスを極構ｆｔＵ２ 第２図（Ｃ） コモンＪＩＩ２初回路図 第３図
れる波形図、第１図（Ｂ）はマトリックスドツトに印加
される波形図、第２図（Ａ）は従来のコモン及びセグメ
ントに印加される波形図、第２図（Ｂ）は従来のマトリ
ックスドツトに印加される波形図、第２図（Ｃ）はマ）
ＩＪソクス電極構成図、第３図はコモン駆動回路図、
第４図はコモンに供給される信号のタイムチャートであ
る。 ｌ・・・・・シフトレジスタ ２・・・・・ゲート群 ３．４．５，６．７．ＩＩＩ・・・ トランスミッションゲート 以上 コｔン電糧及び゛ｔ７メント電極にε口別ぐれる液形図
第１図（Ａ、） １ト蓮１尺マトリ７スド・・ＩトにＥロア７０ＯＲるシ
皮形図第 １ 図 （Ｂ） コモン電極Ｊ１メ七１メソト電優に印ｉ口されろ；皮形
図第２図（Ａ） マトリ−／クス）”！／ ） ＋で印訓コれろ波形３第
２図 （Ｂ） マトリックスを極構ｆｔＵ２ 第２図（Ｃ） コモンＪＩＩ２初回路図 第３図
Claims (2)
- （１）液晶分子の長軸に垂直な方向に自発分極を有し、
かつ少なくとも高周波領域において、負の誘電率異方性
を有する強誘電性液晶薄膜に、液晶分子の応答しないチ
ョッピングパルス及び液晶分子の応答する直流パルスの
結合よりなるパルスを印加することができる駆動回路を
持つ強誘電性液晶電気光学装置において、非選択期間中
のコモン電極上に出力される交流パルスの被高値を任意
に変えることができる駆動回路を持つことを特徴とする
強誘電性液晶電気光学装置。 - （２）前記非選択期間中のコモン電極上に出力される交
流パルスの波高値は、液晶分子がガラス基板とほぼ平行
または完全に平行になるような誘電トルクが発生する電
圧値以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の強誘電性液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023897A JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023897A JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192020A true JPS63192020A (ja) | 1988-08-09 |
| JP2628157B2 JP2628157B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=12123248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023897A Expired - Lifetime JP2628157B2 (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628157B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130525A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Canon Inc | 液晶装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262833A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶マトリツクスパネルの駆動法 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP62023897A patent/JP2628157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262833A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶マトリツクスパネルの駆動法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130525A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Canon Inc | 液晶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628157B2 (ja) | 1997-07-09 |
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