JP2625175B2 - Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法Info
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Landscapes
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は金属、セラミツクス、合成樹脂等で形成され
た基材表面を覆うNi−Ｐ合金皮膜の熱処理方法に関する
ものである。
た基材表面を覆うNi−Ｐ合金皮膜の熱処理方法に関する
ものである。
従来技術 無電解メツキ法、電気メツキ法または物理蒸着法（真
空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング等）に
よつて形成された燐含有量５〜15重量％のNi−Ｐ合金皮
膜は微結晶ないしアモルフアスから成つており、燐含有
量を変化させることにより比抵抗を制御できることから
電気抵抗材料、電気接点材料等に使用され、高い硬度を
有することから各種耐摩耗性コーテイングに使用され、
さらに、高い耐食性を有することから耐食性コーテイン
グに使用されている。これら各種の用途において、それ
ぞれNi−Ｐ合金皮膜の有する特性を最大限に発揮させる
ためには適当な熱処理が必要である。例えば電気抵抗材
料として用いる場合には、その抵抗特性を安定化させる
ために通常200〜270℃、１〜15時間の熱処理が、耐摩耗
性コーテイング、耐食性コーテイングに用いる場合に
は、最大硬度あるいは最大の耐食性を付与するために30
0〜500℃で１〜24時間の熱処理がそれぞれ施される。
空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング等）に
よつて形成された燐含有量５〜15重量％のNi−Ｐ合金皮
膜は微結晶ないしアモルフアスから成つており、燐含有
量を変化させることにより比抵抗を制御できることから
電気抵抗材料、電気接点材料等に使用され、高い硬度を
有することから各種耐摩耗性コーテイングに使用され、
さらに、高い耐食性を有することから耐食性コーテイン
グに使用されている。これら各種の用途において、それ
ぞれNi−Ｐ合金皮膜の有する特性を最大限に発揮させる
ためには適当な熱処理が必要である。例えば電気抵抗材
料として用いる場合には、その抵抗特性を安定化させる
ために通常200〜270℃、１〜15時間の熱処理が、耐摩耗
性コーテイング、耐食性コーテイングに用いる場合に
は、最大硬度あるいは最大の耐食性を付与するために30
0〜500℃で１〜24時間の熱処理がそれぞれ施される。
燐含有量３〜15重量％の範囲のNi−Ｐ二元系合金は、
平衡状態においてＰ＝11重量％で880℃の共晶点を有す
るNi＋Ni3Pの二相合金である。故に、アモルフアス状態
の皮膜に熱処理を施すと固溶体相からNi3Pが析出し、析
出硬化を生ずる。例えば、燐含有量７重量％のNi−Ｐ合
金皮膜の場合、熱処理により全ての燐がNi3Pに変化した
とすると、該Ni3Pは皮膜の50体積％に達する。それ以上
の燐含有量ではNi3Pがマトリツクスとなり、燐含有量15
重量％では熱処理によつて皮膜全体がNi3Pになる。
平衡状態においてＰ＝11重量％で880℃の共晶点を有す
るNi＋Ni3Pの二相合金である。故に、アモルフアス状態
の皮膜に熱処理を施すと固溶体相からNi3Pが析出し、析
出硬化を生ずる。例えば、燐含有量７重量％のNi−Ｐ合
金皮膜の場合、熱処理により全ての燐がNi3Pに変化した
とすると、該Ni3Pは皮膜の50体積％に達する。それ以上
の燐含有量ではNi3Pがマトリツクスとなり、燐含有量15
重量％では熱処理によつて皮膜全体がNi3Pになる。
発明が解決しようとする課題 ところで、従来方法による前記熱処理には以下のよう
な幾つかの問題がある。
な幾つかの問題がある。
熱処理に時間がかかり過ぎ、使用エネルギー経費が
嵩むだけでなく、生産性が阻害される。
嵩むだけでなく、生産性が阻害される。
皮膜の局所のみを熱処理することができない。
Ni−Ｐ合金皮膜処理が施される基材は前記熱処理温
度、時間に耐えなければならず、基材の材質が制限され
る。
度、時間に耐えなければならず、基材の材質が制限され
る。
前記熱処理温度、時間ではNi−Ｐ合金皮膜表面が酸
化してしまう可能性があるため、皮膜使用目的によつて
は熱処理雰囲気を選択しなければならない（例、真空
中、不活性ガス中等）。
化してしまう可能性があるため、皮膜使用目的によつて
は熱処理雰囲気を選択しなければならない（例、真空
中、不活性ガス中等）。
課題を解決するための手段 本発明は斯かる技術的背景の下に創案されたものであ
り、その目的は、無電解メツキ法、電気メツキ法または
物理蒸着法により基材上に形成された燐含有量５〜15重
量％のNi−Ｐ合金皮膜に熱処理を施す方法において、熱
処理時間を短縮し、皮膜の局所の熱処理を可能になし、
皮膜に対する熱処理雰囲気の影響をなくし、熱処理に伴
う基材の劣化を防ぐことである。
り、その目的は、無電解メツキ法、電気メツキ法または
物理蒸着法により基材上に形成された燐含有量５〜15重
量％のNi−Ｐ合金皮膜に熱処理を施す方法において、熱
処理時間を短縮し、皮膜の局所の熱処理を可能になし、
皮膜に対する熱処理雰囲気の影響をなくし、熱処理に伴
う基材の劣化を防ぐことである。
この目的は、無電解メッキ法、電気メッキ法または物
理蒸着法により基体材上に形成された燐含有量５〜15重
量％のNi−Ｐ合金皮膜に、通電によるジュール加熱、レ
ーザー照射または電子ビーム照射によりパルス幅１〜10
00ミリ秒の極短時間のパルス加熱を施し、もって熱処理
による制御された合金組織すなわちNi−Ｐ合金の平衡状
態である「Ni＋Ni3P」に至る過程の選択的に制御された
合金組織を得ることによって達成される。平衡状態であ
る「Ni＋Ni3P」に至る過程の選択的に制御された合金組
織とは、Ni−Ｐ合金皮膜特有の準安定相、Ni相、Ni3P相
等、熱処理による投入熱量に応じてそれぞれ相違する、
相変化の移行段階での各組織を意味する（なお、投入熱
量に応じて異なる合金組織すなわち制御された合金組織
が得られることについては、以下の実施例の説明からも
明らかである）。
理蒸着法により基体材上に形成された燐含有量５〜15重
量％のNi−Ｐ合金皮膜に、通電によるジュール加熱、レ
ーザー照射または電子ビーム照射によりパルス幅１〜10
00ミリ秒の極短時間のパルス加熱を施し、もって熱処理
による制御された合金組織すなわちNi−Ｐ合金の平衡状
態である「Ni＋Ni3P」に至る過程の選択的に制御された
合金組織を得ることによって達成される。平衡状態であ
る「Ni＋Ni3P」に至る過程の選択的に制御された合金組
織とは、Ni−Ｐ合金皮膜特有の準安定相、Ni相、Ni3P相
等、熱処理による投入熱量に応じてそれぞれ相違する、
相変化の移行段階での各組織を意味する（なお、投入熱
量に応じて異なる合金組織すなわち制御された合金組織
が得られることについては、以下の実施例の説明からも
明らかである）。
本発明者等はNi−Ｐ合金皮膜の熱変化挙動に関する研
究を行なつた。一般に、無電解メツキ法、電気メツキ
法、または物理蒸着法（PVD法）で作製されたNi−Ｐ合
金皮膜はその燐含有量が約７重量％以上ではアモルフア
スであり、それ未満では結晶組織となる。これ等のNi−
Ｐ合金皮膜に熱処理を施すことによつてアモルフアス皮
膜では結晶化が起り、結晶質皮膜では更にその結晶化が
進行する。そして、いずれも最終的にNiとNi3Pが形成さ
れる。
究を行なつた。一般に、無電解メツキ法、電気メツキ
法、または物理蒸着法（PVD法）で作製されたNi−Ｐ合
金皮膜はその燐含有量が約７重量％以上ではアモルフア
スであり、それ未満では結晶組織となる。これ等のNi−
Ｐ合金皮膜に熱処理を施すことによつてアモルフアス皮
膜では結晶化が起り、結晶質皮膜では更にその結晶化が
進行する。そして、いずれも最終的にNiとNi3Pが形成さ
れる。
さらに、前記熱変化挙動は、Ni−Ｐ合金皮膜の燐含有
量が等しければ、Physica Status Solidi A、74,279
（1982）（L.K.Varga ＆ T.Schmidt発表）、金属表面
技術、34,330（1983）（逢坂、小岩発表）、日本金属
学会誌、41,1130（1977）（増井、丸野、山田発表）等
の文献に示されているように、皮膜形成方法（無電解メ
ツキ法、電気メツキ法、物理蒸着法等）の違いによつて
差異はないと言われている。また、電気抵抗材料におけ
る電気抵抗特性の安定性、耐摩耗性コーテイングにおけ
る皮膜硬度、および耐食性コーテイングにおける耐食性
に対する熱処理効果は、前記文献、J.Blectrochem.So
c.,112,401（1965）（A.H.Graham,R.W.Lindsay,H.J.Rea
d発表）、Corrosion Prevention ＆ Control,30,
（３）,p.5（1983）（C.F.Beer,P.D.Longfield,M.Sadeg
hi発表）等の文献に示されるように、NiとNi3Pの形成の
程度に深くかかわつている。従つて、熱処理方法が変つ
ても、NiとNi3Pの形成程度を首尾よく制御することがで
きれば、従来の熱処理と同等の効果を得ることができ
る。
量が等しければ、Physica Status Solidi A、74,279
（1982）（L.K.Varga ＆ T.Schmidt発表）、金属表面
技術、34,330（1983）（逢坂、小岩発表）、日本金属
学会誌、41,1130（1977）（増井、丸野、山田発表）等
の文献に示されているように、皮膜形成方法（無電解メ
ツキ法、電気メツキ法、物理蒸着法等）の違いによつて
差異はないと言われている。また、電気抵抗材料におけ
る電気抵抗特性の安定性、耐摩耗性コーテイングにおけ
る皮膜硬度、および耐食性コーテイングにおける耐食性
に対する熱処理効果は、前記文献、J.Blectrochem.So
c.,112,401（1965）（A.H.Graham,R.W.Lindsay,H.J.Rea
d発表）、Corrosion Prevention ＆ Control,30,
（３）,p.5（1983）（C.F.Beer,P.D.Longfield,M.Sadeg
hi発表）等の文献に示されるように、NiとNi3Pの形成の
程度に深くかかわつている。従つて、熱処理方法が変つ
ても、NiとNi3Pの形成程度を首尾よく制御することがで
きれば、従来の熱処理と同等の効果を得ることができ
る。
本発明者等は、Ni−Ｐ合金皮膜に対してジユール加熱
による極短時間のパルス加熱を施した後の資料をＸ線回
折法により調べたところ、通常の熱処理の場合と同様に
NiとNi3Pの形成を確認することができ、しかも通常の熱
処理に比べてこれらNiやNi3Pの結晶性すなわち合金組織
（マイクロ組織）をむしろ細かく制御可能であることを
新たに見い出した（実施例に関連して示した第３図、第
４図参照）。実際、パルス加熱条件を変えて得たNi−Ｐ
合金皮膜の物性（電気抵抗、温度電気抵抗係数）は、そ
のマイクロ組織に応じて、通常の熱処理の場合と同様な
物性変化を示しただけでなく、通常の熱処理よりも細か
な物性制御が可能であった。また、該物性変化は窒素ガ
ス中でパルス加熱処理したもの、および空気中でパルス
加熱処理したもののいずれも同様の挙動を示した。
による極短時間のパルス加熱を施した後の資料をＸ線回
折法により調べたところ、通常の熱処理の場合と同様に
NiとNi3Pの形成を確認することができ、しかも通常の熱
処理に比べてこれらNiやNi3Pの結晶性すなわち合金組織
（マイクロ組織）をむしろ細かく制御可能であることを
新たに見い出した（実施例に関連して示した第３図、第
４図参照）。実際、パルス加熱条件を変えて得たNi−Ｐ
合金皮膜の物性（電気抵抗、温度電気抵抗係数）は、そ
のマイクロ組織に応じて、通常の熱処理の場合と同様な
物性変化を示しただけでなく、通常の熱処理よりも細か
な物性制御が可能であった。また、該物性変化は窒素ガ
ス中でパルス加熱処理したもの、および空気中でパルス
加熱処理したもののいずれも同様の挙動を示した。
本発明で対象とするNi−Ｐ合金皮膜の好適なるＰ含有
量は５〜15重量％であり、皮膜の厚さ、形状（面積）お
よび基材の熱物性（非熱、熱伝導度）に応じた所定の熱
量をジユール加熱（通電加熱）、レーザー照射、または
電子ビーム照射によつてパルス幅１〜1000msec（ミリ
秒）の極短時間内に皮膜に投入することが必要である。
この時、パルス幅が1msec未満では、合金組織および物
性制御に十分な変化を与えることが困難であり、また逆
に1000msecを超えるパルス幅では、通常の長時間熱処理
と同様に合金組織および物性が急激に変化してしまい細
かな制御が不可能となるだけでなく、本発明の本来の目
的である、皮膜の局所加熱、熱処理雰囲気の影響の軽減
および熱処理に伴う基材の劣化防止が不可能となる。
量は５〜15重量％であり、皮膜の厚さ、形状（面積）お
よび基材の熱物性（非熱、熱伝導度）に応じた所定の熱
量をジユール加熱（通電加熱）、レーザー照射、または
電子ビーム照射によつてパルス幅１〜1000msec（ミリ
秒）の極短時間内に皮膜に投入することが必要である。
この時、パルス幅が1msec未満では、合金組織および物
性制御に十分な変化を与えることが困難であり、また逆
に1000msecを超えるパルス幅では、通常の長時間熱処理
と同様に合金組織および物性が急激に変化してしまい細
かな制御が不可能となるだけでなく、本発明の本来の目
的である、皮膜の局所加熱、熱処理雰囲気の影響の軽減
および熱処理に伴う基材の劣化防止が不可能となる。
実施例１ ＜Ni−Ｐ合金皮膜形成＞ 96％アルミナセラミツクスを基板として用い、無電解
Ni−Ｐ合金薄膜抵抗体製造工程により第１図、第２図に
示すようなパターンの抵抗体を作製した。図中、１はNi
−Ｐ合金皮膜抵抗体を示し、該抵抗体１の両端部にパル
ス加熱（ジユール加熱）のための通電電極用電気銅メツ
キ部２を設けてある。３はセラミツクス基板を示す。抵
抗体１の幅（Ｗ）は50μｍ、膜厚（ｔ）は0.5μｍとし
た。試験片の他の寸法は図中に示す通りである。
Ni−Ｐ合金薄膜抵抗体製造工程により第１図、第２図に
示すようなパターンの抵抗体を作製した。図中、１はNi
−Ｐ合金皮膜抵抗体を示し、該抵抗体１の両端部にパル
ス加熱（ジユール加熱）のための通電電極用電気銅メツ
キ部２を設けてある。３はセラミツクス基板を示す。抵
抗体１の幅（Ｗ）は50μｍ、膜厚（ｔ）は0.5μｍとし
た。試験片の他の寸法は図中に示す通りである。
無電解Ni−Ｐ合金薄膜抵抗体製造工程は以下の通りで
ある。
ある。
脱脂…セラミツクス基板３を常温でエタノール中に浸
漬し、10分間超音波洗浄を施した。
漬し、10分間超音波洗浄を施した。
活性化、水洗…SnCl2（1g/）、36％HCl（1ml/）
水溶液に１分間浸漬（常温）した後、脱イオン水洗を行
なつた。
水溶液に１分間浸漬（常温）した後、脱イオン水洗を行
なつた。
触媒化、水洗…PdCl2（0.1g/）、36％HCl（0.1ml/
）水溶液中に１分間浸漬（常温）した後、脱イオン水
洗を行なつた。
）水溶液中に１分間浸漬（常温）した後、脱イオン水
洗を行なつた。
反覆処理…前記活性化→水洗→触媒化→水洗の処理を
再度行なつた。
再度行なつた。
無電解メツキ・水洗…前記処理後のセラミツクス基板
３を無電解Ni−Ｐメツキ浴（温度90℃）中に浸漬し、燐
含有量13重量％、膜厚0.5μｍのNi−Ｐ合金皮膜を得た
後、脱イオン水洗を行なつた。メツキ浴組成は以下の通
りである。なお、膜厚の調整は処理時間の選択によつて
行われる。
３を無電解Ni−Ｐメツキ浴（温度90℃）中に浸漬し、燐
含有量13重量％、膜厚0.5μｍのNi−Ｐ合金皮膜を得た
後、脱イオン水洗を行なつた。メツキ浴組成は以下の通
りである。なお、膜厚の調整は処理時間の選択によつて
行われる。
NaH2PO2・H2O …0.15mol/ （NH4）2SO4 …0.50mol/ Na3C6H5O7・2H2O …0.20mol/ NiSO4・6H2O …0.10mol/ ＊注:NaOHによりpHを6.0に調整した。
乾燥…水洗後の試料を熱風で乾燥させた（温度100
℃、約３分間）。
℃、約３分間）。
パターニング…フオトリソグラフイ法により第１図、
第２図示の如きパターンの抵抗体１を形成した。
第２図示の如きパターンの抵抗体１を形成した。
電極付け…フオトリソグラフイ法と電気銅メツキによ
りパルス加熱（ジユール加熱または通電加熱）のための
電極銅メツキ部２を形成した。
りパルス加熱（ジユール加熱または通電加熱）のための
電極銅メツキ部２を形成した。
＜パルス加熱＞ 前記工程で得た抵抗体１の電気抵抗値を測定する。
得られた抵抗値から所定の電力を与え得る電圧を計算
し、抵抗体１に200msec間の定電圧パルスを印加してジ
ユール熱によるパルス加熱処理を施す（窒素ガス中）。
し、抵抗体１に200msec間の定電圧パルスを印加してジ
ユール熱によるパルス加熱処理を施す（窒素ガス中）。
パルス加熱処理後の抵抗体１の電気抵抗値を測定す
る。
る。
該電気抵抗値に基づいて、先の投入電力値よりも所定
量だけ大きな電力を与え得る電圧を計算し、抵抗体１に
200msec間の定電圧パルスを印加してジユール熱による
パルス加熱処理を施す（窒素ガス中）。
量だけ大きな電力を与え得る電圧を計算し、抵抗体１に
200msec間の定電圧パルスを印加してジユール熱による
パルス加熱処理を施す（窒素ガス中）。
前記〜の操作を繰り返し、抵抗体１が溶融破壊す
るまでパルス加熱処理を施す。
るまでパルス加熱処理を施す。
＜試験＞ 投入電力値の異なる各パルス加熱処理毎（電力値0,7,
9,10,12,17.5W）の抵抗体１につき、微小Ｘ線回折計
（Ｘ線源のターゲツト…銅）により形成物を同定した。
その結果を第３図に示す。図中、×印は基板３の構成材
であるアルミナセラミツクスのピーク値を示している。
9,10,12,17.5W）の抵抗体１につき、微小Ｘ線回折計
（Ｘ線源のターゲツト…銅）により形成物を同定した。
その結果を第３図に示す。図中、×印は基板３の構成材
であるアルミナセラミツクスのピーク値を示している。
この試験の結果、パルス加熱処理によつて、抵抗体１
（皮膜）中にNi3P、および高燐含有量Ni−Ｐ合金皮膜特
有の準安定相が生じることが確認された。なお、図中Ni
3Pの各々のピークが電力の増加とともに出現し或いは消
滅しているのは、試料の微小部（直径30μｍ）を測定し
ているため局所的なNi3Pの配向が顕著に現れたためであ
ると考えられる。
（皮膜）中にNi3P、および高燐含有量Ni−Ｐ合金皮膜特
有の準安定相が生じることが確認された。なお、図中Ni
3Pの各々のピークが電力の増加とともに出現し或いは消
滅しているのは、試料の微小部（直径30μｍ）を測定し
ているため局所的なNi3Pの配向が顕著に現れたためであ
ると考えられる。
また、前記パルス加熱処理による析出物（Ni3P）の形
成が物性においても通常の熱処理の場合と同様な効果を
もたらすことを確認するために、投入電力値の異なる各
試料について電気抵抗値、温度電気抵抗係数（TCR）を
測定した。その結果を第５図に示す。
成が物性においても通常の熱処理の場合と同様な効果を
もたらすことを確認するために、投入電力値の異なる各
試料について電気抵抗値、温度電気抵抗係数（TCR）を
測定した。その結果を第５図に示す。
実施例２ 基本的に実施例１と同様の方法で試料を作製した。た
だし、無電解メツキ浴のpHを9.0として燐含有量７重量
％のNi−Ｐ合金皮膜を得た。
だし、無電解メツキ浴のpHを9.0として燐含有量７重量
％のNi−Ｐ合金皮膜を得た。
第４図に、実施例２における試料（窒素ガス中でパル
ス加熱を施した試料）のＸ線回折結果を示す。図から抵
抗体（皮膜）中にNiおよびNi3Pが生じたことが理解され
る。
ス加熱を施した試料）のＸ線回折結果を示す。図から抵
抗体（皮膜）中にNiおよびNi3Pが生じたことが理解され
る。
第６図に、実施例２における試料（窒素ガス中でパル
ス加熱を施した試料）の電気抵抗値、温度電気抵抗係数
測定結果を示す。
ス加熱を施した試料）の電気抵抗値、温度電気抵抗係数
測定結果を示す。
第７図に、実施例２における試料の電気抵抗値測定結
果を示す。図中、曲線Ａは空気中でパルス加熱処理を施
した試料の特性変化を示し、曲線Ｂは窒素ガス中でパル
ス加熱処理を施した試料の特性変化を示す。
果を示す。図中、曲線Ａは空気中でパルス加熱処理を施
した試料の特性変化を示し、曲線Ｂは窒素ガス中でパル
ス加熱処理を施した試料の特性変化を示す。
比較例 実施例1,2と同様に無電解メツキ法によつて作製した
試料につき、通常の熱処理（真空中、各温度に１時間加
熱後、自然冷却）を施した後の電気抵抗変化、温度電気
抵抗係数（TCR）を測定した。その結果を第８図に示
す。
試料につき、通常の熱処理（真空中、各温度に１時間加
熱後、自然冷却）を施した後の電気抵抗変化、温度電気
抵抗係数（TCR）を測定した。その結果を第８図に示
す。
試験結果の評価 Ｘ線回折結果（第３図、第４図）から、Ni−Ｐ合金皮
膜のパルス加熱処理により、通常の熱処理と同様にNiお
よびNi3Pが形成されることが理解される。しかも、パル
ス加熱処理に要する時間は極短時間（200msec）であつ
て、１時間以上の熱処理を必要とする通常の熱処理方法
に比して該時間は零に近く、生産性の向上に大きく貢献
できることが明らかである。
膜のパルス加熱処理により、通常の熱処理と同様にNiお
よびNi3Pが形成されることが理解される。しかも、パル
ス加熱処理に要する時間は極短時間（200msec）であつ
て、１時間以上の熱処理を必要とする通常の熱処理方法
に比して該時間は零に近く、生産性の向上に大きく貢献
できることが明らかである。
第５図、第６図と第８図との対比から、皮膜に対する
投入電力の増加（加熱温度の増加）によつて通常の熱処
理の場合と同様な電気抵抗値の減少、および温度電気抵
抗係数（TCR）の増加が確認される。また、パルス加熱
処理された皮膜の方が物性値の変化が緩やかである（第
５図、第６図）ため、パルス加熱処理は通常の熱処理に
比して精密な物性制御が可能であることが理解される。
投入電力の増加（加熱温度の増加）によつて通常の熱処
理の場合と同様な電気抵抗値の減少、および温度電気抵
抗係数（TCR）の増加が確認される。また、パルス加熱
処理された皮膜の方が物性値の変化が緩やかである（第
５図、第６図）ため、パルス加熱処理は通常の熱処理に
比して精密な物性制御が可能であることが理解される。
第７図から、空気中、窒素ガス中いずれの雰囲気中で
パルス加熱処理を施したものも同様な電気抵抗変化特性
を示し、極短時間内に熱処理の可能なパルス加熱法では
加熱による試料の酸化の影響がほとんどないことが理解
される。
パルス加熱処理を施したものも同様な電気抵抗変化特性
を示し、極短時間内に熱処理の可能なパルス加熱法では
加熱による試料の酸化の影響がほとんどないことが理解
される。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、Ni−Ｐ合金皮膜にパ
ルス加熱処理を施す本発明方法によれば、通常の熱処
理法と比較して処理時間がほぼ零になる、極短時間の
加熱であるから、処理雰囲気の影響をほぼ無視すること
ができ、また使用基材の材質選択の自由度が増大し、例
えば合成樹脂基材の使用も許容される、特にレーザー
照射法、電子ビーム照射法を利用すれば皮膜の局所のみ
の熱処理も容易に行うことができる、従来の長時間の
熱処理法に比して熱処理による皮膜の物性制御をより精
密に行い得る、従来の熱処理法によれば、熱処理炉を
用い、処理雰囲気を調整する必要があって、消費熱エネ
ルギーコスト、設備コストが嵩む欠点があるが、本発明
方法では、熱処理工程が簡略化され、消費エネルギーコ
スト、設備コストの低減化および生産性の向上を企図し
得る
ルス加熱処理を施す本発明方法によれば、通常の熱処
理法と比較して処理時間がほぼ零になる、極短時間の
加熱であるから、処理雰囲気の影響をほぼ無視すること
ができ、また使用基材の材質選択の自由度が増大し、例
えば合成樹脂基材の使用も許容される、特にレーザー
照射法、電子ビーム照射法を利用すれば皮膜の局所のみ
の熱処理も容易に行うことができる、従来の長時間の
熱処理法に比して熱処理による皮膜の物性制御をより精
密に行い得る、従来の熱処理法によれば、熱処理炉を
用い、処理雰囲気を調整する必要があって、消費熱エネ
ルギーコスト、設備コストが嵩む欠点があるが、本発明
方法では、熱処理工程が簡略化され、消費エネルギーコ
スト、設備コストの低減化および生産性の向上を企図し
得る
第１図はアルミナセラミツクス基板上に形成した本発明
の一実施例に係る無電解Ni−Ｐ合金皮膜抵抗体の形状・
寸法を示す図、第２図はそのII−II線断面図、第３図は
パルス加熱処理による投入電力量の異なる前記抵抗体の
組織を確認するためのＸ線回折パターンを示すグラフ、
第４図は前記抵抗体とは異なる組成の他の実施例に係る
抵抗体の組織を確認するためのＸ線回折パターンを示す
グラフ、第５図は前記一実施例に係る抵抗体についての
投入電力量の異なる各パルス加熱処理後の電気抵抗変化
および温度電気抵抗係数（TCR）変化を示すグラフ、第
６図は前記他の実施例に係る抵抗体についての電気抵抗
変化および温度電気抵抗係数（TCR）変化を示す第５図
と同様なグラフ、第７図は前記他の実施例に係る抵抗体
についての投入電力量の異なる各パルス加熱処理後の電
気抵抗変化に与えるパルス加熱処理雰囲気の与える影響
を示すグラフ、第８図は前記各実施例抵抗体と同様な抵
抗体についての通常法による熱処理温度と特性値との関
係を示す第５図、第６図と同様なグラフである。
の一実施例に係る無電解Ni−Ｐ合金皮膜抵抗体の形状・
寸法を示す図、第２図はそのII−II線断面図、第３図は
パルス加熱処理による投入電力量の異なる前記抵抗体の
組織を確認するためのＸ線回折パターンを示すグラフ、
第４図は前記抵抗体とは異なる組成の他の実施例に係る
抵抗体の組織を確認するためのＸ線回折パターンを示す
グラフ、第５図は前記一実施例に係る抵抗体についての
投入電力量の異なる各パルス加熱処理後の電気抵抗変化
および温度電気抵抗係数（TCR）変化を示すグラフ、第
６図は前記他の実施例に係る抵抗体についての電気抵抗
変化および温度電気抵抗係数（TCR）変化を示す第５図
と同様なグラフ、第７図は前記他の実施例に係る抵抗体
についての投入電力量の異なる各パルス加熱処理後の電
気抵抗変化に与えるパルス加熱処理雰囲気の与える影響
を示すグラフ、第８図は前記各実施例抵抗体と同様な抵
抗体についての通常法による熱処理温度と特性値との関
係を示す第５図、第６図と同様なグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤井 秀夫 東京都港区虎ノ門虎１丁目７番12号 沖 電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−109182（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−48841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−148347（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】無電解メッキ法、電気メッキ法または物理
蒸着法により基体材上に形成された燐含有量５〜15重量
％のNi−Ｐ合金皮膜に、通電によるジュール加熱、レー
ザー照射または電子ビーム照射によりパルス幅１〜1000
ミリ秒の極短時間のパルス加熱を施し、もって熱処理に
よる制御された合金組織すなわちNi−Ｐ合金の平衡状態
としての「Ni＋Ni3P」に至る過程の選択的に制御された
合金組織を得ることを特徴とするNi−Ｐ合金皮膜の熱処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256474A JP2625175B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256474A JP2625175B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104647A JPH02104647A (ja) | 1990-04-17 |
| JP2625175B2 true JP2625175B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17293138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63256474A Expired - Lifetime JP2625175B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | Ｎｉ−Ｐ合金皮膜の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625175B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06125026A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 端子構造とこれを用いた入出力端子部材及び配線基板 |
| JP3693300B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| CN104562098A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-04-29 | 沈阳理工大学 | 一种采用电子束合成钛镍合金层的方法 |
| CN109457220B (zh) * | 2018-11-14 | 2020-08-21 | 台州中科普尔尼镀膜技术有限公司 | 离子镀Ni-P纳米叠层膜及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148347A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の配線金属の形成方法 |
| JPH0691159B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1994-11-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63109182A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Mazda Motor Corp | 耐摩性部材の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP63256474A patent/JP2625175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02104647A (ja) | 1990-04-17 |
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