JP2621814B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

Info

Publication number
JP2621814B2
JP2621814B2 JP6294860A JP29486094A JP2621814B2 JP 2621814 B2 JP2621814 B2 JP 2621814B2 JP 6294860 A JP6294860 A JP 6294860A JP 29486094 A JP29486094 A JP 29486094A JP 2621814 B2 JP2621814 B2 JP 2621814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
island
semiconductor device
lsi
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6294860A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08153845A (en
Inventor
浩司 田淵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP6294860A priority Critical patent/JP2621814B2/en
Publication of JPH08153845A publication Critical patent/JPH08153845A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2621814B2 publication Critical patent/JP2621814B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置及
びリードフレームの製造方法に関し、特に、アイランド
上にマウントされボンディングされた半導体チップを、
アイランド支持のための吊りピン部にゲートを持つモー
ルド金型を用いたトランスファ成形により樹脂封止した
構造の樹脂封止型半導体装置と、その樹脂封止型半導体
装置の製造に用いるリードフレームの製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device and a lead frame, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor chip mounted and bonded on an island.
Manufacture of a resin-sealed semiconductor device having a structure sealed with resin by transfer molding using a mold having a gate at a suspension pin for island support, and a lead frame used for manufacturing the resin-sealed semiconductor device About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の従来の樹脂封止型半導体装置
(以下、LSIと記す)の一例を図4に示す。図4
(a)は断面図であり、図4(b)に示す透視平面図中
のAーa切断線における断面構造を示す図である。図4
(a),(b)を参照して、金属製リードフレーム中央
のアイランド4上に半導体チップ1がマウントされ、チ
ップ1上のボンディングパッド(図示せず)とリードフ
レームの内部リード8とが、ワイヤーボンディング(ワ
イヤーは図示せず)により電気的に接続されている。ア
イランド4の4つのコーナーには、それぞれ吊りピン2
が連結されている。この吊りピン2はリードフレームの
外枠部分(図示せず)に連結していて、製造工程中にあ
るアイランド4を支持するためのものである。上記のチ
ップ1,アイランド4,吊りピン2,ボンディングワイ
ヤー及び内部リード8は、これらを覆う封止外装用の樹
脂7によって封止され、外装されている。樹脂7は、熱
硬化型樹脂を用いたトランスファ成形によって形成され
たものである。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an example of this type of conventional resin-encapsulated semiconductor device (hereinafter referred to as LSI). FIG.
4A is a cross-sectional view, and is a diagram showing a cross-sectional structure taken along the line Aa in the perspective plan view shown in FIG. FIG.
Referring to (a) and (b), a semiconductor chip 1 is mounted on an island 4 at the center of a metal lead frame, and bonding pads (not shown) on the chip 1 and internal leads 8 of the lead frame are formed. They are electrically connected by wire bonding (the wires are not shown). Each of the four corners of Island 4 has a hanging pin 2
Are connected. The suspension pins 2 are connected to an outer frame portion (not shown) of the lead frame and support the island 4 during the manufacturing process. The chip 1, the island 4, the suspension pins 2, the bonding wires, and the internal leads 8 are sealed and covered with a resin 7 for sealing and covering them. The resin 7 is formed by transfer molding using a thermosetting resin.

【0003】ここで、本発明との関連で、トランスファ
成形による封止樹脂の注入過程について、図5を用いて
説明する。樹脂封止工程では、先ず、マウント、ボンデ
ィングが終ったリードフレームを上下のモールド金型5
a,5b中にセットし、リードフレームの外部リード9
領域(図4(a))をクランプする(図5(a))。次
に、モールド金型のゲートから溶融した樹脂7を注入す
る(図5(b))。この場合、溶融樹脂注入のためのゲ
ートは通常、樹脂7が吊りピン2に沿ってしかも下金型
5bからキャビティ内に注入されるように、その位置お
よび形状が設計されている(図4(a)及び図5
(b))。樹脂注入が完了した後、チップ1を金型から
取り外し、タイバーカット、リードカットを行って個片
に分離する。最後に、リードフレームの外部リード9を
所定形状に成形して、樹脂封止型LSIを完成する。
Here, in connection with the present invention, a process of injecting a sealing resin by transfer molding will be described with reference to FIG. In the resin sealing step, first, the lead frame after mounting and bonding is removed from the upper and lower molds 5.
a, 5b and the external leads 9 of the lead frame.
The region (FIG. 4A) is clamped (FIG. 5A). Next, the molten resin 7 is injected from the gate of the mold (FIG. 5B). In this case, the position and the shape of the gate for injecting the molten resin are usually designed such that the resin 7 is injected along the suspension pins 2 and into the cavity from the lower mold 5b (FIG. 4 ( a) and FIG.
(B)). After the resin injection is completed, the chip 1 is removed from the mold, and cut into individual pieces by tie bar cutting and lead cutting. Finally, the external leads 9 of the lead frame are formed into a predetermined shape to complete a resin-sealed LSI.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、樹脂
封止型LSIのトランスファ成形工程では、通常、溶融
樹脂7が下金型5bの吊りピン2の部分に設けられたゲ
ートから注入され、吊りピン2に沿って移動し、金型5
a,5b内に充満して行く。このことから、従来の樹脂
封止型LSIでは、いわゆるアイランドシフトと呼ばれ
る、アイランド4の設計位置からの移動、変形あるい
は、そのようなアイランドシフトに起因するLSI外形
の反りが発生し易い。以下にその理由を説明する。
As described above, in the transfer molding process of the resin-sealed LSI, the molten resin 7 is usually injected from the gate provided on the suspension pin 2 of the lower mold 5b, Move along the hanging pin 2 and the mold 5
a, 5b are filled. For this reason, in the conventional resin-sealed LSI, the so-called island shift is likely to cause movement or deformation of the island 4 from the design position, or warpage of the LSI outer shape caused by such island shift. The reason will be described below.

【0005】トランスファ成形による封止樹脂形成過程
を示す図5を再び参照して、溶融樹脂7が下金型5bか
ら充填されるので、キャビティ内に圧入された樹脂7に
は、吊りピン2を挟んでその上下で充填量に差が生じ
る。その結果、吊りピン2は、樹脂の注入圧力に起因す
る上向きの力を受け、図5(b)に示すように、上方向
に持ち上げられ変形する。樹脂7の充填が更に進行する
と、図5(c)に示すように、吊りピン下部の溶融樹脂
7がアイランド4に達し面積の大きいアイランド4その
ものが下側からの圧力を受けるようになるので、吊りピ
ン2の変形、アイランド4の位置ずれが更に大きくなる
(図5(d))。一旦このようなアイランドシフトが生
じると、金型から取り出し冷却したあとのLSIには、
封止樹脂7の収縮と変形した金属製リードフレームの弾
性とにより、図6(a)の側面図に示すような反りが生
じ、このLSIは外形不良となる。
Referring again to FIG. 5 showing a sealing resin forming process by transfer molding, since the molten resin 7 is filled from the lower mold 5b, the suspending pins 2 are attached to the resin 7 pressed into the cavity. There is a difference in the filling amount between the top and bottom of the sandwich. As a result, the hanging pin 2 receives an upward force due to the injection pressure of the resin, and is lifted upward and deformed as shown in FIG. 5B. When the filling of the resin 7 proceeds further, as shown in FIG. 5C, the molten resin 7 below the hanging pin reaches the island 4 and the large island 4 itself receives pressure from below. The deformation of the suspension pin 2 and the displacement of the island 4 are further increased (FIG. 5D). Once such an island shift occurs, the LSI after removal from the mold and cooling,
Due to the shrinkage of the sealing resin 7 and the elasticity of the deformed metal lead frame, warpage occurs as shown in the side view of FIG. 6A, and this LSI has an outer shape defect.

【0006】ところで、次工程で外部リードの成形を行
う場合、図6(b)の側面図に模式的に示すように、リ
ード成形金型10によりLSIをクランプし強制的にフ
ラットな状態で外部リードを成形するので、たとえ図6
(a)に示すような反りのあるLSIでも、所定のリー
ド成形作業を実施することは可能である。しかし、反り
が生じたLSIでは、リード成形金型からLSIを取り
外すと、図6(c)に示すように、また元の反った状態
に戻り、結局、所定のリード形状が得られなくなってし
まう。
When the external lead is formed in the next step, as schematically shown in the side view of FIG. 6B, the LSI is clamped by the lead forming die 10 and the external lead is forcibly flattened. Because the leads are molded,
Even a warped LSI as shown in (a) can perform a predetermined lead forming operation. However, when the LSI is warped, when the LSI is removed from the lead molding die, as shown in FIG. 6C, the LSI returns to the original warped state, and eventually, a predetermined lead shape cannot be obtained. .

【0007】尚、樹脂封止型LSIには、上述のような
トランスファ成形の際のアイランドシフトを抑制するこ
とを目的として、例えば図7に断面図を示すような、吊
りピン2を上下に折り曲げ、モールド金型5a,5bの
内壁に密着するようにした構造のLSIも知られてい
る。しかしながらこの構造でも、溶融樹脂7が下金型5
bから注入されることに起因して、吊りピン2を挟んで
上下の樹脂充填量に差が生じるので、図中に太い矢印で
示すような上向きの力が吊りピン2に加わる。その結果
やはり、吊りピン2の変形とそれに伴うアイランド4の
位置変動が発生してしまう。
For the purpose of suppressing the island shift at the time of the transfer molding as described above, the resin-encapsulated LSI is formed by bending the hanging pins 2 up and down as shown in a sectional view of FIG. Also, there is known an LSI having a structure in which the mold dies 5a and 5b are in close contact with the inner walls. However, even in this structure, the molten resin 7 is
Due to the injection from b, there is a difference between the upper and lower resin filling amounts with the hanging pin 2 interposed therebetween, so that an upward force as shown by a thick arrow in the figure is applied to the hanging pin 2. As a result, the deformation of the suspension pins 2 and the positional fluctuation of the islands 4 accompanying the deformation also occur.

【0008】従って、本発明は、アイランド上にマウン
トされボンディングされた半導体チップを、アイランド
支持のための吊りピン部にゲートを持つモールド金型を
用いたトランスファ成形により樹脂封止した構造の樹脂
封止型LSIにおいて、トランスファ成形時に生じる吊
りピンの変形とそれに伴うアイランドの位置変動を抑止
することを目的とするものである。
Accordingly, the present invention provides a resin seal having a structure in which a semiconductor chip mounted and bonded on an island is resin-sealed by transfer molding using a mold having a gate at a suspension pin for supporting the island. It is an object of the present invention to suppress the deformation of the suspension pin generated during transfer molding and the fluctuation of the island position caused by the transfer in the stop LSI.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体チップを搭載するためのアイランド
と、前記アイランドに連結する吊りピンと、封止外装用
樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、前記吊り
ピンに、直角四辺形の開口部と、前記開口部の一辺から
突起して前記封止外装用樹脂の一方の平表面に達するま
で伸び前記封止外装用樹脂の平表面に沿って折れ曲がる
少なくとも一つ以上の金属片と、前記開口部の一辺から
突起して前記封止外装用樹脂の他方の平表面に達するま
で伸び前記封止外装用樹脂の平表面に沿って折れ曲がる
少なくとも一つ以上の金属片とを設けたことを特徴とす
る。
According to the present invention, there is provided a resin-encapsulated semiconductor device comprising: an island for mounting a semiconductor chip; a suspension pin connected to the island; In the semiconductor device, the suspending pin has a rectangular quadrilateral opening, and a flat surface of the sealing exterior resin extending from one side of the opening to reach one flat surface of the sealing exterior resin. At least one metal piece that bends along the opening and protrudes from one side of the opening to extend to the other flat surface of the encapsulation exterior resin and bends along the flat surface of the encapsulation exterior resin At least one metal piece is provided.

【0010】[0010]

【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置では、吊りピン
に開口部が設けられている。トランスファ成形時に下金
型から圧入される溶融樹脂はその開口部を通って、吊り
ピン下面に充填されるとほぼ同時に上面にも充填されて
行く。従って、吊りピン上下での溶融樹脂の充填量差
は、従来よりも小さくなる。
In the resin-sealed semiconductor device of the present invention, the suspension pin has an opening. The molten resin press-fitted from the lower mold at the time of transfer molding passes through the opening and fills the lower surface of the suspension pin and almost simultaneously fills the upper surface. Therefore, the difference in the filling amount of the molten resin between the upper and lower portions of the suspension pin is smaller than that in the related art.

【0011】又、本発明では、上記の開口部を形成する
際に、開口予定部の一部を櫛の歯状に残し、それら櫛の
歯状の金属片を上または下に折り曲げ、モールド金型内
壁に密着させる。吊りピンやアイランドは、それらモー
ルド金型内壁に密着した吊りピンと上下の金型とで支持
されるので、たとえ吊りピンの上下に樹脂の充填量差が
あったとしても、吊りピンの変形やアイランドの位置変
動は、小さく抑えられる。
In the present invention, when forming the above-mentioned opening, a part of the portion to be opened is left in a comb-like shape, and the comb-like metal pieces are bent up or down to form a mold metal. Adhere to the mold inner wall. Since the suspension pins and islands are supported by the suspension pins and the upper and lower molds that are in close contact with the inner wall of the mold, even if there is a difference in the resin filling amount above and below the suspension pins, deformation of the suspension pins and island Is small.

【0012】[0012]

【実施例】次に、本発明の好適な実施例について、図面
を参照して説明する。図1(a)は、本発明の第1の実
施例の断面図である。又、図1(b)はこの実施例に用
いた吊りピンの部分拡大平面図である。図1を参照し
て、本実施例では、リードフレーム製作時に、吊りピン
2の部分に、図1(b)に示すような櫛の歯状のスリッ
ト6を、予め形成する。次に、櫛の歯状に残した吊りピ
ンの一部をプレス加工によって上または下に折り曲げ、
図1(a)に示すような、上下のモールド金型内壁に密
着する形状とする。このように加工した後の吊りピン2
には、長方形の開口部ができることになる。上記のプレ
ス加工により上または下に折り曲げられた突起状金属片
3a,3bは、トランスファ成形時の吊りピンの変形や
アイランドの位置変動を防止するための、変形防止用支
持部材として作用する。上記のプレス加工は、アイラン
ド部分にダウンセット加工を施すときと同じ手法で行
う。すなわち、吊りピン2にエッチング或いはプレス加
工などでスリット6を形成したリードフレームを、プレ
ス加工を行うステージに置き、先ず片方の下方向の支持
部材3bのプレス加工を行う。若しもそのリードフレー
ムがアイランド4部分にダウンセットを持つものである
ときは、支持部材3bをプレスする最初の工程で、同時
に行うようにすると良い。次に、もう一方の上方向の支
持部材3aのプレスを行うがその際には、先にプレスを
行った部分の変形を防止するための逃げスペースを備え
た別のステージを用いてプレス加工を行う必要がある。
Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a sectional view of a first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a partially enlarged plan view of the suspension pin used in this embodiment. Referring to FIG. 1, in the present embodiment, a comb-shaped slit 6 as shown in FIG. 1B is formed in advance in a portion of a suspension pin 2 at the time of manufacturing a lead frame. Next, a part of the hanging pin left in the shape of a comb is bent upward or downward by press working,
As shown in FIG. 1 (a), the upper and lower mold dies are in close contact with the inner walls. Hanging pin 2 after processing in this way
Will have a rectangular opening. The protruding metal pieces 3a and 3b bent upward or downward by the above-mentioned press work act as deformation-preventing support members for preventing deformation of suspension pins and fluctuation of island positions during transfer molding. The above-described press working is performed by the same method as when down-set processing is performed on the island portion. That is, the lead frame in which the slits 6 are formed in the suspension pins 2 by etching or press working is placed on a stage for performing press working, and first, one lower supporting member 3b is pressed. If the lead frame has a downset in the island 4 portion, it is preferable that the step is performed simultaneously with the first step of pressing the support member 3b. Next, the other upper supporting member 3a is pressed. In this case, press working is performed by using another stage having a clearance space for preventing deformation of the previously pressed portion. There is a need to do.

【0013】こうして得られたリードフレームを用いて
チップ1をアイランド4上に、銀ペーストのような導電
性接着剤によりマウントする。その後、金細線のような
ボンディングワイヤーでチップ1と内部リードとを電気
的に接続し、トランスファ成形を行う。
Using the lead frame thus obtained, the chip 1 is mounted on the island 4 with a conductive adhesive such as a silver paste. Thereafter, the chip 1 and the internal leads are electrically connected by a bonding wire such as a gold wire, and transfer molding is performed.

【0014】トランスファ成形に際して、モールド金型
の形状や樹脂の注入圧力などの成形条件は、従来と同じ
で良い。本実施例におけるトランスファ成形の進行状況
を段階的に示す図2を参照して、チップ1をマウントし
ボンディングしたリードフレームをモールド金型5a,
5bでクランプし、先にプレス加工で形成しておいた突
起状支持部材3a,3bを上下のモールド金型5a,5
bの内壁に密着させる(図2(a))。次に、溶融した
封止樹脂7を下金型5bからキャビティ内に圧入して行
く。この場合、吊りピン2には開口部があるので、下金
型5bから注入された溶融樹脂7はその開口部を通っ
て、下金型5bに注入されるのと殆ど同時に上金型5a
にも流れ込む。従って、従来の樹脂封止型LSI製造に
おけるトランスファ成形のときとは違って、吊りピン2
の上下で溶融樹脂7の充填差は生じず、吊りピン2に上
方向の力が加わることはない(図2(b))。しかも、
吊りピン2及びアイランド4が、突起状の支持部材3
a,3bと上下の金型5a,5bとによって支持されて
いるので、樹脂充填中にアイランド4が持上ることは、
ない(図2(c))。溶融樹脂7がキャビティ内に完全
に充填された後でも、アイランド4の位置がこの工程の
当初にモールド金型内にセットされたときと同じ設計位
置(図2(a))を保っているので、チップ1とアイラ
ンド4とを挟む上下の封止樹脂7の厚さは設計どおりに
均等になる(図2(d))。従って、LSIをモールド
金型5a,5bより取り外し冷却させたときも、LSI
が反ることは無い。
In the transfer molding, molding conditions such as the shape of the mold and the injection pressure of the resin may be the same as those in the prior art. Referring to FIG. 2, which shows the progress of the transfer molding step by step in this embodiment, the lead frame on which the chip 1 is mounted and bonded is connected to the mold 5a,
5b, and projecting-like supporting members 3a, 3b formed by press working before and after are formed by upper and lower mold dies 5a, 5b.
b (FIG. 2A). Next, the molten sealing resin 7 is pressed into the cavity from the lower mold 5b. In this case, since the suspension pin 2 has an opening, the molten resin 7 injected from the lower die 5b passes through the opening and is almost simultaneously injected with the lower die 5b into the upper die 5a.
Also flows into. Therefore, unlike the transfer molding in the conventional resin-encapsulated LSI manufacturing, the suspension pins 2
There is no difference in filling of the molten resin 7 above and below, and no upward force is applied to the suspension pins 2 (FIG. 2B). Moreover,
The hanging pins 2 and the islands 4 are provided with the projecting support members 3.
a, 3b and the upper and lower molds 5a, 5b, the island 4 can be lifted during resin filling.
No (FIG. 2 (c)). Even after the molten resin 7 is completely filled in the cavity, the position of the island 4 maintains the same design position (FIG. 2A) as when it was set in the mold at the beginning of this step. The thickness of the upper and lower sealing resins 7 sandwiching the chip 1 and the island 4 becomes uniform as designed (FIG. 2D). Therefore, when the LSI is removed from the molds 5a and 5b and cooled,
There is no warping.

【0015】本実施例によれば、アイランドの位置変動
量(アイランドのフラットの位置からの最大変位量。図
5(d)中にd1 で示す)を、従来200〜400μm
であったものを、ほぼ0μmに抑えることができた。こ
れにより、LSIとしての反り(外装樹脂下面の設計位
置からのずれ量。図6(a)中にd2 で示す)に関し
て、従来30〜60μmであったものを、ほぼ0μmつ
まり殆どフラットな状態にすることができた。その結
果、外部リードの成形を行う際のコプラナリティへの影
響はなくなり、均一なリード平坦部が得られた。
According to the present embodiment, the position variation amount of the island (maximum amount of displacement from the flat position of the island. Indicated by d 1 in FIG. 5 (d)), conventional 200~400μm
Was reduced to almost 0 μm. Thus, with respect to warping of the LSI (indicated by d 2 in shift amount from the exterior resin bottom surface of the design position. FIG. 6 (a)), those which is conventionally 30 to 60 m, approximately 0μm i.e. almost flat state I was able to. As a result, there was no influence on the coplanarity when the external lead was formed, and a uniform lead flat portion was obtained.

【0016】次に、本発明の第2の実施例について、説
明する。図3(a)は、本発明の第2の実施例の断面図
であり、図3(b)は、この実施例に用いた吊りピンの
部分拡大平面図である。図3を参照して、本実施例で
は、リードフレーム製作時に、第1の実施例におけるス
リット6の形状(図1(b))を反転させた形状のスリ
ット6を、吊りピン2に形成しておく。そして、第1の
実施例におけると同じように、スリット6を形成した吊
りピン2の櫛の歯状に残った金属片を、モールド金型5
a,5b内壁に密着するような形状にプレス加工する。
このようにすることにより、第1の実施例と同様な開口
部が吊りピン2にできる。但し、本実施例において支持
部材3a,3bは、チップ1から外側方向に向く凸型と
なる。こうして得たリードフレームを用いて、チップ1
をアイランド4上に、銀ペーストなどの導電性接着剤を
介してマウントし、金属細線でチップ1と内部リードと
をワイヤーボンディングした後、トランスファ成形を行
う。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3A is a sectional view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a partially enlarged plan view of a suspension pin used in this embodiment. Referring to FIG. 3, in the present embodiment, at the time of manufacturing the lead frame, a slit 6 having a shape obtained by inverting the shape of the slit 6 in the first embodiment (FIG. 1B) is formed on the suspension pin 2. Keep it. Then, in the same manner as in the first embodiment, the metal piece remaining in the shape of the comb of the hanging pin 2 having the slit 6 formed thereon is removed from the molding die 5.
a, 5b Pressed into a shape that closely adheres to the inner wall.
By doing so, an opening similar to that of the first embodiment can be formed in the suspension pin 2. However, in this embodiment, the support members 3a and 3b have a convex shape facing outward from the chip 1. Using the lead frame thus obtained, a chip 1
Is mounted on the island 4 via a conductive adhesive such as a silver paste, and the chip 1 and the internal lead are wire-bonded with a thin metal wire, followed by transfer molding.

【0017】吊りピン2に設けた開口部により、トラン
スファ成形の溶融樹脂7充填時の、上下のモールド金型
5a,5bの間での樹脂7の充填量差は発生しなくな
る。更に、突起状の支持部材3a,3bとモールド金型
とで吊りピン2及びアイランド4を支持するので、アイ
ランドの位置変動は起らない。従って、樹脂充填完了後
もチップ1とアイランド4とを挟む上下の封止樹脂厚が
均等になり、LSIを金型から取り外し冷却させたとき
も、LSIの反りは生じない。
Due to the opening provided in the suspension pin 2, there is no difference between the upper and lower mold dies 5a, 5b when the molten resin 7 is filled in the transfer molding. Further, since the hanging pins 2 and the islands 4 are supported by the projecting support members 3a and 3b and the mold, the position of the islands does not change. Therefore, even after the resin filling is completed, the thickness of the upper and lower sealing resins sandwiching the chip 1 and the island 4 becomes uniform, and the LSI does not warp when the LSI is removed from the mold and cooled.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、リード
フレームの吊りピン部分に櫛の歯状のスリットを設け、
残った方の櫛の歯状金属片を上または下に折り曲げるこ
とにより、吊りピンに直角四辺形の開口部を設けると共
に、折り曲げた金属片がトランスファ成形の際のモール
ド金型の上下の内壁に密着するようにしている。
As described above, according to the present invention, a comb-shaped slit is provided in a suspension pin portion of a lead frame,
By bending the tooth-shaped metal piece of the remaining comb upward or downward, a rectangular opening is provided in the hanging pin, and the bent metal piece is placed on the upper and lower inner walls of the mold during transfer molding. We are trying to adhere.

【0019】これにより本発明によれば、樹脂封止型L
SIのトランスファ成形工程で溶融樹脂を充填して行く
際に、吊りピンの上下間で溶融樹脂の充填量差が同じく
なると共に、吊りピンとアイランドとが金属片とモール
ド金型とで支持されるので、吊りピンの変形とそれに伴
うアイランドの位置変動が発生しなくなる。
Thus, according to the present invention, the resin sealing type L
When filling the molten resin in the transfer molding process of SI, the difference in filling amount of the molten resin between the upper and lower portions of the suspending pin is the same, and the suspending pin and the island are supported by the metal piece and the mold. In addition, the suspension pin is not deformed and the position of the island is not changed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の断面図および、この実
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of the present invention and a partially enlarged plan view of a suspension pin used in the first embodiment.

【図2】第1の実施例におけるトランスファ成形での樹
脂充填の進行状況を段階的に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing stepwise progress of resin filling in transfer molding in the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施例の断面図および、この実
施例に用いた吊りピンの部分拡大平面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of the present invention and a partially enlarged plan view of a suspension pin used in this embodiment.

【図4】従来の樹脂封止型LSIに用いられるリードフ
レームの模式的平面図および、これを用いた樹脂封止型
LSIの一例の断面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view of a lead frame used in a conventional resin-sealed LSI, and a cross-sectional view of an example of a resin-sealed LSI using the same.

【図5】図4に示す従来の樹脂封止型LSIにおけるト
ランスファ成形での樹脂充填の進行状況を段階的に示す
断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing stepwise progress of resin filling in transfer molding in the conventional resin-sealed LSI shown in FIG.

【図6】樹脂封止型LSIにおける反りの状態を示す側
面図である。
FIG. 6 is a side view showing a warped state in the resin-sealed LSI.

【図7】従来の樹脂封止型LSIの他の例の断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view of another example of a conventional resin-sealed LSI.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップ 2 吊りピン 3a,3b 支持部材 4 アイランド 5a,5b モールド金型 6 スリット 7 封止樹脂 8 内部リード 9 外部リード 10 リード成形金型 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip 2 Hanging pin 3a, 3b Support member 4 Island 5a, 5b Mold die 6 Slit 7 Sealing resin 8 Internal lead 9 External lead 10 Lead molding die

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体チップを搭載するためのアイラン
ドと、前記アイランドに連結する吊りピンと、封止外装
用樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置において、 前記吊りピンに、直角四辺形の開口部と、前記開口部の
一辺から突起して前記封止外装用樹脂の一方の平表面に
達するまで伸び前記封止外装用樹脂の平表面に沿って折
れ曲がる少なくとも一つ以上の金属片と、前記開口部の
一辺から突起して前記封止外装用樹脂の他方の平表面に
達するまで伸び前記封止外装用樹脂の平表面に沿って折
れ曲がる少なくとも一つ以上の金属片とを設けたことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
1. A resin-encapsulated semiconductor device including an island for mounting a semiconductor chip, a suspending pin connected to the island, and a resin for sealing and encapsulation, wherein the suspending pin has a rectangular opening. And at least one or more metal pieces that protrude from one side of the opening and extend to reach one flat surface of the sealing exterior resin and bend along the flat surface of the sealing exterior resin; and At least one metal piece that protrudes from one side of the portion and extends to reach the other flat surface of the sealing exterior resin and bends along the flat surface of the sealing exterior resin. Resin-encapsulated semiconductor device.
【請求項2】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記二種類の金属片が共に前記開口部の前記半導体チッ
プに近い側の辺から突起していることを特徴する樹脂封
止型半導体装置。
2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein said two kinds of metal pieces both project from a side of said opening closer to said semiconductor chip. Type semiconductor device.
【請求項3】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記二種類の金属片が共に前記開口部の前記半導体チッ
プから遠い側の辺から突起していることを特徴する樹脂
封止型半導体装置。
3. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein said two kinds of metal pieces both protrude from a side of said opening farther from said semiconductor chip. Type semiconductor device.
JP6294860A 1994-11-29 1994-11-29 Resin-sealed semiconductor device Expired - Lifetime JP2621814B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6294860A JP2621814B2 (en) 1994-11-29 1994-11-29 Resin-sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6294860A JP2621814B2 (en) 1994-11-29 1994-11-29 Resin-sealed semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08153845A JPH08153845A (en) 1996-06-11
JP2621814B2 true JP2621814B2 (en) 1997-06-18

Family

ID=17813194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6294860A Expired - Lifetime JP2621814B2 (en) 1994-11-29 1994-11-29 Resin-sealed semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2621814B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191333A (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5180495B2 (en) 2007-03-14 2013-04-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2019216160A1 (en) * 2018-05-09 2019-11-14 三菱電機株式会社 Power semiconductor device, method for manufacturing same, and power conversion device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02253646A (en) * 1989-03-27 1990-10-12 Nec Kyushu Ltd Lead frame
JP3278234B2 (en) * 1993-05-14 2002-04-30 新光電気工業株式会社 Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08153845A (en) 1996-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6558980B2 (en) Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof
US5091341A (en) Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
US5708294A (en) Lead frame having oblique slits on a die pad
US4801997A (en) High packing density lead frame and integrated circuit
JP2621814B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
US6692989B2 (en) Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof
KR100657159B1 (en) Mold structure for manufacturing semiconductor package
JP3179003B2 (en) Apparatus and method for forming ultra-thin semiconductor package such as TSOP or UTSOP
JPH06151520A (en) Semiconductor device
JPH06104364A (en) Lead frame and method and metallic mold for molding semiconductor chip using it
JP3036339B2 (en) Semiconductor device
JPH06132458A (en) Resin sealed semiconductor device and lead frame therefor
JP3127104B2 (en) Mold for sealing resin-encapsulated semiconductor device and manufacturing method using the same
JPH06302745A (en) Resin-sealed structure for semiconductor chip
US20210280502A1 (en) Mold flow balancing for a matrix leadframe
KR100819794B1 (en) Lead-frame and method for manufacturing semi-conductor package using such
JP2527503B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JPH0653399A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP3833832B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
KR200245728Y1 (en) Lead Frames for Semiconductor Packages
JPH05243464A (en) Lead frame and plastic molded type semiconductor device using the same
JP2552139Y2 (en) Lead frame
JPH0817995A (en) Semiconductor device lead frame
JPH06216179A (en) Manufacture for semiconductor device and lead frame and transfer molding die used in the manufacture
JPH11191608A (en) Semiconductor device and its manufacture

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970128