JP2005191333A - Semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は複数の半導体チップを1つのパッケージに搭載したチップ積層タイプの半導体装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a chip stacked type semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in one package, and a method for manufacturing the same.
今や標準化した表面実装型の半導体パッケージの技術は、銅(Cu)合金または鉄―ニッケル(Fe―Ni)系合金のリードフレームのダイパッドに半導体チップがダイボンディングにより搭載され、半導体チップのボンディングパッド(電極パッド)とリードフレームのリード部の先端とが金(Au)線等の金属細線でワイヤーボンディングされ、所定の形状を持った封止金型にて樹脂封止(樹脂モールド)されてパッケージ体が構成されたものである。 The standardized surface-mount type semiconductor package technology now has a semiconductor chip mounted on a die pad of a copper (Cu) alloy or iron-nickel (Fe-Ni) alloy lead frame by die bonding, and the bonding pad ( The electrode pad) and the tip of the lead frame lead portion are wire-bonded with a fine metal wire such as a gold (Au) wire, and resin-sealed (resin-molded) with a sealing mold having a predetermined shape. Is configured.
近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、薄型化が進んでいる。そこで、このような薄型の半導体装置では、吊りリードの幅を狭くしたリードフレームが使用されているため、吊りリードの強度の低下による樹脂封止時のダイパッドシフトを考慮した設計を行う必要がある。 2. Description of the Related Art With the recent increase in functionality, size, and thickness of electronic devices, semiconductor devices are becoming thinner. Therefore, in such a thin semiconductor device, since a lead frame with a narrow suspension lead is used, it is necessary to design in consideration of die pad shift at the time of resin sealing due to a decrease in strength of the suspension lead. .
以下、従来の表面実装型の半導体装置について図17〜図25を参照しながら説明する。
図17に示すように、従来の半導体装置40は、リードフレーム41のダイパッド42に半導体チップ43が接着剤44を介したダイボンディングにより搭載され、半導体チップ43のボンディングパッド(図示せず)とリードフレーム41のインナーリード部44aの先端とが金属細線45でワイヤーボンディングされて電気的接続がなされ、所定の形状を持った封止金型にて封止樹脂46でモールドされて半導体装置40を構成している。また、リードフレーム41のアウターリード部44bはリードフォーミング金型にて所定のリード形状に加工されている。尚、上記ダイパッド42は複数の吊りリード47に支持されており、各吊りリード47には、ダイパッド42の半導体チップ43を搭載した面の反対側(下側)へ突出する突出部48が形成されている。
Hereinafter, a conventional surface-mount type semiconductor device will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 17, in a
図18に示すように、上記突出部48は、ダイパッド42に連続する内側の平坦部47aから斜め下方に屈曲された内側の屈曲部48aと、上記内側の平坦部47aに対向する外側の平坦部47bから斜め下方に屈曲された外側の屈曲部48bと、上記両屈曲部48a,48bの下端間に平坦に形成された突端48cとで構成されている。図17(b)に示すように、上記突端48cの下面は封止樹脂46の下面から露出している。
As shown in FIG. 18, the
尚、図19(b)に示すように、ダイパッド42は、リードフレーム41のインナーリード部44aより低く、且つ、突出部48の突端48cよりも高くなるように位置決めされる。また、図18(a)に示すように突端48cの下面から外側の平坦部47bの下面までの高さH1は、図21(b)に示すように後述する下金型52の内壁面52aからインナーリード部44aの下面までの高さH2とほぼ一致する。
As shown in FIG. 19B, the
次に従来の半導体装置40の製造方法について説明する。
まず、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレーム41を作成する。図19に示すように、リードフレーム41には、半導体チップ43が搭載されるダイパッド42と、半導体チップ43と結線するためのインナーリード部44aと、ダイパッド42を支持する吊りリード47とが形成されている。
Next, a conventional method for manufacturing the
First, a
また、図18に示すように、吊りリード47の一部にディプレス(depress)加工を施すことにより、突出部48を形成する。尚、上記ディプレス加工により形成される突出部48の両屈曲部48a,48bは下方へ引き延ばされるため、その分、屈曲部48a,48bの板厚tが吊りリード47の板厚T(=リードフレーム41の板厚)よりも薄くなる。
In addition, as shown in FIG. 18, a
次に、図20に示すようにダイパッド42に半導体チップ43を搭載し、接着剤44を用いて接着し、半導体チップ43のボンディングパッド(図示せず)とインナーリード44aとを金属細線45で結線する。
Next, as shown in FIG. 20, the
そして、図21に示すように、ダイパッド42上に半導体チップ43が搭載され、金属細線45で電気的に接続されたリードフレーム41を封止金型51の下金型52と上金型53とで密封し、封止樹脂46を注入ゲート54より注入方向55へ注入して樹脂封止する。このとき、吊りリード47の突出部48の突端48cが下金型52の内壁面52aに当接している。封止樹脂46の硬化後に、封止金型51の下金型52と上金型53とを開き、これにより、図17に示すように半導体装置40が製造される。
Then, as shown in FIG. 21, the
このタイプ半導体装置40では、図21(b)に示すように、樹脂封止時に、各突出部48の突端48cが下金型52の内壁面57aに当接することによって、突出部48の下端面が固定される。これにより、吊りリード47に接続されたダイパッド42を封止金型51内の一定の高さに固定するとともに、ダイパッド42の位置精度を安定にしてダイパッドシフト(ダイパッドの上下変動)を防止した状態で樹脂封止することができる。よって、品質の安定した半導体装置40を製造することができる。
In this
上記のように吊りリード47に突出部48を形成した半導体装置40としては、例えば、下記特許文献1が提案されている。すなわち、ダイパッドに半導体チップが搭載され、上記ダイパッドと一体に一対の吊りリードが形成され、一対の吊りリードには、半導体チップの搭載面の側(上側)に突出する突出部が形成されている。樹脂封止時に、ダイパッドの下面を下金型の内壁面に、突出部の頂部突端を上金型の内壁面にそれぞれ当接させながら樹脂封止する。これにより、封止時のダイパッドの変位が抑えられる。
上記従来の半導体装置40ではダイパッド42上に半導体チップ43を単数搭載しているが、複数の半導体チップを搭載したチップ積層タイプの半導体装置として、図22および図23に示すものがある。
In the
すなわち、図22に示すチップ積層タイプの半導体装置60は、リードフレーム41のダイパッド42の表面(上面)に第1の半導体チップ43aが接着剤44によりダイボンディングされ、そのダイパッド42の裏面(下面)に第2の半導体チップ43bがダイボンディングされ、金属細線45a,45bにより第1,第2の半導体チップ43a,43bと各インナーリード部44aとが各々表面(上面)と裏面(下面)で電気的に接続され、封止樹脂46によりモールドされて2チップを1パッケージとしていた。
That is, in the chip stacked
また、図23に示すチップ積層タイプの半導体装置61は、リードフレーム41のダイパッド42の表面(上面)に第1の半導体チップ43aの底面が接着剤44によりダイボンディングされ、その第1の半導体チップ43aの表面(上面)に第2の半導体チップ43bがその底面側で熱可塑性シート62を介してダイボンディングされ、金属細線45a,45bにより第1,第2の半導体チップ43a,43bの各表面(上面)と各インナーリード部44aの表面(上面)とが電気的に接続され、封止樹脂46によりモールドされて2チップを1パッケージとしていた。
Further, in the chip stacked
上記のような各チップ積層タイプの半導体装置60,61ではそれぞれ、複数の半導体チップ43a,43bを搭載しているため、各半導体装置60,61の内部の発熱量がより大きくなり、その放熱を考慮した設計を行う必要がある。そこで、例えば、封止樹脂46を厚くして、各半導体チップ43a,43bからの発熱を封止樹脂46内に分散させることが考えられる。一般的に、封止樹脂46の体積が増えると、熱抵抗値が小さくなることが知られているが、これまでの実験によると、封止樹脂46の厚さが1.4倍になると、熱抵抗値が10%程度小さくなっている。
Since each of the chip stacked
しかし、図22,図23に示すようなチップ積層タイプの半導体装置60,61において、上記のように封止樹脂46を厚くした場合、各突出部48の突端48cが封止樹脂46の内部に埋没して封止樹脂46の下面(又は上面)から露出しなくなる。したがって、図24に示すように、各突出部48の突端48cが下金型52の内壁面52aの上方に位置して内壁面57aに当接せず、このため、樹脂封止時にダイパッドシフトが発生するといった問題があった。また、上記特開2001−177035号公報に記載された半導体装置についても、同様に、吊りリードに形成された突出部の突端が上金型の内壁面の下方に位置して内壁面に当接せず、このため、樹脂封止時にダイパッドシフトが発生するといった問題があった。
However, in the chip stacked
上記のような問題の対策として、図25(b)に示すように、突出部48のディプレス量D(=落し込み量)を深くして、突出部48の突端48cを封止樹脂46の下面に露出させることが考えられる。この場合、樹脂封止時に、上記突出部48の突端48cが下金型52の内壁面57aに当接するため、ダイパッドシフトを防止することができる。しかしながら、一般に、上記ディプレス量Dはリードフレーム41の板厚Tの2倍程度が限界であり、それ以上のディプレス量Dを得ようとすると、吊りリード47よりも薄い板厚tの両屈曲部48a,48bが下方に延長されるため、上記両屈曲部48a,48bの長さLが長くなって強度が不足し、これにより、ディプレス加工の安定性が低下するといった問題が発生する。
As a countermeasure against the above-described problem, as shown in FIG. 25B, the depression amount D (= drop amount) of the
本発明は、ダイパッドに複数の半導体チップを搭載した半導体装置において、樹脂封止時のダイパッドシフトの発生を防止し、さらに、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 In a semiconductor device having a plurality of semiconductor chips mounted on a die pad, the present invention prevents the occurrence of a die pad shift at the time of resin sealing, and further maintains the strength of the protruding portion to stabilize the protruding portion. An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of improving the performance and a method for manufacturing the same.
上記目的を達成するために本第1発明は、吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出する突出部が形成され、
上記突出部は、吊りリードの一部を板厚方向に屈曲して形成され且つ複数段に分割された屈曲部を有し、
上記突出部の突端が封止樹脂の表面に露出しているものである。
In order to achieve the above object, according to the first invention, a plurality of semiconductor chips are mounted on a die pad supported by a suspension lead,
The lead frame is electrically connected to each of the semiconductor chips with a fine metal wire,
A semiconductor device in which the lead frame is sandwiched between an upper mold and a lower mold of a sealing mold, and a sealing resin is injected into the sealing mold to be resin-sealed,
A protruding portion that protrudes toward the inner wall surface of either the upper die or the lower die is formed on the suspension lead,
The protrusion has a bent portion formed by bending a part of the suspension lead in the plate thickness direction and divided into a plurality of stages.
The protruding end of the protruding portion is exposed on the surface of the sealing resin.
これによると、突出部の突端が封止樹脂の表面に露出しているため、樹脂封止時において、突出部の突端は上金型と下金型とのいずれかの内壁面に当接し、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。 According to this, since the protruding end of the protruding portion is exposed on the surface of the sealing resin, at the time of resin sealing, the protruding end of the protruding portion comes into contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold, The suspension lead is fixed in the sealing mold, and die pad shift is prevented.
また、吊りリードを加工して突出部を形成する際、突出部の屈曲部の板厚が吊りリードの板厚より薄くなっても、屈曲部は複数段に短く分割されているため、突出部の強度が十分に保たれ、突出部を加工する際の安定性が向上する。 In addition, when forming the projecting part by processing the suspension lead, even if the thickness of the bent part of the projecting part is thinner than the thickness of the suspension lead, the bent part is divided into a plurality of steps. Is sufficiently maintained, and stability when the protrusion is processed is improved.
本第2発明は、突出部に支持部材が取付けられ、
上記突出部の突端が封止樹脂の上下いずれか一方の面に露出し、
上記支持部材の突出部とは反対側の端部が封止樹脂の上下いずれか他方の面に露出しているものである。
In the second invention, a support member is attached to the protrusion,
The protruding end of the protruding portion is exposed on either the upper or lower surface of the sealing resin,
The end of the support member opposite to the protruding portion is exposed on either the upper or lower surface of the sealing resin.
これによると、樹脂封止時において、突出部の突端が上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接するとともに、支持部材の端部が上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。 According to this, at the time of resin sealing, the protruding end of the projecting part comes into contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold, and the end of the support member is connected to the upper mold and the lower mold. Since it abuts on the other inner wall surface, the suspension lead is more firmly fixed in the sealing mold, and the die pad shift is surely prevented.
本第3発明は、複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出しているものである。
In the third invention, the plurality of semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
The protruding part protrudes toward the inner wall surface of the lower mold,
The protruding end of the protruding portion is exposed on the lower surface of the sealing resin.
これによると、樹脂封止時において、突出部の突端は下金型の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
本第4発明は、複数の半導体チップはダイパッドの上面に積層されて搭載され、
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出し、
上記支持部材の上端部が封止樹脂の上面に露出しているものである。
According to this, at the time of resin sealing, since the protruding end of the protruding portion comes into contact with the inner wall surface of the lower mold, the suspension lead is fixed in the sealing mold and die pad shift is prevented.
In the fourth invention, the plurality of semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
The protruding part protrudes toward the inner wall surface of the lower mold,
The protruding end of the protruding portion is exposed on the lower surface of the sealing resin,
The upper end portion of the support member is exposed on the upper surface of the sealing resin.
これによると、突出部の突端が下金型の内壁面に当接するとともに、支持部材の上端部が上金型の内壁面に当接するため、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。 According to this, the projecting end of the protruding portion contacts the inner wall surface of the lower mold and the upper end portion of the support member contacts the inner wall surface of the upper mold, so that the suspension lead is more firmly fixed in the sealing mold. Thus, die pad shift is surely prevented.
本第5発明は、上記第1発明〜第4発明のいずれかに記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてリードフレームにダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードの一部をディプレス加工して突出部を形成する形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記突出部の突端を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有するものである。
The fifth invention is a manufacturing method for manufacturing the semiconductor device according to any one of the first to fourth inventions,
Forming a die pad and a suspension lead integrally on a lead frame using a metal flat plate, and forming a protrusion by depressing a part of the suspension lead; and
A mounting process for mounting a plurality of semiconductor chips on a die pad;
A connection step of electrically connecting each of the semiconductor chips and the lead frame with a thin metal wire;
Each of the semiconductor chips, the fine metal wires, and the lead frame are housed in a sealing mold, and the projecting portion is sealed in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold. A sealing step of injecting a sealing resin into the die and sealing the resin.
これによると、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。
本第6発明は、形成工程において、支持部材を突出部に取付け、
封止工程において、支持部材の上記突出部とは反対側の端部を上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止するものである。
According to this, the strength of the protruding portion is sufficiently maintained, and the stability when the protruding portion is pressed is improved.
This 6th invention attaches a supporting member to a projection part in a formation process,
In the sealing step, the support member is sealed in the sealing mold in a state where the end of the support member opposite to the protruding portion is in contact with the other inner wall surface of the upper mold or the lower mold. A resin is injected to seal the resin.
本第7発明は、搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
In the seventh invention, in the mounting process, a plurality of semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
In the sealing step, the sealing resin is injected into the sealing mold in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of the lower mold.
本第8発明は、搭載工程において、複数の半導体チップをダイパッドの上面に積層して搭載し、
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させるとともに支持部材の上端部を上金型の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
In the eighth invention, in the mounting process, a plurality of semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
In the sealing step, the sealing resin is placed in the sealing mold in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of the lower mold and the upper end portion of the support member is in contact with the inner wall surface of the upper mold. Is to inject.
本第9発明は、封止工程において、突出部の突端が当接する上下いずれかの金型とは反対側の金型に形成された注入口から封止金型内に封止樹脂を注入するものである。
これによると、封止工程において、突出部が封止金型内に注入される封止樹脂によって押され、突出部の突端を上下いずれかの金型の内壁面に押圧する力が働き、突出部の突端が上下いずれかの金型の内壁面に確実に当接する。これにより、ダイパッドの位置精度を安定にして、ダイパッドシフトを確実に防止することができる。
According to the ninth aspect of the present invention, in the sealing step, the sealing resin is injected into the sealing mold from the injection port formed in the mold on the side opposite to the upper or lower mold with which the protruding end of the protruding portion abuts. Is.
According to this, in the sealing process, the protruding portion is pushed by the sealing resin injected into the sealing mold, and the force that presses the protruding end of the protruding portion against the inner wall surface of either the upper or lower mold works. The protruding end of the portion reliably contacts the inner wall surface of either the upper or lower mold. Thereby, the position accuracy of the die pad can be stabilized and the die pad shift can be surely prevented.
本第10発明は、吊りリードに支持されたダイパッドに複数の半導体チップが搭載され、
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、吊りリードとは別部材の支持部材が取付けられ、
上記支持部材は上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出し、
上記支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出しているものである。
In the tenth aspect of the present invention, a plurality of semiconductor chips are mounted on a die pad supported by a suspension lead,
The lead frame is electrically connected to each of the semiconductor chips with a fine metal wire,
A semiconductor device in which the lead frame is sandwiched between an upper mold and a lower mold of a sealing mold, and a sealing resin is injected into the sealing mold to be resin-sealed,
A support member separate from the suspension lead is attached to the suspension lead,
The support member protrudes toward the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold,
The front end portion of the support member is exposed on the surface of the sealing resin.
これによると、支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出しているため、樹脂封止時において、支持部材の先端部は上金型と下金型とのいずれかの内壁面に当接し、吊りリードが封止金型内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。 According to this, since the front end portion of the support member is exposed on the surface of the sealing resin, the front end portion of the support member abuts against the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold during resin sealing. The suspension leads are fixed in the sealing mold and the die pad shift is prevented.
また、吊りリードにディプレス加工を施して突出部が形成されている場合、突出部の突端に上記支持部材を取付けることによって、ディプレス加工時の突出部のディプレス量を浅くすることができる。したがって、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。 In addition, when the projecting portion is formed by subjecting the suspension lead to a pressing process, by attaching the support member to the projecting end of the projecting section, the amount of pressing of the projecting section during the pressing process can be reduced. . Therefore, the strength of the protruding portion is sufficiently maintained, and stability when the protruding portion is pressed is improved.
本第11発明は、吊りリードの下面に、下金型の内壁面側に向けて突出する第1の支持部材が取付けられ、
吊りリードの上面に、上金型の内壁面側に向けて突出する第2の支持部材が取付けられ、
上記第1の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、
上記第2の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出しているものである。
In the eleventh aspect of the invention, a first support member protruding toward the inner wall surface side of the lower mold is attached to the lower surface of the suspension lead,
A second support member protruding toward the inner wall surface side of the upper mold is attached to the upper surface of the suspension lead,
The tip of the first support member is exposed on the lower surface of the sealing resin,
The tip of the second support member is exposed on the upper surface of the sealing resin.
これによると、第1の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、第2の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出しているため、樹脂封止時において、第1の支持部材の先端部は下金型の内壁面に当接し、第2の支持部材の先端部は上金型の内壁面に当接する。これにより、吊りリードが封止金型内に一層強固に固定され、ダイパッドシフトが確実に防止される。 According to this, the tip of the first support member is exposed on the lower surface of the sealing resin, and the tip of the second support member is exposed on the upper surface of the sealing resin. The distal end portion of the first support member contacts the inner wall surface of the lower mold, and the distal end portion of the second support member contacts the inner wall surface of the upper mold. Thereby, the suspension lead is more firmly fixed in the sealing mold, and the die pad shift is surely prevented.
また、吊りリードにディプレス加工を施して突出部が形成されている場合、突出部の突端に上記第1および第2の支持部材を取付けることによって、ディプレス加工時の突出部のディプレス量を浅くすることができる。したがって、突出部の強度が十分に保たれ、突出部をディプレス加工する際の安定性が向上する。 In addition, when the projecting part is formed by subjecting the suspension lead to a pressing process, by attaching the first and second support members to the projecting end of the projecting part, the amount of pressing of the projecting part during the pressing process is reduced. Can be shallow. Therefore, the strength of the protruding portion is sufficiently maintained, and stability when the protruding portion is pressed is improved.
本第12発明は、上記第10発明又は第11発明に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
金属平板を用いてダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードに支持部材を取付ける形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記支持部材の先端部を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有するものである。
The twelfth invention is a manufacturing method for manufacturing the semiconductor device according to the tenth invention or the eleventh invention,
Forming the die pad and the suspension lead integrally using a metal flat plate, and attaching the support member to the suspension lead; and
A mounting process for mounting a plurality of semiconductor chips on a die pad;
A connection step of electrically connecting each of the semiconductor chips and the lead frame with a thin metal wire;
The semiconductor chip, the fine metal wire, and the lead frame are stored in a sealing mold, and the tip of the support member is in contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold. And a sealing step of sealing the resin by injecting a sealing resin into the sealing mold.
本第13発明は、形成工程において、吊りリードの下面に第1の支持部材を取付けるとともに、吊りリードの上面に第2の支持部材を取付け、
封止工程において、第1の支持部材の先端部を下金型の内壁面に当接させるとともに第2の支持部材の先端部を上金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止するものである。
In the thirteenth invention, in the forming step, the first support member is attached to the lower surface of the suspension lead, and the second support member is attached to the upper surface of the suspension lead.
In the sealing step, the sealing metal mold with the tip of the first support member in contact with the inner wall surface of the lower mold and the tip of the second support member in contact with the inner wall surface of the upper mold. A sealing resin is injected into the mold and sealed with resin.
本発明によると、ダイパッドシフトを防止し、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることができる。これにより、複数の半導体チップを信頼性良く積層してダイパッドに搭載し、半導体装置を高生産汎用性、高信頼性、高密度実装性のもとで製造することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent die pad shift, maintain sufficient strength of the protruding portion, and improve stability when processing the protruding portion. Thereby, a plurality of semiconductor chips can be stacked with high reliability and mounted on a die pad, and a semiconductor device can be manufactured with high production versatility, high reliability, and high density mounting.
以下、本発明の第1の実施の形態を図1〜図5を参照しながら説明する。
図1〜図3に示すように、1は2個の半導体チップ2,3を1つのパッケージに搭載したチップ積層タイプの半導体装置である。このうち、第1の半導体チップ2は4本の吊りリード4に支持されたダイパッド5の表面(上面)に接着剤6で接着され、第2の半導体チップ3は熱可塑性シート7により第1の半導体チップ2上に接着されている。また、ダイパッド5の周囲には複数のリード8が配置されており、これら吊りリード4とリード8とダイパッド5とによりリードフレーム9が構成されている。
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 to 3, reference numeral 1 denotes a chip stacked type semiconductor device in which two
第1および第2の半導体チップ2,3の各ボンディングパッド(図示せず)は、第1および第2の金属細線19,20を介して、リード8のインナーリード部8aに電気的に接続されている。上記吊りリード4とリード8とダイパッド5と半導体チップ2,3とは封止樹脂10によって樹脂封止(樹脂モールド)されている。
Each bonding pad (not shown) of the first and
各吊りリード4には、後述する封止金型12の下金型13の内壁面13aに向けて下方へ突出する突出部17がディプレス加工により形成されている。すなわち、図4に示すように、上記各突出部17は、ダイパッド5に連続する内側の平坦部4aから斜め下方に屈曲された内側の第1段屈曲部17aと、この屈曲部17aの下端に形成された内側の中間平坦部17bと、この中間平坦部17bの外端から斜め下方に屈曲された内側の第2段屈曲部17cと、上記内側の平坦部4aに対向する外側の平坦部4bから斜め下方に屈曲された外側の第1段屈曲部17dと、この屈曲部17dの下端に形成された外側の中間平坦部17eと、この中間平坦部17eの内端から斜め下方に屈曲された外側の第2段屈曲部17fと、上記両第2段屈曲部17c,17fの下端間に平坦に形成された突端17gとで構成されている。
Each
尚、図2に示すように、ダイパッド5は、リード8のインナーリード部8aよりも低く且つ突出部17の突端17gよりも高い位置に形成されている。また、図1に示すように、各突出部17の突端17gは封止樹脂10の下面に露出している。
As shown in FIG. 2, the
次に、上記半導体装置1の製造方法を説明する。
上記製造方法は形成工程と搭載工程と接続工程と封止工程とを有している。
先ず、形成工程において、図2に示すように、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレーム9を作成する。リードフレーム9には、吊りリード4とダイパッド5とリード8とが一体に形成される。吊りリード4の一部に階段状のディプレス加工を施すことにより、突出部17を形成する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.
The manufacturing method includes a forming process, a mounting process, a connecting process, and a sealing process.
First, in the forming step, as shown in FIG. 2, a
次に、図3に示すように、搭載工程において、接着剤6を用いて、第1の半導体チップ2をダイパッド5に接着し、熱可塑性シート7を用いて、第2の半導体チップ3を第1の半導体チップ2に接着する。
Next, as shown in FIG. 3, in the mounting process, the
その後、接続工程において、第1の半導体チップ2のボンディングパッド(図示せず)とリード8のインナーリード部8aとの間を第1の金属細線19によって結線し、第2の半導体チップ3のボンディングパッド(図示せず)とリード8のインナーリード部8aとの間を第2の金属細線20によって結線する。
Thereafter, in the connecting step, a bonding pad (not shown) of the
次に、図5に示すように、封止工程において、封止金型12を用いて樹脂封止する。すなわち、封止金型12は下金型13と上金型14とで構成されており、下金型13の四隅のいずれか一隅には、封止樹脂10を注入する注入ゲート15(注入口の一例)が形成されている。上記半導体チップ2,3とリードフレーム9と金属細線19,20とを封止金型12内に収納し、リードフレーム9を下金型13と上金型14とで挟み、上記各突出部17の突端17gの下面を下金型13の内壁面13aに当接させ、この状態で、封止樹脂10を注入ゲート15より注入方向22へ注入して封止金型12内に充填する。封止樹脂10が硬化した後、下金型13と上金型14とを開くことにより、図1に示すように、樹脂封止された半導体装置1が製造される。この際、各突出部17の突端17gの下面は封止樹脂10の下面に露出している。
Next, as shown in FIG. 5, in the sealing step, resin sealing is performed using a sealing
尚、図5(b)に示すように、封止樹脂10は、注入ゲート15を通り、吊りリード4に対して突出部17と同じ側(すなわち下側)から封止金型12内に注入される。また、図4に示すように突端17gの下面から外側の平坦部4bの上面までの高さをH1とし、図5(b)に示すように下金型13の内壁面13aから上金型14の外縁部の下端までの高さをH2とすると、H1=H2となるように寸法設定されている。また、上記高さH1は、下金型13の内壁面13aからインナーリード部8aの上面までの高さとほぼ一致している。
As shown in FIG. 5B, the sealing
上記のようにして製造される半導体装置1の作用について以下に説明する。
図5に示すように、上記封止工程において、各突出部17の突端17gの下面が下金型13の内壁面13aに当接するため、各吊りリード4が封止金型12内に固定され、ダイパッドシフト(ダイパッド5の上下変動)が防止され、これにより、品質の安定した半導体装置1を製造することができる。
The operation of the semiconductor device 1 manufactured as described above will be described below.
As shown in FIG. 5, in the sealing step, the lower surface of the projecting
また、図4に示すように、各突出部17はディプレス加工により形成されるため、第1段屈曲部17a,17dと第2段屈曲部17c,17fとの各板厚tが吊りリード4の板厚T(=リードフレーム9の板厚)よりも薄くなるが、上記内側の屈曲部17a,17cは内側の中間平坦部17bを挟んで2段に短く分割され、同様に、外側の屈曲部17d,17fは外側の中間平坦部17eを挟んで2段に短く分割されているため、上記個々の屈曲部17a,17c,17d,17fの長さLに短く分割され、これにより、突出部17のディプレス量Dが従来のものよりも増長しているにもかかわらず、突出部17の強度が十分に保たれ、突出部17をディプレス加工する際の安定性が向上する。
Further, as shown in FIG. 4, each
尚、上記第1の実施の形態では、突端17gの下面から外側の平坦部4bの上面までの高さH1(図4参照)と下金型13の内壁面13aから上金型14の外縁部の下端までの高さH2(図5(b)参照)とを一致させているが、H2をH1よりも僅かに低く(H1>H2)してもよい。この場合、リードフレーム9を下金型13と上金型14とで挟んだ際、吊りリード4の外側の平坦部4bが上金型14の外縁部の下端によって下方へ押さえ込まれるため、吊りリード4が封止金型12内に強固に固定される。
In the first embodiment, the height H1 (see FIG. 4) from the lower surface of the
上記第1の実施の形態では、突出部17を下向きに突出させ、突端17gを下金型13の内壁面13aに当接させることで、突端17gが封止樹脂10の下面に露出するが、突出部17を上向きに突出させ、突端17gを上金型14の内壁面14aに当接させることで、突端17gが封止樹脂10の上面に露出するものであってもよい。
In the first embodiment, the
次に、本発明の第2の実施の形態を図6〜図8を参照しながら説明する。
図6,図7に示すように、各突出部17の突端17gの上面に、丸棒状の支持部材26が接着剤(図示せず)を介して固定されている。上記支持部材26の上端部(すなわち突出部17とは反対側の端部)は封止樹脂10の上面に露出している。尚、支持部材26及び上記接着剤の材質は、封止樹脂10に用いられる熱硬化樹脂がよい。また、支持部材26の高さH3は、突出部17の突端17gの上面から上金型14の内壁面14aまでの高さとほぼ一致する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 6 and 7, a round bar-
次に、上記半導体装置1の製造方法を説明する。
先ず、形成工程において、リードフレーム9を作成し、図7に示すように、吊りリード4の一部に階段状のディプレス加工を施して突出部17を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部17に支持部材26を接着する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.
First, in the forming step, the
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図8に示すように、上記半導体チップ2,3とリードフレーム9と金属細線19,20とを封止金型12内に収納し、リードフレーム9の外端部を下金型13と上金型14とで挟み、上記各突出部17の突端17gの下面を下金型13の内壁面13aに当接させるとともに、各支持部材26の上端部を上金型14の内壁面14aに当接させ、この状態で、封止樹脂10を注入ゲート15より注入方向22へ注入して封止金型12内に充填する。封止樹脂10が硬化した後、下金型13と上金型14とを開くことにより、図6に示すように、樹脂封止された半導体装置1が製造される。この際、各突出部17の突端17gの下面は封止樹脂10の下面に露出し、各支持部材26の上端部は封止樹脂10の上面に露出している。
Then, a mounting process and a connection process are performed.
Next, in the sealing step, as shown in FIG. 8, the
上記のようにして製造される半導体装置1の作用について以下に説明する。
図8に示すように、上記封止工程において、各突出部17の突端17gの下面が下金型13の内壁面13aに当接するとともに、各支持部材26の上端部が上金型14の内壁面14aに当接するため、各吊りリード4が封止金型12内に一層強固に固定され、ダイパッド5の位置精度が安定してダイパッドシフトが確実に防止される。これにより、品質のより安定した半導体装置1を製造することができる。
The operation of the semiconductor device 1 manufactured as described above will be described below.
As shown in FIG. 8, in the sealing step, the lower surface of the projecting
上記第2の実施の形態では、突出部17を下向きに突出させ、突端17gを下金型13の内壁面13aに当接させることで、突端17gが封止樹脂10の下面に露出し、さらに、上記突端17gの上面に支持部材26を取付け、支持部材26の上端部を上金型14の内壁面14aに当接させることで、支持部材26の上端部が封止樹脂10の上面に露出するが、突出部17を上向きに突出させ、突端17gを上金型14の内壁面14aに当接させることで、突端17gが封止樹脂10の上面に露出し、さらに、上記突端17gの下面に支持部材26を取付け、支持部材26の下端部を下金型13の内壁面13aに当接させることで、支持部材26の下端部が封止樹脂10の下面に露出するものであってもよい。
In the second embodiment, the
上記第1および第2の実施の形態では、突出部17は、2段に分割された屈曲部すなわち第1段屈曲部17a,17dと第2段屈曲部17c,17fとを有しているが、3段以上に分割された屈曲部を有するものでもよい。
In the first and second embodiments, the projecting
次に、本発明の第3の実施の形態を図9〜図12を参照しながら説明する。
図11に示すように、各吊りリード4には、図18に示した従来のものと同一の突出部48がディプレス加工によって形成されている。すなわち、突出部48は、ダイパッド5に連続する内側の平坦部4aから斜め下方に屈曲された内側の屈曲部48aと、上記内側の平坦部4aに対向する外側の平坦部4bから斜め下方に屈曲された外側の屈曲部48bと、上記両屈曲部48a,48bの下端間に平坦に形成された突端48cとで構成されている。尚、上記突出部48のディプレス量Dも図18に示した従来のものと同一で浅く、これにより、図12に示すように、封止工程において、上記突端48cは、下金型13の内壁面13aの上方に位置し、封止樹脂6の内部に埋没する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 11, each
図11に示すように、上記各突出部48の突端48cの下面には、吊りリード4とは別部材である丸棒状の支持部材30が接着剤(図示せず)を介して接着されている。尚、支持部材30及び接着剤の材質は、封止樹脂10に用いられる熱硬化樹脂がよい。また、各支持部材30は下金型13の内壁面13aに向けて下方へ突出しており、図9に示すように、各支持部材30の下端部が封止樹脂10の下面に露出している。
As shown in FIG. 11, a round bar-
また、図11(a)に示すように支持部材30の下端部から外側の平坦部4bの上面までの高さH1とし、図12(b)に示すように下金型13の内壁面13aから上金型14の外縁部の下端までの高さをH2とすると、H1=H2となるように寸法設定されている。また、支持部材30の高さは下金型13の内壁面13aから突出部48の突端48cの下面までの高さとほぼ一致している。
Further, as shown in FIG. 11 (a), the height H1 from the lower end of the
次に、上記半導体装置1の製造方法を説明する。
先ず、図10に示すように、形成工程において、リードフレーム9を作成し、吊りリード4の一部にディプレス加工を施して突出部48を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部48に支持部材30を接着する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.
First, as shown in FIG. 10, in the forming step, the
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図12に示すように、上記半導体チップ2,3とリードフレーム9と金属細線19,20とを封止金型12内に収納し、リードフレーム9を下金型13と上金型14とで挟み、各支持部材30の下端部を下金型13の内壁面13aに当接させ、この状態で、封止樹脂10を注入ゲート15より注入方向22へ注入して封止金型12内に充填する。封止樹脂10が硬化した後、下金型13と上金型14とを開くことにより、図9に示すように、樹脂封止された半導体装置1が製造される。この際、各支持部材30の下端部は封止樹脂10の下面に露出している。
Then, a mounting process and a connection process are performed.
Next, in the sealing step, as shown in FIG. 12, the
上記のようにして製造される半導体装置1の作用について以下に説明する。
図12に示すように、上記封止工程において、各支持部材30の下端部が下金型13の内壁面13aに当接するため、各吊りリード4が封止金型12内に固定され、ダイパッドシフトが防止される。
The operation of the semiconductor device 1 manufactured as described above will be described below.
As shown in FIG. 12, in the sealing step, the lower end portion of each
また、図11に示すように、突出部48の突端48cに支持部材30を接着することにより、突出部48のディプレス量Dを従来と同様に浅くすることができる。したがって、両屈曲部48a,48bの長さLが従来と同様に短くなり、これにより、突出部48の強度が十分に保たれ、突出部48をディプレス加工する際の安定性が向上する。
Further, as shown in FIG. 11, by attaching the
上記第3の実施の形態では、突出部48を下金型13の内壁面13aに向けて下方へ突出させ、支持部材30の下端部を下金型13の内壁面13aに当接させることで、支持部材30の下端部が封止樹脂10の下面に露出するが、突出部48を上金型14の内壁面14aに向けて上方へ突出させ、支持部材30を突出部48の突端48cの上面に接着し、支持部材30の上端部を上金型14の内壁面14aに当接させることで、支持部材30の上端部が封止樹脂10の上面に露出するものであってもよい。
In the third embodiment, the
次に、本発明の第4の実施の形態を図13〜図15を参照しながら説明する。
図14に示すように、各吊りリード4には、図18に示した従来のものと同一の突出部48がディプレス加工によって形成されている。すなわち、突出部48は屈曲部48a,48bと突端48cとで構成されている。尚、上記突出部48のディプレス量Dも図18に示した従来のものと同一で浅く、これにより、図15に示すように、封止工程において、上記突端48cは、下金型13の内壁面13aの上方に位置し、封止樹脂6の内部に埋没する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 14, each
各突出部48の突端48cの下面には、吊りリード4とは別部材である丸棒状の第1の支持部材31が接着剤(図示せず)を介して接着されている。上記各第1の支持部材31は下金型13の内壁面13aに向けて下方へ突出しており、図13に示すように、各第1の支持部材31の下端部が封止樹脂10の下面に露出している。また、各突出部48の突端48cの上面には、吊りリード4とは別部材である丸棒状の第2の支持部材32が接着剤(図示せず)を介して接着されている。上記各第2の支持部材32は上金型14の内壁面14aに向けて上方へ突出しており、図13に示すように、各第2の支持部材32の上端部が封止樹脂10の上面に露出している。尚、第1および第2の支持部材31,32及び接着剤の材質は、封止樹脂10に用いられる熱硬化樹脂がよい。
A round bar-shaped
また、図14(a)に示した第1の支持部材31の下端部から第2の支持部材32の上端部までの高さH1は、図15に示した下金型13の内壁面13aから上金型14の内壁面14aまでの高さH2とほぼ一致するように寸法設定されている。
Further, the height H1 from the lower end portion of the
次に、上記半導体装置1の製造方法を説明する。
先ず、形成工程において、リードフレーム9を作成し、図14に示すように、吊りリード4の一部にディプレス加工を施して突出部48を形成する。また、接着剤を用いて、各突出部48に第1の支持部材31と第2の支持部材32とを接着する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.
First, in the forming step, the
その後、搭載工程と接続工程を行う。
次に、封止工程において、図15に示すように、上記半導体チップ2,3とリードフレーム9と金属細線19,20とを封止金型12内に収納し、リードフレーム9を下金型13と上金型14とで挟み、各第1の支持部材31の下端部を下金型13の内壁面13aに当接させるとともに、各第2の支持部材32の上端部を上金型14の内壁面14aに当接させ、この状態で、封止樹脂10を注入ゲート15より注入方向22へ注入して封止金型12内に充填する。封止樹脂10が硬化した後、下金型13と上金型14とを開くことにより、図13に示すように、樹脂封止された半導体装置1が製造される。この際、各第1の支持部材31の下端部が封止樹脂10の下面に露出し、各第2の支持部材32の上端部が封止樹脂10の上面に露出している。
Then, a mounting process and a connection process are performed.
Next, in the sealing step, as shown in FIG. 15, the
上記のようにして製造される半導体装置1の作用について以下に説明する。
図15に示すように、上記封止工程において、第1の支持部材31の下端部が下金型13の内壁面13aに当接するとともに、第2の支持部材32の上端部が上金型14の内壁面14aに当接するため、各吊りリード4が封止金型12内に一層強固に固定され、ダイパッド5の位置精度が安定してダイパッドシフトが確実に防止される。これにより、品質のより安定した半導体装置1を製造することができる。
The operation of the semiconductor device 1 manufactured as described above will be described below.
As shown in FIG. 15, in the sealing step, the lower end portion of the
また、図14に示すように、突出部48の突端48cに第1およびの第2の支持部材31,32を接着することにより、突出部48のディプレス量Dを従来と同様に浅くすることができる。したがって、屈曲部48a,48bの長さLが従来と同様に短くなり、これにより、突出部48の強度が十分に保たれ、突出部48をディプレス加工する際の安定性が向上する。
Further, as shown in FIG. 14, by attaching the first and
次に、本発明の第5の実施の形態を図16を参照しながら説明する。
封止金型12の注入ゲート15(注入口の一例)は、突出部17の突端17gが当接する下金型13とは反対側である上金型14の四隅のいずれか一隅に形成されている。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The injection gate 15 (an example of an injection port) of the sealing
これによると、半導体装置1の製造時、封止工程において、封止金型12を用いて樹脂封止する際、リードフレーム9を下金型13と上金型14とで挟み、封止樹脂10を注入ゲート15より注入方向22へ注入して封止金型12内に充填する。この時、図16(b)に示すように、封止樹脂10は吊りリード4に対して上方(すなわち突出部17とは反対側の方向)から封止金型12内に注入されるため、突出部17が上記封止樹脂10によって下向きに押され、突出部17の突端17gを下金型13の内壁面13aに押圧する力が働く。これにより、突出部17の突端17gが確実に下金型13の内壁面13aに当接し、ダイパッド5の位置精度が安定して、ダイパッドシフトを確実に防止することができる。
According to this, at the time of manufacturing the semiconductor device 1, when resin sealing is performed using the sealing
上記第1〜第5の各実施の形態では、ダイパッド5の表面(上面)に両半導体チップ2,3を搭載しているが、ダイパッド5の裏面(下面)に両半導体チップ2,3を搭載してもよい。また、両半導体チップ2,3のいずれか一方をダイパッド5の表面(上面)に搭載し、他方をダイパッド5の裏面(下面)に搭載してもよい。また、2個の半導体チップ2,3に限定されることはなく、3個以上の半導体チップを搭載してもよい。
In each of the first to fifth embodiments, both
上記第1〜第5の各実施の形態では、ダイパッド5を4本の吊りリード4で支持しているが、4本に限定されるものではなく、4本以外の複数本の吊りリード4で支持してもよい。
In each of the first to fifth embodiments, the
尚、本発明の半導体装置1およびその製造方法においては、上記第1〜第5の実施の形態を単独で実施してもよく、或いは、これら実施の形態の複数を適宜組合せて実施してもよい。 In the semiconductor device 1 and the method for manufacturing the same according to the present invention, the first to fifth embodiments described above may be implemented independently, or a plurality of these embodiments may be combined as appropriate. Good.
ダイパッドシフトを防止し、突出部の強度を十分に保って、突出部を加工する際の安定性を向上させることができる半導体装置又は電子部品にも適用できる。 The present invention can also be applied to a semiconductor device or an electronic component that can prevent die pad shift, maintain sufficient strength of the protrusion, and improve the stability when processing the protrusion.
1 半導体装置
2,3 半導体チップ
4 吊りリード
5 ダイパッド
9 リードフレーム
10 封止樹脂
12 封止金型
13 下金型
13a 内壁面
14 上金型
14a 内壁面
15 注入ゲート(注入口)
17 突出部
17a,17c,17d,17f 屈曲部
17g 突端
19,20 金属細線
26 支持部材
30 支持部材
31 第1の支持部材
32 第2の支持部材
48 突出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
17
Claims (13)
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出する突出部が形成され、
上記突出部は、吊りリードの一部を板厚方向に屈曲して形成され且つ複数段に分割された屈曲部を有し、
上記突出部の突端が封止樹脂の表面に露出していることを特徴とする半導体装置。 Multiple semiconductor chips are mounted on the die pad supported by the suspension leads,
The lead frame is electrically connected to each of the semiconductor chips with a fine metal wire,
A semiconductor device in which the lead frame is sandwiched between an upper mold and a lower mold of a sealing mold, and a sealing resin is injected into the sealing mold to be resin-sealed,
A protruding portion that protrudes toward the inner wall surface of either the upper die or the lower die is formed on the suspension lead,
The protrusion has a bent portion formed by bending a part of the suspension lead in the plate thickness direction and divided into a plurality of stages.
A semiconductor device, wherein the protruding end of the protruding portion is exposed on the surface of the sealing resin.
上記突出部の突端が封止樹脂の上下いずれか一方の面に露出し、
上記支持部材の突出部とは反対側の端部が封止樹脂の上下いずれか他方の面に露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 A support member is attached to the protrusion,
The protruding end of the protruding portion is exposed on either the upper or lower surface of the sealing resin,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein an end of the support member opposite to the protruding portion is exposed on one of the upper and lower surfaces of the sealing resin.
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 Multiple semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
The protruding part protrudes toward the inner wall surface of the lower mold,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a protruding end of the protruding portion is exposed on a lower surface of the sealing resin.
突出部は下金型の内壁面側に向けて突出し、
上記突出部の突端が封止樹脂の下面に露出し、
上記支持部材の上端部が封止樹脂の上面に露出していることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 Multiple semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
The protruding part protrudes toward the inner wall surface of the lower mold,
The protruding end of the protruding portion is exposed on the lower surface of the sealing resin,
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein an upper end portion of the support member is exposed on an upper surface of the sealing resin.
金属平板を用いてリードフレームにダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードの一部をディプレス加工して突出部を形成する形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記突出部の突端を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A manufacturing method for manufacturing the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
Forming a die pad and a suspension lead integrally on a lead frame using a metal flat plate, and forming a protruding portion by pressing a part of the suspension lead; and
A mounting process for mounting a plurality of semiconductor chips on a die pad;
A connection step of electrically connecting each of the semiconductor chips and the lead frame with a thin metal wire;
Each of the semiconductor chips, the fine metal wires, and the lead frame are housed in a sealing mold, and the projecting portion is sealed in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold. And a sealing step of injecting a sealing resin into the die and sealing the resin.
封止工程において、支持部材の上記突出部とは反対側の端部を上金型と下金型とのいずれか他方の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 In the forming process, the support member is attached to the protrusion,
In the sealing step, the support member is sealed in the sealing mold in a state where the end of the support member opposite to the protruding portion is in contact with the other inner wall surface of the upper mold or the lower mold. 6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein resin sealing is performed by injecting resin.
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 In the mounting process, multiple semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein, in the sealing step, a sealing resin is injected into the sealing mold in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of the lower mold. .
封止工程において、突出部の突端を下金型の内壁面に当接させるとともに支持部材の上端部を上金型の内壁面に当接させた状態で、封止金型内に封止樹脂を注入することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 In the mounting process, multiple semiconductor chips are stacked and mounted on the upper surface of the die pad,
In the sealing step, the sealing resin is placed in the sealing mold in a state where the protruding end of the protruding portion is in contact with the inner wall surface of the lower mold and the upper end portion of the support member is in contact with the inner wall surface of the upper mold. 7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein a semiconductor device is implanted.
リードフレームが金属細線で電気的に上記各半導体チップと接続され、
上記リードフレームを封止金型の上金型と下金型とで挟み、封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止された半導体装置であって、
上記吊りリードに、吊りリードとは別部材の支持部材が取付けられ、
上記支持部材は上金型と下金型とのいずれかの内壁面側に向けて突出し、
上記支持部材の先端部が封止樹脂の表面に露出していることを特徴とする半導体装置。 Multiple semiconductor chips are mounted on the die pad supported by the suspension leads,
The lead frame is electrically connected to each of the semiconductor chips with a fine metal wire,
A semiconductor device in which the lead frame is sandwiched between an upper mold and a lower mold of a sealing mold, and a sealing resin is injected into the sealing mold to be resin-sealed,
A support member separate from the suspension lead is attached to the suspension lead,
The support member protrudes toward the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a tip portion of the support member is exposed on a surface of the sealing resin.
吊りリードの上面に、上金型の内壁面側に向けて突出する第2の支持部材が取付けられ、
上記第1の支持部材の先端部が封止樹脂の下面に露出し、
上記第2の支持部材の先端部が封止樹脂の上面に露出していることを特徴とする請求項10記載の半導体装置。 A first support member protruding toward the inner wall surface side of the lower mold is attached to the lower surface of the suspension lead,
A second support member protruding toward the inner wall surface side of the upper mold is attached to the upper surface of the suspension lead,
The tip of the first support member is exposed on the lower surface of the sealing resin,
11. The semiconductor device according to claim 10, wherein a tip portion of the second support member is exposed on an upper surface of the sealing resin.
金属平板を用いてダイパッドと吊りリードとを一体に形成するとともに、上記吊りリードに支持部材を取付ける形成工程と、
複数の半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、
上記各半導体チップとリードフレームとを金属細線で電気的に接続する接続工程と、
上記各半導体チップと金属細線とリードフレームとを封止金型内に収納し、上記支持部材の先端部を上金型と下金型とのいずれか一方の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止する封止工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A manufacturing method for manufacturing the semiconductor device according to claim 10 or 11,
Forming the die pad and the suspension lead integrally using a metal flat plate, and attaching the support member to the suspension lead; and
A mounting process for mounting a plurality of semiconductor chips on a die pad;
A connection step of electrically connecting each of the semiconductor chips and the lead frame with a thin metal wire;
The semiconductor chip, the fine metal wire, and the lead frame are stored in a sealing mold, and the tip of the support member is in contact with the inner wall surface of either the upper mold or the lower mold. And a sealing step of sealing the resin by injecting a sealing resin into the sealing mold.
封止工程において、第1の支持部材の先端部を下金型の内壁面に当接させるとともに第2の支持部材の先端部を上金型の内壁面に当接させた状態で封止金型内に封止樹脂を注入して樹脂封止することを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。 In the forming step, the first support member is attached to the lower surface of the suspension lead, and the second support member is attached to the upper surface of the suspension lead.
In the sealing step, the sealing metal mold with the tip of the first support member in contact with the inner wall surface of the lower mold and the tip of the second support member in contact with the inner wall surface of the upper mold. 13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein a sealing resin is injected into the mold and the resin sealing is performed.
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