JP2621544B2 - 複合リードフレームの製造方法 - Google Patents
複合リードフレームの製造方法Info
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- JP2621544B2 JP2621544B2 JP4080290A JP4080290A JP2621544B2 JP 2621544 B2 JP2621544 B2 JP 2621544B2 JP 4080290 A JP4080290 A JP 4080290A JP 4080290 A JP4080290 A JP 4080290A JP 2621544 B2 JP2621544 B2 JP 2621544B2
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- Japan
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- lead frame
- inner lead
- insulating film
- composite
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複合リードフレーム、特にIC素子搭載部に絶
縁フィルムを介して所定のパターンのインナーリード部
を有する複合リードフレームに関する。
縁フィルムを介して所定のパターンのインナーリード部
を有する複合リードフレームに関する。
IC素子を搭載する複合リードフレームは、第４図に示
すように、IC素子搭載部２、アウターリード部５、外枠
部６、タイバー部７の４つの部分から成るニッケル等の
金属板で構成されたリードフレーム本体１を有し、第５
図に示すように、IC素子搭載部２上には有機物絶縁フィ
ルム３と、その上に所定のパターンを有する金属層から
成るインナーリード部41が設けられている。
すように、IC素子搭載部２、アウターリード部５、外枠
部６、タイバー部７の４つの部分から成るニッケル等の
金属板で構成されたリードフレーム本体１を有し、第５
図に示すように、IC素子搭載部２上には有機物絶縁フィ
ルム３と、その上に所定のパターンを有する金属層から
成るインナーリード部41が設けられている。
このような複合リードフレームを製造するには、従
来、所定の形状をもつリードフレーム本体１を形成する
一方、それとは別に有機物絶縁フィルム３上にフォトエ
ッチングによりインナーリード部41を形成させ、リード
フレームのIC搭載部２上にこれを接着していた。その工
程は第６図に示す通りで、まず第６図（Ａ），（Ｂ）に
示すように、有機物絶縁フィルム３上に全面に、金属箔
の接着あるいは無電解めっきによる析出により、金属層
61を設ける。第６図（Ｃ）に示すようにその上にフォト
レジスト62を塗布した後、第６図（Ｄ）に示すように、
所定の形状の開口部63aを有するフォトマスク63を介し
て露光し、現像することにより、フォトマスク63の開口
部63aに対応する部分のみに第６図（Ｅ）に示すように
レジスト62aを残留させ、レジスト62aの残留している部
分以外の金属層61を湿式エッチングにより除去して、第
６図（Ｆ）に示すようにインナーリード部41を形成させ
る。第６図（Ｇ）に示すようにレジスト62aを除去した
後、第６図（Ｈ）に示すように、リードフレーム本体の
IC素子搭載部２に有機物絶縁フィルム３を接着させる。
来、所定の形状をもつリードフレーム本体１を形成する
一方、それとは別に有機物絶縁フィルム３上にフォトエ
ッチングによりインナーリード部41を形成させ、リード
フレームのIC搭載部２上にこれを接着していた。その工
程は第６図に示す通りで、まず第６図（Ａ），（Ｂ）に
示すように、有機物絶縁フィルム３上に全面に、金属箔
の接着あるいは無電解めっきによる析出により、金属層
61を設ける。第６図（Ｃ）に示すようにその上にフォト
レジスト62を塗布した後、第６図（Ｄ）に示すように、
所定の形状の開口部63aを有するフォトマスク63を介し
て露光し、現像することにより、フォトマスク63の開口
部63aに対応する部分のみに第６図（Ｅ）に示すように
レジスト62aを残留させ、レジスト62aの残留している部
分以外の金属層61を湿式エッチングにより除去して、第
６図（Ｆ）に示すようにインナーリード部41を形成させ
る。第６図（Ｇ）に示すようにレジスト62aを除去した
後、第６図（Ｈ）に示すように、リードフレーム本体の
IC素子搭載部２に有機物絶縁フィルム３を接着させる。
しかし、上記の方法でリードフレームのIC素子搭載部
に絶縁物フィルムを介してインナーリード部を形成させ
る際には、フォトマスクをフォトレジスト上に密着させ
る段階と、インナーリード部が形成された絶縁物フィル
ムをリードフレーム本体に接着させる段階と、少なくと
も２つの段階で精密に位置合わせをする必要があり、位
置合わせの作業に手間がかかる上に、充分な位置精度を
得ることは困難であった。その結果製品の歩留まりが悪
く、量産の障害となっていた。
に絶縁物フィルムを介してインナーリード部を形成させ
る際には、フォトマスクをフォトレジスト上に密着させ
る段階と、インナーリード部が形成された絶縁物フィル
ムをリードフレーム本体に接着させる段階と、少なくと
も２つの段階で精密に位置合わせをする必要があり、位
置合わせの作業に手間がかかる上に、充分な位置精度を
得ることは困難であった。その結果製品の歩留まりが悪
く、量産の障害となっていた。
工程全体が長いことも、手間を増やし、製造コストを
上昇させていた。
上昇させていた。
また、インナーリード部のパターン形成にエッチング
を用いるので、リード部の側面の非直線性等のため、リ
ード部の微細化を困難にし、IC素子の集積度向上の妨げ
になっていた。
を用いるので、リード部の側面の非直線性等のため、リ
ード部の微細化を困難にし、IC素子の集積度向上の妨げ
になっていた。
それ故本発明の目的は第一に、製品の歩留まりがよ
く、量産に適する、複合リードフレームの製造方法を提
供することである。
く、量産に適する、複合リードフレームの製造方法を提
供することである。
本発明の目的は第二に、位置合わせの手間が少なく、
かつ位置合わせの精度を得ることが容易になり、その結
果製造コストが低下し、歩留まりが向上した。複合リー
ドフレームの製造方法を提供することである。
かつ位置合わせの精度を得ることが容易になり、その結
果製造コストが低下し、歩留まりが向上した。複合リー
ドフレームの製造方法を提供することである。
本発明の目的は、第三に、インナーリード部の微細化
が可能な複合リードフレームを提供することである。
が可能な複合リードフレームを提供することである。
上記目的を達成するため、本発明では、インナーリー
ド部が形成されない状態でリードフレーム本体のIC素子
搭載部に接着された絶縁物フィルム上に、インナーリー
ド部を形成させるようにした。
ド部が形成されない状態でリードフレーム本体のIC素子
搭載部に接着された絶縁物フィルム上に、インナーリー
ド部を形成させるようにした。
インナーリード部の形状は気相成膜法が好ましく、絶
縁物フィルムには通常有機物フィルム、例えばポリイミ
ドフィルムが用いられるが、無機物、例えば雲母、セラ
ミックス等を用いることも可能である。
縁物フィルムには通常有機物フィルム、例えばポリイミ
ドフィルムが用いられるが、無機物、例えば雲母、セラ
ミックス等を用いることも可能である。
気相成膜法としては、スパッタリング、電子ビーム蒸
着を含む真空蒸着、イオンプレーティング、プラズマCV
D、熱CVD等を利用することができる。
着を含む真空蒸着、イオンプレーティング、プラズマCV
D、熱CVD等を利用することができる。
本発明では、リードフレーム本体に、インナーリード
部が形成されない状態で絶縁物フィルムを接着した後
に、その上に気相成膜法を用いたインナーリード部を形
成させるようにしたので、リードフレーム本体と絶縁物
フィルムの貼り合わせの際の位置合わせを必要としない
から、位置合わせに関連した歩留まりが向上し、量産適
性を得ることができる。また位置合わせの手間が減少す
るから、製造コストが低下する。
部が形成されない状態で絶縁物フィルムを接着した後
に、その上に気相成膜法を用いたインナーリード部を形
成させるようにしたので、リードフレーム本体と絶縁物
フィルムの貼り合わせの際の位置合わせを必要としない
から、位置合わせに関連した歩留まりが向上し、量産適
性を得ることができる。また位置合わせの手間が減少す
るから、製造コストが低下する。
気相成膜の際に、所定の開口部を有するマスクを用い
て成膜を行うことが可能であり、これによりフォトエッ
チングによるパターン形成の必要がなくなる。これはイ
ンナーリード部の微細化を可能にするだけでなく、工程
の大幅な短縮にもなるから、製造コストが低下する。
て成膜を行うことが可能であり、これによりフォトエッ
チングによるパターン形成の必要がなくなる。これはイ
ンナーリード部の微細化を可能にするだけでなく、工程
の大幅な短縮にもなるから、製造コストが低下する。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕 本発明の方法により製造される複合リードフレームの
例を第１図および第２図に示す。第２図は第１図におけ
るＡ−Ａに沿った断面を示す。なお、第１図および第２
図の複合リードフレームは、第４図および第５図の従来
方法により製造される複合リードフレームと基本形状に
おいて変りはない。第１図において、複合リードフレー
ム本体１は厚さ0.15mmの鉄−ニッケル合金板で、IC素子
搭載部２、アウターリード部５、外枠部６、タイバー部
７の４つの部分から成る。第２図に示されるように、IC
素子搭載部２上には絶縁フィルム３と、その上に所定の
パターンを有する金属層から成るインナーリード部４が
積層されて設けられている。絶縁フィルム３は厚さ50μ
ｍのポリイミドフィルムであり、インナーリード部４は
イオンプレーティングにより形成された厚さ３μｍのア
ルミニウムの層である。第１図の複合リードフレーム
は、以下のようにして製作した。
例を第１図および第２図に示す。第２図は第１図におけ
るＡ−Ａに沿った断面を示す。なお、第１図および第２
図の複合リードフレームは、第４図および第５図の従来
方法により製造される複合リードフレームと基本形状に
おいて変りはない。第１図において、複合リードフレー
ム本体１は厚さ0.15mmの鉄−ニッケル合金板で、IC素子
搭載部２、アウターリード部５、外枠部６、タイバー部
７の４つの部分から成る。第２図に示されるように、IC
素子搭載部２上には絶縁フィルム３と、その上に所定の
パターンを有する金属層から成るインナーリード部４が
積層されて設けられている。絶縁フィルム３は厚さ50μ
ｍのポリイミドフィルムであり、インナーリード部４は
イオンプレーティングにより形成された厚さ３μｍのア
ルミニウムの層である。第１図の複合リードフレーム
は、以下のようにして製作した。
鉄−ニッケル合金板の打ち抜きにより、第１図に示す
形状のリードフレーム本体１を製作した。絶縁フィルム
３として、所定の大きさのポリイミドフィルムをリード
フレーム本体１のIC素子搭載部２上の所定の位置に、図
示しない接着剤層を介して接着し、その上に、所定の開
口部をもつマスクを介してイオンプレーティングにより
インナーリード部４を形成した。この工程を第３図に拡
大断面で説明する。
形状のリードフレーム本体１を製作した。絶縁フィルム
３として、所定の大きさのポリイミドフィルムをリード
フレーム本体１のIC素子搭載部２上の所定の位置に、図
示しない接着剤層を介して接着し、その上に、所定の開
口部をもつマスクを介してイオンプレーティングにより
インナーリード部４を形成した。この工程を第３図に拡
大断面で説明する。
第３図（Ａ）はIC素子搭載部２に絶縁フィルム３を接
着する前の状態を示す。第３図（Ｂ）はIC素子搭載部２
に絶縁フィルム３が接着された状態を示す。第３図
（Ｃ）に示すように、絶縁フィルム３の上にマスク31を
密着させ、第３図（Ｄ）に示すように、窒素ガス等の不
活性気体雰囲気中で、開口部32を通してイオンプレーテ
ィングでアルミニウム被覆を施す。その結果、第３図
（Ｅ）に示すように、絶縁フィルム３上のマスク開口部
32に相当する部分に、インナーリード部４が形成され
る。絶縁フィルム３の上にマスク31を密着させる際に
は、できるだけ精密に位置合わせを行うが、このとき第
１図に示す基準孔８を位置の基準として利用する。イン
ナーリード部４形成後、マスク31を取り除く。
着する前の状態を示す。第３図（Ｂ）はIC素子搭載部２
に絶縁フィルム３が接着された状態を示す。第３図
（Ｃ）に示すように、絶縁フィルム３の上にマスク31を
密着させ、第３図（Ｄ）に示すように、窒素ガス等の不
活性気体雰囲気中で、開口部32を通してイオンプレーテ
ィングでアルミニウム被覆を施す。その結果、第３図
（Ｅ）に示すように、絶縁フィルム３上のマスク開口部
32に相当する部分に、インナーリード部４が形成され
る。絶縁フィルム３の上にマスク31を密着させる際に
は、できるだけ精密に位置合わせを行うが、このとき第
１図に示す基準孔８を位置の基準として利用する。イン
ナーリード部４形成後、マスク31を取り除く。
このようにして形成されたインナーリード部の位置精
度は、±0.05mmであった。従来のように前記第６図の工
程により製作した複合リードフレームのインナーリード
部の位置精度は、±0.2mmであったので、本発明による
複合リードフレームのインナーリード部の位置精度が格
段に優れていることがわかる。これは、本発明の方法に
より製造される複合リードフレームの場合、気相成膜の
マスクの位置以外に位置合わせを要しないからである。
従来の方法による場合は、少なくとも２回の位置合わせ
を必要としていた。位置精度の向上に伴い、規格内の製
品の歩留まりも向上した。
度は、±0.05mmであった。従来のように前記第６図の工
程により製作した複合リードフレームのインナーリード
部の位置精度は、±0.2mmであったので、本発明による
複合リードフレームのインナーリード部の位置精度が格
段に優れていることがわかる。これは、本発明の方法に
より製造される複合リードフレームの場合、気相成膜の
マスクの位置以外に位置合わせを要しないからである。
従来の方法による場合は、少なくとも２回の位置合わせ
を必要としていた。位置精度の向上に伴い、規格内の製
品の歩留まりも向上した。
本発明の複合リードフレームの製造方法によれば、以
上説明したように、リードフレーム本体１の打ち抜き、
絶縁フィルム３の接着、マスク31の密着、気相成膜によ
るインナーリード部４の形成、マスク31の除去の、５段
階の工程で製造される。これに対し、従来の方法では約
10段階の工程を要した。また製造に要する時間も、従来
の方法では完成まで約10時間を要したが、本発明の方法
では、約５時間に短縮された。
上説明したように、リードフレーム本体１の打ち抜き、
絶縁フィルム３の接着、マスク31の密着、気相成膜によ
るインナーリード部４の形成、マスク31の除去の、５段
階の工程で製造される。これに対し、従来の方法では約
10段階の工程を要した。また製造に要する時間も、従来
の方法では完成まで約10時間を要したが、本発明の方法
では、約５時間に短縮された。
本例ではリードフレーム本体１に鉄−ニッケル合金板
を用いたが、銅合金等を用いてもよいことは勿論であ
る。
を用いたが、銅合金等を用いてもよいことは勿論であ
る。
〔実施例２〕 実施例１では、マスクを介して気相成膜を行ったが、
マスクを省いて気相成膜を行うこともできる。本例で
は、リードフレーム本体１に絶縁フィルム３を接着した
後、マスクを介しないでイオンプレーティングでアルミ
ニウム層を形成し、フォトエッチングにより所定のパタ
ーンのインナーリード部４を形成した。このとき、アウ
ターリード部等はマスクされる。リードフレーム本体１
に絶縁フィルム３を接着した後に、その上にインナーリ
ード部４を形成するので、絶縁フィルム３の貼り合わせ
の際の位置合わせが不要となり、位置合わせはフォトエ
ッチングの際のマスクの位置合わせだけでよい。それ
故、従来の方法による複合リードフレームに比し、イン
ナーリード部の位置精度が優れる。フォトエッチングを
利用するため、エッジの非直線性により、インナーリー
ド部の微細化の限界は実施例１より若干劣る。
マスクを省いて気相成膜を行うこともできる。本例で
は、リードフレーム本体１に絶縁フィルム３を接着した
後、マスクを介しないでイオンプレーティングでアルミ
ニウム層を形成し、フォトエッチングにより所定のパタ
ーンのインナーリード部４を形成した。このとき、アウ
ターリード部等はマスクされる。リードフレーム本体１
に絶縁フィルム３を接着した後に、その上にインナーリ
ード部４を形成するので、絶縁フィルム３の貼り合わせ
の際の位置合わせが不要となり、位置合わせはフォトエ
ッチングの際のマスクの位置合わせだけでよい。それ
故、従来の方法による複合リードフレームに比し、イン
ナーリード部の位置精度が優れる。フォトエッチングを
利用するため、エッジの非直線性により、インナーリー
ド部の微細化の限界は実施例１より若干劣る。
本発明の複合リードフレームの製造方法は、製造上の
歩留まりがよく、量産適性を有する。また位置合わせの
手間の減少により、製造コストが低下する。
歩留まりがよく、量産適性を有する。また位置合わせの
手間の減少により、製造コストが低下する。
本発明によると、気相成膜の際に所定の開口部を有す
るマスクを用いてパターン形成を行うことが可能であ
り、これによりフォトエッチングによるパターン形成の
必要がなくなる。これはインナーリード部の微細化を可
能にするだけでなく、工程の短縮により、製造コストが
低下する。
るマスクを用いてパターン形成を行うことが可能であ
り、これによりフォトエッチングによるパターン形成の
必要がなくなる。これはインナーリード部の微細化を可
能にするだけでなく、工程の短縮により、製造コストが
低下する。
第１図は本発明の方法により製造される複合リードフレ
ームの一実施例の平面図、第２図は第１図の複合リード
フレームのIC素子搭載部の拡大断面図、第３図は本発明
の複合リードフレームの製造方法における製造工程を示
す説明図、第４図は従来の複合リードフレームの平面
図、第５図は従来の複合リードフレームのIC素子搭載部
の拡大断面図、第６図は従来の複合リードフレームの製
造工程を示す説明図である。 符号の説明 １……複合リードフレーム本体 ２……IC素子搭載部 ３……絶縁フィルム ４……インナーリード部 ５……アウターリード部 ６……外枠部 ７……タイバー部 ８……基準孔 31……マスク 32……開口部 41……インナーリード部 61……金属層 62……フォトレジスト 62a……レジスト 63……フォトマスク 63a……フォトマスクの開口部
ームの一実施例の平面図、第２図は第１図の複合リード
フレームのIC素子搭載部の拡大断面図、第３図は本発明
の複合リードフレームの製造方法における製造工程を示
す説明図、第４図は従来の複合リードフレームの平面
図、第５図は従来の複合リードフレームのIC素子搭載部
の拡大断面図、第６図は従来の複合リードフレームの製
造工程を示す説明図である。 符号の説明 １……複合リードフレーム本体 ２……IC素子搭載部 ３……絶縁フィルム ４……インナーリード部 ５……アウターリード部 ６……外枠部 ７……タイバー部 ８……基準孔 31……マスク 32……開口部 41……インナーリード部 61……金属層 62……フォトレジスト 62a……レジスト 63……フォトマスク 63a……フォトマスクの開口部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−22850（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232948（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−227454（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】予め形成されたアウターリード部と、イン
ナーリード部が形成されるべきIC素子搭載部とを組み合
わせることによって複合リードフレームを製造するに際
し、 前記IC素子搭載部上にインナーリード部が形成されてい
ない状態の絶縁フィルムを接着し、その後、前記絶縁フ
ィルム上にインナーリード部を形成することを特徴とす
る複合リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】前記インナーリード部を気相成膜法によっ
て形成する請求項第１項の複合リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080290A JP2621544B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 複合リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080290A JP2621544B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 複合リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242961A JPH03242961A (ja) | 1991-10-29 |
| JP2621544B2 true JP2621544B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=12590766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080290A Expired - Lifetime JP2621544B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 複合リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621544B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP4080290A patent/JP2621544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03242961A (ja) | 1991-10-29 |
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