JP2617947B2 - 加熱装置 - Google Patents

加熱装置

Info

Publication number
JP2617947B2
JP2617947B2 JP62250900A JP25090087A JP2617947B2 JP 2617947 B2 JP2617947 B2 JP 2617947B2 JP 62250900 A JP62250900 A JP 62250900A JP 25090087 A JP25090087 A JP 25090087A JP 2617947 B2 JP2617947 B2 JP 2617947B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
treatment tube
opening
arm
scavenger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62250900A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0193112A (ja
Inventor
篤 和田
亘 大加瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP62250900A priority Critical patent/JP2617947B2/ja
Priority to KR1019880012971A priority patent/KR970008319B1/ko
Publication of JPH0193112A publication Critical patent/JPH0193112A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2617947B2 publication Critical patent/JP2617947B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエハの熱処理等に用いられる加熱
装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体ウエハに薄膜を形成する場合は、第4図
に示すような縦型炉と呼ばれている熱処理装置を用い、
拡散,CVD法等を利用して薄膜を形成している。同図にお
いて図中1は装置本体で、この装置本体1の上部には熱
処理容器例えば石英製の熱処理チューブ2が下端を開口
させて鉛直に設けられている。上記熱処理チューブ2の
周囲には加熱装置例えばヒータ3が配設され、このヒー
タ3で熱処理チューブ2を外側から加熱するようになっ
ている。また、熱処理チューブ2の下方にはスカベンジ
ャー4を介してクリーンルーム5が設けられている。こ
のクリーンルーム5内には図示しない昇降装置が設けら
れ、この昇降装置により石英ポート6に収容された数十
枚の半導体ウエハWを炉蓋7とともにスカベンジャー4
の開口部8を通して熱処理チューブ2内に挿入するよう
になっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このような従来の熱処理装置では、半導体ウエハWが
熱処理チューブ2内に挿入されているときには炉蓋7が
熱処理チューブ2の下端開口部9を塞ぐため、熱処理チ
ューブ2内の熱が外部へ放出されることはないが、半導
体ウエハWを熱処理チューブ2内から取出したときには
炉蓋7が半導体ウエハWとともにクリーンルーム5内に
降下するため、熱処理チューブ2内の熱が外部へ放出さ
れ、周辺機器に熱影響を与える欠点があった。従って、
連続して次のロットの熱処理を行う場合、所望する温度
に設定するのに必要な時間を要し、生産性(スループッ
ト)が悪い欠点があった。
本発明はこのように問題点に着目してなされたもの
で、その目的とするところは、被加熱物を出入れするた
めの開口を下端に有する管状の熱処理チューブと、この
熱処理チューブの下方に設けられ前記被加熱物を前記熱
処理チューブの下方に形成されたクリーンルームから該
クリーンルームと前記熱処理チューブとの間に形成され
たスカベンジャーを経て前記熱処理チューブ内に搬入す
る昇降装置とを備えた加熱装置において、熱処理チュー
ブ内の熱が同チューブの下端開口から外部に放出される
ことを防止できる加熱理装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために被加熱物を出入れするた
めの開口を下端に有する管状の熱処理チューブと、この
熱処理チューブの下方に設けられ前記被加熱物を前記熱
処理チューブの下方に形成されたクリーンルームから該
クリーンルームと前記熱処理チューブとの間に形成され
たスカベンジャーを経て前記熱処理チューブ内に搬入す
る昇降装置と、前記熱処理チューブの下端開口を閉塞す
ると共に前記クリーンルームと前記スカベンジャーとの
間に形成された開口部を閉塞する炉口遮蔽装置とを具備
し、 前記炉口遮蔽装置は、 上下動自在な駆動軸および該駆動軸の軸心を中心とし
て旋回駆動する駆動部と、前記駆動部に支持され一体的
に旋回駆動される上側アームと下側アームとからなる上
下二重構造で、前記上側アームは前記駆動部によって上
下動される二重アーム機構と、前記上側アームに受け板
を介して上下方向に移動自在に支持され、前記駆動部に
よる前記上側アームの旋回によって前記熱処理チューブ
の下端開口に対向し、前記駆動部による前記上側アーム
の上昇によって前記熱処理チューブの下端開口を閉塞す
る石英製の遮蔽板と、前記下側アームに設けられ、前記
駆動部による前記下側アームの旋回によって前記クリー
ンルームと前記スカベンジャーとの間の開口部に対向し
てこれを閉塞するスカベンジャー遮蔽板と、前記上側ア
ームと前記受け板との間に設けられ前記遮蔽板に作用す
る衝撃力を吸収する弾性部材とを具備していることを特
徴とする。
〔作 用〕
本発明では、熱処理容器内から処理済みの被熱処理物
を取出すと、炉口遮蔽装置が作動して熱処理チューブの
下端開口部およびクリーンルームに連通したスカベンジ
ャーの開口部を遮蔽するため、熱処理チューブからの放
熱を防止することができ、次の処理を連続して実行でき
る。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図を参照して
説明する。なお、第4図と同一部分には同一符号を付
し、その詳細な説明を省略する。
熱処理チューブ2の開口部9に結合して設けられたス
カベンジャー4内には炉口遮蔽装置10が配設される。こ
の炉口遮蔽装置10は第2図および第3図に示すように例
えば900〜1200℃の拡散処理を行う容器例えば石英製熱
処理チューブ2の下端開口部9を遮蔽する石英製遮蔽板
11と、スカベンジャー4の開口部8を遮蔽する石英製の
スカベンジャー遮蔽板12とを有し、これらの遮蔽板11,1
2は後述する手段によって上下動および旋回する二重ア
ーム機構を構成する上側アーム13および下側アーム14の
先端に取付けられて構成されている。
上記上側アーム13および下側アーム14は、両アーム1
3,14の後端に取付けたアーム支持体15,16を介して駆動
軸17の下端に水平に支持されている。この駆動軸17の上
端には駆動部18が設けられ、この駆動部18により駆動軸
17を周方向に回動させると共に軸方向に上下動させるよ
うになっている。上記アーム支持体15,16は駆動軸17と
一体に回動し、上側アーム13および下側アーム14を第3
図中実線で示す位置から仮想線で示す位置へ回動させて
石英遮蔽板11およびスカベンジャー遮蔽板12を熱処理チ
ューブ12の真下に位置させるようになっている。また、
アーム支持体15は駆動軸17と一体に上下動し、上側アー
ム13を第2図中実線で示す位置から仮想線で示す位置へ
上昇させて石英遮蔽板11は熱処理チューブ2の下面に嵌
合し押し付けるようになっている。なお、上側アーム12
の先端部にはスプリング19により上方へ付勢された受け
板20が上下動可能に設けられており、前記石英遮蔽板11
は上記受け板20の上面に弾性体21を介して支持されてい
る。
上記の構成において半導体ウエハをボート(図示せ
ず)内に数十枚収納されて拡散処理を行う。予め定めら
れた処理後、上記拡散処理が終了し、900〜1200℃に加
熱された半導体ウエハWの熱処理チューブ2内から取出
し、この取出しを検出すると、炉口遮蔽装置10が閉作動
し、上側アーム13および下側アーム14を回動させて石英
遮蔽板11およびスカベンジャー遮蔽板12を熱処理チュー
ブ2の真下に位置させる。次にこの状態で上側アーム13
を上方へ移動させ、石英遮蔽板11を熱処理チューブ2の
下面に当接させる。これにより熱処理チューブ2の下端
開口部9は石英遮蔽板11により、またスカベンジャー4
の開口部8はスカベンジャー遮蔽板12により遮蔽され
る。これらの一連のプログラムは予め記憶され、自動的
に実行される。
このように実行することにより、処理が終了し、カセ
ットに収納された処理物を取出した後において、熱処理
チューブ2内の熱が外部へ放出されるのを防止できる。
このため、次の処理を連続して実行でき、スループット
が向上する。また、本発明の一実施例では、駆動部18を
駆動して遮蔽板11を熱処理チューブ2の下端に押し当て
ると、受け板20と上側アーム12との間に設けられた弾性
部材としてのスプリング19が弾性変形し、遮蔽板11に作
用する衝撃力が吸収されるので、石英からなる遮蔽板11
を破損させることなく熱処理チューブ2の下端開口を気
密に閉塞することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、熱処理容器内か
ら処理済みの被熱処理物を取出したときに熱処理容器の
下端開口部およびスカベンジャーの開口部を炉口遮蔽装
置により遮蔽するようにしたので、熱処理容器内の熱が
外部へ放出されるようなことがなく、放熱による周辺機
器への熱影響を防止することができる。また、石英から
なる熱遮蔽板を破損させることなく熱処理チューブの下
端開口を気密に閉塞することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による熱処理装置の一実施例を示す正面
図、第2図は同装置の炉口遮蔽装置を示す縦断面図、第
3図はその平面図、第4図は従来の熱処理装置を示す正
面図である。 1……装置本体、2……熱処理チューブ、3……ヒー
タ、4……スカベンジャー、5……クリーンルーム、10
……炉口遮蔽装置、11……石英遮蔽板、12……スカベン
ジャー遮蔽板。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被加熱物を出入れするための開口を下端に
    有する管状の熱処理チューブと、 この熱処理チューブの下方に設けられ前記被加熱物を前
    記熱処理チューブの下方に形成されたクリーンルームか
    ら該クリーンルームと前記熱処理チューブとの間に形成
    されたスカベンジャーを経て前記熱処理チューブ内に搬
    入する昇降装置と、 前記熱処理チューブの下端開口を閉塞すると共に前記ク
    リーンルームと前記スカベンジャーとの間に形成された
    開口部を閉塞する炉口遮蔽装置とを具備し、 前記炉口遮蔽装置は、 上下動自在な駆動軸および該駆動軸の軸心を中心として
    旋回駆動する駆動部と、 前記駆動部に支持され一体的に旋回駆動される上側アー
    ムと下側アームとからなる上下二重構造で、前記上側ア
    ームは前記駆動部によって上下動される二重アーム機構
    と、 前記上側アームに受け板を介して上下方向に移動自在に
    支持され、前記駆動部による前記上側アームの旋回によ
    って前記熱処理チューブの下端開口に対向し、前記駆動
    部による前記上側アームの上昇によって前記熱処理チュ
    ーブの下端開口を閉塞する石英製の遮蔽板と、 前記下側アームに設けられ、前記駆動部による前記下側
    アームの旋回によって前記クリーンルームと前記スカベ
    ンジャーとの間の開口部に対向してこれを閉塞するスカ
    ベンジャー遮蔽板と、 前記上側アームと前記受け板との間に設けられ前記遮蔽
    板に作用する衝撃力を吸収する弾性部材とを具備してい
    ることを特徴とする加熱装置。
JP62250900A 1987-10-05 1987-10-05 加熱装置 Expired - Lifetime JP2617947B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62250900A JP2617947B2 (ja) 1987-10-05 1987-10-05 加熱装置
KR1019880012971A KR970008319B1 (ko) 1987-10-05 1988-10-05 종형 열처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62250900A JP2617947B2 (ja) 1987-10-05 1987-10-05 加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0193112A JPH0193112A (ja) 1989-04-12
JP2617947B2 true JP2617947B2 (ja) 1997-06-11

Family

ID=17214700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62250900A Expired - Lifetime JP2617947B2 (ja) 1987-10-05 1987-10-05 加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2617947B2 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5740519Y2 (ja) * 1978-11-24 1982-09-06
JPH0220826Y2 (ja) * 1985-02-15 1990-06-06
JPH0447956Y2 (ja) * 1985-04-16 1992-11-12

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0193112A (ja) 1989-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5988438B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
US5556275A (en) Heat treatment apparatus
JP4133062B2 (ja) 熱処理装置
JP3218164B2 (ja) 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法
CN117059526A (zh) 基板处理方法
US5791895A (en) Apparatus for thermal treatment of thin film wafer
JP2617947B2 (ja) 加熱装置
TWI654700B (zh) 基板處理方法
US6752625B1 (en) Method and apparatus device for the heat treatment of substrates
JP2000133647A (ja) 加熱処理方法、加熱処理装置及び処理システム
JP3138291B2 (ja) 半導体ウエハの熱処理方法
JPH0220826Y2 (ja)
JP2616899B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPS6113373B2 (ja)
JPH0787185B2 (ja) 半導体の熱処理方法
JP7372079B2 (ja) 加熱部材の清浄方法および基板処理装置
JP2002307005A (ja) 基板処理装置
JPS6074545A (ja) ウエハの着脱方法
JPS6142920Y2 (ja)
JP2548552B2 (ja) 基板保持機構
JPS63178519A (ja) 半導体熱処理装置
JPH04120724A (ja) 縦型熱処理装置
JP2023527725A (ja) オーバーヘッドスクリーンを有する基板を取り扱うためのツール、並びに関連する取り扱い方法及びエピタキシャル反応器
JPH0547686A (ja) 縦型半導体熱処理装置
WO1995023427A2 (en) Apparatus for thermal treatment of thin film wafer

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080311

Year of fee payment: 11