JP2614895B2 - 真空蒸着用銅基材 - Google Patents
真空蒸着用銅基材Info
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- JP2614895B2 JP2614895B2 JP63119634A JP11963488A JP2614895B2 JP 2614895 B2 JP2614895 B2 JP 2614895B2 JP 63119634 A JP63119634 A JP 63119634A JP 11963488 A JP11963488 A JP 11963488A JP 2614895 B2 JP2614895 B2 JP 2614895B2
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- thin film
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- vacuum deposition
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、真空蒸着による銅薄膜の形成に使用する真
空蒸着用銅基材に関する。
空蒸着用銅基材に関する。
［従来の技術］ 近時、電子デバイスの電極として銅薄膜を使用する傾
向が増加しつつある。この銅薄膜は銅基材を使用して真
空蒸着により基板上に形成されることが多い。
向が増加しつつある。この銅薄膜は銅基材を使用して真
空蒸着により基板上に形成されることが多い。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、電子デバイスの製造プロセスにおい
て、従来、市販されている純度が99.99重量％以下の銅
基材を使用して真空蒸着により銅薄膜を形成すると、こ
の蒸着銅薄膜に種々の表面欠陥が発生する。特に、突起
状の欠陥が銅薄膜表面に多発し、銅薄膜形成工程におけ
る補修率を増加させると共に、歩留を著しく低下させて
しまうという問題点があった。
て、従来、市販されている純度が99.99重量％以下の銅
基材を使用して真空蒸着により銅薄膜を形成すると、こ
の蒸着銅薄膜に種々の表面欠陥が発生する。特に、突起
状の欠陥が銅薄膜表面に多発し、銅薄膜形成工程におけ
る補修率を増加させると共に、歩留を著しく低下させて
しまうという問題点があった。
ところで、純度が99.999重量％以上の高純度銅基材を
使用して、同様に真空蒸着によって銅薄膜を形成する
と、この銅蒸着面には殆ど表面欠陥が見られず、良好な
銅薄膜が得られる。しかしながら、この高純度銅基材は
高価であるため、電子デバイスの製造コストを著しく上
昇させてしまうという問題点があった。
使用して、同様に真空蒸着によって銅薄膜を形成する
と、この銅蒸着面には殆ど表面欠陥が見られず、良好な
銅薄膜が得られる。しかしながら、この高純度銅基材は
高価であるため、電子デバイスの製造コストを著しく上
昇させてしまうという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、低廉であると共に、蒸着膜表面に欠陥を生じさせな
い真空蒸着用銅基材を提供することを目的とする。
て、低廉であると共に、蒸着膜表面に欠陥を生じさせな
い真空蒸着用銅基材を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る真空蒸着用銅基材は、純度が99.99重量
％以下の銅であって、Ｏの含有量が20ppm以下であると
共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量の総計が20ppm以下である
ことを特徴とする。
％以下の銅であって、Ｏの含有量が20ppm以下であると
共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量の総計が20ppm以下である
ことを特徴とする。
［作用］ 本願発明者等は、種々の銅基材について真空蒸着によ
り銅薄膜を形成し、その膜表面を観察する実験を繰り返
したところ、銅基材中の侵入型不純物元素のＯ（酸素）
含有量が減少するほど、蒸着膜の表面欠陥が少なくなる
という知見を得た。しかしながら、銅基材中のＯ含有量
を低減しても、他の侵入型不純物元素であるＮ、Ｃ及び
Ｂの含有量が多い場合は、真空蒸着によって得られる銅
蒸着膜表面に突起状の欠陥が生じやすくなる。
り銅薄膜を形成し、その膜表面を観察する実験を繰り返
したところ、銅基材中の侵入型不純物元素のＯ（酸素）
含有量が減少するほど、蒸着膜の表面欠陥が少なくなる
という知見を得た。しかしながら、銅基材中のＯ含有量
を低減しても、他の侵入型不純物元素であるＮ、Ｃ及び
Ｂの含有量が多い場合は、真空蒸着によって得られる銅
蒸着膜表面に突起状の欠陥が生じやすくなる。
本発明はこのような実験結果に基いて完成されたもの
である。即ち、純度が99.99重量％以下の銅を真空蒸着
用基材として使用しても、Ｏの含有量と、Ｎ、Ｃ及びＢ
の含有量総計とを適当量以下に規制することにより、真
空蒸着によって得られる銅薄膜面上に表面欠陥が発生す
ることを防止することができる。
である。即ち、純度が99.99重量％以下の銅を真空蒸着
用基材として使用しても、Ｏの含有量と、Ｎ、Ｃ及びＢ
の含有量総計とを適当量以下に規制することにより、真
空蒸着によって得られる銅薄膜面上に表面欠陥が発生す
ることを防止することができる。
本発明において、銅基材中のＯ含有量を20ppm以下に
規制したのは、Ｏ含有量が20ppmを超えると、真空蒸着
後の銅薄膜面上に突起状の表面欠陥が生じるためであ
る。
規制したのは、Ｏ含有量が20ppmを超えると、真空蒸着
後の銅薄膜面上に突起状の表面欠陥が生じるためであ
る。
また、Ｏと同様に侵入型不純物であるＮ、Ｃ及びＢの
含有量総計を20ppm以下と限定したのは、この含有量総
計が20ppmを超えると、Ｏ含有量が20ppm以下の場合であ
っても真空蒸着後の銅蒸着面に突起状の表面欠陥が発生
してしまうためである。また、逆に、Ｎ、Ｃ及びＢの含
有量総計が20ppm以下であっても、銅基材中のＯ含有量
が20ppmより多くなると、真空蒸着後の銅蒸着面に突起
状の表面欠陥が生じる。従って、銅基材のＯ含有量を20
ppm以下にすると共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量総計も20p
pm以下にする。
含有量総計を20ppm以下と限定したのは、この含有量総
計が20ppmを超えると、Ｏ含有量が20ppm以下の場合であ
っても真空蒸着後の銅蒸着面に突起状の表面欠陥が発生
してしまうためである。また、逆に、Ｎ、Ｃ及びＢの含
有量総計が20ppm以下であっても、銅基材中のＯ含有量
が20ppmより多くなると、真空蒸着後の銅蒸着面に突起
状の表面欠陥が生じる。従って、銅基材のＯ含有量を20
ppm以下にすると共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量総計も20p
pm以下にする。
前記元素を所定範囲に規制した銅基材は、純度が99.9
9重量％以下という比較的低純度の銅を出発原料として
作製しても銅薄膜の表面欠陥を防止することができるた
め、純度が99.999重量％以上の高純度銅基材に比較して
低廉な真空蒸着用銅基材を得ることができる。
9重量％以下という比較的低純度の銅を出発原料として
作製しても銅薄膜の表面欠陥を防止することができるた
め、純度が99.999重量％以上の高純度銅基材に比較して
低廉な真空蒸着用銅基材を得ることができる。
しかしながら、表面欠陥の発生を確実に回避するため
には、可及的に純度が高い銅基材を出発銅原料とした方
が良く、好ましくは、純度が99.9重量％以上の銅を出発
原料として銅基材を作製した方が所望の真空蒸着用銅基
材が得られやすい。
には、可及的に純度が高い銅基材を出発銅原料とした方
が良く、好ましくは、純度が99.9重量％以上の銅を出発
原料として銅基材を作製した方が所望の真空蒸着用銅基
材が得られやすい。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について説明する。純度が99.9
5重量％のタフピッチ銅を出発原料として、N2ガス雰囲
気若しくは真空雰囲気で鋳造し又は電解精製すると共
に、Ｂを添加したり、黒鉛るつぼを使用することによっ
て、Ｏ、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量が下記第１表に示すよう
な銅基材を各々複数個作製した。但し、比較例５は出発
原料自体である。
5重量％のタフピッチ銅を出発原料として、N2ガス雰囲
気若しくは真空雰囲気で鋳造し又は電解精製すると共
に、Ｂを添加したり、黒鉛るつぼを使用することによっ
て、Ｏ、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量が下記第１表に示すよう
な銅基材を各々複数個作製した。但し、比較例５は出発
原料自体である。
この各実施例及び比較例に係る銅基材を使用して、Al
2O3基板上に、到達真空度が１×10-6Torrの条件下で、
真空蒸着による銅薄膜を形成し、この薄膜表面を顕微鏡
観察して、突起状（１μｍ以上の凸部）の表面欠陥の有
無を調べた。この表面欠陥の有無を第１表に併せて示
す。
2O3基板上に、到達真空度が１×10-6Torrの条件下で、
真空蒸着による銅薄膜を形成し、この薄膜表面を顕微鏡
観察して、突起状（１μｍ以上の凸部）の表面欠陥の有
無を調べた。この表面欠陥の有無を第１表に併せて示
す。
この第１表からわかるように、本発明の実施例1,2に
係る銅基材を使用した場合は銅蒸着面に表面欠陥は存在
しない。これに対し、比較例１乃至５の場合は表面欠陥
が発生している。
係る銅基材を使用した場合は銅蒸着面に表面欠陥は存在
しない。これに対し、比較例１乃至５の場合は表面欠陥
が発生している。
なお、上述の実施例1,2又は比較例１乃至５に係る銅
基材は、Ag、Fe、Ni等の不純物元素を数ppm乃至数十ppm
含有しているが、これらの不純物元素をこの程度含有し
ても銅蒸着面上の表面欠陥に及ぼす影響はない。
基材は、Ag、Fe、Ni等の不純物元素を数ppm乃至数十ppm
含有しているが、これらの不純物元素をこの程度含有し
ても銅蒸着面上の表面欠陥に及ぼす影響はない。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、Ｏの含有量を20
ppm以下とすると共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量総計を20p
pm以下に規制するから、純度が99.999重量％より低い場
合であっても、高純度銅基材を使用したのと同様に、真
空蒸着により形成される銅薄膜の表面欠陥を防止するこ
とができ、銅薄膜に表面欠陥が発生しない低廉な銅基材
を得ることができる。
ppm以下とすると共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含有量総計を20p
pm以下に規制するから、純度が99.999重量％より低い場
合であっても、高純度銅基材を使用したのと同様に、真
空蒸着により形成される銅薄膜の表面欠陥を防止するこ
とができ、銅薄膜に表面欠陥が発生しない低廉な銅基材
を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】純度が99.99重量％以下の銅であって、Ｏ
の含有量が20ppm以下であると共に、Ｎ、Ｃ及びＢの含
有量の総計が20ppm以下であることを特徴とする真空蒸
着用銅基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119634A JP2614895B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 真空蒸着用銅基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119634A JP2614895B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 真空蒸着用銅基材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290728A JPH01290728A (ja) | 1989-11-22 |
| JP2614895B2 true JP2614895B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14766304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119634A Expired - Lifetime JP2614895B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 真空蒸着用銅基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614895B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6294969A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-01 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置用ボンデイングワイヤ |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63119634A patent/JP2614895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290728A (ja) | 1989-11-22 |
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