JP2614885B2 - 真空蒸着用銅基材 - Google Patents
真空蒸着用銅基材Info
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- JP2614885B2 JP2614885B2 JP63029340A JP2934088A JP2614885B2 JP 2614885 B2 JP2614885 B2 JP 2614885B2 JP 63029340 A JP63029340 A JP 63029340A JP 2934088 A JP2934088 A JP 2934088A JP 2614885 B2 JP2614885 B2 JP 2614885B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、真空蒸着による銅薄膜の形成に使用する真
空蒸着用銅基材に関する。
空蒸着用銅基材に関する。
［従来の技術］ 近時、電子デバイスの電極として銅薄膜を使用する傾
向が増加しつつある。この銅薄膜は銅基材を使用して真
空蒸着により基板上に形成されることが多い。
向が増加しつつある。この銅薄膜は銅基材を使用して真
空蒸着により基板上に形成されることが多い。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、電子デバイスの製造プロセスにおい
て、従来、市販されている純度が99.99重量％以下の銅
基材を使用して真空蒸着により銅薄膜を形成すると、こ
の蒸着銅薄膜に種々の表面欠陥が発生する。特に、突起
状の欠陥が銅薄膜表面に多発し、銅薄膜形成工程におけ
る補修率を増加させると共に、歩留を著しく低下させて
しまうという問題点があった。
て、従来、市販されている純度が99.99重量％以下の銅
基材を使用して真空蒸着により銅薄膜を形成すると、こ
の蒸着銅薄膜に種々の表面欠陥が発生する。特に、突起
状の欠陥が銅薄膜表面に多発し、銅薄膜形成工程におけ
る補修率を増加させると共に、歩留を著しく低下させて
しまうという問題点があった。
ところで、純度が99.999重量％以上の高純度銅基材を
使用して、同様に真空蒸着によって銅薄膜を形成する
と、この銅蒸着面には殆ど表面欠陥が見られず、良好な
銅薄膜が得らえる。しかしながら、この高純度銅基材は
高価であるため、電子デバイスの製造コストを著しく上
昇させてしまうという問題点があった。
使用して、同様に真空蒸着によって銅薄膜を形成する
と、この銅蒸着面には殆ど表面欠陥が見られず、良好な
銅薄膜が得らえる。しかしながら、この高純度銅基材は
高価であるため、電子デバイスの製造コストを著しく上
昇させてしまうという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、低廉であると共に、蒸着膜表面に欠陥を生じさせな
い真空蒸着用銅基材を提供することを目的とする。
て、低廉であると共に、蒸着膜表面に欠陥を生じさせな
い真空蒸着用銅基材を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る真空蒸着用銅基材は、純度が99.99重量
％以下の銅であって、Ｏの含有量が20ppm以下であると
共に、Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量が総計
が10ppm以下であることを特徴とする。
％以下の銅であって、Ｏの含有量が20ppm以下であると
共に、Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量が総計
が10ppm以下であることを特徴とする。
［作用］ 本願発明者等は、種々の銅基材について真空蒸着によ
り銅薄膜を形成し、その膜表面を観察する実験を繰り返
したところ、銅基材中のＯ（酸素）含有量が減少するほ
ど、蒸着膜の表面欠陥が少なくなるという知見を得た。
しかしながら、銅基材中のＯ含有量を低減しても、銅に
比較して低融点であると共に、同一温度での蒸気圧が高
い元素であるＰ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pb等の含有
量が多い場合は、真空蒸着によって得られる銅蒸着膜表
面に突起状の欠陥が生じやすくなる。
り銅薄膜を形成し、その膜表面を観察する実験を繰り返
したところ、銅基材中のＯ（酸素）含有量が減少するほ
ど、蒸着膜の表面欠陥が少なくなるという知見を得た。
しかしながら、銅基材中のＯ含有量を低減しても、銅に
比較して低融点であると共に、同一温度での蒸気圧が高
い元素であるＰ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pb等の含有
量が多い場合は、真空蒸着によって得られる銅蒸着膜表
面に突起状の欠陥が生じやすくなる。
本発明はこのような実験結果に基いて完成されたもの
である。即ち、純度が99.99重量％以下の銅を真空蒸着
用基材として使用しても、Ｏの含有量と、Ｐ、As、Sb、
Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計とを適当量以下に規制
することにより、真空蒸着によって得られる銅薄膜面上
に表面欠陥が発生することを防止することができる。
である。即ち、純度が99.99重量％以下の銅を真空蒸着
用基材として使用しても、Ｏの含有量と、Ｐ、As、Sb、
Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計とを適当量以下に規制
することにより、真空蒸着によって得られる銅薄膜面上
に表面欠陥が発生することを防止することができる。
本発明において、銅基材中のＯ含有量を20ppm以下に
規制したのは、Ｏ含有量が20ppmを超えると、真空蒸着
後の銅薄膜面上に突起状の表面欠陥が生じるためであ
る。また、低融点高蒸気圧のＰ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、
Zn、Pbの含有量総計を10ppm以下と限定したのは、含有
量総計がこの10ppmを超えると、Ｏ含有量が20ppm以下の
場合であっても真空蒸着後の銅蒸着面に表面欠陥が発生
してしまうためである。また、逆に、Ｐ、As、Sb、Bi、
Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計が10ppm以下であっても、
銅基材中のＯ含有量が20ppmより多くなると、真空蒸着
後の銅蒸着面に表面欠陥が生じる。従って、銅基材のＯ
含有量を20ppm以下にすると共に、Ｐ、As、Sb、Bi、
Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計も10ppm以下にする。
規制したのは、Ｏ含有量が20ppmを超えると、真空蒸着
後の銅薄膜面上に突起状の表面欠陥が生じるためであ
る。また、低融点高蒸気圧のＰ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、
Zn、Pbの含有量総計を10ppm以下と限定したのは、含有
量総計がこの10ppmを超えると、Ｏ含有量が20ppm以下の
場合であっても真空蒸着後の銅蒸着面に表面欠陥が発生
してしまうためである。また、逆に、Ｐ、As、Sb、Bi、
Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計が10ppm以下であっても、
銅基材中のＯ含有量が20ppmより多くなると、真空蒸着
後の銅蒸着面に表面欠陥が生じる。従って、銅基材のＯ
含有量を20ppm以下にすると共に、Ｐ、As、Sb、Bi、
Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量総計も10ppm以下にする。
前記元素を所定範囲に規制した銅基材は、純度が99.9
9重量％以下の銅を出発原料として作製しても銅薄膜の
表面欠陥を防止することができるため、純度が99.999重
量％以上の高純度銅基材に比較して低廉な真空蒸着用銅
基材を得ることができる。
9重量％以下の銅を出発原料として作製しても銅薄膜の
表面欠陥を防止することができるため、純度が99.999重
量％以上の高純度銅基材に比較して低廉な真空蒸着用銅
基材を得ることができる。
しかしながら、表面欠陥の発生を確実に回避するため
には、可及的に純度が高い銅基材を出発銅原料とした方
が良く、好ましくは、純度が99.9重量％以上の銅を出発
原料として銅基材を作製した方が所望の真空蒸着用銅基
材が得られやすい。
には、可及的に純度が高い銅基材を出発銅原料とした方
が良く、好ましくは、純度が99.9重量％以上の銅を出発
原料として銅基材を作製した方が所望の真空蒸着用銅基
材が得られやすい。
［実施例］ 次に、本発明の実施例について説明する。純度が99.9
5重量％のタフピッチ銅を出発原料として、還元若しく
は真空雰囲気での鋳造又は電解精製等によって、Ｏ、
Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量が下記第１表
に示すような銅基材を作製した。
5重量％のタフピッチ銅を出発原料として、還元若しく
は真空雰囲気での鋳造又は電解精製等によって、Ｏ、
Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量が下記第１表
に示すような銅基材を作製した。
この各実施例及び比較例に係る銅基材を使用して、Al
2O3基板上に、到達真空度が１×10-6Torrの条件下で、
真空蒸着による銅薄膜を形成し、この薄膜表面を顕微鏡
観察して、突起状（１μｍ以上の凸部）の表面欠陥の有
無を調べた。この表面欠陥の有無を第１表に併せて示
す。
2O3基板上に、到達真空度が１×10-6Torrの条件下で、
真空蒸着による銅薄膜を形成し、この薄膜表面を顕微鏡
観察して、突起状（１μｍ以上の凸部）の表面欠陥の有
無を調べた。この表面欠陥の有無を第１表に併せて示
す。
この第１表からわかるように、本発明の実施例1,2に
係る銅基材を使用した場合は銅蒸着面に表面欠陥は存在
しない。これに対し、比較例１乃至４の場合は表面欠陥
が発生している。
係る銅基材を使用した場合は銅蒸着面に表面欠陥は存在
しない。これに対し、比較例１乃至４の場合は表面欠陥
が発生している。
なお、上述の実施例1,2又は比較例１乃至４に係る銅
基材は、Ag、Fe、Ni等の不純物元素を数ppm乃至数十ppm
含有しているが、銅蒸着面上の表面欠陥に及ぼす影響は
ない。
基材は、Ag、Fe、Ni等の不純物元素を数ppm乃至数十ppm
含有しているが、銅蒸着面上の表面欠陥に及ぼす影響は
ない。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、Ｏの含有量を20
ppm以上とすると共に、Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、P
bの含有量総計を10ppm以下に規制するから、純度が99.9
99重量％より低い場合であっても、真空蒸着により形成
される銅薄膜の表面欠陥を防止することができ、銅薄膜
に表面欠陥が発生しない低廉な銅基材を得ることができ
る。
ppm以上とすると共に、Ｐ、As、Sb、Bi、Ｓ、Se、Zn、P
bの含有量総計を10ppm以下に規制するから、純度が99.9
99重量％より低い場合であっても、真空蒸着により形成
される銅薄膜の表面欠陥を防止することができ、銅薄膜
に表面欠陥が発生しない低廉な銅基材を得ることができ
る。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−287511（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−78861（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−94969（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】純度が99.99重量％以下の銅であって、Ｏ
の含有量が20ppm以下であると共に、Ｐ、As、Sb、Bi、
Ｓ、Se、Zn、Pbの含有量の総計が10ppm以下であること
を特徴とする真空蒸着用銅基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029340A JP2614885B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 真空蒸着用銅基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029340A JP2614885B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 真空蒸着用銅基材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205068A JPH01205068A (ja) | 1989-08-17 |
| JP2614885B2 true JP2614885B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=12273504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63029340A Expired - Lifetime JP2614885B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 真空蒸着用銅基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614885B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140658A (ko) * | 2013-04-08 | 2015-12-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 열연 구리판 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673250B2 (ja) * | 1986-06-05 | 1994-09-14 | 住友電気工業株式会社 | 音響・画像機器用導体およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63029340A patent/JP2614885B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140658A (ko) * | 2013-04-08 | 2015-12-16 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 열연 구리판 |
| KR102214290B1 (ko) * | 2013-04-08 | 2021-02-08 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 열연 구리판 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01205068A (ja) | 1989-08-17 |
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