JP2614037B2 - 超高周波負性抵抗半導体発振器 - Google Patents
超高周波負性抵抗半導体発振器Info
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B2009/126—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices using impact ionization avalanche transit time [IMPATT] diodes
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/02—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B7/06—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device
- H03B7/08—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device being a tunnel diode
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、超高周波半導体発振器に関するものであ
り、特に負性抵抗半導体素子を用いた超高周波発振器に
関する。
り、特に負性抵抗半導体素子を用いた超高周波発振器に
関する。
（従来の技術とその問題点） ミリ波からサブミリ波領域の半導体発振器として、半
導体によるダイオードの逆方向降伏電流とその走行時間
効果による負性抵抗ダイオードとしてなだれ降伏による
インパットダイオードとトンネル降伏によるタンネット
ダイオードが知られている。インパットダイオードはな
だれ降伏によるために、非常に雑音が大きいという応用
に対しての重大な欠点がある。タンネットダイオードは
雑音が小さいという優れた特徴がある。
導体によるダイオードの逆方向降伏電流とその走行時間
効果による負性抵抗ダイオードとしてなだれ降伏による
インパットダイオードとトンネル降伏によるタンネット
ダイオードが知られている。インパットダイオードはな
だれ降伏によるために、非常に雑音が大きいという応用
に対しての重大な欠点がある。タンネットダイオードは
雑音が小さいという優れた特徴がある。
インパットダイオードは特におおよそ100GHz以上の周
波数領域では、なだれ注入が温度上昇により生起しにく
くなるために、出力が低下するということが報告されて
いる。（H.J.クノ著『インパット デバイシィズ フォ
ア ジェネレーション オブ ミリメーター ウェイブ
ズ』K.J.バトン編 インフラレッド アンド ミリメー
ター ウェイブズ 第１巻第２章、アカデミック プレ
ス1979年（H.J.Kuno著『IMPATT Devices for Generatio
n of Millimeter Waves』、K.J.Button編 Infrared and
Millimeter waves Vol.1 第２章、Academic Press 19
79））通常Siのインパットダイオードでは接合温度上昇
を信頼性確保のために約200℃以下としているが、発振
に必要な入力電力により、接合温度は上昇し、実用的な
発振出力を得るためには殆んど素子限界まで入力を加え
て高い温度上昇のもとで使用しているのが現状である。
波数領域では、なだれ注入が温度上昇により生起しにく
くなるために、出力が低下するということが報告されて
いる。（H.J.クノ著『インパット デバイシィズ フォ
ア ジェネレーション オブ ミリメーター ウェイブ
ズ』K.J.バトン編 インフラレッド アンド ミリメー
ター ウェイブズ 第１巻第２章、アカデミック プレ
ス1979年（H.J.Kuno著『IMPATT Devices for Generatio
n of Millimeter Waves』、K.J.Button編 Infrared and
Millimeter waves Vol.1 第２章、Academic Press 19
79））通常Siのインパットダイオードでは接合温度上昇
を信頼性確保のために約200℃以下としているが、発振
に必要な入力電力により、接合温度は上昇し、実用的な
発振出力を得るためには殆んど素子限界まで入力を加え
て高い温度上昇のもとで使用しているのが現状である。
このため従来の負性抵抗半導体素子のうちSiインパッ
トダイオードは雑音が大きく、かつおおよそ100GHz以上
では、温度上昇により出力が減少するという欠点があっ
た。そのために特にミリ波からサブミリ波の領域におけ
る高調波動作のインパットダイオードは液体窒素で冷却
したものも報告されているが、装置が大きくなるという
欠点を有する（T.イシバシ、M.イノ、T.マキムラ、アン
ド M.オオモリ、“リキッド−ナイトロジェン−クール
ド サブミリメーター−ウェイブ シリコン インパッ
ト デバイス“エレクトロニクス レターズ、1977年５
月12日、13巻10号、299頁〜230頁（T.Ishibashi、M.In
o、T.Makimura、and M.Ohmori、“LIQUID−NITROGEN−C
OOLED SUBMILLIMETER−WAVE SILICON IMPATT DIODES、"
Electronics Letters、12th May、1977、Vol.13、No.1
0、pp.299〜230））。
トダイオードは雑音が大きく、かつおおよそ100GHz以上
では、温度上昇により出力が減少するという欠点があっ
た。そのために特にミリ波からサブミリ波の領域におけ
る高調波動作のインパットダイオードは液体窒素で冷却
したものも報告されているが、装置が大きくなるという
欠点を有する（T.イシバシ、M.イノ、T.マキムラ、アン
ド M.オオモリ、“リキッド−ナイトロジェン−クール
ド サブミリメーター−ウェイブ シリコン インパッ
ト デバイス“エレクトロニクス レターズ、1977年５
月12日、13巻10号、299頁〜230頁（T.Ishibashi、M.In
o、T.Makimura、and M.Ohmori、“LIQUID−NITROGEN−C
OOLED SUBMILLIMETER−WAVE SILICON IMPATT DIODES、"
Electronics Letters、12th May、1977、Vol.13、No.1
0、pp.299〜230））。
速度の電界特性の負微分移動効果、いわゆるガン効果
によるガンダイオードは、温度上昇により電子の速度、
移動度が低下するので、出力特性は、温度上昇により低
下するという欠点があると同時に、現状では、発振周波
数はタンネットダイオード及びインパットダイオードが
サブミリ波領域に及んでいるのに対して約100〜130GHz
程度である。
によるガンダイオードは、温度上昇により電子の速度、
移動度が低下するので、出力特性は、温度上昇により低
下するという欠点があると同時に、現状では、発振周波
数はタンネットダイオード及びインパットダイオードが
サブミリ波領域に及んでいるのに対して約100〜130GHz
程度である。
真空管の後進波管（商品名：カルシノトロン（Carcin
otron））はミリ波からサブミリ波の領域で、出力が大
きいが寿命が300時間程度でインパットダイオードのよ
うな半導体素子に比較して寿命が極めて短いということ
と、動作電圧が約1000V以上も必要で、動作電源が非常
に大きくかつ複数の系統が必要であり、全体の重量が大
きくなり、又費用もかかるという重大な欠点を有してい
る。
otron））はミリ波からサブミリ波の領域で、出力が大
きいが寿命が300時間程度でインパットダイオードのよ
うな半導体素子に比較して寿命が極めて短いということ
と、動作電圧が約1000V以上も必要で、動作電源が非常
に大きくかつ複数の系統が必要であり、全体の重量が大
きくなり、又費用もかかるという重大な欠点を有してい
る。
本発明は上記の半導体による超高周波負性抵抗発振器
において、出力が温度上昇により殆んど変化しないこと
を特徴としている。
において、出力が温度上昇により殆んど変化しないこと
を特徴としている。
このため本発明は、温度上昇により電流が増加するト
ンネル注入となだれ注入が混在するようなダイオードを
用いた出力の温度特性が０乃至は殆ど０であることを特
徴とした超高周波負性抵抗半導体発振器を提供する。
ンネル注入となだれ注入が混在するようなダイオードを
用いた出力の温度特性が０乃至は殆ど０であることを特
徴とした超高周波負性抵抗半導体発振器を提供する。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る超高周波負性抵抗
半導体発振器の回路図である。図中１は導波管によるキ
ャビティで、本発明の発振器に用いるダイオード４はス
テム２に接着されていて、両面をメタライズした石英台
３と金テープ５によって接続されているもの、６は導波
管とは絶縁されているバイアス棒、７は反射器、８はダ
イオードの電源であり、直流、パルスであるもの、９は
１のキャビティに接続される導波管であり、テーパ状あ
るいは高さを変化させてインピーダンス変換部を有して
いるもの、10は負荷との整合をとるためのＥ−Ｈチュー
ナ、11は単向管で12は出力端子である。
半導体発振器の回路図である。図中１は導波管によるキ
ャビティで、本発明の発振器に用いるダイオード４はス
テム２に接着されていて、両面をメタライズした石英台
３と金テープ５によって接続されているもの、６は導波
管とは絶縁されているバイアス棒、７は反射器、８はダ
イオードの電源であり、直流、パルスであるもの、９は
１のキャビティに接続される導波管であり、テーパ状あ
るいは高さを変化させてインピーダンス変換部を有して
いるもの、10は負荷との整合をとるためのＥ−Ｈチュー
ナ、11は単向管で12は出力端子である。
ダイオードはGaAsのp+−n+−n-−n+型のもので、製造
方法は、本発明者の特開昭56−112761号「III−Ｖ半導
体装置の製造方法」で開示した蒸気圧制御された温度差
法による液相成長法によって製作したものである。
方法は、本発明者の特開昭56−112761号「III−Ｖ半導
体装置の製造方法」で開示した蒸気圧制御された温度差
法による液相成長法によって製作したものである。
このダイオードの断面図を第２図（ａ）に、不純物密
度分布を第２図（ｂ）に示す。
度分布を第２図（ｂ）に示す。
第２図（ａ）において、20はGaAsのn+基板（ρ:10-3
Ω・cm）、21、22、23はそれぞれ前記の結晶成長方法で
液相成長させたn-層、n+層、p+層である。24はp+層への
オーミック電極の接触抵抗を低減化するために設けた亜
鉛の拡散層、25、26はそれぞれn+層への電極で例えばAu
−Ge合金層、p+層への電極でAg−Zn合金層あるいはAg−
Zn−Agの三層構造によるものである。27は銅あるいはダ
イヤモンドによるヒートシンクである。28、29はそれぞ
れp+、n+電極層に接する金属である。ヒートシンク層27
とp+層の電極の上部の金属28は、熱圧着によって接着す
る場合と、半田等の低融点金属を用いて接着する場合が
ある。このダイオードの不純物密度分布は第２図（ｂ）
のようになっていて、n+層22はn-層21へ傾斜をもって分
布している。このようなn+層は、前記p+層23を成長する
時、ドーピング剤としてｎ型の不純物であるＳ（イオ
ン）を添加することによって実現した。このときp+層の
不純物はGeであるので、ｎ型の不純物のイオウの方が拡
散係数が大きいので薄いn+層22が形成される。n-層の不
純物密度は1015〜５×1017cm-3、p+層の不純物密度は５
×1018cm-3以上とすればよい。n+層22の不純物密度は、
概略（１）式でよく近似されることが判明した。いわゆ
る超階段接合である。
Ω・cm）、21、22、23はそれぞれ前記の結晶成長方法で
液相成長させたn-層、n+層、p+層である。24はp+層への
オーミック電極の接触抵抗を低減化するために設けた亜
鉛の拡散層、25、26はそれぞれn+層への電極で例えばAu
−Ge合金層、p+層への電極でAg−Zn合金層あるいはAg−
Zn−Agの三層構造によるものである。27は銅あるいはダ
イヤモンドによるヒートシンクである。28、29はそれぞ
れp+、n+電極層に接する金属である。ヒートシンク層27
とp+層の電極の上部の金属28は、熱圧着によって接着す
る場合と、半田等の低融点金属を用いて接着する場合が
ある。このダイオードの不純物密度分布は第２図（ｂ）
のようになっていて、n+層22はn-層21へ傾斜をもって分
布している。このようなn+層は、前記p+層23を成長する
時、ドーピング剤としてｎ型の不純物であるＳ（イオ
ン）を添加することによって実現した。このときp+層の
不純物はGeであるので、ｎ型の不純物のイオウの方が拡
散係数が大きいので薄いn+層22が形成される。n-層の不
純物密度は1015〜５×1017cm-3、p+層の不純物密度は５
×1018cm-3以上とすればよい。n+層22の不純物密度は、
概略（１）式でよく近似されることが判明した。いわゆ
る超階段接合である。
ここでNtはp+−n+接合の最大ドナー密度であり、Ｌは
分布の傾きで、いわゆるドナー不純物の拡散長 ここでＤはドナー不純物の拡散定数、τは拡散時間）で
あり、Ntはn-層21の厚さである。
分布の傾きで、いわゆるドナー不純物の拡散長 ここでＤはドナー不純物の拡散定数、τは拡散時間）で
あり、Ntはn-層21の厚さである。
トンネル注入となだれ降伏を混在させるには、Ntとし
ておおよそ３×1017cm-3以上、Ｌとして100Å以上とす
ればよい。n+層22、n-層21の厚さの合計（Wd）は走行角
がおおよそπ/2から3/2πラジアンとなるようにすれば
良く、100GHz以上の発振周波数を得るには約１μｍ以下
とすれば良い。p+−ｎあるいはショットキーバリアダイ
オードのＭ−ｎ型ダイオードのような階段接合を有する
場合には動作時の電界強度としておおよそ1000kV/cm以
上とすれば良い。p+−ｎ型ではｎ層の不純物密度が５×
1017cm-3位でトンネル注入となだれ降伏は混在し、５×
1017cm-3以上になればトンネル注入が優性となる。ショ
ットキーバリアダイオードではｎ層の不純物密度をおお
よそ３×1017cm-3以上とすれば良い。接合温度上昇によ
る素子寿命を考慮した場合、pp接合型のほうがショット
キーバリア型よりも望ましい。
ておおよそ３×1017cm-3以上、Ｌとして100Å以上とす
ればよい。n+層22、n-層21の厚さの合計（Wd）は走行角
がおおよそπ/2から3/2πラジアンとなるようにすれば
良く、100GHz以上の発振周波数を得るには約１μｍ以下
とすれば良い。p+−ｎあるいはショットキーバリアダイ
オードのＭ−ｎ型ダイオードのような階段接合を有する
場合には動作時の電界強度としておおよそ1000kV/cm以
上とすれば良い。p+−ｎ型ではｎ層の不純物密度が５×
1017cm-3位でトンネル注入となだれ降伏は混在し、５×
1017cm-3以上になればトンネル注入が優性となる。ショ
ットキーバリアダイオードではｎ層の不純物密度をおお
よそ３×1017cm-3以上とすれば良い。接合温度上昇によ
る素子寿命を考慮した場合、pp接合型のほうがショット
キーバリア型よりも望ましい。
第２図に示したダイオードの逆方向のＩ−Ｖ特性を第
３図に示す。ここで用いたダイオードのp+−n+接合のn+
層の不純物密度は５×1017から1.8×1018cm-3程度であ
る。21℃、50℃、100℃と温度を変えて測定したもので
ダイオード（ａ）は温度変化が０であり、ダイオード
（ｂ）は低電流領域と大電流領域で電流の温度依存性が
負から正に変化するものである。図では21℃と100℃の
Ｉ−Ｖ特性のみ示した。この実施例のダイオード
（ａ）、（ｂ）の逆方向電流はなだれ注入とトンネル注
入の混在によって生起している。
３図に示す。ここで用いたダイオードのp+−n+接合のn+
層の不純物密度は５×1017から1.8×1018cm-3程度であ
る。21℃、50℃、100℃と温度を変えて測定したもので
ダイオード（ａ）は温度変化が０であり、ダイオード
（ｂ）は低電流領域と大電流領域で電流の温度依存性が
負から正に変化するものである。図では21℃と100℃の
Ｉ−Ｖ特性のみ示した。この実施例のダイオード
（ａ）、（ｂ）の逆方向電流はなだれ注入とトンネル注
入の混在によって生起している。
第４図は第３図のダイオード（ａ）、第５図は第３図
のダイオード（ｂ）に対する、逆方向バイアス電流と発
振出力の関係を周囲温度室温（21℃）、50℃、100℃と
それぞれを変化させて測定した実施例である。100℃で
は出力電圧が21℃及び50℃に比較して増大し、dP/dTが
正であるという結果が得られた。21℃、50℃では殆ど温
度に対して出力電力が変わらないという結果が得られ
た。第３図（ａ）のダイオードの発振周波数はバイアス
電流の変化によって約127〜135GHzまで変化し、同様に
第３図（ｂ）のダイオードでは約110〜116GHzの発振周
波数となった。ダイオードの逆方向電圧はおおよそ５〜
9V位で10V以下である。
のダイオード（ｂ）に対する、逆方向バイアス電流と発
振出力の関係を周囲温度室温（21℃）、50℃、100℃と
それぞれを変化させて測定した実施例である。100℃で
は出力電圧が21℃及び50℃に比較して増大し、dP/dTが
正であるという結果が得られた。21℃、50℃では殆ど温
度に対して出力電力が変わらないという結果が得られ
た。第３図（ａ）のダイオードの発振周波数はバイアス
電流の変化によって約127〜135GHzまで変化し、同様に
第３図（ｂ）のダイオードでは約110〜116GHzの発振周
波数となった。ダイオードの逆方向電圧はおおよそ５〜
9V位で10V以下である。
発振器の出力電力はパルス駆動でデューティが１％動
作では120GHz近辺で20mW、150GHz近辺で30mW程度が容易
に得られ、発振スペクトルは定在波の測定からは非常に
きれいで、これは、トンネル注入電流がかなり発振に寄
与しているために、雑音が著しく低減化するためと推定
される。ダイオードの逆方向特性が完全にトンネル注入
によれば、更に発振周波数が上昇する。CW発振の場合に
は、同様な特性が得られた。即ち閾値電流がパルス発振
時の約1/2以下になった。
作では120GHz近辺で20mW、150GHz近辺で30mW程度が容易
に得られ、発振スペクトルは定在波の測定からは非常に
きれいで、これは、トンネル注入電流がかなり発振に寄
与しているために、雑音が著しく低減化するためと推定
される。ダイオードの逆方向特性が完全にトンネル注入
によれば、更に発振周波数が上昇する。CW発振の場合に
は、同様な特性が得られた。即ち閾値電流がパルス発振
時の約1/2以下になった。
簡易型の発振器では、出力の変動は問題ない場合もあ
るが、変復調動作をさせるときには出力の温度変動がな
いことが望ましい。ダイオードによって殆んど出力変動
がないようにもできることはいうまでもない。
るが、変復調動作をさせるときには出力の温度変動がな
いことが望ましい。ダイオードによって殆んど出力変動
がないようにもできることはいうまでもない。
第６図は本発明による出力の温度変動をほぼなくすこ
とのできる発振器の一実施例である。図中30は第１図に
示すような発振器本体のダイオードマウント部、31は導
波管、32は発振出力の一部を取り出す方向性結合器、33
は発振出力を監視するモニタで電力計、検定器等、34は
33の出力のレベル設定用の電圧源で35は33のモニタ出力
とレベル電圧の比較をし、発振器30の電源36を帰還制御
するための回路である。動作はあらかじめ33のモニタ出
力と電力の関係を調べておいて、基準電圧源34を所望の
電力に設定することにより、発振器のダイオードのバイ
アス電源36を電子的に制御することにより行なわれる。
制御はトランジスタ、ダイオード、ICを用いて簡単に構
成でき、温度による出力変動はほぼなくすことができ
る。
とのできる発振器の一実施例である。図中30は第１図に
示すような発振器本体のダイオードマウント部、31は導
波管、32は発振出力の一部を取り出す方向性結合器、33
は発振出力を監視するモニタで電力計、検定器等、34は
33の出力のレベル設定用の電圧源で35は33のモニタ出力
とレベル電圧の比較をし、発振器30の電源36を帰還制御
するための回路である。動作はあらかじめ33のモニタ出
力と電力の関係を調べておいて、基準電圧源34を所望の
電力に設定することにより、発振器のダイオードのバイ
アス電源36を電子的に制御することにより行なわれる。
制御はトランジスタ、ダイオード、ICを用いて簡単に構
成でき、温度による出力変動はほぼなくすことができ
る。
以上の実施例においては、GaAsのダイオードを用いた
が、他のIV族、III−Ｖ族、II−VI族あるいは混晶であ
っても良いし、ダイオードの製造方法は周知の気相成長
法、MOCVD法、イオン注入法が使用できることは言うま
でもない。ダイオードと回路のキャビティその他の回路
部品は、導波管回路による他、ストリップ線路、フィン
ライン等の平面回路、誘導体線路を用いることもでき
る。
が、他のIV族、III−Ｖ族、II−VI族あるいは混晶であ
っても良いし、ダイオードの製造方法は周知の気相成長
法、MOCVD法、イオン注入法が使用できることは言うま
でもない。ダイオードと回路のキャビティその他の回路
部品は、導波管回路による他、ストリップ線路、フィン
ライン等の平面回路、誘導体線路を用いることもでき
る。
以上説明してきたように本発明の超高周波負性抵抗半
導体発振器は、発振出力の温度特性が殆ど０、おおよそ
10V以下で100GHz以上の発振で出力が10mW以上のものが
容易に実現でき常温動作が可能で、工業的価値の高いも
のである。
導体発振器は、発振出力の温度特性が殆ど０、おおよそ
10V以下で100GHz以上の発振で出力が10mW以上のものが
容易に実現でき常温動作が可能で、工業的価値の高いも
のである。
第１図は本発明の超高周波負性抵抗半導体発振器の実施
例、第２図（ａ）、第２図（ｂ）はそれぞれ本発明に用
いる半導体ダイオードの断面図及び不純物密度分布図、
第３図は本発明に用いる半導体ダイオードの逆方向Ｉ−
Ｖ特性、第４図及び第５図は本発明による発振器の一実
施例、第６図は発振器の更に別の一実施例である。
例、第２図（ａ）、第２図（ｂ）はそれぞれ本発明に用
いる半導体ダイオードの断面図及び不純物密度分布図、
第３図は本発明に用いる半導体ダイオードの逆方向Ｉ−
Ｖ特性、第４図及び第５図は本発明による発振器の一実
施例、第６図は発振器の更に別の一実施例である。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも導波管によるキャビティ、前記
キャビティの内部に挿入される逆方向電流による負性抵
抗ダイオード、前記負性抵抗ダイオードにバイアス電源
を供給するバイアス棒、キャビティの端に設置した反射
器及びダイオード用電源より構成される発振器におい
て、前記ダイオードは、逆方向特性においてトンネル注
入となだれ注入が混在し、温度上昇によって出力が殆ど
変化しないダイオードとし、発振出力の一部を取り出す
手段と、レベル設定用の電源を有し前記発振出力の一部
との比較を行い、前記発振器のバイアス電源を電子的に
制御することにより、温度上昇による出力増加をなくす
ようにした回路を含むことを特徴とする超高周波負性抵
抗半導体発振器。 - 【請求項２】前記発振器に用いるダイオードがGaAsであ
って、動作電圧が10V以下であることを特徴とする前記
特許請求の範囲第１項記載の超高周波負性抵抗半導体発
振器。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP60132723A JP2614037B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 超高周波負性抵抗半導体発振器 |
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| GB8614728A GB2178620B (en) | 1985-06-18 | 1986-06-17 | Extremely-high frequency semiconductor oscillator using transit time negative resistance diode |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP60132723A JP2614037B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 超高周波負性抵抗半導体発振器 |
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|---|---|
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| JP2614037B2 true JP2614037B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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