JPS58170204A - インパツトダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
インパツトダイオ−ド駆動回路Info
- Publication number
- JPS58170204A JPS58170204A JP57053004A JP5300482A JPS58170204A JP S58170204 A JPS58170204 A JP S58170204A JP 57053004 A JP57053004 A JP 57053004A JP 5300482 A JP5300482 A JP 5300482A JP S58170204 A JPS58170204 A JP S58170204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- voltage
- circuit
- pulse
- impatt diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発ＶＳＯ技術分野
本発明はパルス発振又祉増幅を行なうインバットダイオ
ード回路、特に温度変化にかかわらず安定した出力を与
えるインバットダイオード駆動回路に関す。
ード回路、特に温度変化にかかわらず安定した出力を与
えるインバットダイオード駆動回路に関す。
度の帯域における発振又は増幅のための半導体素子とし
てインバットダイオード（ＩＭＰＡＴＴ ｄｉｏｄｅ：
ＩＭＰａｃｔ Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｔｒａｎ
ｓｉｔ Ｔｌｍｅ ｄｉｏｄｅ）が既に知られてい
る。
てインバットダイオード（ＩＭＰＡＴＴ ｄｉｏｄｅ：
ＩＭＰａｃｔ Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｔｒａｎ
ｓｉｔ Ｔｌｍｅ ｄｉｏｄｅ）が既に知られてい
る。
第１図は、インバットダイオードの電圧−電流特性の一
例を示す図であって、横軸にインバットダイオードの両
電極間に印加される電圧、縦軸に両電極間に流れる電流
をとＪ７、ＩＩＩＩＩＩＯＸＸ’は基準温度における電
圧−電流特性を示す。この特性曲線を示すインバットダ
イオードに対して、両電極間に印加する電圧Ｖの絶対値
をＯｖよシ次第に増大するとき、両電極間に流れる電流
Ｉは最初は例えば歓声Ａ椙度と微少であるが、電圧Ｖが
上昇して特性−線上の点ｘｔζえるとインバットダイオ
ードはアバランシ凰状態となって、電流Ｉは急激に、は
ソ直線的に増大する。
例を示す図であって、横軸にインバットダイオードの両
電極間に印加される電圧、縦軸に両電極間に流れる電流
をとＪ７、ＩＩＩＩＩＩＯＸＸ’は基準温度における電
圧−電流特性を示す。この特性曲線を示すインバットダ
イオードに対して、両電極間に印加する電圧Ｖの絶対値
をＯｖよシ次第に増大するとき、両電極間に流れる電流
Ｉは最初は例えば歓声Ａ椙度と微少であるが、電圧Ｖが
上昇して特性−線上の点ｘｔζえるとインバットダイオ
ードはアバランシ凰状態となって、電流Ｉは急激に、は
ソ直線的に増大する。
ある０電圧が更に上昇すると、インバットダイオードは
発振を開始すｂｏ ｌｌｅｌＡｌ１ｍ１１１１Ｊｌ’Ｖ
炊１ｇ１１１ｇ１ｙインバツトダイオードを正常に
動作させる動作電圧Ｖｏｐは発振開始電圧イよυ梃に大
きい値、例えば１００ｖ乃至１５０ｖ程度に設定され、
このときの電流すなわち動作電流Ｉｏｐは例えばＩＡ乃
至数Ａｓ度である。
発振を開始すｂｏ ｌｌｅｌＡｌ１ｍ１１１１Ｊｌ’Ｖ
炊１ｇ１１１ｇ１ｙインバツトダイオードを正常に
動作させる動作電圧Ｖｏｐは発振開始電圧イよυ梃に大
きい値、例えば１００ｖ乃至１５０ｖ程度に設定され、
このときの電流すなわち動作電流Ｉｏｐは例えばＩＡ乃
至数Ａｓ度である。
以上説明したインバットダイオードの特性曲線ｏｘｘ’
は一定温度Ｔ℃における電圧−電流特性である。インバ
ットダイオードの温度が、周囲温度の変化によりて、も
しくはインノくットダイオード自身を流れる電流による
熱の発生によって変化するときは、その特性曲線は第１
図の曲線ＯＹＹ’もしくはｏｚｚ’の如くに変化する。
は一定温度Ｔ℃における電圧−電流特性である。インバ
ットダイオードの温度が、周囲温度の変化によりて、も
しくはインノくットダイオード自身を流れる電流による
熱の発生によって変化するときは、その特性曲線は第１
図の曲線ＯＹＹ’もしくはｏｚｚ’の如くに変化する。
すなわちインノ（ットダイオードの温度が上昇するとき
は、曲１ａｏＹＹ’に示す如くブレークダウン電圧の絶
対値は増大して曲線ＹＹ’は曲線ＸＸ′より高電圧側に
移動し、温度が降下するときは曲−ｏ ｚ ｚ’に示す
如く低電圧ず 儒に移動する口この温度変化による特性曲線の移インバ
ットダイオードによって発振又は増幅を行なう場合には
、一般にその出力が温度に依存せず一定であることが望
ましい。しかるにもし印加される動作電圧Ｖｏｐが一定
であるならば、先に説明したインバットダイオードの電
圧−電流特性の温度による変化によシ、動作電流Ｉｏｐ
が変化してＩ ｏ ｐ（＋）もしくはＩｏｐ←）となり
、出力が変動することが知られる。
は、曲１ａｏＹＹ’に示す如くブレークダウン電圧の絶
対値は増大して曲線ＹＹ’は曲線ＸＸ′より高電圧側に
移動し、温度が降下するときは曲−ｏ ｚ ｚ’に示す
如く低電圧ず 儒に移動する口この温度変化による特性曲線の移インバ
ットダイオードによって発振又は増幅を行なう場合には
、一般にその出力が温度に依存せず一定であることが望
ましい。しかるにもし印加される動作電圧Ｖｏｐが一定
であるならば、先に説明したインバットダイオードの電
圧−電流特性の温度による変化によシ、動作電流Ｉｏｐ
が変化してＩ ｏ ｐ（＋）もしくはＩｏｐ←）となり
、出力が変動することが知られる。
例えばパルスインパット発振回路において、そのインバ
ットダイオードに対して所要のタイミングとパルス幅を
もって動作電圧Ｖｏｐを印加する回路は駆動回路と呼ば
れる。この駆動回路としては、電圧値Ｖｏｐを有するパ
ルスのみを供給する方法の他に１第１図に示す如くイン
バットダイオードの発振開始電圧ｙ よ）低い値のバイ
アス電圧ＶｉｄＫパルス電圧Ｖｐを重畳することによっ
て動作電圧Ｖｏｐのパルスを形成する方法がある。この
後者の方法はパルス発生回路の電カ、電圧等の負担が軽
減されるなどの利点がある。
ットダイオードに対して所要のタイミングとパルス幅を
もって動作電圧Ｖｏｐを印加する回路は駆動回路と呼ば
れる。この駆動回路としては、電圧値Ｖｏｐを有するパ
ルスのみを供給する方法の他に１第１図に示す如くイン
バットダイオードの発振開始電圧ｙ よ）低い値のバイ
アス電圧ＶｉｄＫパルス電圧Ｖｐを重畳することによっ
て動作電圧Ｖｏｐのパルスを形成する方法がある。この
後者の方法はパルス発生回路の電カ、電圧等の負担が軽
減されるなどの利点がある。
従来性なわれているパルスインパット発振器駆動回路の
例を温度特性の点から見れば下記の様である。
例を温度特性の点から見れば下記の様である。
（例１） インバットダイオードの温度による特性変化
を考慮してバイアス電圧ＶｉｄＯ値を選択し、この電圧
値を固定する方法。（第１図参照）この方法は周囲温度
変化の少い環境下においては実施可能であっても、温度
変化の大きい環境下においては実施不可能である。すな
わち、例えばバイアス電圧Ｖ１ｄを常温における最適値
に設定し九とすれば、高温時には動作電圧が不足で所定
の発振出力が得られず、逆に低温時には動作電圧が過剰
となり、パルス波形に乱れを生じたり、甚だしい場合に
はアイドリング電流Ｉ ｉ ｄ（−）によって不要発振
波が生じたりする。
を考慮してバイアス電圧ＶｉｄＯ値を選択し、この電圧
値を固定する方法。（第１図参照）この方法は周囲温度
変化の少い環境下においては実施可能であっても、温度
変化の大きい環境下においては実施不可能である。すな
わち、例えばバイアス電圧Ｖ１ｄを常温における最適値
に設定し九とすれば、高温時には動作電圧が不足で所定
の発振出力が得られず、逆に低温時には動作電圧が過剰
となり、パルス波形に乱れを生じたり、甚だしい場合に
はアイドリング電流Ｉ ｉ ｄ（−）によって不要発振
波が生じたりする。
（例２） インバットダイオードの周囲温度を検出して
バイアス電圧をインバットダイオードの温度特性補正を
近似的に行なう様に変化させる方法。
バイアス電圧をインバットダイオードの温度特性補正を
近似的に行なう様に変化させる方法。
例えばサーミスタを用いて電圧を制御する方法であるが
、インバットダイオード特にその接合部分の温度を測定
するものではなく、側温及び補正手段の一差の圧縮が困
難である。
、インバットダイオード特にその接合部分の温度を測定
するものではなく、側温及び補正手段の一差の圧縮が困
難である。
（例３） パルスインパット発畿器を恒＠槽内に収容し
て、熱的に安定した環境条件下で創作させる方法。この
方法では周囲からの熱的影響は避けられるが、恒温槽の
温度が安定するまでの過渡温度時の特性が問題となり、
装置の構造も複雑化し恒温槽を加熱する電力も必賛とな
る。
て、熱的に安定した環境条件下で創作させる方法。この
方法では周囲からの熱的影響は避けられるが、恒温槽の
温度が安定するまでの過渡温度時の特性が問題となり、
装置の構造も複雑化し恒温槽を加熱する電力も必賛とな
る。
以上例示した例１乃至例３は何れも周囲温度の変化に対
処する方法と言うことができるが以上述べた如く充分で
はない。
処する方法と言うことができるが以上述べた如く充分で
はない。
なお、インバットダイオードの温度変化については、こ
れを流れる電流による発熱もその賛因であり、発振開始
電圧に達しないバイアス電圧Ｖｉｄを印加してアイドリ
ング電流１１ｄを流しておき、パルス発振のためには、
動作電圧Ｖｏｐとバイアス電圧■ｌｄとの差の値をもつ
パルス電圧Ｖｐをバイアス電圧Ｍｉｄに重畳する前記方
法は、動作電圧Ｖｏｐをバイアス電圧■ｌｄを用いるこ
となくパルス電圧のみによって供給する方法に比較して
、インバットダイオード内部の温度変動を減少する効果
がある０ これらの従来知られている方法によっては、ノ＜ルス発
振もしくは増−出力社なおインノくットダイオードの温
度変化によって変動するために、災に適確な温Ｉｆ％性
補正が必要とされる。
れを流れる電流による発熱もその賛因であり、発振開始
電圧に達しないバイアス電圧Ｖｉｄを印加してアイドリ
ング電流１１ｄを流しておき、パルス発振のためには、
動作電圧Ｖｏｐとバイアス電圧■ｌｄとの差の値をもつ
パルス電圧Ｖｐをバイアス電圧Ｍｉｄに重畳する前記方
法は、動作電圧Ｖｏｐをバイアス電圧■ｌｄを用いるこ
となくパルス電圧のみによって供給する方法に比較して
、インバットダイオード内部の温度変動を減少する効果
がある０ これらの従来知られている方法によっては、ノ＜ルス発
振もしくは増−出力社なおインノくットダイオードの温
度変化によって変動するために、災に適確な温Ｉｆ％性
補正が必要とされる。
（ｃ） 発明の目的
本発明は、インバットダイオードに、ノ（イアスミ圧を
印加してアイドリンク電流を通じ、核）（イアスミ圧に
パルス電圧を重畳することによって、パルス発振又は増
幅を行なうインバットダイオード回路において、周囲温
度及び自己発熱によるインバットダイオードの温度変化
にか＼わらず、該インバットダイオードを常時最適動作
点におき、安定した出力を得る駆動回路を提供すること
を目的とする。
印加してアイドリンク電流を通じ、核）（イアスミ圧に
パルス電圧を重畳することによって、パルス発振又は増
幅を行なうインバットダイオード回路において、周囲温
度及び自己発熱によるインバットダイオードの温度変化
にか＼わらず、該インバットダイオードを常時最適動作
点におき、安定した出力を得る駆動回路を提供すること
を目的とする。
（ｄ） 発明の構成
本発明の目的は、前記アイドリンク電流がブレークダウ
ン以上で、かつ竺インノ’ｙ）ダイオードを発振状態と
するに到らない所定の値に保持されるインバットダイオ
ード駆動回路によって達成さく・）発明の実施例 以下本発明を実施例によ如図面を参照して具体的に説明
する。
ン以上で、かつ竺インノ’ｙ）ダイオードを発振状態と
するに到らない所定の値に保持されるインバットダイオ
ード駆動回路によって達成さく・）発明の実施例 以下本発明を実施例によ如図面を参照して具体的に説明
する。
先に第１図を参照して説明し九如く、インバットダイオ
ードのブレークダウン電圧ＶＢは温度によって大きく変
化するが、ブレークダウン以上の領域においては、電圧
−電流特性曲線の勾配△Ｉ／Δ■は温度によって変化し
ないとみなすことができ、第２図に示す如く、一定の電
圧上昇、例えはパルス電圧Ｖｐの重畳によって、温度に
よって変化しない一定し九電流増加が得られる。
ードのブレークダウン電圧ＶＢは温度によって大きく変
化するが、ブレークダウン以上の領域においては、電圧
−電流特性曲線の勾配△Ｉ／Δ■は温度によって変化し
ないとみなすことができ、第２図に示す如く、一定の電
圧上昇、例えはパルス電圧Ｖｐの重畳によって、温度に
よって変化しない一定し九電流増加が得られる。
従って、動作電流Ｉｏｐ＝Ｉｉｄ＋Ｉｐ の要素であ
るアイドリンク（ｆｉ Ｉ ｌ ｄがブレークダウン以
上でインバットダイオードが発振状態となるに到らない
範囲内にある一定の値に、保持されるならば、一定のパ
ルス電圧Ｖｐを重畳することによって、温度によって変
化しない動作電流Ｉｏｐが得られることが知られる。
るアイドリンク（ｆｉ Ｉ ｌ ｄがブレークダウン以
上でインバットダイオードが発振状態となるに到らない
範囲内にある一定の値に、保持されるならば、一定のパ
ルス電圧Ｖｐを重畳することによって、温度によって変
化しない動作電流Ｉｏｐが得られることが知られる。
第３図は本発明の実施例であるパルスインバット発振器
を示すブロック図である。第３図において、１はインバ
ット発振器、２はパルス発生回路。
を示すブロック図である。第３図において、１はインバ
ット発振器、２はパルス発生回路。
３はコンデンサ、４は直流電源、５はトランジスタ、６
は制御回路、７は比較回路、８は基準電圧設定回路、９
は差電圧検出回路、１０は抵抗器である。
は制御回路、７は比較回路、８は基準電圧設定回路、９
は差電圧検出回路、１０は抵抗器である。
また第４図（ａ）乃至（ｃ）はインバット発振器ｌに含
まれるインバットダイオードに印加される電圧及びこれ
を流れる電流を示し、第４図（ｂ）は基準とする温度、
第４図（ａ）はこれより低温、第４図（ｃ）はこれより
高温における状態を示す〇 本実施例においては、インバットダイオードには、直流
電源４よりトランジスタ５及び抵抗器１０を介してバイ
アス電圧Ｖｉｄが常時印加されて、アイドリング電流１
１ｄが流れている。パルス発生回路２に発振トリガ信号
が入力すれば波高値がＶｐであるパルスが送出され、直
流阻止コンデンサ３を介してバイアス電圧ＶｉｄＫ重畳
され、動作電圧Ｖｏｐ ２Ｖｉｄ＋Ｖｐがインバットダ
イオードに印加される結果、動作電ｆｉＩｏＰ−１１ｄ
＋Ｉｐがインバットダイオードを流れ、マイクロ波がパ
ルス状に発振、送出される。
まれるインバットダイオードに印加される電圧及びこれ
を流れる電流を示し、第４図（ｂ）は基準とする温度、
第４図（ａ）はこれより低温、第４図（ｃ）はこれより
高温における状態を示す〇 本実施例においては、インバットダイオードには、直流
電源４よりトランジスタ５及び抵抗器１０を介してバイ
アス電圧Ｖｉｄが常時印加されて、アイドリング電流１
１ｄが流れている。パルス発生回路２に発振トリガ信号
が入力すれば波高値がＶｐであるパルスが送出され、直
流阻止コンデンサ３を介してバイアス電圧ＶｉｄＫ重畳
され、動作電圧Ｖｏｐ ２Ｖｉｄ＋Ｖｐがインバットダ
イオードに印加される結果、動作電ｆｉＩｏＰ−１１ｄ
＋Ｉｐがインバットダイオードを流れ、マイクロ波がパ
ルス状に発振、送出される。
第３図に示した抵抗器ｌＯの端子間にはアイドリング電
６１ＥＩｉｄＫその抵抗値を乗じた値の電位差を生じる
。この電位差を差電位検出間ＩＮｒ９によって検出し、
その出力が基準電圧設定回路８によって設定され九基準
電圧と比較回路８において比較される。ここで得られる
電圧差の大きさ及び極性に応じて制御回路６によシトラ
ンジスタ５のコレクタ電流を制御することによって、抵
抗器１０の端子間の電位差、従ってインバットダイオー
ドのアイドリング電流１１ｄを基準値に保持することが
できる。
６１ＥＩｉｄＫその抵抗値を乗じた値の電位差を生じる
。この電位差を差電位検出間ＩＮｒ９によって検出し、
その出力が基準電圧設定回路８によって設定され九基準
電圧と比較回路８において比較される。ここで得られる
電圧差の大きさ及び極性に応じて制御回路６によシトラ
ンジスタ５のコレクタ電流を制御することによって、抵
抗器１０の端子間の電位差、従ってインバットダイオー
ドのアイドリング電流１１ｄを基準値に保持することが
できる。
本実施例においては、第４図（ａ）乃至（ｃ） Ｋ示す
如く、インバットダイオードを流れるアイドリング電流
１１ｄ及び動作電流Ｉｏｐは、温度の嵩低にか＼わらず
一定である０これに対してインバットダイオードに印加
される電圧に関しては、パルス電圧Ｖｐは一定であるが
、バイアス電圧Ｖｉｄは、該インバットダイオードの温
度特性に即して、低温においては低く、高温において社
高い値となる〇この様にインバットダイオードの温度に
よる電圧−電流特性の変化にか＼わらず、最適値に設定
された一定の動作電流Ｉｏｐを流すことによって、安定
した発振出力を与えるパルスインバット発振器が形成さ
れる。
如く、インバットダイオードを流れるアイドリング電流
１１ｄ及び動作電流Ｉｏｐは、温度の嵩低にか＼わらず
一定である０これに対してインバットダイオードに印加
される電圧に関しては、パルス電圧Ｖｐは一定であるが
、バイアス電圧Ｖｉｄは、該インバットダイオードの温
度特性に即して、低温においては低く、高温において社
高い値となる〇この様にインバットダイオードの温度に
よる電圧−電流特性の変化にか＼わらず、最適値に設定
された一定の動作電流Ｉｏｐを流すことによって、安定
した発振出力を与えるパルスインバット発振器が形成さ
れる。
なお、以上説明した実施例はパルスインパット発振器で
あるが、インバットダイオードを用いて、増幅器を形成
することも可能であって、例えば第５図Ｋ ７’ ａ
ｖり図を示す如き発振・増幅回路が既に知られている。
あるが、インバットダイオードを用いて、増幅器を形成
することも可能であって、例えば第５図Ｋ ７’ ａ
ｖり図を示す如き発振・増幅回路が既に知られている。
ただし、図において、１１はパルスインパット発振器、
１２は発振器１１の駆動回路、 １３−１．１３−２
及び１ト１はサーキュレータ、 １４−１．１４−２
及び１４−ｎはパルスインバット増幅器、１５−具、１
５−２及び１５−ｎ は増幅器１４−ｎ等のそれぞれ
の駆動回路である。
１２は発振器１１の駆動回路、 １３−１．１３−２
及び１ト１はサーキュレータ、 １４−１．１４−２
及び１４−ｎはパルスインバット増幅器、１５−具、１
５−２及び１５−ｎ は増幅器１４−ｎ等のそれぞれ
の駆動回路である。
第５図に示した発振器の駆動回路１２に前記実施例で説
明したティド４ジグ電流Ｉｔｄを一定とする方法を採用
するのみならず、増幅器の駆動回路１５−１．１５−２
及びｌ５−ｎＫついても前記実施例電流Ｉｉｄを温度の
変化Ｋか＼わらず一定した最適値に設定するととくよっ
て安定した出力を得ることができる。
明したティド４ジグ電流Ｉｔｄを一定とする方法を採用
するのみならず、増幅器の駆動回路１５−１．１５−２
及びｌ５−ｎＫついても前記実施例電流Ｉｉｄを温度の
変化Ｋか＼わらず一定した最適値に設定するととくよっ
て安定した出力を得ることができる。
（ｆ） 発明の効果
本発明は、以上説明した如く、インバットダイオードに
通ずるアイドリンク電流を、ブレークダウン以上で、か
つ咳インバットダイオードを発振状態とするに到らない
最適の一定値に保持し、このバイアス電圧に一定の波高
値を有するパルス電圧を重畳することＫよって、最適動
作電圧のパルス電圧をインバットダイオードに印加する
駆動回路を提供するものであル、従来の周囲温度による
制御などと異なって、直接にインバットダイオードの特
性変動に即し九制御を行なうものであり、温度変化Ｋか
−わらず、その発振又は増幅出方を安定化する効果が確
実であるのみならず、インバットダイオードの経時簀化
尋の特性変動にも追随する効果を有する。
通ずるアイドリンク電流を、ブレークダウン以上で、か
つ咳インバットダイオードを発振状態とするに到らない
最適の一定値に保持し、このバイアス電圧に一定の波高
値を有するパルス電圧を重畳することＫよって、最適動
作電圧のパルス電圧をインバットダイオードに印加する
駆動回路を提供するものであル、従来の周囲温度による
制御などと異なって、直接にインバットダイオードの特
性変動に即し九制御を行なうものであり、温度変化Ｋか
−わらず、その発振又は増幅出方を安定化する効果が確
実であるのみならず、インバットダイオードの経時簀化
尋の特性変動にも追随する効果を有する。
第１図及び第２図性インバットダイオードの電圧−電流
特性の説明図、第３図は本発明の実施例のブロック図、
！４図６）乃至（ｃ）は電圧及び電流波形の模式図、第
５図は他の実施例を示すブロック図である。 図において、ｌはインバット発振器、２はパルス発生器
、３はコンデンサ、４は直流電源、５はトランジスタ、
６は制御回路、７は比較回路、８は基準電圧設定回路、
９は差電圧回路、１０は抵抗器、１１はパルスインパッ
ト発振器、１２は駆動回路、 １３−１．１３−２及
び１３−ｎはサーキュレータ、 １４−１．１４−２
及び１４−ｎはパルスインパット増幅器、 １５−１
．１５−２及び１５−ｎは駆動回路を示す〇 第 １ 図
特性の説明図、第３図は本発明の実施例のブロック図、
！４図６）乃至（ｃ）は電圧及び電流波形の模式図、第
５図は他の実施例を示すブロック図である。 図において、ｌはインバット発振器、２はパルス発生器
、３はコンデンサ、４は直流電源、５はトランジスタ、
６は制御回路、７は比較回路、８は基準電圧設定回路、
９は差電圧回路、１０は抵抗器、１１はパルスインパッ
ト発振器、１２は駆動回路、 １３−１．１３−２及
び１３−ｎはサーキュレータ、 １４−１．１４−２
及び１４−ｎはパルスインパット増幅器、 １５−１
．１５−２及び１５−ｎは駆動回路を示す〇 第 １ 図
Claims (1)
- インバットダイオードにバイアス電圧を印加してアイド
リング電流を通じ、骸パイテス電圧にパルス電圧を重畳
するζ、とくよって、パルス発振又社増幅を行なうイン
バットダイオード回路において、該アイドリンク電流が
ブレークダウン以上で、かつ該インバットダイオードを
発振状態とするに到らない所定の値に保持されることを
特徴とするインバットダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053004A JPS58170204A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | インパツトダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053004A JPS58170204A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | インパツトダイオ−ド駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170204A true JPS58170204A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12930763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053004A Pending JPS58170204A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | インパツトダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289707A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Semiconductor Res Found | 超高周波負性抵抗半導体発振器 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053004A patent/JPS58170204A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289707A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Semiconductor Res Found | 超高周波負性抵抗半導体発振器 |
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