JP2613414C - - Google Patents

Info

Publication number
JP2613414C
JP2613414C JP2613414C JP 2613414 C JP2613414 C JP 2613414C JP 2613414 C JP2613414 C JP 2613414C
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
gas
gan
electrodes
frequency power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Publication date

Links

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3078821B2 (ja) 半導体のドライエッチング方法
US4946548A (en) Dry etching method for semiconductor
KR100465947B1 (ko) 불화 가스 및 산소를 함유한 가스 혼합물을 사용하는텅스텐의 플라즈마 공정
US5789265A (en) Method of manufacturing blue light-emitting device by using BCL3 and CL2
JPH08293489A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法
KR20240097984A (ko) 패터닝을 위한 고품질 c 막들의 펄스형 플라즈마(dc/rf) 증착
US4640737A (en) Dry etching method of compound semiconductor
KR100254364B1 (ko) 저항체의 제조방법
JP2613414B2 (ja) A▲l▼xGa▲下1▼−xNのドライエッチング法
JPH09283861A (ja) 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
JP2623463B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
JP2654454B2 (ja) 半導体のドライエッチング方法
JP2613414C (enrdf_load_stackoverflow)
JP2599250B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法
JP2654455B2 (ja) 半導体のドライエッチング方法
JP3002205B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の表面加工方法
JPH0214773B2 (enrdf_load_stackoverflow)
JPH11220165A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP2740818B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の表面加工方法
JP3639144B2 (ja) 半導体のドライエッチング方法
JP2706660B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
JP3254436B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体におけるエッチングマスクの製造方法。
TW202437337A (zh) 接合晶圓的接合不良部去除方法及接合晶圓的製造方法
US20240234126A1 (en) Method for preparing a microelectronic component comprising a layer with a basis of a iii-v material
JPH07161690A (ja) 炭化珪素体のエッチング方法