JP2610100B2 - プラズマ装置、シールド装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ装置、シールド装置およびプラズマ処理方法

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JP2610100B2 JP5345822A JP34582293A JP2610100B2 JP 2610100 B2 JP2610100 B2 JP 2610100B2 JP 5345822 A JP5345822 A JP 5345822A JP 34582293 A JP34582293 A JP 34582293A JP 2610100 B2 JP2610100 B2 JP 2610100B2
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plasma
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shield
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    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造の
ためのプラズマ装置、シールド装置およびプラズマ処理
方法に関し、特にプラズマ処理プロセスにおいて、半導
体デバイスのスパッタ汚染を減らすことが可能なプラズ
マ装置、シールド装置およびプラズマ処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多くのプラズマ・プロセスが、半導体デ
バイス製造中の層の付着や反応性エッチングに広く使用
されている。しかし、無線周波数（約13.56MHzのRF）誘
導プラズマ・ソースは高電子密度（ne＞1011 cm-3）の
プラズマを生じること、従って、高いプロセス速度をも
たらすことが知られている。
【０００３】米国特許3,705,091に記載されている１つ
の通常的な装置は、13MHzの無線周波数（以下radio fre
quency: RFと略す）の放射によって活動化するヘリカル
・コイルの中の低圧円筒容器の内側で高密度プラズマを
生じるものである。コイル構造が、放電を駆動するプラ
ズマ領域の内側で電界を誘導する。コイル上の高RF電位
が容器壁と容量結合を起こす。容量結合はプラズマから
の荷電粒子（電子とイオン）を誘電性容器壁に衝突さ
せ、誘電性容器壁のスパッタリングによるプロセス汚染
を起こす。さらに容量結合は誘導結合に較べてはるかに
効率が低い。
【０００４】「電荷のないビームのためのＲＦプラズマ
発生器の開発」（"Development ofR.F. Plasma Generat
ors for Neutral Beams", Journal of Vacuum Science
Technology, Vol. A3(3), pp.1218ー1221 (1985)）に
は、永久磁石によって閉じこめられたプラズマに浸した
コイルを持つ誘導結合プラズマ・プロセスの記載があ
る。この装置は、コイルがプラズマと接触しているの
で、放電に対するある程度の容量結合を提示している。
【０００５】欧州特許出願 0 379 828と米国特許4,948,
458は、ウィンドウとよばれる平坦形状の誘電体によっ
てプラズマから離されたスパイラル・コイルを使用し
た、誘導結合プラズマ・プロセスを記載している。ここ
でもコイル上の高い電位が、ある程度の容量結合を起こ
し、従って、誘電性のウィンドウのスパッタリングよる
プロセスの汚染を起こしている。
【０００６】米国特許3,705,091には、コイルからの高
電界が接地にショートするように２つに割った円筒状接
地シールドを、コイルと真空容量の間に置くことが記載
されているが、これと同様のコイルとの螺旋状共振器が
米国特許4,918,031に記載されている。この構成では容
量結合は実質上なくなっている。しかし、この装置の円
筒形の形状では、例えば半導体ウェーハのような大きな
エリアの基板上でのイオンや反応スペシスを効率的に使
うことができない。また、円筒形状では、例えば液晶デ
ィスプレイのような大きな基板の使用に供するためにス
ケールすることができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、求められてい
るのは、汚染を減らすために容量結合をなくすことと、
コイルとプラズマとの間の高い誘導結合を維持し、大き
なエリアにスケールできるリアクタ形状でプロセス速度
の向上が図れる技術である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタ汚染
を減らし、プラズマとの誘導結合を向上させる装置と方
法を提供することを目的とする。本発明は、隣接するス
パイラル形状またはヘリカル・コイル上の高い電位によ
って生成される容量性電界を接地に分路することによっ
て、誘電性ウィンドウのスパッタリングをなくす。これ
は、誘電性ウィンドウとコイルの間のシールドとよばれ
る、接地された導電性のエレメントを加えることにより
達成している。
【０００９】本発明によるシールドは、コイルとプラズ
マの誘導結合に干渉しないようにし、コイルによって発
生する容量性電界を、プラズマとウィンドウの境界から
遠ざけて接地に向けて導くように設計されたものであ
る。
【００１０】シールドに関する本発明の主たる利点は、
誘電性真空ウィンドウからのスパッタされた汚染物質を
減らすか無くすことにある。
【００１１】さらに、シールドは、ヘリカル・コイルを
使った場合、プラズマ発生の均質性が向上できるような
具合に、プラズマを通して誘導性電界を導く。
【００１２】本発明のもう１つの利点は、プラズマの中
のイオン生成を向上することにある。プラズマ中のイオ
ン生成の向上により、通常のプラズマ・プロセスによる
よりも、高いエッチ・レートを得ることができる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明による、プラズマに基づく半
導体デバイス製造装置１００の図式的な断面図である。
【００１４】誘導結合プラズマ低圧CVD、あるいは、反
応性イオンエッチング装置の操作の一般的な記述は、先
述の欧州特許出願0 379 828および米国特許4,948,458に
記載されており、これらの開示は本明細書が参照し包含
する。
【００１５】図１は、ワークピース１０６を保持する基
板ホールダ１０４を有する低圧プラズマ・プロセス・チ
ェンバ１０２を示す。適用可能な他のプロセスには、プ
ラズマ・エッチング、CVD、表面処理、原子およびラジ
カル・ソース、イオンビーム源、および、光源（可視、
UV、 真空UV）がある。ワークピース１０６は、具体的
には、１つまたはそれ以上のウェーハまたは同様のもの
である。プロセス・チェンバ１０２には、プロセス・ガ
ス入口１０８があり、ここから通常の技術によりプロセ
ス・ガスが入れられる。プラズマ１１０は低圧プロセス
・チェンバ１０２の内部で生成される。プロセス・チェ
ンバ１０２には永久磁石１１２があり、プロセス中のプ
ラズマの形状付けに使用される。
【００１６】プロセス・チェンバ１０２の頂点に一般的
にマッチ箱とよばれるRFハウジング１１４が付けられて
いる。マッチ箱１１４の内側にスパイラル状のコイル１
１６とRFインピーダンス調整回路１１８が納められてい
る。調整回路１１８はRFパワー入力１２０によって電力
が供給される。石英真空ウィンドウ（誘電性ウィンド
ウ）１２２がプロセス・チェンバ１０２と、操作中には
プラズマ１１０からRFコイル１１６を分離している。RF
コイル１１６はまたプロセス・チェンバ１０２から、導
電性シールド１２４と、RFコイル１１６と導電性シール
ド１２４に挟まれている絶縁層１２６（空気、ガス、真
空等）とによっても分離されている。
【００１７】スパイラル・コイルは通常平坦形状であ
り、平坦形状コイルともよばれるが、本発明の記述で
は、単にコイル１１６とよぶ。図からわかるように、コ
イル１１６はプロセス・チェンバの外側に、マッチ箱の
内側に置かれている。コイル１１６は誘電性ウィンドウ
１２２に隣接しており、しかし誘電性ウィンドウ１２２
からは絶縁層１２６と導電性シールド１２４によって離
されている。米国特許4,948,458に記載されているよう
に、コイル１１６の平坦の形状が平坦なプラズマ１１０
を作り、ワークピース１０６がより均質に処理される。
従って、コイル１１６が載る平面は誘電性ウィンドウ１
２２と導電性シールド１２４に平行に置かれている。導
電性シールド１２４はマッチ箱１１４に直接接続するこ
とによって接地されており、マッチ箱１１４はプロセス
・チェンバ１０２に接続されている。
【００１８】装置が作動中、導電性シールド１２４はコ
イル１１６によって生成された容量性電界を、誘電性ウ
ィンドウ１２２から遠ざけて接地されたマッチ箱１１４
の方に向けて誘導する。容量性電界を接地することによ
って、コイル１１６とプラズマ１１０の間の誘導結合と
の、容量性電界による干渉を実質的に減らすことができ
る。
【００１９】次に、図２に関連して、導電性シールド１
２４の基本的な形状について述べる。導電性シールド１
２４は４個のシールド・エレメント２３０からなる。シ
ールド・エレメント２３０は、銅、アルミニウム、また
は同様の導電性金属で作られ、厚さは約0.01ー1mmのオー
ダである。
【００２０】シールド・エレメント２３０はそれぞれマ
ッチ箱１１４の内壁に接続するための接地リード２３２
を有する。当業者にとっては、導電性シールド１２４を
接地させる他の同様の技術も使えよう。シールド・エレ
メント２３０はそれぞれに、内側エッジ２３４、２個の
サイドエッジ２３６、外側エッジ２３８がある。サイド
エッジ２３６と外側エッジ２３８がシールド１２４の外
周を画定する。
【００２１】導電性シールド１２４の中央の開口部は図
２に示すように４個の内側エッジ２３４の末端によって
画定される。さらに、放射状のギャップ即ち隙間２４２
は隣接するシールド・エレメント２３０のサイドエッジ
２３６によって画定される。最後に、外側ギャップ２４
４は外側エッジ２３８と、点線２４６で示したマッチ箱
１１４の内部壁とによって画定される。
【００２２】次に、図２に関連して、シールド・エレメ
ント２３０の典型的な寸法について述べる。この寸法は
本発明の１つの望ましい具体化として示すものであっ
て、勿論、本発明の本質の範囲で、容量性シールド１２
４とシールド・エレメント２３０の一般的な形を変更す
ることは可能である。
【００２３】シールド・エレメント２３０はそれぞれ放
射状ギャップ２４２によって分離されているので、磁気
誘導フィールドがプラズマ領域に届くのを妨げるような
円環状の導電性経路は存在しない。
【００２４】望ましい具体化として、内側エッジ２３４
と外側エッジ２３８との間の長さを定数ｘとして表す。
内側エッジ２３４と外側エッジ２３８のそれぞれの長さ
を定数ｙとｚで表す。この具体化では、ｙは約２ｘに等
しく、ｚは約２ｙに等しい。内側エッジ２３４とサイド
エッジ２３６との間の角度αはおおよそ135°に等し
い。αを約135°に等しいとすると、サイドエッジ２３
６はおよそ1.4ｘである。図２は、シールド・エレメン
ト２３０の接地リード２３２をマッチ箱１１４の内壁に
とりつけるための曲げの角度βを90°として示してい
る。上記の寸法は本発明の例として示すもので、この寸
法に限定するものではない。
【００２５】本発明は正方形の基板を均質に処理するこ
とを目的としたものである。円形の基板を処理する場合
にはシールドの外周は円形になる。シールディングの形
によっていろいろな形の基板（ワークピース）の最適な
均質性のための誘導電界の形状が変わる。さらに当業者
は、ウィンドウ、シールディング、および、コイルが平
坦形状でなくてもよいことが理解されよう。ドーム状の
ワークピースを処理するには、半球形のウィンドウを使
うのがよい。この場合、シールディングは半球形でウィ
ンドウの形状に沿うのがよい。コイルもシールディング
の形状に沿うか、ヘリカル形状がよい。
【００２６】図３は容量性シールド１２４と、コイル１
１６によって作られたRF磁束ライン３０２を示す。図３
の（Ａ）は、コイル１１６とシールド・エレメント２３
０の断面図である。この図はまた中央開口２４０も示
し、この中央開口により、RF磁束ライン３０２が誘電性
ウィンドウ１２２を通り、プラズマ１１０（図示せず）
を生成することができる。外側ギャップ２４４により、
図示するように、RF磁束ライン３０２がコイル１１６に
戻ることができる。シールド・エレメント２３０は、３
０４として図式的に示すように接地されている。図３の
（Ｂ）は、容量性シールド１２４を上から見た図であ
る。この図でも、RF磁束ライン３０２が中央開口２４０
に入り、外側ギャップ２４４と放射状ギャップ２４２を
通ってコイル１１６に戻ることが示されている。
【００２７】コイル１１６の内側の末端が接地電位にあ
るので、コイル１１６の内側の内側巻き線の上のRF電位
は非常に小さい。従って、シールドの中央開口２４０に
よって、誘電性ウィンドウ１２２の中央をRF電位によっ
てスパッタリングする心配がなく、コイル１１６とプラ
ズマ１１０の間を誘導結合することができる。しかし、
中央開口が小さすぎる場合（約1インチ即ち約2.54セン
チ以下）には、プラズマ点弧が困難になり、誘導電界の
１部がシールドによってプラズマ領域から除外されてし
まう。
【００２８】図４は、容量性シールディングをしたかし
ないかの違いのみで、他は全く同じ条件でエッチングし
た、ポリイミドでコーティングしたウェーハの写真であ
る。図４の（Ａ）に示すシールドなしのプロセスで作っ
たウェーハは表面がざらざらである。この表面の荒さ
は、石英ウィンドウからスパッタリングによって付着さ
れたシリコンによるポリイミド表面のマイクロマスキン
グ現象による。
【００２９】接地されたシールド・エレメントがある場
合には、ウェーハ上のポリイミドは図４の（Ｂ）に示す
ように滑らかである。ポリイミドの除去のエッチレート
は導電性シールドがある場合の方が速い。本発明による
導電性シールドがあってエッチングしたウェーハの平均
エッチ速度は0.75μｍ／分であった。同じ条件下で導電
性シールドがなかった場合、エッチ速度は0.55μｍ／分
であった。このエッチ速度の向上は、部分的にはマイク
ロマスキングがないことによるものであるが、プラズマ
からのイオン束のラングミュアのプローブ測定からも、
シールディングを使用した時にはイオン飽和束密度が増
えることがわかっている。
【００３０】図５は、プラズマの中の対角線位置の関数
としてイオン飽和電流を測定し、シールディングの有無
の違いをプロットしたものである。シールディングをす
ると、イオン束が50%増加する。図６は図５のデータを
同じピーク値にノーマライズしたもので、イオン束の均
質性はシールドの有無によっては不利になるような影響
を受けないことを示す。
【００３１】実際の結果および図４から図６に示したデ
ータから、本発明がスパッタ汚染を減らし、同時に、低
圧プラズマ・プロセスにおいてプロセスの速さを改良す
るのに有効であることが明らかである。
【００３２】本発明のもう１つの具体化として、均質性
を向上するために、平坦形状でない誘導コイルのRF電界
の形状作りを行うために、導電性シールドを使用してい
る。例えばヘリカル・コイルが使われている場合であっ
ても、導電性シールドによる形状づくりを行うことによ
り、誘導電界がプラズマ中で均質性がより高まる。
【００３３】本発明の導電性シールドと共にヘリカル・
コイルを使用したRF誘導プラズマとイオンソースを図７
に示す。米国特許3,705,091が示唆するような、コイル
の内部でプラズマを生成する方法よりも、本発明では、
接地された導電性シールド７２４を使って、ヘリカル・
コイル７０２の下で平坦なプラズマが生成される。
【００３４】平坦なプラズマは、シリコン・ウェーハ
や、複数のチップのパッケージのような、プレーナ即ち
平坦なワークピースを扱うのに望ましい。均質性を向上
するために、より広い空間でも均質なプラズマを生成す
るために、RFフィールドの形が修正されるようにして、
形状付けされた導電性シールドがプラズマとコイルの末
端の間に使われる。従って、本発明は、大きなエリアを
持つ材料の、プラズマ・プロセスを均質に行うために使
うことができる。この具体化は、正方形の表面を持つエ
リアを均質に処理するために実行され、従って、正方形
でのプラズマの励起に最適化されている。しかし、本発
明の本質部分は他の形状にも適用可能である。
【００３５】図７は、真空チェンバー１０２で生成され
た低圧（0.1ー100 mTorr）プラズマを示す。無線周波数
エネルギー（13.56MHz）が、電源７０６によって駆動さ
れるヘリカル・コイル７０２によって、真空チェンバ１
０２の頂部の石英真空ウィンドウ１２２を通って放電領
域に導入される。チェンバ１０２とヘリカル・コイル７
０２の末端部との両方とも接地されている。強い磁界
が、マッチ箱１１４の中の真空ウィンドウ１２２に隣接
するヘリカル・コイル７０２によって生成される。コイ
ルは、直径８インチのコイルの形の周りにまかれた１／
４インチの銅のチューブからなっている。図７は、ま
た、ワークピース１０６を支持している基板ホールダ１
０４を、シールド７０８によって保護することも可能で
あることを示している。
【００３６】図８は、ヘリカル・コイルとともに使う導
電性シールド７２４を示す。シールド７２４は、いまま
で述べてきたシールド１２４と作動も構造も類似してい
る。導電性シールド７２４は、シールド・エレメント８
３０、接地リード８３２、内側エッジ８３４、サイドエ
ッジ８３６、外側エッジ８３８、中央開口部８４０、放
射性ギャップ８４２、外側ギャップ８４４を有する。
【００３７】磁束ラインがヘリカル・コイルを通ってル
ープし、プラズマ領域を、プラズマに電界を誘導しなが
ら通って行く。コイルだけによって生成されたフィール
ドは均質性に欠ける欠点がある。均質性は、コイルとプ
ラズマとの間の接地された導電性シールドによって向上
される。ヘリカル・コイル７０２によって生成されたRF
磁束は、プラズマ１１０の中央領域を強制的に通る。磁
束の帰り道は、プラズマの内部、シールドの形状付けさ
れた導電部分の外側の周囲にある。電界の形、従って、
プラズマ生成の均質性は、導電性部分の形によって制御
される。コイルの形は重要でなく、いろいろな形の螺旋
状でよい。さらに均質性を増すには、プラズマの磁気閉
じこめが使用できる。
【００３８】ヘリカル・コイルの接地された末端はプラ
ズマの近くに位置しており、従ってコイルとプラズマと
の間の容量性電界は、スパイラル・コイルで生成された
容量性電界にくらべて非常に小さく、従って、導電性シ
ールド７２４の接地は必要でない場合もある。
【００３９】本発明によって生成されたプラズマの均質
性は、図９に示すように、通常のスパイラル・カプラよ
りも向上している。約20cmを超えるスパイラル・カプラ
の対角線方向の均質性は19%だが、同じ条件下で、本発
明による導電性シールドを持つヘリカル・コイルは11%
の均質性を達成する。測定したイオン束は、約20mA cm
-2で、両方のデバイスで殆ど同じである。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、以上に説明したように、誘導
結合プラズマ・プロセスによる半導体デバイスの製造に
関する装置と方法を提供するもので、スパッタリングに
よる汚染を実質的になくし、大きなエリアにスケールで
きるリアクタ形状で、プロセス速度の向上を可能にする
技術である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による、プラズマに基づく半導体デバイ
ス製造装置の図式的断面図。
【図２】図１に示した典型的なシールド装置を上から見
た図。
【図３】図３は本発明の導電性シールドの周囲を通る磁
束ラインを図形的に表した図。
【図４】図４の（Ａ）は容量性シールドなし、（Ｂ）は
容量性シールドありの、他は同条件下でエッチングされ
た、ポリイミドでコーティングされたウェーハの写真。
【図５】対角線位置の関数としてイオン飽和電流を測定
し、プロットしたグラフ。
【図６】図５のデータを同じピーク値に対してノーマラ
イズし、イオン束均質性を示すグラフ。
【図７】ヘリカル・コイルに適用する本発明のもう１つ
の具体化を示す。
【図８】ヘリカル・コイル具体化に使用する導電性シー
ルドを上から見た図。
【図９】本発明具体化と通常のスパイラル・コイルとの
間の対角線方向の均質性の比較を示す。
【符号の説明】
１００ 半導体デバイス製造装置 １０２ 低圧プラズマ・プロセス・チェンバ １０４ 基板ホールダ １０６ ワークピース １０８ プロセス・ガス入口 １１０ プラズマ １１２ 永久磁石 １１４ ＲＦハウジング １１６ コイル １２０ ＲＦパワー入力口 １２２ 石英真空ウィンドウ（誘電性ウィン
ドウ） １２４、７２４ 導電性シールド １２６ 絶縁層（空気、ガス等） ２３０、８３０ シールド・エレメント ２３２、８３２ 接地リード ２３４、８３４ 内側エッジ ２３６ サイド・エッジ ２３８、８３８ 外側エッジ ２４０、８４０ 中央開口 ２４２、８４２ 放射状ギャップ ２４４、８４４ 外側ギャップ ３０２ ＲＦ磁束ライン ３０４ 接地 ７０２ ヘリカル・コイル ７０８ シールド装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｌ (72)発明者 シー． リチャード グアルニエリ アメリカ合衆国 10589 ニューヨーク 州 ソマーズ アンナロックドライブ (72)発明者 ジェフリー エイ． ホップウッド アメリカ合衆国 10509 ニューヨーク 州 ブルースター セブンフィールズレ イン 404 (56)参考文献 特開 平５−275383（ＪＰ，Ａ)

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高密度プラズマを生成するプラズマ装置
    であって、 開口窓と基板が裁置される基板ホルダとが設けられたプ
    ロセス・チャンバと、 開口窓に設けられた誘電性ウィンドウと、 誘電性ウィンドウのチャンバ外側面上に設けられた導電
    性シールドと、 導電性シールドが設けられた誘電性ウィンドウのチャン
    バ外側面上に設けられた絶縁層と、 絶縁層のチャンバ外側面上に設けられたコイルと、 高周波電源とを有し、 高周波電源の一端とコイルの一端とプロセス・チャンバ
    と導電性シールドとグランドとが電気的に接続されると
    共に、高周波電源の他端とコイルの他端とが電気的に接
    続され、さらに、導電性シールドが誘電性ウィンドウの
    外周より内側に位置する外周部分と中央開口とを持つこ
    とを特徴とするプラズマ装置。
  2. 【請求項２】 コイルにより作られた磁束が導電性シー
    ルドの中央開口を通ってプロセス・チャンバ内に入り、
    そして、この磁束が導電性シールドの外周部分と誘電性
    ウィンドウの外周との間のギャップを通ってコイルに戻
    ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
  3. 【請求項３】 導電性シールドが放射状ギャップを持つ
    ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
  4. 【請求項４】 コイルがヘリカル・コイルであることを
    特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
  5. 【請求項５】 プロセス・チャンバが低圧チャンバであ
    ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
  6. 【請求項６】 高密度プラズマを生成するプラズマ装置
    のプロセス・チャンバの開口窓にあるシ−ルド装置であ
    って、 開口窓に設けられた誘電性ウィンドウと、 誘電性ウィンドウのチャンバ外側面上に設けられた導電
    性シールドと、 導電性シールドが設けられた誘電性ウィンドウのチャン
    バ外側面上に設けられた絶縁層と、 絶縁層のチャンバ外側面上に設けられたコイルと、 高周波電源とを有し、 高周波電源の一端とコイルの一端とプロセス・チャンバ
    と導電性シールドとグランドとが電気的に接続されると
    共に、高周波電源の他端とコイルの他端とが電気的に接
    続され、さらに、導電性シールドが誘電性ウィンドウの
    外周より内側に位置する外周部分と中央開口とを持つこ
    とを特徴とするシ−ルド装置。
  7. 【請求項７】開口窓と基板が裁置される基板ホルダとが
    設けられたプロセス・チャンバと、 開口窓に設けられた誘電性ウィンドウと、 誘電性ウィンドウのチャンバ外側面上に設けられた導電
    性シールドと、 導電性シールドが設けられた誘電性ウィンドウのチャン
    バ外側面上に設けられた絶縁層と、 絶縁層のチャンバ外側面上に設けられたコイルと、 高周波電源とを有し、 高周波電源の一端とコイルの一端とプロセス・チャンバ
    と導電性シールドとグランドとが電気的に接続されると
    共に、高周波電源の他端とコイルの他端とが電気的に接
    続され、さらに、導電性シールドが誘電性ウィンドウの
    外周より内側に位置する外周部分と中央開口とを持つプ
    ラズマ装置を用いてワークピースをプラズマ処理するこ
    とを特徴とするプラズマ処理方法であって、 ワークピースを基板ホルダに裁置し、そして、プロセス
    ・チャンバ内に導入したプロセス・ガスをプラズマ化す
    ることによりワークピースをプラズマ処理することを特
    徴とするプラズマ処理方法。
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