JP2606175B2 - 回路基板の分割方法 - Google Patents
回路基板の分割方法Info
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- JP2606175B2 JP2606175B2 JP7092288A JP9228895A JP2606175B2 JP 2606175 B2 JP2606175 B2 JP 2606175B2 JP 7092288 A JP7092288 A JP 7092288A JP 9228895 A JP9228895 A JP 9228895A JP 2606175 B2 JP2606175 B2 JP 2606175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- glass powder
- dividing
- hybrid
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
Landscapes
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板の分割方法に関
し、特に基板に電子部品を実装した後、基板を所定の大
きさに外形形成する混成ＩＣ等の回路基板の分割方法に
関する。
し、特に基板に電子部品を実装した後、基板を所定の大
きさに外形形成する混成ＩＣ等の回路基板の分割方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成ＩＣ等に利用されるガラス繊
維入りエポキシ樹脂の回路基板を分割する場合、図４に
示すように分割金型によって行なわれ、下型１０の所定
の位置に回路基板１をセットし、上型のパッド１３で回
路基板１を押えた後、ポンチ１４で打ち抜き加工を行な
っていた。
維入りエポキシ樹脂の回路基板を分割する場合、図４に
示すように分割金型によって行なわれ、下型１０の所定
の位置に回路基板１をセットし、上型のパッド１３で回
路基板１を押えた後、ポンチ１４で打ち抜き加工を行な
っていた。
【０００３】また図５に示すように、レーザビーム４に
より回路基板１を局部的に加熱しながら加熱部に圧縮空
気を吹き付けて分割加工する方法も行なわれることがあ
った。
より回路基板１を局部的に加熱しながら加熱部に圧縮空
気を吹き付けて分割加工する方法も行なわれることがあ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の分割金型によっ
て回路基板を分割加工する方法では、混成ＩＣ等電子部
品の実装された基板の外形寸法が変わる毎に分割金型を
作らなければならず、分割金型を作るための長い期間を
必要としたり、費用がかかる等の欠点があった。
て回路基板を分割加工する方法では、混成ＩＣ等電子部
品の実装された基板の外形寸法が変わる毎に分割金型を
作らなければならず、分割金型を作るための長い期間を
必要としたり、費用がかかる等の欠点があった。
【０００５】またレーザビームにより回路基板を分割す
る方法では、レーザビームによる加熱によってエポキシ
樹脂が炭化するため、電子部品が実装された回路基板の
端面から炭素の粉塵が発生したり、混成ＩＣ等の絶縁性
劣化の原因となる等の問題があった（図６参照。）。
る方法では、レーザビームによる加熱によってエポキシ
樹脂が炭化するため、電子部品が実装された回路基板の
端面から炭素の粉塵が発生したり、混成ＩＣ等の絶縁性
劣化の原因となる等の問題があった（図６参照。）。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の回路基板の分割
方法は加熱手段としてレーザビームを使用し、回路基板
の分割加工する部分にガラス粉末入り酸素ガスを吹き付
ける手段を有する。
方法は加熱手段としてレーザビームを使用し、回路基板
の分割加工する部分にガラス粉末入り酸素ガスを吹き付
ける手段を有する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明による回路基板分割方法の第
１の実施例であり、回路基板の分割状態を示す断面図で
ある。本実施例においてまずガラス繊維入りエポキシ樹
脂等で作られた回路基板１をステージ２にセットする。
次に集光レンズ３で集光されたレーザビーム４を回路基
板１の所定の位置に照射しながらガラス粉末入り酸素ガ
スをガス導入口５から送り込み、吹き出しノズル６から
回路基板１のレーザ加工部に吹き付けることによりレー
ザビーム４によって局部的に溶けた部分を吹き飛ばし、
穴をあけることが可能である。さらに回路基板１がセッ
トされているステージ２を水平方向に所定のスピードで
動かすことにより回路基板１を所定の大きさに分割する
ことが可能となる。
１の実施例であり、回路基板の分割状態を示す断面図で
ある。本実施例においてまずガラス繊維入りエポキシ樹
脂等で作られた回路基板１をステージ２にセットする。
次に集光レンズ３で集光されたレーザビーム４を回路基
板１の所定の位置に照射しながらガラス粉末入り酸素ガ
スをガス導入口５から送り込み、吹き出しノズル６から
回路基板１のレーザ加工部に吹き付けることによりレー
ザビーム４によって局部的に溶けた部分を吹き飛ばし、
穴をあけることが可能である。さらに回路基板１がセッ
トされているステージ２を水平方向に所定のスピードで
動かすことにより回路基板１を所定の大きさに分割する
ことが可能となる。
【０００９】詳細に説明すると一般に混成ＩＣ等に使用
される回路基板１は板厚が０．６〜１．６ｍｍ程度のガ
ラス繊維入りエポキシ基板が使われ、外形１００×１５
０ｍｍ程度の大きさの回路基板から２０×３０ｍｍ程度
の混成ＩＣが数十個形成される。混成ＩＣの製造工程に
おいて、回路基板１上にはＩＣ，トランジスタ，ダイオ
ード等の表面実装部品が半田付けされた後、混成ＩＣと
しての所定の大きさに分割されて外部リードが取り付け
られて混成ＩＣが完成する。本発明を上記混成ＩＣに適
用する場合、あらかじめ表面実装部品が半田付けされた
回路基板１を真空吸着等によりステージ２を固定する。
次に集光レンズ３を通してＹＡＧレーザ（波長１，０６
μｍ）を５０〜２００Ｗの出力で照射する。この際ガス
導入口５からは容積比で０．０１〜１ｐｐｍ程度のガラ
ス粉末（粒径は１０〜１００μｍ）の入った酸素ガス
（酸素濃度５０％以上，圧力３〜５×１０5 Ｐａ）を導
入し、吹き出しノズル６から回路基板１に吹き付ける。
ガラス粉末は１０μｍより小さいととびちってしまうた
め、基板にも付着しにくい。１００μｍより大きいと均
一に付着しにくく、断面の表面があらくなってしまい、
また、溶触しにくいという欠点がある。すなわち、ガラ
ス粉末の粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であること
がガラス膜を均一に付着する上で好しい。回路基板１の
レーザビーム４によって局部的に溶けた加工部は吹き付
けられたガスにより酸化しながら吹き飛ばされ穴があ
く。この時ステージ２を１〜１０ｍｍ／秒の速さで動か
すことにより回路基板１を混成ＩＣとしての所定の大き
さに分割することができる。
される回路基板１は板厚が０．６〜１．６ｍｍ程度のガ
ラス繊維入りエポキシ基板が使われ、外形１００×１５
０ｍｍ程度の大きさの回路基板から２０×３０ｍｍ程度
の混成ＩＣが数十個形成される。混成ＩＣの製造工程に
おいて、回路基板１上にはＩＣ，トランジスタ，ダイオ
ード等の表面実装部品が半田付けされた後、混成ＩＣと
しての所定の大きさに分割されて外部リードが取り付け
られて混成ＩＣが完成する。本発明を上記混成ＩＣに適
用する場合、あらかじめ表面実装部品が半田付けされた
回路基板１を真空吸着等によりステージ２を固定する。
次に集光レンズ３を通してＹＡＧレーザ（波長１，０６
μｍ）を５０〜２００Ｗの出力で照射する。この際ガス
導入口５からは容積比で０．０１〜１ｐｐｍ程度のガラ
ス粉末（粒径は１０〜１００μｍ）の入った酸素ガス
（酸素濃度５０％以上，圧力３〜５×１０5 Ｐａ）を導
入し、吹き出しノズル６から回路基板１に吹き付ける。
ガラス粉末は１０μｍより小さいととびちってしまうた
め、基板にも付着しにくい。１００μｍより大きいと均
一に付着しにくく、断面の表面があらくなってしまい、
また、溶触しにくいという欠点がある。すなわち、ガラ
ス粉末の粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下であること
がガラス膜を均一に付着する上で好しい。回路基板１の
レーザビーム４によって局部的に溶けた加工部は吹き付
けられたガスにより酸化しながら吹き飛ばされ穴があ
く。この時ステージ２を１〜１０ｍｍ／秒の速さで動か
すことにより回路基板１を混成ＩＣとしての所定の大き
さに分割することができる。
【００１０】図３に本発明により分割形成された混成Ｉ
Ｃのレーザ加工部の断面を示すが、本発明では基板分割
時レーザビームを照射しながらガラス粉末入りの酸素ガ
スを吹き付けているので、酸素による酸化作用により容
易に加工できるとともにガラス粉末が入っていることに
より５０〜２００μｍのエポキシ樹脂の炭化層の表面を
１０〜１００μｍのガラス層が被覆している。
Ｃのレーザ加工部の断面を示すが、本発明では基板分割
時レーザビームを照射しながらガラス粉末入りの酸素ガ
スを吹き付けているので、酸素による酸化作用により容
易に加工できるとともにガラス粉末が入っていることに
より５０〜２００μｍのエポキシ樹脂の炭化層の表面を
１０〜１００μｍのガラス層が被覆している。
【００１１】図２は本発明による回路基板分割方法の第
２の実施例であり、回路基板を分割する時のステージ，
回路基板，吹き出しノズル，集光レンズ，レーザビーム
の位置関係を示す断面図である。図１の第１の実施例と
異なる点は吹き出しノズル６′をレーザビーム４の出口
とは別に設けている点である。こうすることによって吹
き出しノズル６′の向きがレーザビーム４の向きとは関
係なく自由に変更できるため、最適な向きにガラス粉末
を吹き付けることができる。またガラス粉末によって集
光レンズが汚染されることがない。
２の実施例であり、回路基板を分割する時のステージ，
回路基板，吹き出しノズル，集光レンズ，レーザビーム
の位置関係を示す断面図である。図１の第１の実施例と
異なる点は吹き出しノズル６′をレーザビーム４の出口
とは別に設けている点である。こうすることによって吹
き出しノズル６′の向きがレーザビーム４の向きとは関
係なく自由に変更できるため、最適な向きにガラス粉末
を吹き付けることができる。またガラス粉末によって集
光レンズが汚染されることがない。
【００１２】尚、本実施例においては混成ＩＣのガラス
繊維入りエポキシ基板について説明したが回路基板がプ
ラスチック製の基板であれば他の用途の回路基板の分割
にも適用できることはもちろんである。
繊維入りエポキシ基板について説明したが回路基板がプ
ラスチック製の基板であれば他の用途の回路基板の分割
にも適用できることはもちろんである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の回路基板の
分割方法は加熱手段としてレーザビームを使用し、回路
基板の分割加工する部分にガラス粉末入り酸素ガスを吹
き付けることが可能な構成としたので回路基板分割用の
打抜き金型を必要とせず混成ＩＣ等の開発期間が短か
く、費用も安くて済む。また従来のレーザビームによる
加工方法のように加熱によって生じた炭化層に混成ＩＣ
パッケージからの炭素の粉塵発生や絶縁性劣化の原因と
なることがないという効果を有する。
分割方法は加熱手段としてレーザビームを使用し、回路
基板の分割加工する部分にガラス粉末入り酸素ガスを吹
き付けることが可能な構成としたので回路基板分割用の
打抜き金型を必要とせず混成ＩＣ等の開発期間が短か
く、費用も安くて済む。また従来のレーザビームによる
加工方法のように加熱によって生じた炭化層に混成ＩＣ
パッケージからの炭素の粉塵発生や絶縁性劣化の原因と
なることがないという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の実施例の断面図。
【図２】本発明による第２の実施例の断面図。
【図３】本発明により分割形成された混成ＩＣのレーザ
加工部の断面図。
加工部の断面図。
【図４】従来の分割金型による回路基板の分割状態を示
す断面図。
す断面図。
【図５】従来の圧縮空気を吹き付ける方法の断面図。
【図６】従来の圧縮空気を吹き付ける方法で分割形成さ
れた混成ＩＣのレーザ加工部の断面図。
れた混成ＩＣのレーザ加工部の断面図。
１ 回路基板 ２ ステージ ３ 集光レンズ ４ レーザビーム ５，５′ ガス導入口 ６，６′ 吹き出しノズル ７ 混成ＩＣ ８ エポキシ樹脂の炭化層 ９ ガラス層 １０ 下型 １１ 上型 １２ 表面実装部品 １３ パッド １４ ポンチ １５ 圧縮空気導入口
Claims (6)
- 【請求項１】 回路基板の分割において、前記回路基板
の分割加工する部分にガラス粉末入り酸素ガスを吹き付
けながらレーザ加工を行なうことを特徴とする回路基板
の分割方法。 - 【請求項２】 前記回路基板がエポキシ樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の回路基板の分割方法。 - 【請求項３】 前記ガラス粉末の粒径は１０〜１００μ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の分
割方法。 - 【請求項４】 前記回路基板の分割断面が前記ガラス粉
末の溶融したガラス層で覆われるようにレーザ加工する
ことを特徴とする請求項１記載の回路基板の分割方法。 - 【請求項５】 前記ガラス粉末入り酸素ガスの吹き出し
方向と前記レーザ加工のレーザの方向とが同一方向で同
一軸上にあることを特徴とする請求項１記載の回路基板
の分割方法。 - 【請求項６】 前記ガラス粉末入り酸素ガスの吹き出し
方向と、前記レーザ加工のレーザの方向とが異なる方向
で異なる軸上にあることを特徴とする請求項１記載の回
路基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092288A JP2606175B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 回路基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7092288A JP2606175B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 回路基板の分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08290286A JPH08290286A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2606175B2 true JP2606175B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=14050231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7092288A Expired - Lifetime JP2606175B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 回路基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606175B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103415147A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-27 | 昆山迈致治具科技有限公司 | 一种pcb板冷却吸附治具 |
| CN103415148A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-27 | 昆山迈致治具科技有限公司 | 一种pcb板冷却压紧治具 |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP7092288A patent/JP2606175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08290286A (ja) | 1996-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961210 |