JP2604444B2 - 薄膜型磁気テープ - Google Patents
薄膜型磁気テープInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適した薄膜型磁気テープに
関するものである。
関するものである。
従来の技術 磁気記録の高密度化は近年ますます進展しており、記
録方式やヘツドの研究開発が盛んに行われているが、な
かでも高密度記録媒体の開発は高密度磁気記録の最も重
要な技術として注目されている。高密度磁気記録媒体と
して現在最も注目されている媒体の１つとしては、CoNi
合金やCoなどを主成分とした薄膜型磁気記録媒体があげ
られる。これら薄膜型磁気記録媒体は、高密度磁気記録
媒体としての電磁変換特性は非常に優れているものの、
耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能の点では必ず
しも十分とは言えない状態であり、これらの性能を向上
させるための保護潤滑層として、各種の窒化物や酸化物
およびＣ（炭素）を主成分としたダイヤモンド状カーボ
ンやグラフアイト状カーボンの保護潤滑薄膜層が研究さ
れている。これらの保護潤滑薄膜層は目的に応じて使わ
れるものの、Ｃを主成分とした保護潤滑薄膜層はスペー
シングロスによる電特劣化が少ないような膜厚でも十分
な保護効果が期待できる材料として注目されている（US
P 4717622号公報、特開昭59−127232号公報）。
録方式やヘツドの研究開発が盛んに行われているが、な
かでも高密度記録媒体の開発は高密度磁気記録の最も重
要な技術として注目されている。高密度磁気記録媒体と
して現在最も注目されている媒体の１つとしては、CoNi
合金やCoなどを主成分とした薄膜型磁気記録媒体があげ
られる。これら薄膜型磁気記録媒体は、高密度磁気記録
媒体としての電磁変換特性は非常に優れているものの、
耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能の点では必ず
しも十分とは言えない状態であり、これらの性能を向上
させるための保護潤滑層として、各種の窒化物や酸化物
およびＣ（炭素）を主成分としたダイヤモンド状カーボ
ンやグラフアイト状カーボンの保護潤滑薄膜層が研究さ
れている。これらの保護潤滑薄膜層は目的に応じて使わ
れるものの、Ｃを主成分とした保護潤滑薄膜層はスペー
シングロスによる電特劣化が少ないような膜厚でも十分
な保護効果が期待できる材料として注目されている（US
P 4717622号公報、特開昭59−127232号公報）。
このように高密度磁気記録媒体としては、薄膜型磁気
記録媒体とＣを主成分とした保護潤滑薄膜層という構成
が注目されているが、これらを磁気テープとして構成し
た場合、保護潤滑薄膜層の効果により磁気テープの総合
的性能として耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能
の面で大きく向上する。
記録媒体とＣを主成分とした保護潤滑薄膜層という構成
が注目されているが、これらを磁気テープとして構成し
た場合、保護潤滑薄膜層の効果により磁気テープの総合
的性能として耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能
の面で大きく向上する。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、Ｃを主成分とし
た保護潤滑薄膜層からクラツクが発生し易く、クラツク
が磁性層まで伝わるので、磁気テープとして使用する場
合においてはテープカートリツジのリツジポスト部にお
いてクラツクが発生し易いという課題を有していた。
た保護潤滑薄膜層からクラツクが発生し易く、クラツク
が磁性層まで伝わるので、磁気テープとして使用する場
合においてはテープカートリツジのリツジポスト部にお
いてクラツクが発生し易いという課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、落下テストのような衝撃を
受け易いような条件においても磁気テープカートリツジ
のリツド部において薄膜層にクラツクが発生しにくくな
るようにした耐衝撃性のすぐれた薄膜型磁気テープを提
供することを目的とするものである。
受け易いような条件においても磁気テープカートリツジ
のリツド部において薄膜層にクラツクが発生しにくくな
るようにした耐衝撃性のすぐれた薄膜型磁気テープを提
供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の薄膜型磁気テープ
は、基板上にCoまたはCoNi合金を主成分とする磁性薄膜
層と、Ｃを主成分とする保護潤滑薄膜層とを有し、前記
磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000k
g/mm2以下であることを特徴とするものである。
は、基板上にCoまたはCoNi合金を主成分とする磁性薄膜
層と、Ｃを主成分とする保護潤滑薄膜層とを有し、前記
磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000k
g/mm2以下であることを特徴とするものである。
本発明において、基板上に有する磁性薄膜層と保護潤
滑薄膜層との平均のヤング率を14000kg/mm2以下とする
には、次のような手段を１種また複数種組合わせること
により達成できる。
滑薄膜層との平均のヤング率を14000kg/mm2以下とする
には、次のような手段を１種また複数種組合わせること
により達成できる。
Ｉ、磁性薄膜層の形成 CoNi合金を用い、Ni含有量を増す。蒸着時の酸素量を
減少させる。蒸着時の最低入射角を高くする、真空度を
ゆるめる、Arなどの不活性ガスを導入するなどにより磁
性薄膜層を粗にする。
減少させる。蒸着時の最低入射角を高くする、真空度を
ゆるめる、Arなどの不活性ガスを導入するなどにより磁
性薄膜層を粗にする。
II、保護潤滑薄膜層の形成 放電パワー、Arガス圧、Ｃの原料ガスの種類などを選
択して、Ｃ系の保護潤滑薄膜層の結晶構造を調整する。
択して、Ｃ系の保護潤滑薄膜層の結晶構造を調整する。
III、その他 ヤング率が低い磁性薄膜層とヤング率が高い保護潤滑
薄膜層のそれぞれの厚みを調整する。
薄膜層のそれぞれの厚みを調整する。
本発明の薄膜型磁気テープは、上記のように磁性薄膜
層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000kg/mm2以
下であることにより耐衝撃性がすぐれているが、このヤ
ング率を10000kg/mm2より低くすることは、耐久性や各
種環境下での信頼性、保存性能などが低下する傾向が認
められ、実用上避けることが望ましい。
層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000kg/mm2以
下であることにより耐衝撃性がすぐれているが、このヤ
ング率を10000kg/mm2より低くすることは、耐久性や各
種環境下での信頼性、保存性能などが低下する傾向が認
められ、実用上避けることが望ましい。
なお、上記の磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均のヤ
ング率は次の方法で測定する。
ング率は次の方法で測定する。
8mm幅にスリツトした薄膜型磁気テープを原試料とし
て用いる。この原試料を稀硝酸によりエツチングして磁
性薄膜層および保護潤滑薄膜層を除去する。このエツチ
ングして得たテープ（基板）とエツチングしない原試料
のテープとについて、試料長200mm、引張速度20mm/min
で引張つて、0.5％伸長時の応力を測定し、両者の差を
磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均の引張応力とする。
一方反射型電子顕微鏡（SEM）により磁性薄膜層と保護
潤滑層との膜厚を測定し、この膜厚と前記引張応力とか
らヤング率を算出する。
て用いる。この原試料を稀硝酸によりエツチングして磁
性薄膜層および保護潤滑薄膜層を除去する。このエツチ
ングして得たテープ（基板）とエツチングしない原試料
のテープとについて、試料長200mm、引張速度20mm/min
で引張つて、0.5％伸長時の応力を測定し、両者の差を
磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均の引張応力とする。
一方反射型電子顕微鏡（SEM）により磁性薄膜層と保護
潤滑層との膜厚を測定し、この膜厚と前記引張応力とか
らヤング率を算出する。
作用 上記の構成において、基板上の磁性薄膜層と保護潤滑
薄膜層の平均のヤング率を14000kg/mm2以下としたこと
により、前記両薄膜層の靱性が増大して耐衝撃性が向上
し、衝撃を受けてもそれを吸収してクラツクなどを発生
することが無くなる。
薄膜層の平均のヤング率を14000kg/mm2以下としたこと
により、前記両薄膜層の靱性が増大して耐衝撃性が向上
し、衝撃を受けてもそれを吸収してクラツクなどを発生
することが無くなる。
実施例 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜型磁気テープの概略
断面図である。第１図に示す薄膜型磁気テープにおいて
は、基板１の片面上にCoまたはCoNi合金を主成分とする
磁性薄膜層２を積層し、かつこの磁性薄膜層２の上面に
Ｃ（炭素）を主成分とする保護潤滑薄膜層３を積層し、
さらに両面に潤滑剤層４を設けており、前記磁性薄膜層
２と保護潤滑薄膜層３は平均14000kg/mm2以下のヤング
率を有している。この薄膜型磁気テープは、すぐれた磁
気特性ならびに耐久性、各種環境下での信頼性や保存性
能を有するとともに、靱性が著しく増大して耐衝撃性が
向上し、衝撃を受けてもそれを吸収してクラツクを発生
するようなことは無い。
断面図である。第１図に示す薄膜型磁気テープにおいて
は、基板１の片面上にCoまたはCoNi合金を主成分とする
磁性薄膜層２を積層し、かつこの磁性薄膜層２の上面に
Ｃ（炭素）を主成分とする保護潤滑薄膜層３を積層し、
さらに両面に潤滑剤層４を設けており、前記磁性薄膜層
２と保護潤滑薄膜層３は平均14000kg/mm2以下のヤング
率を有している。この薄膜型磁気テープは、すぐれた磁
気特性ならびに耐久性、各種環境下での信頼性や保存性
能を有するとともに、靱性が著しく増大して耐衝撃性が
向上し、衝撃を受けてもそれを吸収してクラツクを発生
するようなことは無い。
以下、具体的な実施例について説明する。
実施例１ 第１図に示す基板１として、厚み10.2μｍ、長手ヤン
グ率400kg/mm2のポリエチレンテレフタレートフイルム
を用い、酸素流量を変化させた各種酸素雰囲気中でCoNi
合金（Ni20wt％）を基板１に対して接線方向から連続的
に入射角を変えて蒸着し、厚み150nmのCoNi合金を主成
分とした磁性薄膜層２を形成し、かつこの磁性薄膜層２
の上にCVD法によりＣを主成分とした保護潤滑薄膜層３
を形成し、その厚みを変えて磁性薄膜層２と保護潤滑薄
膜層３の平均のヤング率（以下両薄膜層平均ヤング率と
いう）の異なる各種試料を作製した。各試料の両面にフ
ツ素系潤滑剤を塗布して潤滑剤層４を形成した後、1/2
インチ幅にスリツトしてテープとし、VHSフオーマツト
のカセツトに入れ、高さ1mからの落下試験による磁気テ
ープカートリツジのリツジポスト部付近におけるクラツ
クの状態を観察した。これらの結果を第１表にまとめ
た。
グ率400kg/mm2のポリエチレンテレフタレートフイルム
を用い、酸素流量を変化させた各種酸素雰囲気中でCoNi
合金（Ni20wt％）を基板１に対して接線方向から連続的
に入射角を変えて蒸着し、厚み150nmのCoNi合金を主成
分とした磁性薄膜層２を形成し、かつこの磁性薄膜層２
の上にCVD法によりＣを主成分とした保護潤滑薄膜層３
を形成し、その厚みを変えて磁性薄膜層２と保護潤滑薄
膜層３の平均のヤング率（以下両薄膜層平均ヤング率と
いう）の異なる各種試料を作製した。各試料の両面にフ
ツ素系潤滑剤を塗布して潤滑剤層４を形成した後、1/2
インチ幅にスリツトしてテープとし、VHSフオーマツト
のカセツトに入れ、高さ1mからの落下試験による磁気テ
ープカートリツジのリツジポスト部付近におけるクラツ
クの状態を観察した。これらの結果を第１表にまとめ
た。
第１表において、試料A2〜A5、B2〜B4、C2は本実施例
のもので、いずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm
2以下である。試料A1,A6,B1,B5,B6,C1,C3,C4,D1,D2,E1,
F1,G1は比較例で、このうち試料A1,B1,C1,D1,E1,F1,G1
は保護潤滑薄膜層を形成しておらず、また試料A6,B5,B
6,C3,C4,D1,D2,E1,F1,G1はいずれも両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2より大きな（なお試料A1,B1,C1,D1,E1,
F1,G1は磁性薄膜層だけの値である）。
のもので、いずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm
2以下である。試料A1,A6,B1,B5,B6,C1,C3,C4,D1,D2,E1,
F1,G1は比較例で、このうち試料A1,B1,C1,D1,E1,F1,G1
は保護潤滑薄膜層を形成しておらず、また試料A6,B5,B
6,C3,C4,D1,D2,E1,F1,G1はいずれも両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2より大きな（なお試料A1,B1,C1,D1,E1,
F1,G1は磁性薄膜層だけの値である）。
第１表から明らかなように、Ｃを主成分とする保護潤
滑薄膜層を有しない場合には、比較例の試料D1,E1,F1,G
1のように薄膜層のヤング率が14000kg/mm2を超えても落
下テストによるクラツクの発生は見られなかつたが、Ｃ
を主成分とする保護潤滑薄膜層３を有する場合には、本
実施例の試料A2〜A5、B2〜B4、C2の両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2以下の場合はクラツクを発生せず、比
較例の試料A6,B5,B6,C3,C4,D2の両薄膜層平均ヤング率
が14000kg/mm2を超える場合はクラ ツクを発生する。
滑薄膜層を有しない場合には、比較例の試料D1,E1,F1,G
1のように薄膜層のヤング率が14000kg/mm2を超えても落
下テストによるクラツクの発生は見られなかつたが、Ｃ
を主成分とする保護潤滑薄膜層３を有する場合には、本
実施例の試料A2〜A5、B2〜B4、C2の両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2以下の場合はクラツクを発生せず、比
較例の試料A6,B5,B6,C3,C4,D2の両薄膜層平均ヤング率
が14000kg/mm2を超える場合はクラ ツクを発生する。
以上のように本実施例の薄膜型磁気テープにおいて
は、基板１上に形成したCoNi合金の磁性薄膜層２とＣを
主成分とする保護潤滑薄膜層３の平均のヤング率を1400
0kg/mm2以下としたことにより、落下テストのような大
きな衝撃を受けた場合においても、磁気テープカートリ
ツジのリツジポスト部においてクラツクを発生するよう
なことはなかつた。
は、基板１上に形成したCoNi合金の磁性薄膜層２とＣを
主成分とする保護潤滑薄膜層３の平均のヤング率を1400
0kg/mm2以下としたことにより、落下テストのような大
きな衝撃を受けた場合においても、磁気テープカートリ
ツジのリツジポスト部においてクラツクを発生するよう
なことはなかつた。
実施例２ 基板１として、厚み8.4μｍ、長手ヤング率500kg/mm2
のポリエチレンテレフタレートフイルム上に、接線方向
から連続的に入射角を変化させ酸素雰囲気中で200nmの
厚みに蒸着を行つて磁性薄膜層２を形成した。蒸着した
金属材料は、CoおよびCoNi合金のNiの重量割合が10,20,
30wt％のものを用いた。さらにこの磁性薄膜層２の上に
Ｃをスパツタリングして各種の厚みの保護潤滑薄膜層３
を形成して、両薄膜層平均ヤング率の異なる試料を作製
した。これらの表面に潤滑剤層４としてステァリン酸を
塗布した後、8mm幅にスリツトしてテープ化し、この薄
膜型磁気テープを磁気テープカートリツジとして、８ミ
リビデオフオーマツトのカセツトにいれた。この薄膜型
磁気テープをカセツトごと高さ1mの位置からコンクリー
ト床に落下させる落下テストを行つた結果を第２表にま
とめて記載した。
のポリエチレンテレフタレートフイルム上に、接線方向
から連続的に入射角を変化させ酸素雰囲気中で200nmの
厚みに蒸着を行つて磁性薄膜層２を形成した。蒸着した
金属材料は、CoおよびCoNi合金のNiの重量割合が10,20,
30wt％のものを用いた。さらにこの磁性薄膜層２の上に
Ｃをスパツタリングして各種の厚みの保護潤滑薄膜層３
を形成して、両薄膜層平均ヤング率の異なる試料を作製
した。これらの表面に潤滑剤層４としてステァリン酸を
塗布した後、8mm幅にスリツトしてテープ化し、この薄
膜型磁気テープを磁気テープカートリツジとして、８ミ
リビデオフオーマツトのカセツトにいれた。この薄膜型
磁気テープをカセツトごと高さ1mの位置からコンクリー
ト床に落下させる落下テストを行つた結果を第２表にま
とめて記載した。
第２表において、試料H2,I2〜I4,J2,K2,K3は本実施例
のもので、いずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm
2以下である。試料H1,H3〜H5,I1,I5,J1,J3〜J5,K1,K4,K
5は比較例で、このうち試料H1,I1,J1,K1は保護潤滑薄膜
層を形成しておらず、また試料H3〜H5,I5,J3〜J5,K4,K5
はいずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2より大
きい（なお試料H1,I1,J1,K1は磁性薄膜層だけの値であ
る）。
のもので、いずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm
2以下である。試料H1,H3〜H5,I1,I5,J1,J3〜J5,K1,K4,K
5は比較例で、このうち試料H1,I1,J1,K1は保護潤滑薄膜
層を形成しておらず、また試料H3〜H5,I5,J3〜J5,K4,K5
はいずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2より大
きい（なお試料H1,I1,J1,K1は磁性薄膜層だけの値であ
る）。
第２表から明らかなように、両薄膜層平均ヤング率が
14000kg/mm2以下である本実施例の試料H2,I2〜I4,J2,K
2,K3は、落下テストにおいてクラツクは発生せず、両薄
膜層平均ヤング率が 14000kg/mm2より大きい比較例の試料H3〜H5,I5,J3〜J5,
K4,K5は、落下テストでいずれもクラツクが発生した。
14000kg/mm2以下である本実施例の試料H2,I2〜I4,J2,K
2,K3は、落下テストにおいてクラツクは発生せず、両薄
膜層平均ヤング率が 14000kg/mm2より大きい比較例の試料H3〜H5,I5,J3〜J5,
K4,K5は、落下テストでいずれもクラツクが発生した。
以上のように本実施例の薄膜型磁気テープにおいて
は、基板１上に形成したCoまたはCoNi合金の磁性薄膜層
２とＣを主成分とする保護潤滑薄膜層３の平均のヤング
率を14000kg/mm2以下としたことにより、落下テストの
ような大きな衝撃を受けた場合においても、磁気テープ
カートリツジのリツドポスト部においてクラツクを発生
しなかつた。
は、基板１上に形成したCoまたはCoNi合金の磁性薄膜層
２とＣを主成分とする保護潤滑薄膜層３の平均のヤング
率を14000kg/mm2以下としたことにより、落下テストの
ような大きな衝撃を受けた場合においても、磁気テープ
カートリツジのリツドポスト部においてクラツクを発生
しなかつた。
実施例３ 基板１として厚み7.8μｍ、長手ヤング率700kg/mm2の
ポリエチレンナフタレートフイルム上に、接線方向から
連続的に入射角を変化させ酸素雰囲気中で180nmの厚み
にCoNi（Ni20wt％）を蒸着して磁性薄膜層２を形成し
た。さらにこの磁性薄膜層２の上にCVD法により厚み15n
mのＣ系の保護潤滑薄膜層３を形成した。この成膜時の
放電パワーを変化させて、両薄膜層平均ヤング率の異な
る各種試料を得た。この各試料の表面に実施例２と同様
の潤滑剤を塗布して潤滑剤層４を形成した後、3.8mm幅
にスリツトし、オーデイオ用DATフオーマツトのカセツ
トにいれ、高さ1mの位置からコンクリート床に落下させ
る落下テストを行つた。その結果を第３表にまとめた。
ポリエチレンナフタレートフイルム上に、接線方向から
連続的に入射角を変化させ酸素雰囲気中で180nmの厚み
にCoNi（Ni20wt％）を蒸着して磁性薄膜層２を形成し
た。さらにこの磁性薄膜層２の上にCVD法により厚み15n
mのＣ系の保護潤滑薄膜層３を形成した。この成膜時の
放電パワーを変化させて、両薄膜層平均ヤング率の異な
る各種試料を得た。この各試料の表面に実施例２と同様
の潤滑剤を塗布して潤滑剤層４を形成した後、3.8mm幅
にスリツトし、オーデイオ用DATフオーマツトのカセツ
トにいれ、高さ1mの位置からコンクリート床に落下させ
る落下テストを行つた。その結果を第３表にまとめた。
第３表において、試料L1〜L4は本実施例のもので、い
ずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2以下であ
る。試料L5,L6は比較例でいずれも両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2より大きい。
ずれも両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2以下であ
る。試料L5,L6は比較例でいずれも両薄膜層平均ヤング
率が14000kg/mm2より大きい。
第３表から明らかなように、比較例よりも薄膜層のヤ
ング率が低い両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2以下
の本実施例の薄膜型磁気テープの場合は、落下テストに
おいてクラツクは発生しなかつた。
ング率が低い両薄膜層平均ヤング率が14000kg/mm2以下
の本実施例の薄膜型磁気テープの場合は、落下テストに
おいてクラツクは発生しなかつた。
以上のように本実施例においては、基板１上に形成さ
れたCoNi合金の磁性薄膜層２と保護潤滑薄膜層３の平均
のヤング率を14000kg/mm2以下としたことにより、落下
テストのような大きな衝撃を受けた場合においても、磁
気テープカートリツジのポスト部においてクラツクを発
生するようなことがなかつた。
れたCoNi合金の磁性薄膜層２と保護潤滑薄膜層３の平均
のヤング率を14000kg/mm2以下としたことにより、落下
テストのような大きな衝撃を受けた場合においても、磁
気テープカートリツジのポスト部においてクラツクを発
生するようなことがなかつた。
発明の効果 以上のように本発明の薄膜型磁気テープにおいては、
基板上にCoまたはCoNi合金を主成分とする磁性薄膜層と
Ｃを主成分とする保護潤滑薄膜層を有し、前記磁性薄膜
層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000kg/mm2以
下であることにより、薄膜型磁気テープの総合性能とし
て耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能がすぐれて
いるとともに、卓越した耐衝撃性を有し、落下テストの
ような大きな衝撃を受けても磁気テープカートリツジの
リツドポスト部でクラツクを発生しにくいというすぐれ
た効果を発揮する。
基板上にCoまたはCoNi合金を主成分とする磁性薄膜層と
Ｃを主成分とする保護潤滑薄膜層を有し、前記磁性薄膜
層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率が14000kg/mm2以
下であることにより、薄膜型磁気テープの総合性能とし
て耐久性や各種環境下での信頼性や保存性能がすぐれて
いるとともに、卓越した耐衝撃性を有し、落下テストの
ような大きな衝撃を受けても磁気テープカートリツジの
リツドポスト部でクラツクを発生しにくいというすぐれ
た効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例における薄膜型磁気テープの
概略断面図である。 １……基板、２……磁性薄膜層、３……保護潤滑薄膜
層。
概略断面図である。 １……基板、２……磁性薄膜層、３……保護潤滑薄膜
層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にCoまたはCoNi合金を主成分とする
磁性薄膜層と、Ｃを主成分とする保護潤滑薄膜層とを有
し、前記磁性薄膜層と保護潤滑薄膜層の平均のヤング率
が14000kg/mm2以下であることを特徴とする薄膜型磁気
テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28519088A JP2604444B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜型磁気テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28519088A JP2604444B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜型磁気テープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132627A JPH02132627A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2604444B2 true JP2604444B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17688274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28519088A Expired - Lifetime JP2604444B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜型磁気テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604444B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2744991B1 (fr) * | 1996-02-15 | 1998-03-20 | Oreal | Melangeur monocorps,pour le conditionnement separe et le melange d'au moins deux produits |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28519088A patent/JP2604444B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02132627A (ja) | 1990-05-22 |
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