JP2604381B2 - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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- JP2604381B2 JP2604381B2 JP62183918A JP18391887A JP2604381B2 JP 2604381 B2 JP2604381 B2 JP 2604381B2 JP 62183918 A JP62183918 A JP 62183918A JP 18391887 A JP18391887 A JP 18391887A JP 2604381 B2 JP2604381 B2 JP 2604381B2
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- optical
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光を用いて磁気媒体上で記録および再生を
行なう光磁気記録装置に関する。
行なう光磁気記録装置に関する。
光磁気記録装置では、記録時に、記録媒体である垂直
磁化膜に光スポットを照射し、その個所の磁化方向を反
転させて記録ピットを形成する。再生時には記録媒体に
直線偏光を照射し、磁気力−効果によって反射光の偏光
面が磁化の向きにより異なる方向に回転するのを、検出
する。
磁化膜に光スポットを照射し、その個所の磁化方向を反
転させて記録ピットを形成する。再生時には記録媒体に
直線偏光を照射し、磁気力−効果によって反射光の偏光
面が磁化の向きにより異なる方向に回転するのを、検出
する。
第４図は従来の光磁気記録装置を示す構成図である。
半導体レーザ１の出射光は、コリメートレンズ２、２つ
のビームスプリッタ３、立上げミラー４を経たあと、集
光レンズ５により、基板６を通して記録媒体15上に微小
スポットを形成する。記録媒体15からの反射光の一部
は、ビームスプリッタ３で反射されて、偏光回転検出用
の光学系に導かれる。この光学系では、まず1/2波長基
板８により偏光方向を45゜回転し、偏光ビームスプリッ
ト９によりＰ偏光成分とＳ偏光成分とを分離する。分離
された各成分は、収束レンズ10により光検出器11上に収
束される。両検出器11の出力の差を取ることにより、記
録媒体15上のスポット照射個所の磁化の向きを検出し
て、記録信号を再生することができる。もう一方のビー
ムスプリッタ３で反射される記録媒体15からの反射光の
一部は、エラー検出光学系12に導かれ、フォーカスエラ
ーおよびトラックエラーが検出される。
半導体レーザ１の出射光は、コリメートレンズ２、２つ
のビームスプリッタ３、立上げミラー４を経たあと、集
光レンズ５により、基板６を通して記録媒体15上に微小
スポットを形成する。記録媒体15からの反射光の一部
は、ビームスプリッタ３で反射されて、偏光回転検出用
の光学系に導かれる。この光学系では、まず1/2波長基
板８により偏光方向を45゜回転し、偏光ビームスプリッ
ト９によりＰ偏光成分とＳ偏光成分とを分離する。分離
された各成分は、収束レンズ10により光検出器11上に収
束される。両検出器11の出力の差を取ることにより、記
録媒体15上のスポット照射個所の磁化の向きを検出し
て、記録信号を再生することができる。もう一方のビー
ムスプリッタ３で反射される記録媒体15からの反射光の
一部は、エラー検出光学系12に導かれ、フォーカスエラ
ーおよびトラックエラーが検出される。
記録媒体15は、プリグルーブやプリフォーマット等の
作成が容易なことから、プラスチックの基板上に作成す
ることが望ましい。ところがプラスチックは、ガラスと
比べ、成形時の残留応力などにより、複屈折を生じ易
い。例えば、ポリカーボネートの射出成形基板では、基
板垂直方向に屈折率の差Δｎ＝（５〜７）×10-4をもつ
異方性軸と、面内にΔｎ＝（５〜10）×10-6の異方性軸
とを有する、２軸性結晶となっている。従って、異方性
軸の複屈折の大きさや向きに、場所によるゆらぎが有る
と、信号再生特性が劣化し、例えばエンベロープ変動な
どが生じて再生時のエラーレートが劣化する。
作成が容易なことから、プラスチックの基板上に作成す
ることが望ましい。ところがプラスチックは、ガラスと
比べ、成形時の残留応力などにより、複屈折を生じ易
い。例えば、ポリカーボネートの射出成形基板では、基
板垂直方向に屈折率の差Δｎ＝（５〜７）×10-4をもつ
異方性軸と、面内にΔｎ＝（５〜10）×10-6の異方性軸
とを有する、２軸性結晶となっている。従って、異方性
軸の複屈折の大きさや向きに、場所によるゆらぎが有る
と、信号再生特性が劣化し、例えばエンベロープ変動な
どが生じて再生時のエラーレートが劣化する。
本発明の目的は、再生時に上記のようなエラーレート
が劣化を生じることが無い光磁気記録装置を提供するこ
とにある。
が劣化を生じることが無い光磁気記録装置を提供するこ
とにある。
本発明の光磁気記録装置は、プラスチック基板上に磁
性膜の記録媒体を形成した光磁気記憶部材と、レーザ光
源よりの出射光を前記プラスチック基板を通して前記記
録媒体上に導いて微少なスポットを形成する第１の光学
系と、前記記録媒体からの反射光を互いに直交する２方
向の偏光成分に分離する偏光素子を通じて光検出器に導
く第２の光学系とを有する光磁気記録装置において、前
記プラスチック基板の面内方向の異方性軸の屈折率の差
Δｎが５×10-6より小さく、前記第２光学系は前記反射
光が前記偏光素子に到達するまでの間で生じる偏光方向
の違いによる位相差が±10゜以内であることを特徴とす
る。
性膜の記録媒体を形成した光磁気記憶部材と、レーザ光
源よりの出射光を前記プラスチック基板を通して前記記
録媒体上に導いて微少なスポットを形成する第１の光学
系と、前記記録媒体からの反射光を互いに直交する２方
向の偏光成分に分離する偏光素子を通じて光検出器に導
く第２の光学系とを有する光磁気記録装置において、前
記プラスチック基板の面内方向の異方性軸の屈折率の差
Δｎが５×10-6より小さく、前記第２光学系は前記反射
光が前記偏光素子に到達するまでの間で生じる偏光方向
の違いによる位相差が±10゜以内であることを特徴とす
る。
先に述べたような再生信号のエンベロープ変動は、基
板での複屈折と共に、偏光回転検出用の光学系で生じる
位相差によっても影響を受けることが本発明者の検討に
よって明らかになっている。偏光回転検出用の光学系で
生じる位相差は、例えば第４図の立上げミラー４やビー
ムスプリッタ３におけるＰ偏光およびＳ偏光の反射成分
の間で生じる。
板での複屈折と共に、偏光回転検出用の光学系で生じる
位相差によっても影響を受けることが本発明者の検討に
よって明らかになっている。偏光回転検出用の光学系で
生じる位相差は、例えば第４図の立上げミラー４やビー
ムスプリッタ３におけるＰ偏光およびＳ偏光の反射成分
の間で生じる。
第３図の特性図は、基板が垂直方向および面内方向の
２軸異方性を有する場合について、光学系での位相差の
影響を実験で調べた結果を例示しており、基板の面内異
方性軸の屈折率の差Δｎと、入射偏光方向と面内異方性
軸とがなす角度δとをパラメータにして、光ヘッドで実
測した差動出力のオフセット量をプロットしたものがあ
る。光学系の位相差は、第４図のビームスプリッタ３お
よび1/2波長板８の間にバビネ補償板を入れて調節し
た。オフセット量は、信号振幅によって規格化してあ
る。記録媒体15には、一般に用いられているTbFe（テル
ビウム鉄）系の材料を使用した。第３図において、Δｎ
が大きいほど、また光学系位相差が大きいほど、オフセ
ット量は増加する。第３図の差動出力オフセット量は、
信号振幅を１としたときの２つの光検出11で受光される
光量の差を示している。Δｎやδが常に一定であれば、
オフセット量は生じるが常に一定のオフセットとなるた
め、エンベロープ変動となることはない。しかし、円盤
状の光ディスクなどにおいては、いずれの値も場所によ
って大きく変動することが知られている。Δｎやδの場
所による変動が生じると、再生信号のオフセット量の時
間変化となるため、エンベロープ変動として観測される
ことになる。
２軸異方性を有する場合について、光学系での位相差の
影響を実験で調べた結果を例示しており、基板の面内異
方性軸の屈折率の差Δｎと、入射偏光方向と面内異方性
軸とがなす角度δとをパラメータにして、光ヘッドで実
測した差動出力のオフセット量をプロットしたものがあ
る。光学系の位相差は、第４図のビームスプリッタ３お
よび1/2波長板８の間にバビネ補償板を入れて調節し
た。オフセット量は、信号振幅によって規格化してあ
る。記録媒体15には、一般に用いられているTbFe（テル
ビウム鉄）系の材料を使用した。第３図において、Δｎ
が大きいほど、また光学系位相差が大きいほど、オフセ
ット量は増加する。第３図の差動出力オフセット量は、
信号振幅を１としたときの２つの光検出11で受光される
光量の差を示している。Δｎやδが常に一定であれば、
オフセット量は生じるが常に一定のオフセットとなるた
め、エンベロープ変動となることはない。しかし、円盤
状の光ディスクなどにおいては、いずれの値も場所によ
って大きく変動することが知られている。Δｎやδの場
所による変動が生じると、再生信号のオフセット量の時
間変化となるため、エンベロープ変動として観測される
ことになる。
第３図から分かるように、光学系の位相差が０となれ
ばΔｎが多少大きくても問題はないが、実際の部品にお
いて０とすることは難しい。光学系の位相差はビームス
プリッタや立ち上げミラーにおいて発生するが、その特
性は反斜面に形成した多層干渉膜の製作時の厚さ変動に
よって、設計値からの誤差を生じる。さらに、干渉膜の
設計によっては、半導体レーザの波長が10nm変動するだ
けでも位相差が変動する。
ばΔｎが多少大きくても問題はないが、実際の部品にお
いて０とすることは難しい。光学系の位相差はビームス
プリッタや立ち上げミラーにおいて発生するが、その特
性は反斜面に形成した多層干渉膜の製作時の厚さ変動に
よって、設計値からの誤差を生じる。さらに、干渉膜の
設計によっては、半導体レーザの波長が10nm変動するだ
けでも位相差が変動する。
実際の部品レベルで適当な歩留まりを維持しながら管
理できる範囲は経験的に±10度程度である。
理できる範囲は経験的に±10度程度である。
アナログの再生信号波形をデジタル信号に変換するた
めには、再生信号振幅のほぼ平均値で２値化を行うこと
になる。しかし、エンベロープ変動がある状態では、信
号振幅の中心からずれた位置で２値化が行われるため、
信号エラーレートが増加することになる。実験的に求め
たところでは、実用的なエラーレートである１×10e-4
以下のビットエラーレートを実現するためには、エンベ
ロープ変動の許容量は信号振幅の30％程度以下であっ
た。エンベロープ変動を信号振幅の30％程度以下とする
には、差動出力オフセット量を30％程度以下とすればよ
い。エンベロープ変動と差動出力オフセット量との関係
は、再生条件によって変わってくるが、少なくとも差動
出力オフセット量を30％程度以下としておけば、その時
間変化であるエンベロープ変動は最大でも信号振幅の30
％程度以下に抑えることができる。第３図から、基板の
結晶軸方向が場所によってランダムに異なるような場合
には、Δｎを５×10-6以下にし、且つ光学系での位相差
を±10゜以内にすれば、差動出力オフセット量を30％程
度以下にすることができ、エンベロープ変動を信号振幅
の30％程度以下にできることがわかる。なお、基板の垂
直方向の異方性のエンベロープ変動への寄与は、十分に
小さいことが確められた。
めには、再生信号振幅のほぼ平均値で２値化を行うこと
になる。しかし、エンベロープ変動がある状態では、信
号振幅の中心からずれた位置で２値化が行われるため、
信号エラーレートが増加することになる。実験的に求め
たところでは、実用的なエラーレートである１×10e-4
以下のビットエラーレートを実現するためには、エンベ
ロープ変動の許容量は信号振幅の30％程度以下であっ
た。エンベロープ変動を信号振幅の30％程度以下とする
には、差動出力オフセット量を30％程度以下とすればよ
い。エンベロープ変動と差動出力オフセット量との関係
は、再生条件によって変わってくるが、少なくとも差動
出力オフセット量を30％程度以下としておけば、その時
間変化であるエンベロープ変動は最大でも信号振幅の30
％程度以下に抑えることができる。第３図から、基板の
結晶軸方向が場所によってランダムに異なるような場合
には、Δｎを５×10-6以下にし、且つ光学系での位相差
を±10゜以内にすれば、差動出力オフセット量を30％程
度以下にすることができ、エンベロープ変動を信号振幅
の30％程度以下にできることがわかる。なお、基板の垂
直方向の異方性のエンベロープ変動への寄与は、十分に
小さいことが確められた。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。半導
体レーザ１からの出射光は、コリメートレンズ２、２つ
のビームスプリッタ３、立上げミラー４を経たあと集光
レンズ５により、基板６を通して記録媒体15上に集光さ
れる。基板６は、材料の選定、成形後にアニールして残
留応力を除去することなどによって、基板面内の異方性
軸での屈折率の差Δｎを５×10-6以下にしてある。記録
媒体15からの反射光は、ビームスプリッタ３で一部が反
射され、偏光回転検出用の光学系に導かれる。この光学
系の途中に介設した位相補正板７では、ＰおよびＳ両偏
光間の位相差が±10゜以内となるようにする。このあ
と、1/2波長板８により偏光方向を45゜回転させ、偏光
スプリッタ９でＰおよびＳ偏光成分を分離し、収束レン
ズ10によりそれぞれ光検出器11上に収束させる。両検出
器11の出力の差より、再生信号が得られる。
体レーザ１からの出射光は、コリメートレンズ２、２つ
のビームスプリッタ３、立上げミラー４を経たあと集光
レンズ５により、基板６を通して記録媒体15上に集光さ
れる。基板６は、材料の選定、成形後にアニールして残
留応力を除去することなどによって、基板面内の異方性
軸での屈折率の差Δｎを５×10-6以下にしてある。記録
媒体15からの反射光は、ビームスプリッタ３で一部が反
射され、偏光回転検出用の光学系に導かれる。この光学
系の途中に介設した位相補正板７では、ＰおよびＳ両偏
光間の位相差が±10゜以内となるようにする。このあ
と、1/2波長板８により偏光方向を45゜回転させ、偏光
スプリッタ９でＰおよびＳ偏光成分を分離し、収束レン
ズ10によりそれぞれ光検出器11上に収束させる。両検出
器11の出力の差より、再生信号が得られる。
第２図は、本実施例中の偏光回転検出用の光学系の他
の構成例を示す構成図である。第１図中の立上げミラー
４およびビームスプリッタ３で生じる位相差を10゜以内
になるように予め設計しておけば、位相補正板は不必要
となる。また偏光分離素子としてロショプリズム13を用
い、収束レンズ10を介して分割型光検出器の異なる受光
面にＰおよびＳ偏光成分を収束することにより、差動信
号を得ることができる。
の構成例を示す構成図である。第１図中の立上げミラー
４およびビームスプリッタ３で生じる位相差を10゜以内
になるように予め設計しておけば、位相補正板は不必要
となる。また偏光分離素子としてロショプリズム13を用
い、収束レンズ10を介して分割型光検出器の異なる受光
面にＰおよびＳ偏光成分を収束することにより、差動信
号を得ることができる。
第１図で、もう１つのビームスプリッタ３で反射され
た記録媒体15からの反射光は、エラー検出光学系12に導
かれ、フォーカスエラーおよびトックエラーが検出され
る。このエラー検出には、ナイフエッジ法やブッシュプ
ル法などの周知の方式を用いる。なお、基板６の垂直入
射光の偏光方向の違いによる屈折率の差Δｎは、平行ビ
ームを垂直に入射して透過光の偏光特性を測ることによ
り、容易に評価することができる。
た記録媒体15からの反射光は、エラー検出光学系12に導
かれ、フォーカスエラーおよびトックエラーが検出され
る。このエラー検出には、ナイフエッジ法やブッシュプ
ル法などの周知の方式を用いる。なお、基板６の垂直入
射光の偏光方向の違いによる屈折率の差Δｎは、平行ビ
ームを垂直に入射して透過光の偏光特性を測ることによ
り、容易に評価することができる。
本発明により、再生信号のエラーレートの増加を生じ
ることが無い光磁気記録装置を得ることができる。
ることが無い光磁気記録装置を得ることができる。
第１図および第２図は本発明の実施例を示す構成図、第
３図は本発明の原理を説明するための特性図、第４図は
従来の光磁気記録装置を示す構成図である。 図中で、１……半導体レーザ、２……コリメートレン
ズ、３……ビームスプリッタ、４……立上げミラー、５
……集光レンズ、６……基板、７……位相補正板、８…
…1/2波長板、９……偏光ビームスプリッタ、10……収
束レンズ、11……光検出基、12……エラー検出光学系、
13……ロションプリズム、14……２分割型光検出器、15
……記録媒体、である。
３図は本発明の原理を説明するための特性図、第４図は
従来の光磁気記録装置を示す構成図である。 図中で、１……半導体レーザ、２……コリメートレン
ズ、３……ビームスプリッタ、４……立上げミラー、５
……集光レンズ、６……基板、７……位相補正板、８…
…1/2波長板、９……偏光ビームスプリッタ、10……収
束レンズ、11……光検出基、12……エラー検出光学系、
13……ロションプリズム、14……２分割型光検出器、15
……記録媒体、である。
Claims (1)
- 【請求項１】プラスチック基板上に磁性膜の記録媒体を
形成した光磁気記憶部材と、レーザ光源よりの出射光を
前記プラスチック基板を通して前記記録媒体上に導いて
微少なスポットを形成する第１の光学系と、前記記録媒
体からの反射光を互いに直交する２方向の偏光成分に分
離する偏光素子を通じて光検出器に導く第２の光学系と
を有する光磁気記録装置において、前記プラスチック基
板の面内方向の異方性軸の屈折率の差Δｎが５×10-6よ
り小さく、前記第２光学系は前記反射光が前記偏光素子
に到達するまでの間で生じる偏光方向の違いによる位相
差が±10゜以内であることを特徴とする光磁気記録装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62183918A JP2604381B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62183918A JP2604381B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 光磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6427056A JPS6427056A (en) | 1989-01-30 |
| JP2604381B2 true JP2604381B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16144091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62183918A Expired - Lifetime JP2604381B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 光磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604381B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756710B2 (ja) * | 1983-11-24 | 1995-06-14 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置の光学装置 |
| JPS60157747A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録ディスク |
| JPS60187955A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-25 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 光磁気デイスク装置 |
| JPS6265255A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Seiko Epson Corp | 光磁気デイスク記録再生装置 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62183918A patent/JP2604381B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6427056A (en) | 1989-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 11 |