JP2602741B2 - 電力ケーブルの製造方法 - Google Patents
電力ケーブルの製造方法Info
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- JP2602741B2 JP2602741B2 JP3104618A JP10461891A JP2602741B2 JP 2602741 B2 JP2602741 B2 JP 2602741B2 JP 3104618 A JP3104618 A JP 3104618A JP 10461891 A JP10461891 A JP 10461891A JP 2602741 B2 JP2602741 B2 JP 2602741B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エチレン−酢酸ビニル
共重合体をベースポリマーとする電力ケーブル半導電層
を特定の温度条件下に架橋することによる架橋半導電層
を有する電力ケーブルの製造方法に関する。特に電力ケ
ーブル絶縁体シールド層の上部に形成される銅テープの
変色、腐食の防止された架橋半導電層を有する電力ケー
ブルの製造方法に関する。
共重合体をベースポリマーとする電力ケーブル半導電層
を特定の温度条件下に架橋することによる架橋半導電層
を有する電力ケーブルの製造方法に関する。特に電力ケ
ーブル絶縁体シールド層の上部に形成される銅テープの
変色、腐食の防止された架橋半導電層を有する電力ケー
ブルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術・発明が解決しようとする課題】従来、電力
ケーブルにおいては、導電性カーボンブラックを充填し
た半導電性組成物が導体及び絶縁体のシールド層として
用いられ、かかる組成物のベースポリマーとしては、加
工性に優れることからエチレン−α−オレフィン共重合
樹脂、就中、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶ
Ａ）が用いられている。かかる半導電性組成物からなる
半導電層は、耐熱性、機械的強度の向上を目的として架
橋が施される。ＥＶＡを含有する半導電層の場合、通
常、有機過酸化物の如き架橋剤を配合して加熱すること
により、架橋が施される。
ケーブルにおいては、導電性カーボンブラックを充填し
た半導電性組成物が導体及び絶縁体のシールド層として
用いられ、かかる組成物のベースポリマーとしては、加
工性に優れることからエチレン−α−オレフィン共重合
樹脂、就中、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶ
Ａ）が用いられている。かかる半導電性組成物からなる
半導電層は、耐熱性、機械的強度の向上を目的として架
橋が施される。ＥＶＡを含有する半導電層の場合、通
常、有機過酸化物の如き架橋剤を配合して加熱すること
により、架橋が施される。
【０００３】ところで電力ケーブルにおいて、絶縁体シ
ールド層の上部に銅テープを施与することが多い。上記
ＥＶＡ半導電層を有する電力ケーブルの場合、その直上
に施与した銅テープに変色、あるいは腐食が頻繁に見受
けられる。しかして、銅テープが変色した電力ケーブル
はその商品価値が著しく損なわれ、また、銅テープが腐
食した電力ケーブルは外部シールドとしての役割が果た
せない等、いずれも重大な支障をきたす。
ールド層の上部に銅テープを施与することが多い。上記
ＥＶＡ半導電層を有する電力ケーブルの場合、その直上
に施与した銅テープに変色、あるいは腐食が頻繁に見受
けられる。しかして、銅テープが変色した電力ケーブル
はその商品価値が著しく損なわれ、また、銅テープが腐
食した電力ケーブルは外部シールドとしての役割が果た
せない等、いずれも重大な支障をきたす。
【０００４】本発明の目的は、電力ケーブルにおける銅
テープの変色、腐食が防止され、これによる銅テープの
性能低下を未然に防止された架橋半導電層を有する電力
ケーブルの製造方法を提供することである。
テープの変色、腐食が防止され、これによる銅テープの
性能低下を未然に防止された架橋半導電層を有する電力
ケーブルの製造方法を提供することである。
【０００５】また、本発明の他の目的は、上記特性を有
し、且つ電気ケーブルの敷設工事時あるいは端末器具取
付け時に簡便に剥離することのできる電力ケーブルを提
供することである。
し、且つ電気ケーブルの敷設工事時あるいは端末器具取
付け時に簡便に剥離することのできる電力ケーブルを提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、銅テープ
の腐食する原因を究明すべく種々研究を重ね、半導電層
中のＥＶＡから脱離した遊離の酢酸によって銅テープが
変色、あるいは腐食することを突き止めた。また、ＥＶ
Ａからの遊離酢酸の発生挙動を架橋剤（有機過酸化物）
の存在下にて調査し、かかる遊離酢酸の発生は架橋温度
が２８０℃を越える場合に特に顕著になることを見出し
た。さらに、熱重量分析（ＴＧＡ）による定量分析か
ら、半導電層中の残存酢酸基量からその組成物が経験し
た架橋温度が推定し得ることも見出した。
の腐食する原因を究明すべく種々研究を重ね、半導電層
中のＥＶＡから脱離した遊離の酢酸によって銅テープが
変色、あるいは腐食することを突き止めた。また、ＥＶ
Ａからの遊離酢酸の発生挙動を架橋剤（有機過酸化物）
の存在下にて調査し、かかる遊離酢酸の発生は架橋温度
が２８０℃を越える場合に特に顕著になることを見出し
た。さらに、熱重量分析（ＴＧＡ）による定量分析か
ら、半導電層中の残存酢酸基量からその組成物が経験し
た架橋温度が推定し得ることも見出した。
【０００７】以上の知見から、ＥＶＡをベースポリマー
とする電力ケーブル半導電層の架橋方法を検討した結
果、架橋時の最高温度を２８０℃以下とすると、絶縁体
シールド用半導電層としての諸特性を満たしつつ、半導
電層の直上に施与する銅テープの変色、腐食を起こさな
い範囲に遊離酢酸量を止めることができることを見出し
本発明を完成するに到った。
とする電力ケーブル半導電層の架橋方法を検討した結
果、架橋時の最高温度を２８０℃以下とすると、絶縁体
シールド用半導電層としての諸特性を満たしつつ、半導
電層の直上に施与する銅テープの変色、腐食を起こさな
い範囲に遊離酢酸量を止めることができることを見出し
本発明を完成するに到った。
【０００８】 即ち、本発明は、（ａ）エチレン−酢酸
ビニル共重合体及びエチレン−酢酸ビニル共重合体と芳
香族ビニルモノマーとのグラフト物からなる群より選ば
れた少なくとも１種の樹脂成分、（ｂ）導電性カーボン
ブラック、及び（ｃ）ジクミルペルオキサイド、１，３
−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシイソプロピル）
ベンゼン及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ
−ブチルペルオキシ）ヘキサンからなる群より選ばれる
架橋剤からなる架橋性半導電層を最高温度２８０℃以下
にて架橋することを特徴とする架橋半導電層を有する電
力ケーブルの製造方法である。
ビニル共重合体及びエチレン−酢酸ビニル共重合体と芳
香族ビニルモノマーとのグラフト物からなる群より選ば
れた少なくとも１種の樹脂成分、（ｂ）導電性カーボン
ブラック、及び（ｃ）ジクミルペルオキサイド、１，３
−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシイソプロピル）
ベンゼン及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ
−ブチルペルオキシ）ヘキサンからなる群より選ばれる
架橋剤からなる架橋性半導電層を最高温度２８０℃以下
にて架橋することを特徴とする架橋半導電層を有する電
力ケーブルの製造方法である。
【０００９】本発明で使用されるエチレン−酢酸ビニル
共重合体としては、酢酸ビニル含有量が１０〜７０重量
％、好ましくは１５〜５０重量％、さらに好ましくは２
０〜４０重量％、メルトフローレイト（以下ＭＦＲと略
記する）が１〜１００、好ましくは２．０〜５０、さら
に好ましくは３〜３０の範囲のものが好適である。本発
明においてＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、
１９０℃にて測定した値である。エチレン−酢酸ビニル
共重合体と芳香族ビニルモノマーとのグラフト物におけ
る芳香族ビニルモノマーとしては、例えばスチレン、ジ
ビニルベンゼン、α−メチルスチレン等が例示される。
当該グラフト物としては、スチレングラフトエチレン−
酢酸ビニル共重合体、スチレングラフトエチレンエチル
アクリレート共重合体、スチレングラフトエチレンメチ
ルアクリレート共重合体等が例示され、特にスチレング
ラフトエチレン−酢酸ビニル共重合体が好適である。当
該グラフト物において、エチレン−酢酸ビニル共重合体
中の酢酸ビニル含有量は一般的に１０〜６０重量％、好
ましくは１５〜５０重量％であり、ＭＦＲは１〜１０
０、好ましくは２．０〜５０の範囲である。芳香族ビニ
ルモノマーがスチレンの場合、該グラフト物中に含まれ
るスチレン含有量は、一般に少なくとも５重量％、好ま
しくは８〜３０重量％であり、遊離スチレン（ポリスチ
レン）は、一般に９０重量％以下、好ましくは８５〜５
０重量％である。
共重合体としては、酢酸ビニル含有量が１０〜７０重量
％、好ましくは１５〜５０重量％、さらに好ましくは２
０〜４０重量％、メルトフローレイト（以下ＭＦＲと略
記する）が１〜１００、好ましくは２．０〜５０、さら
に好ましくは３〜３０の範囲のものが好適である。本発
明においてＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に準拠し、
１９０℃にて測定した値である。エチレン−酢酸ビニル
共重合体と芳香族ビニルモノマーとのグラフト物におけ
る芳香族ビニルモノマーとしては、例えばスチレン、ジ
ビニルベンゼン、α−メチルスチレン等が例示される。
当該グラフト物としては、スチレングラフトエチレン−
酢酸ビニル共重合体、スチレングラフトエチレンエチル
アクリレート共重合体、スチレングラフトエチレンメチ
ルアクリレート共重合体等が例示され、特にスチレング
ラフトエチレン−酢酸ビニル共重合体が好適である。当
該グラフト物において、エチレン−酢酸ビニル共重合体
中の酢酸ビニル含有量は一般的に１０〜６０重量％、好
ましくは１５〜５０重量％であり、ＭＦＲは１〜１０
０、好ましくは２．０〜５０の範囲である。芳香族ビニ
ルモノマーがスチレンの場合、該グラフト物中に含まれ
るスチレン含有量は、一般に少なくとも５重量％、好ま
しくは８〜３０重量％であり、遊離スチレン（ポリスチ
レン）は、一般に９０重量％以下、好ましくは８５〜５
０重量％である。
【００１０】また、上記以外の樹脂成分として、芳香族
ビニルポリマーを配合することもできる。かくして製造
された半導電層は、その電力ケーブルの敷設工事時ある
いは端末器具取付け時に簡便に剥離することが可能であ
る。当該芳香族ビニルポリマーとしてはポリスチレン、
ポリ−α−メチルスチレン、ポリジビニルベンゼン、ポ
リジアリルベンゼン等が例示され、特にポリスチレンが
好適である。芳香族ビニルポリマー成分、特にポリスチ
レンの樹脂成分中における含有量は、一般的に３〜５０
重量％、好ましくは５〜３０重量％である。
ビニルポリマーを配合することもできる。かくして製造
された半導電層は、その電力ケーブルの敷設工事時ある
いは端末器具取付け時に簡便に剥離することが可能であ
る。当該芳香族ビニルポリマーとしてはポリスチレン、
ポリ−α−メチルスチレン、ポリジビニルベンゼン、ポ
リジアリルベンゼン等が例示され、特にポリスチレンが
好適である。芳香族ビニルポリマー成分、特にポリスチ
レンの樹脂成分中における含有量は、一般的に３〜５０
重量％、好ましくは５〜３０重量％である。
【００１１】導電性カーボンブラックとしては、アセチ
レンブラック、導電性ファーネスブラック等が例示され
る。導電性カーボンブラックの配合量は、樹脂成分１０
０重量部当たり３０〜１００重量部、特に３５〜８０重
量部、就中４０〜６５重量部が好適である。
レンブラック、導電性ファーネスブラック等が例示され
る。導電性カーボンブラックの配合量は、樹脂成分１０
０重量部当たり３０〜１００重量部、特に３５〜８０重
量部、就中４０〜６５重量部が好適である。
【００１２】 架橋剤は、１，３−ビス−（ｔｅｒｔ−
ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン〔例えば、パ
ーカドックス−１４、化薬ヌーリー社製〕、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘ
キサン〔例えば、カヤヘキサＹＤ、日本化薬社製〕、ジ
クミルペルオキサイド；ＤＣＰが使用される。かかる架
橋剤の配合量は、樹脂成分１００重量部当たり０．２〜
５重量部、特に０．５〜４重量部、就中０．５〜２重量
部が好適である。
ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン〔例えば、パ
ーカドックス−１４、化薬ヌーリー社製〕、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘ
キサン〔例えば、カヤヘキサＹＤ、日本化薬社製〕、ジ
クミルペルオキサイド；ＤＣＰが使用される。かかる架
橋剤の配合量は、樹脂成分１００重量部当たり０．２〜
５重量部、特に０．５〜４重量部、就中０．５〜２重量
部が好適である。
【００１３】半導電層の架橋は次のようにして行われ
る。架橋剤を添加した半導電性組成物を導体上に被覆し
た後、加熱により架橋が施される。本発明の方法におけ
る最高架橋温度は２８０℃であり、最低架橋温度は使用
される架橋剤の分解点以上であればよいが、架橋反応速
度を工業的有利に確保するには１５０℃以上が好まし
い。さらに好ましい架橋温度の範囲は、１７０〜２７０
℃である。架橋時間は、通常２〜４０分間、好ましくは
５〜３０分間である。
る。架橋剤を添加した半導電性組成物を導体上に被覆し
た後、加熱により架橋が施される。本発明の方法におけ
る最高架橋温度は２８０℃であり、最低架橋温度は使用
される架橋剤の分解点以上であればよいが、架橋反応速
度を工業的有利に確保するには１５０℃以上が好まし
い。さらに好ましい架橋温度の範囲は、１７０〜２７０
℃である。架橋時間は、通常２〜４０分間、好ましくは
５〜３０分間である。
【００１４】本発明の架橋方法において、架橋性半導電
層を構成する組成物にはその他必要に応じてフェノール
系、ホスファイト系、アミン系等の各種酸化防止剤、ス
テアリン酸金属塩等の安定剤、ステアリン酸等の滑剤、
ナフテン系又は芳香族系のプロセス油、その他軟化剤、
可塑剤、加工助剤、補強充填剤、難燃剤等の添加剤を配
合してもよい。
層を構成する組成物にはその他必要に応じてフェノール
系、ホスファイト系、アミン系等の各種酸化防止剤、ス
テアリン酸金属塩等の安定剤、ステアリン酸等の滑剤、
ナフテン系又は芳香族系のプロセス油、その他軟化剤、
可塑剤、加工助剤、補強充填剤、難燃剤等の添加剤を配
合してもよい。
【００１５】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明をさら
に説明する。 試験例１ 下記の試験配合を半導電性組成物のモデルとして用い、
各プレス温度で３０分間架橋をおこなった。上記架橋性
半導電性組成物の試料片約１０mgを精密に秤量し、ＴＧ
Ａ（熱重量分析計；島津製作所製）を用い、窒素気流
中、１０℃／分の昇温速度で重量減少曲線を得た。架橋
しない同一組成物試料の重量減少曲線から、ＥＶＡから
の脱酢酸量を求め、これと同一条件下で測定した各架橋
組成物における脱酢酸量（架橋後に組成物中に残存する
酢酸基の量に相当）との比から各組成物中の残存酢酸量
を（％）として求めた。プレス温度と脱酢酸濃度の関係
を図１に示す。
に説明する。 試験例１ 下記の試験配合を半導電性組成物のモデルとして用い、
各プレス温度で３０分間架橋をおこなった。上記架橋性
半導電性組成物の試料片約１０mgを精密に秤量し、ＴＧ
Ａ（熱重量分析計；島津製作所製）を用い、窒素気流
中、１０℃／分の昇温速度で重量減少曲線を得た。架橋
しない同一組成物試料の重量減少曲線から、ＥＶＡから
の脱酢酸量を求め、これと同一条件下で測定した各架橋
組成物における脱酢酸量（架橋後に組成物中に残存する
酢酸基の量に相当）との比から各組成物中の残存酢酸量
を（％）として求めた。プレス温度と脱酢酸濃度の関係
を図１に示す。
【００１６】試験配合 ＥＶＡコポリマー（注１） １００ 導電性ファーネスブラック（注２） ４０ ステアリン酸亜鉛 １ フェノール系酸化防止剤（注３） ０．５ ジクミルペルオキサイド ０．５
【００１７】この結果から明らかなように、架橋温度が
２８０℃を越えた場合遊離する酢酸量が顕著に増加し
た。
２８０℃を越えた場合遊離する酢酸量が顕著に増加し
た。
【００１８】試験例２ 下記の試験配合Ｉ〜IIを半導電性組成物のモデルとして
用い、１８０℃、２２０℃、２８０℃にてそれぞれ３０
分間架橋し、次いで表面を研磨した厚さ０．１mmの銅テ
ープを該半導電層に張り付け、８０℃にて６時間および
２４時間放置後、銅テープを剥がし、その表面の変色を
観察した。なお、比較例として３００℃、３２０℃にて
３０分間架橋して上記と同様の操作を行い銅テープの変
化を観察した。
用い、１８０℃、２２０℃、２８０℃にてそれぞれ３０
分間架橋し、次いで表面を研磨した厚さ０．１mmの銅テ
ープを該半導電層に張り付け、８０℃にて６時間および
２４時間放置後、銅テープを剥がし、その表面の変色を
観察した。なお、比較例として３００℃、３２０℃にて
３０分間架橋して上記と同様の操作を行い銅テープの変
化を観察した。
【００１９】評価法としては、所定時間後に銅テープに
酢酸銅が発生した場合を×、酢酸銅が発生せず、十分な
防錆効果が認められた場合を◎として表示した。結果を
表１に示す。
酢酸銅が発生した場合を×、酢酸銅が発生せず、十分な
防錆効果が認められた場合を◎として表示した。結果を
表１に示す。
【００２０】 〔試験配合Ｉ〕 ＥＶＡコポリマー（注１） １００ 導電性ファーネスブラック（注２） ４０ ステアリン酸亜鉛 １ フェノール系酸化防止剤（注３） ０．５ 架橋剤 変量 〔試験配合II〕 ＥＶＡコポリマー（注１） ５０ ＶＭＸコポリマー（注４） ５０ 導電性ファーネスブラック（注２） ４０ ステアリン酸亜鉛 １ フェノール系酸化防止剤（注３） ０．５ 架橋剤 変量 注１：三菱油化社製、ユカロンエバＸ−７００（酢酸ビ
ニル含有量３３重量％,ＭＦＲ＝３０，密度＝０．９
６） 注２：キャボット社製、Ｖｕｌｃａｎ ＸＣ−７２ 注３：４，４’−チオビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５
−メチルフェノール）、大内新興社製、ノクラック３０
０ 注４：スチレングラフトエチレン−酢酸ビニル共重合
体、三菱油化社製、ＢＮ−５０（スチレン含有量４８重
量％, 酢酸ビニル含有量１６重量％）
ニル含有量３３重量％,ＭＦＲ＝３０，密度＝０．９
６） 注２：キャボット社製、Ｖｕｌｃａｎ ＸＣ−７２ 注３：４，４’−チオビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５
−メチルフェノール）、大内新興社製、ノクラック３０
０ 注４：スチレングラフトエチレン−酢酸ビニル共重合
体、三菱油化社製、ＢＮ−５０（スチレン含有量４８重
量％, 酢酸ビニル含有量１６重量％）
【００２１】
【表１】
【００２２】表中の架橋剤は下記のものを使用した。 ＤＣＰ：ジクミルペルオキサイド Ｐ−１４：１，３−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキ
シイソプロピル）ベンゼン、化薬ヌーリー社製、パーカ
ドックス１４ ＹＤ：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチ
ルペルオキシ) ヘキサン、日本化薬社製、カヤヘキサＹ
Ｄ
シイソプロピル）ベンゼン、化薬ヌーリー社製、パーカ
ドックス１４ ＹＤ：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチ
ルペルオキシ) ヘキサン、日本化薬社製、カヤヘキサＹ
Ｄ
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法によれば、半導電層から遊
離する酢酸量を銅テープ上に酢酸銅が生成しない範囲に
抑制することができる。この結果、銅テープの変色、腐
食を防止し、銅テープの性能低下を未然に防止する電気
ケーブルの製造が可能となる。
離する酢酸量を銅テープ上に酢酸銅が生成しない範囲に
抑制することができる。この結果、銅テープの変色、腐
食を防止し、銅テープの性能低下を未然に防止する電気
ケーブルの製造が可能となる。
【図１】試験例１におけるプレス温度と脱酢酸濃度の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 51/06 ＬＬＬ Ｃ０８Ｌ 51/06 ＬＬＬ Ｈ０１Ｂ 1/24 Ｈ０１Ｂ 1/24 Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）エチレン−酢酸ビニル共重合体及
びエチレン−酢酸ビニル共重合体と芳香族ビニルモノマ
ーとのグラフト物からなる群より選ばれた少なくとも１
種の樹脂成分、（ｂ）導電性カーボンブラック、及び
（ｃ）ジクミルペルオキサイド、１，３−ビス−（ｔｅ
ｒｔ−ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン及び
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペル
オキシ）ヘキサンからなる群より選ばれる架橋剤からな
る架橋性半導電層を最高温度２８０℃以下にて架橋する
ことを特徴とする架橋半導電層を有する電力ケーブルの
製造方法。 - 【請求項２】 （ａ）エチレン−酢酸ビニル共重合体及
びエチレン−酢酸ビニル共重合体と芳香族ビニルモノマ
ーとのグラフト物からなる群より選ばれた少なくとも１
種、及び芳香族ビニルポリマーである樹脂成分、（ｂ）
導電性カーボンブラック、及び（ｃ）架橋剤からなる架
橋性半導電層を最高温度２８０℃以下にて架橋すること
を特徴とする架橋半導電層を有する電力ケーブルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104618A JP2602741B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 電力ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104618A JP2602741B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 電力ケーブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311729A JPH04311729A (ja) | 1992-11-04 |
| JP2602741B2 true JP2602741B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=14385433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104618A Expired - Fee Related JP2602741B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 電力ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602741B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2413064A1 (de) * | 1974-03-19 | 1975-10-16 | Dynamit Nobel Ag | Schwefelvulkanisierbare formmassen |
| JPS5662846A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-29 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | Semiconductive resin composition |
| JPS5673820A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Sumitomo Electric Industries | Method of manufacturing crosslinked polyethylene calbe |
| JPS59139503A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 半導電性樹脂組成物 |
| JPH02281506A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Yazaki Corp | 架橋ポリエチレンケーブルの剥離性外部半導電層 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3104618A patent/JP2602741B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04311729A (ja) | 1992-11-04 |
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