JP2597498B2

JP2597498B2 - 気相法ダイヤモンドの合成法

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Publication number: JP2597498B2
Application number: JP9038588A
Authority: JP
Inventors: 洋一広瀬; 邦雄小巻
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Showa Denko KK
Priority date: 1988-04-14
Filing date: 1988-04-14
Publication date: 1997-04-09
Anticipated expiration: 2012-04-09
Also published as: JPH01264997A

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は耐摩耗性、耐蝕性、高熱伝導性、高比弾性等
の特性を有し、研摩材、研削材、光学材料、超硬工具
材、摺動材、耐蝕材、音響材、刃先材用部材等に有用な
膜状、粒状のダイヤモンドの気相法合成方法に関する。

〈従来の技術〉ダイヤモンドの合成法としては、超高圧条件下での、
鉄、ニッケル系等の触媒による合成法や爆薬法による黒
鉛の直接変換法が従来より実施されている。

近年低圧CVD法として、炭化水素又は窒素、酸素等を
含む有機化合物と水素との混合ガスを熱フィラメント、
マイクト波プラズマ、高周波プラズマ、直流放電プラズ
マ、直流アーク放電等により励起状態としてダイヤモン
ドを合成する方法が開発されている。

本発明者らは低圧CVD法に関し、とくに励起手段につ
いて種々検討を重ねた結果、熱フィラメントでは熱プラ
ズマ、マイクロ波ではマイクロ波プラズマ、直流アーク
放電ではアーク放電プラズマなど、すべてプラズマ状態
がダイヤモンド合成に大きく関与しているとの結論を
得、これより燃焼による燃焼炎もプラズマ状態であるこ
とにより、この燃焼炎を利用すれば従来法に比し容易に
ダイヤモンドを合成しうるとの判断のもとに、鋭意研究
の結果炭素を含む原料化合物を燃焼させて不完全燃焼領
域を形成し、該領域又は特定条件下にある該領域の近傍
にダイヤモンド析出用基材を配置することにより目的を
達成しうることを確認して特願昭63−4780号を出願し
た。

〈発明が解決しようとする課題〉この方法は炭素を含む原料化合物により燃焼炎を形成
させるのみで、基体上へのダイヤモンドを析出させるこ
とができるものであり、従来のCVD法に比し画期的にす
ぐれた方法であるが、この方法を実用化するためには、
ダイヤモンド析出速度の増大や析出物の性状制御が可能
であることが強く望まれる。

〈課題を解決するための手段〉本発明者らは種々研究の結果、燃焼炎を形成させてダ
イヤモンドを合成する場合、ダイヤモンド析出基材とノ
ズル部間に電圧を印加することにより目的を達成するこ
とを確認して本発明を完成した。

即ち本発明は、炭素を含むダイヤモンド析出用原料化
合物を不完全燃焼領域を有するように燃焼させ、該不完
全燃焼領域中、又は該領域の近傍の非酸化性雰囲気中
に、ダイヤモンド析出用基材を設置し、基材温度をダイ
ヤモンド析出温度に保持し基材−ガスノズル間に直流又
は交流の電圧を印加することにより基材にダイヤモンド
を析出させることを特徴とする気相法ダイヤモンド合成
法に関する。

なお本発明の方法により合成されるダイヤモンドには
ダイヤモンド様炭素を含む。

まずダイヤモンド合成用原料ガスについて説明する。

炭素源として次に示す各種の化合物が使用できる。

ａ）含水素化合物飽和炭化水素：メタン、エタン、プロパン、ブタン等。

不飽和炭化水素：エチレン、プロピレン、ブチレン、ア
セチレン、アリレン等。

芳香族炭化水素：ベンゼン、トルエン、キシレン、シク
ロヘキサン等。

CHO化合物：メタノール、エタノール、プロパノール、
ブタノール等のアルコール類、エーテル基含有化合物。

ケトン基を含むもの：アセトン、メチルエチルケトン、
ジエチルケトン、2,4−ペンタンジオン、アセトフェノ
ン、１′−ブチロナフトン。

エステル系：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソアミ
ル。

ケテン基を含むもの：ジメチルケテン、フェニルケテ
ン。

アセチル基を含むもの：酢酸、無水酢酸、アセトフェノ
ン、ビアセチル。

アルデヒド基を含むもの：ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、プロピオンアルデヒド。

メチレン基を含むもの：ケテン、ジアゾメタン。

メチル基を含むもの:t−ブチルパーオキサイド、メチル
ヒドロパーオキサイド、過酢酸。

ｂ）窒素含有化合物第１アミン：メチルアミン、エチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、イソプロピルアミン。

ニトリル基を含むもの：アセトニトリル、ベンゾニトリ
ル、アクリロニトリル、ピバロニトリル。

アミド基を含むもの：ヘキサンアミド、アセトアミド。

ニトロ基化合物：ニトロエタン、ニトロメタン、ニトロ
ソベンゼン、ニトロプロパン。

ｃ）含酸素化合物一酸化炭素二酸化炭素前述の化合物は一種又は二種以上を混合して用いるこ
とができる。

これらの炭素源化合物に酸素を混合して、含酸素雰囲
気中、又は非含酸素雰囲気中で、さらに又酸素を添加せ
ず、含酸素雰囲気中で燃焼させることができる。

ダイヤモンド合成用原料ガスに非酸化性ガス、例えば
H₂、Ar、N₂、CO₂、H₂O等の酸素、塩素以外のガスを混合
又は原料ガス輸送の手段として用いる事も出来る。

さらに炭素源として固体の炭素、黒鉛等を前記化合物
と水素、酸素の混合ガスの燃料炎中で、気化、燃焼、水
素化等の反応を介して炭素源として用いることも可能で
ある。又、その際非酸化性ガスを混合する事も出来る。

本発明においては前記のダイヤモンド合成用原料ガス
を不完全燃焼領域が存在するように燃焼させて燃焼炎を
形成させ、該不完全燃焼領域中又は炎外の非酸化性でか
つ炎の近傍のダイヤモンド析出可能に励起された領域
に、直流又は交流の電圧を印加したダイヤモンド析出用
基材を存在させることが必要である。

なお、前記のダイヤモンド合成用原料ガスに酸素を添
加し、燃焼を酸素を含まない雰囲気、或は酸素を含む雰
囲気中でダイヤモンド析出状態に励起された不完全燃焼
領域を生成させる具体例としては、例えば前者について
はアルゴン等の雰囲気中での燃焼を、又後者の例として
は大気開放中の燃焼を例示できる。

第１図に本発明の方法を実施するための代表的な装置
の模式説明図を示す。

図において、１はバーナー、２は燃焼炎で、内炎と称
すべき不完全燃料領域３と、外炎４により構成されてい
る。５は基板で、図においては水冷支持台３に取付けら
れている。７はバーナーノズルと基板（又は支持台）に
電圧を印加するための回路である。

図において５で示されるダイヤモンド析出用基材は通
常低圧CVD法で用いられるものが使用できる。即ちSiウ
エハー、SiC焼結体、Si,SiC粒状物の外に、Ｗ、WC、M
o、TiC、TiN、サーメット、超硬合金、工具鋼、合金工
具鋼、高速度鋼等の形状物及び粒状物を例示できる。

電圧印加はノズル口と水冷基板支持台間で行う事によ
り基板材質によらず安定して行う事が出来る。

ダイヤモンドが析出する領域は、燃焼炎中の３で示さ
れる通常内炎と称される酸素不足の領域である。酸素過
剰領域は、高熱で例えダイヤモンドが形成されても、過
剰の酸素によりCO、CO₂となり消失する。即ち、ダイヤ
モンド析出領域は酸素不足であり比較的低温である。そ
してこの領域においては原料ガスより炭化水素ラジカル
（活性種）の生成が盛んに起こり、電圧印加による電場
により、その機構は不明であるが更に、励起され、析出
速度の増大する事となる。

この電界印加により基材上析出物は粒状物となる。こ
れは電圧印加により、結晶核形成は低下し、析出速度が
増大した事によると推定される。

本発明方法において析出用基材の設置される位置は不
完全燃焼領域で温度は1000℃以上、望ましくは1500℃以
上である。この領域の励起及び温度が不充分の場合、電
界印加と重畳して補助加熱源として、通電加熱による発
熱体、高周波誘導加熱、レーザー光による加熱方式、赤
外線加熱、アーク放電による加熱等が用いられる。

基材温度は500℃以上、1200℃以下が好ましく水冷基
材支持台によりこの範囲に保持すれば良い。

炎を形成させる圧力は0.1Torrから10000Torrの範囲で
選択できるが、10Torr〜760Torrが好ましい。とくに常
圧（760Torr）での合成は大気開放で実施可能を示すも
のであり、実用的価値が大である。

〈作用〉炭素含有原料化合物から燃焼炎中で酸素との反応で分
解解離を行い、ラジカル化した活性種から例えばＣ、
C₂、CH、CH₂、CH₃などが形成され、電界により更に励起
されてダイヤモンド相として析出するものと推定され
る。

又水素原子、酸素原子も形成され、ダイヤモンド析出
反応に関与しているものと思われる。

〈実施例〉実施例 1: 第１図に示す装置を用いて本発明方法によりダイヤモ
ンド合成を行った。即ち、アセンチレン−酸素バーナー
を固定し、ノズル口より10mmの上方位置に基材として超
硬バイト13mm×13mm角を水冷支持台に固定し、ノズル口
に対向させた。バーナーにアセチレン２/min、酸素1.
2/min（酸素／アセチレン比0.6）を各々導入し、大気
中で燃焼させた。その後、予め結線しておいた回路によ
り、基板を（＋）とし、ノズル口を（−）としてDC300V
を印加した。その時の電流は約500μＡであった。

30分間の燃焼後、基板上の堆積物を光学顕微鏡で調べ
た所、自形を含んだ粒状ダイヤモンドが密着に析出した
膜状析出でその厚さは約110μｍであった。

又、析出面積の約30％は約40μｍの粒径の独立粒から
なる析出物であった。又、顕微ラマン分光からｉ−カー
ボンを僅か含むダイヤモンド析出である事を確認した。

第２図に析出物の膜上部分のラマンスペクトルを示
す。

比較例：実施例１と電圧印加を行わない以外は全て同じ条件で
ダイヤモンド合成を行った。

燃焼終了後の基板堆積物を光学顕微鏡、顕微ラマンで
調べた所、多少自形を含んだ膜状析出で、ｉ−カーボン
を多少含むダイヤモンド膜と認められ、膜の厚さは約62
μｍであった。

実施例2: 実施例１と同じバーナー、設定条件で、印加電圧の極
性を逆にした。即ち、基板を（−）、ノズル口を（＋）
として300Vを加えた。燃焼中の電流は約100μＡであっ
た。15分燃焼させた後、同様な観察、測定から堆積物は
実施例１とほとんど同じ表面形態の自形を有する析出
で、約10％程度の面積は約40μｍの独立した粒状析出で
あった。ラマンスペクトル中実施例１とほとんど同じで
あった。なお膜厚は約53μｍであった。

〈発明の効果〉本発明方法は、ダイヤモンドの基体への析出速度を増
大させ、又析出せるダイヤモンドは混入ｉ−カーボン量
が少なく、実用的価値は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するための代表的な装置の模式説
明図、第２図は実施例１により製造された析出ダイヤモ
ンドの膜状部分のラマンスペクトルを示す。図中、１はバーナー、２は燃焼炎、３は内炎、４は外
炎、５は基板、６は水冷支持台、７は電圧印加回路であ
る。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】炭素を含むダイヤモンド析出用原料化合物
を不完全燃焼領域を有するように燃焼させ、該不完全燃
焼領域中、又は該領域の近傍の非酸化性雰囲気中に、ダ
イヤモンド析出用基材を設置し、基材温度をダイヤモン
ド析出温度に保持し、基材−ガスノズル間に電圧を印加
することにより基材にダイヤモンドを析出させることを
特徴とする気相法ダイヤモンドの合成法。
【請求項２】炭素を含むダイヤモンド析出用原料化合物
に酸素を添加し、酸素を含まない雰囲気中で燃焼させる
ことを特徴とする請求項１記載の気相法ダイヤモンドの
合成法。
【請求項３】炭素を含むダイヤモンド析出用原料化合物
に酸素を添加し、酸素を含む雰囲気中で燃焼させること
を特徴とする請求項１記載の気相法ダイヤモンドの合成
法。
【請求項４】炭素を含むダイヤモンド析出用原料化合物
に酸素を添加することなく、酸素を含む雰囲気中で燃焼
させることを特徴とする請求項１記載の気相法ダイヤモ
ンドの合成法。