JP2597449B2 - 研磨ヘッド及びリテイナの使用方法 - Google Patents

研磨ヘッド及びリテイナの使用方法

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JP2597449B2
JP2597449B2 JP34078892A JP34078892A JP2597449B2 JP 2597449 B2 JP2597449 B2 JP 2597449B2 JP 34078892 A JP34078892 A JP 34078892A JP 34078892 A JP34078892 A JP 34078892A JP 2597449 B2 JP2597449 B2 JP 2597449B2
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路等を作成す
るための半導体ウエーハの研磨に関し、特に、ウエーハ
の表面を研磨盤面と接触させる動作を含む方法によって
半導体ウエーハの表面を研磨するために半導体ウエーハ
を位置決めするための研磨ヘッド、及びそのような研磨
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、普通「チップ」として提供
され、このそれぞれが、所望の電気回路を包含する一片
の平坦な材料を有する。通常は、円板状の半導体ウエー
ハ基板にエッチング及びコーテイングを施すことによ
り、複数の所望の集積回路が同時に形成される。このウ
エーハは切断されて矩形の平坦な小片にされ、それぞ
れ、その集積回路に電気的に接続するためのリードを有
する適当な外装が施される。これらの外装された材料片
（ダイ）は集積回路チップと呼ばれる。特定の場合に
は、１枚のウエーハが２以上の集積回路を形成するため
でなく、むしろ１つの所要の集積回路を形成するために
用いられることもある。
【０００３】このウエーハ基板は、通常は、単結晶シリ
コンのような半導体の単結晶から形成される。ウエーハ
の形成のための１つの一般的な方法は、円柱状又は棒状
の単結晶を成長させ、この棒状体（ブールと呼ばれる）
をスライスして個々の円板状のウエーハとするものであ
る。現在では、半導体ウエーハの最も大きな用途は集積
回路の基板であるが、他にも、例えば太陽電池のような
用途があることに留意しなければならない。
【０００４】種々の回路の形成や、ウエーハの他の用途
のためには、活性面又はフロント面、すなわち、集積回
路が形成されるべきウエーハ面は高度に研磨されること
が必要である（ウエーハの他の面は、よくウエーハの
「背」面と呼ばれる。）。この目的のために、研磨機械
はそのような必要とされる仕上をすることができるよう
に設計されてきた。これらの機械は、通常、ウエーハの
面を、例えばコロイド状シリコンのスラリーのような所
要の研磨剤を含む回転研磨パッドの研磨盤面のような処
理面に接触させるようにしている。多くの場合、ウエー
ハをその表面を露出させた状態で保持する研磨ヘッドも
回転する。所望される研磨を行うのは、このウエーハと
研磨パッドの相対的な動きである。いくつかの例におい
ては、この「研磨」は、基本的に１つの面を平坦か又は
他の面に対して平行にする目的でなされている。これと
の関係では、ウエーハ自体が単結晶であることや、この
タイプの性質が集積回路の製造や他の必要な使用目的の
ために好適なウエーハの製造のために非常に重要である
ことが留意されなければならない。
【０００５】ここで、ウエーハの表面と、これに対して
相対的に移動する研磨パッドとの接触によってウエーハ
に横向きの力がかかり、これによってウエーハの挙動の
制御が困難になる傾向があることが分る。しかし、研磨
作業に要求される制御の精度を確保するには、このよう
な制御できない動きを排除することが望ましい。この問
題は１つのウエーハを研磨することを目的とする装置に
おいてよりも、複数のウエーハを同時に研磨することを
目的として設計されている装置において特に重要であ
る。例えば、米国特許第４，９１８，８７０号には、
「フローティングする」サブキャリヤが開示され、これ
によると、１枚のウエーハを研磨する方式の利点が、多
数のウエーハを研磨する方式における経済性とともに得
られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】研磨されるウエーハの
キャリヤには、よくウエーハ保持用のインサート及び／
又は、ウエーハをセット位置に保持するポケットを形成
するリテイナが設けられている。難しい点は、このよう
なインサート又はリテイナが、ウエーハの露出した表面
を研磨する際の研磨作業と干渉する点である。このイン
サート又はリテイナはそれ自体は研磨パッドに対向して
固定されており、ウエーハを望ましい位置に保持するも
のの、それ自体の表面の特質や厚さの性質がウエーハの
研磨に対して有害な影響を与えることになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段及びその作用】この発明の
研磨ヘッドは、ウエーハキャリヤに固定接続されたリテ
イナを有するもので、これは研磨作業の間は研磨盤面を
フローティングするが、さらにウエーハの搭載作業をす
ることができるようにキャリヤを超えて突出し、所要の
ポケットを形成することができる。つまり、エッジリテ
イナは、研磨パッドと係合しているときにはウエーハの
表面と研磨パッドの表面の間の角度変化に応じて必要に
応じて動くことができる。しかしながら、エッジリテイ
ナの位置は、ウエーハの表面が研磨盤面と係合していい
ないときには、必要なウエーハポケットを形成するよう
に固定されている。
【０００８】好ましい構成として、この発明は、研磨作
業のためにウエーハを研磨盤面を押し付けるために、空
気又は他の流体の正圧を用いる。この結果、ウエーハは
研磨作業の間、この表面に対して相対的にフローティン
グする。つまり、ウエーハは、ヘッドと研磨盤面の間の
距離の比較的大きな変化に対応するのに必要な程度、空
気圧に抗して動くことになる。この発明においては、リ
テイナは研磨作業の間ウエーハとは独立にフローティン
グする。さらに、圧力差に抗してリテイナをフローティ
ングさせ、リテイナがキャリヤの他の部分を超えて突出
して所要のウエーハポケットを形成することを許容する
機械構造干渉手段が設けられている。このときのポケッ
トの形成は、研磨されたウエーハを未研磨のウエーハと
交換するため、つまり、機械に搭載するために有用であ
る。この作業は典型的な場合には１０分に一度程度の割
合で行われる。
【０００９】ウエーハを研磨作業のためにこの発明の研
磨ヘッドに接着する方法としては、ウエーハポケットの
底面を形成するキャリヤの部分に、ウエーハの接着を行
わせるためのインサートを設けるのが典型的である。こ
のようなインサートとして、弾力性のある極微孔性のシ
ートがよく使用され、これは濡れているときにはウエー
ハの背面をそこに着脱自在に接着させ、ウエーハの表面
を研磨作業のために露出した状態とすることができる。
知られているように、このようなキャリヤインサートは
定期的に、例えば一日一回交換されなければならない。
【００１０】発明の組合わせの最も好ましい手段とし
て、キャリヤの一部をリテイナより突出させてポケット
の底面を形成する構造がある。これによれば、リテイナ
はインサートの取り外しと干渉せず、インサートの交換
が便利に行える。
【００１１】好ましい発明の実施として、リテイナがリ
ング状で、円板形状のウエーハを収容するためのポケッ
トを形成する部分を取り囲むようにするものがある。柔
軟性のあるダイアフラムが、上述したように、リテイナ
を研磨の間フローティングさせ、さらにリテイナがキャ
リヤの他の部分を超えて突出して所要のウエーハポケッ
トを形成することを許容するコネクタとして働く。機械
構造干渉手段は２つの位置を採り、第１の位置において
は、圧力差に反応してキャリヤがリテイナに対して動
き、リテイナがキャリヤの他の部分を超えて突出して所
要のウエーハポケットを形成することを妨げ、第２の状
態においては、動作中にリテイナよりキャリヤが突出す
る動きを妨げる。
【００１２】この発明の方法は、研磨作業の間、研磨さ
れているウエーハ面と研磨盤面の間の角度変化に対応す
るためにエッジリテイナの動きを許容し、さらにウエー
ハ面が研磨盤面と接触していないときには、ウエーハエ
ッジの位置を固定してウエーハポケットを形成する工程
を含むものである。この発明の他の特徴及び利点は、以
下の、発明の好ましい実施例のより詳しい説明により明
らかになるであろう。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を図面を参照して詳しく説明
する。しかしながら、この分野の技術に熟練した者にと
って、特許請求の範囲によって限定された発明及びその
均等物から離れることなしに、多くの変更と改良が可能
であることが留意されなければならない。
【００１４】図１には、広く符号１１により表される研
磨装置が複数の研磨ヘッド（発明の実施態様として６つ
のヘッドを有している。）を備えて示されており、これ
らの研磨ヘッドのそれぞれが、１つの円板形状の半導体
ウエーハを保持し、その露出した表面を研磨するように
設計されている。ヘッド１２のそれぞれは、円板形状の
カルーセル（回転型コンベア）１３に搭載され、このカ
ルーセル１３は橋部１４から吊るされて中心軸１５の回
りに回転自在に搭載されている。ヘッド１２は、互いに
等しい間隔をおいて配置され、カルーセル１３の上に円
形パターンをなすように搭載されている。これらのヘッ
ド１２は図に例示するようにチェーンドライブによって
結合されている。カルーセル１３の動きと、カルーセル
１３に対するヘッド１２の動きを結合した回転が、ヘッ
ド１２によって保持されたウエーハの遊星的動きを生じ
る。
【００１５】回転する研磨盤面１７を提供する研磨パッ
ド１６が、カルーセル１３とヘッド１２の下で回転自在
に設けられている。ヘッド１２によって保持されたウエ
ーハの露出面は、ベロー１９の中に設けられた図示しな
いネジ駆動機構によって矢１８の方向に生ぜしめられた
カルーセル１３の並進運動によって研磨盤面１７と接触
させられる。このようなパッド１６、カルーセル１３及
びヘッド１２の回転によってもたらされた複合的回転運
動により所要の研磨が行われる。
【００１６】図２は、ヘッド１２の一部を破断して示し
た断面図である。ヘッド１２を搭載するスピンドルは想
像線２１によって示され、ヘッド１２の内部に正の空気
圧を与えるための手段が２２により模式的に表現されて
いる。
【００１７】ヘッド１２は円板形状であり、上部外側の
機械加工された主要部２３を有しており、これによって
中央のカプラ２４を介してスピンドル２１に所要の取付
けができるようになっている。環状に機械加工された側
部２５は、主要部２３を囲むようにしてこれに強固に固
定されている。この側部２５は、２７で表示されるウエ
ーハリテイナを取り囲む内向きの環状のフランジ２６を
有している。このリテイナ２７はさらに、円板形状のウ
エーハキャリヤ２８を取り囲んでいる。リテイナ２７の
主な目的はキャリヤ２８によって保持された円板型のウ
エーハに作用する横向きの力に抵抗することであり、こ
の力は研磨されるウエーハの表面と研磨パッド１６の表
面との間の接触によって引き起こされる。キャリヤ２８
の表面には、ウエーハが接着されるべきインサート３０
が設けられている。従来の技術においては、このインサ
ート３０はキャリヤ２８の全面を覆っていた。図解され
ている通り、また後に詳しく述べるように、柔軟性があ
るが、しかも非摩耗性のダイアフラム２９の形式のコネ
クタがキャリヤ２８とリテイナ２７を結合する。このダ
イアフラム２９はその端部の近傍においてヘッドの主要
部２３及び側部２５の間にそれぞれ挟まれて固定されて
いる。手段２２はダイアフラム２９の両側の空間におい
て圧力差を付与する。つまり、ヘッド１２の中に形成さ
れた空間３１の中の空気圧は、雰囲気圧と比較して少し
高い圧力、例えば１〜１０ゲージ圧に維持されており、
そしてダイアフラム２９に対してキャリヤ２８が設けら
れている側の空間は環境圧力に晒されている。
【００１８】柔軟性ダイアフラム２９の両側に圧力差が
あるため、ダイアフラム２９は空間３１を拡大するよう
に、つまり、図の下方向に動く傾向にあることが分る。
しかし、この発明においては、所望の場所において圧力
差に対抗するために機械構造干渉手段が設けられてい
る。これは、その内向きのフランジ４２を挿通して延び
る複数のボルト（そのうちの１つが４１として示されて
いる。）によって、上記ダイアフラム２９を挿通してキ
ャリヤ２８に固定された環状のフランジリング３９を有
している。図解されているように、フランジリング３９
は、棒状部材４９のねじの切られた端部４７とは別の端
部に設けられている固定用円板４６と係合する外向きの
棚つまりフランジ４４を有する。この棒状部材４９は、
インサート４８を密封状態で軸方向に挿通し、さらにこ
のインサート４８はヘッド１２の主要部２３を挿通す
る。図には棒状構造を有する１つのインサート４８のみ
が示されているが、複数のインサート４８をヘッド１２
に対してヘッド回りに等間隔に配置して、図解するよう
な方法でフランジリング３９と係合させて設けることが
望ましい。１つの実施形態として３つのインサート４８
がヘッド１２の回りに互いに等間隔に配置されている。
【００１９】機械構造干渉部は、さらにリテイナ２７の
一部として環状の突起５１を有している。この環状の突
起５１は、側部２５の内向きのフランジ２６と係合する
ように配置され、これによってキャリヤ２８が図２に示
す位置を超えて移動するのを防止している。
【００２０】この機械構造干渉手段は、ダイアフラム２
９の両側の圧力差に対抗し、キャリヤ２８とリテイナ２
７の間に所要の位置関係を形成する。さらに、これはキ
ャリヤ２８とリテイナ２７が研磨作業の間中フローティ
ングすることができるようにする。つまり、研磨作業の
間中ヘッド１２からウエーハに作用する圧力を均等化す
るように自由に動きまわるようにする。図３ないし図６
は、種々の位置について理解のための図である。これら
は本質的に３つの位置であり、搭載位置（図３）、研磨
位置（図４）及び交換位置（図５）である。搭載位置
は、リテイナ２７がキャリヤ２８より突出して円板状の
ウエーハを収容するポケットを構成し、このウエーハを
取り付けることができる位置である。研磨位置は、現実
の研磨作業の間中リテイナ２７がキャリヤ２８に対して
フローティングする位置である。インサート交換位置で
は、機械構造干渉手段がキャリヤ２８をリテイナ２７よ
りも突出させ、インサート３０の交換や他の種々の目的
のためにキャリヤ２８の表面へ接触することができる位
置である。この図３から図６を参照すると、リテイナ２
７の突起５１は側部２５の内向きフランジ２６と係合
し、上向きの圧力がかかっていないときに、図に示され
るように、リテイナ２７が下方に向かって突出する程度
を軽減する。（リテイナ２８には、図４に示されるよう
に、研磨作業の間には上向きの力がかかっている。）キ
ャリヤ２８は、このリテイナ２７よりやや上側の位置
に、フランジ４４と端部の固定用円板４６との係合によ
って保持されている。
【００２１】先に述べたように、固定用円板４６は棒状
部材４９の端部にある。その位置は棒状部材４９のねじ
が切られた端部４７に係合させられたナット５２を適当
に回転させることによってヘッド１２の外部から調整す
ることができる。ヘッド１２の内部で起きることを外部
から制御できるのは注目すべきことである。
【００２２】キャリヤ２８は、図３のリテイナ２７に対
して、ウエーハの収容のためのポケットを形成するよう
に位置させられる。これは、キャリヤ２８にウエーハを
取り付けるのに有用である。つまり、ウエーハのキャリ
ヤ２８上の位置が厳密に確定できる。この図によれば、
リテイナ２７がキャリヤ２８を超えて突出することによ
り、所望のウエーハポケットが形成されることが分るで
あろう。インサート３０は、ポケットの底面に接着剤で
固定される。このようなインサート３０は、研磨される
ウエーハの背面に付着力を与える。
【００２３】図３に示される搭載位置は、研磨ヘッド１
２が研磨盤面と接触していなければ、つまり、ヘッド１
２がカルーセル１３と一緒に持上げられていれば常に、
上述した構成の全てを伴って自動的に形成されるような
キャリヤ２８とリテイナ２７の位置関係を示す。図４
は、研磨作業における関係を示す。キャリヤ２８は、符
号５６で示されるウエーハを研磨盤面と接触させる位置
に運ぶ。リテイナ２７もまた、この研磨盤面と接触す
る。これとの関連で、リテイナ２７は、アセタールプラ
スチック又は同じような材料により作られ、動く研磨盤
面と接触するリングを有する。このリング及びリテイナ
２７の他の部分は研磨作業の間ウエーハとともにフロー
ティングする。つまり、ヘッド１２には、リテイナ２７
を持上げて突起５１をフランジ２６との係合から解除す
るための充分な圧力が作用する。このような圧力は勿論
キャリヤ２８をも持上げる。図４に示すように、棒状部
材４９はこのような圧力に伴って必然的に上昇する。
【００２４】この関係においては、機械構造干渉手段は
作動していないことに留意すべきである。キャリヤ２８
とリテイナ２７は研磨作業の間フローティングする。こ
れはつまり、それぞれが、充分意味のある程度に３つの
直交軸Ｘ，Ｙ，Ｚに沿って、独立に動くことができるこ
とを意味する。このようにしてリテイナ２７を少し傾
け、及び／又は上昇又は下降させることがウエーハの研
磨に伴って必要に応じて可能となる。リテイナ２７、キ
ャリヤ２８及びヘッド１２の他の部分を連結する柔軟性
のあるダイアフラム２９がこのような動きを可能とする
ことに留意するべきである。これはまた、キャリヤ２８
とリテイナ２７のフローティングする関係をも図３に示
すように可能とする。
【００２５】既に述べたように、キャリヤ２８のポケッ
トの中のウエーハ接着用インサート３０を定期的に取り
替えることが望ましい。図５，６は機械構造干渉手段の
位置を示すもので、これによって、上のような交換を行
わしめるためにキャリヤ２８をリテイナ２７より突出さ
せる。この関係において、キャリヤ２８の外側において
棒状部材４９が一対のワッシャ５８，５９を挿通する。
図６から分るように、このワッシャ５９はいわゆるＣ型
ワッシャで、ワッシャ５８を受けるための凹みと、ワッ
シャが棒状部材４９から簡単に取り除けるようにするた
めの切欠の両方を備えている。これを除去することによ
り、ディスク４６とフランジ４４を有する機械構造干渉
手段において、ダイアフラム２９が空間３１の中の圧力
に反応し、キャリヤ２８がリテイナ２７よりも伸びるこ
とを可能とする。この配列の状態が図５に示されてい
る。これによって、作業者がインサート３０を操作する
ことが簡単になり、また、リテイナ２７とインサート３
０の干渉なしにインサート３０を取り除くために、イン
サート３０をキャリヤ２８に固定することも簡単とな
る。
【００２６】このようにしてＣ型ワッシャ５９は、機械
構造干渉手段が図３又は図５に示されるような位置を与
えるかどうかを決定する手段として作用する。さらにそ
れは、インサート３０の交換のためにヘッド１２の外側
から選択的に操作できるような位置にある。このよう
に、インサート３０の交換のための位置にキャリヤ２８
を置くために、ヘッド１２の外側を簡単に操作すればよ
いということは、大きな時間の節約になることが分っ
た。
【００２７】上記のことから、発明の方法は、エッジリ
テイナ２７が研磨盤面と研磨接触している間エッジリテ
イナ２７が動くことを許容する一方、ヘッド１２が研磨
パッド１６から後退したときは、エッジリテイナ２７の
位置を固定してウエーハポケットを形成するという工程
を含むことが分る。この発明の方法はさらに、キャリヤ
２８をリテイナ２７よりも選択的に突出させる工程を含
む。これらの全ての工程は、ダイアフラム２９がキャリ
ヤ２８をリテイナ２７に固定し、リテイナ２７をヘッド
１２の他の部分に固定するため、簡単に達成できる。こ
れにおいて、柔軟なダイアフラム２９が、キャリヤがリ
テイナ及びヘッドの他の部分に対して動くのに必要な柔
軟性を与えるとともに、リテイナ２７がキャリヤ２８及
びヘッド１２の他の部分の両方に対して動くことを許容
するのに必要な柔軟性を与えるという２つの機能を果た
すことに留意すべきである。
【００２８】詳細な説明の最初で述べたように、出願人
は上述した特定の実施例に限定されるものではない。種
々の変更及び改良が可能である。例えば、発明の目的を
達成するために異なる機械構造干渉部の構成とすること
ができる。特許請求の範囲に記載された発明とその均等
物及びその均等言語により保護の範囲が確定される。
【００２９】
【発明の効果】この発明の研磨ヘッドは、ウエーハキャ
リヤに固定接続されたリテイナを有するもので、研磨作
業の間はフローティングするが、さらにウエーハの搭載
作業をすることができるようにキャリヤを超えて突出
し、所要のポケットを形成することができる。従って、
研磨作業がなされているときは、リテイナはウエーハの
表面と研磨パッドの表面の間の角度変化を伴って必要に
応じて動くことができ、また、ウエーハの表面が研磨盤
面と接触していいないときには、必要なウエーハポケッ
トを形成するように固定され、これによりウエーハの交
換作業等が確実に行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の研磨ヘッドを複数有するウエーハ研
磨装置の関連する部材を概観する図である。
【図２】研磨ヘッドの好ましい実施例の断面図である。
【図３】リテイナがウエーハ用ポケットを形成するため
にキャリヤより突出したときの各部間の関係を示す部分
拡大図である。
【図４】図３と同様に、研磨時の各部の関係を示す図で
ある。
【図５】やはり、図３と同様に、キャリヤがリテイナよ
り突出した時の各部の関係を示す図である。
【図６】この発明の一実施例のさらなる部分拡大図であ
る。
【符号の説明】
１２ ヘッド ２７ リテイナ ２８ キャリヤ ２９ ダイアフラム ３０ インサート ４４ フランジリング ４６ 固定用円板 ４８ インサート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ジェイ・コレンカウ アメリカ合衆国・94709・カリフォルニ ア・バークリー・ラ・ローマ・1717・ナ ンバー・１・

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエーハの表面を研磨盤面と接触させる
    動作を含む方法により半導体ウエーハの表面を研磨する
    ための、半導体ウエーハを位置決めする研磨ヘッドであ
    って、 （ａ）円盤状をなし、下端面にウエーハが支持されるキ
    ャリアと、 （ｂ）上記キャリアの周囲を覆い、かつ上記ウエーハの
    表面を研磨している間、研磨盤面とウエーハの表面との
    接触によってウエーハに作用する横方向の力に抵抗して
    上記ウエーハを上記キャリアの下端面上に保つリテイナ
    と、 （ｃ）上記キャリア及び上記リテイナの上端側に水平に
    張設されて上記キャリア及び上記リテイナを弾性的に支
    持し、上記ウエーハ表面が研磨されている間は上記キャ
    リアを上記リテイナより上方に引き上げて、上記キャリ
    アの下方に、上記リテイナで囲まれた上記ウエーハ支持
    用のポケットを形成可能とする、柔軟性のあるダイヤフ
    ラムとを有することを特徴とする研磨ヘッド。
  2. 【請求項２】 上記キャリアの下端面を上記リテイナよ
    りも選択的に突出させるための手段を具備することを特
    徴とする請求項１に記載の研磨ヘッド。
  3. 【請求項３】 上記キャリアの下端面に、上記ウエーハ
    装着用のインサートを有していることを特徴とする請求
    項１又は２に記載の研磨ヘッド。
  4. 【請求項４】 上記ダイヤフラムが、このダイヤフラム
    の上下に形成された空間の圧力差に対応して上下に変位
    するとともに、上記圧力差を生じさせるための手段が設
    けられ、かつ上記キャリアの上端縁に取り付けられたフ
    ランジと、このフランジの下方に位置する円板とを有
    し、これらフランジと円板との係合により上記圧力差に
    抗して上記キャリアの下降を阻止し、これにより上記ポ
    ケットを形成させる機械構造干渉手段が設けられている
    ことを特徴とする請求項１．２又は３に記載の研磨ヘッ
    ド。
  5. 【請求項５】 上記機械構造干渉手段における上記フラ
    ンジと円板との係合位置を変更する手段が設けられてい
    ることを特徴とする請求項４に記載の研磨ヘッド。
  6. 【請求項６】 上記位置変更手段が上記研磨ヘッドの外
    部から操作可能な位置に設けられていることを特徴とす
    る請求項５に記載の研磨ヘッド。
  7. 【請求項７】 上記機械構造干渉手段が、上記圧力差に
    抗して上記キャリアの下降を阻止し、それにより上記ポ
    ケットの形成を許容する第１の位置と、上記キャリアを
    上記リテイナより突出させる第２の位置とをとることを
    特徴とする請求項４に記載の研磨ヘッド。
  8. 【請求項８】 さらに、上記機械構造干渉手段が上記第
    １又は第２の位置のいずれの位置をとるかを決定する手
    段を有していることを特徴とする請求項７に記載の研磨
    ヘッド。
  9. 【請求項９】 上記決定手段は、上記研磨ヘッドの外部
    から操作可能な位置に設けられていることを特徴とする
    請求項８に記載の研磨ヘッド。
  10. 【請求項１０】 上記ダイヤフラムが、上記キャリアを
    上記リテイナを越えて選択的に突出させる手段を提供し
    ていることを特徴とする請求項２に記載の研磨ヘッド。
  11. 【請求項１１】 下端面にウエーハが支持されるキャリ
    アと、上記キャリアの周囲を覆うリテイナとを有する研
    磨ヘッドを用い、上記ウエーハ表面を研磨盤面と接触さ
    せる動作を含む方法によりウエーハの表面を研磨する
    間、ウエーハに作用する横方向の力に抵抗するため、上
    記キャリアの下方に、上記リテイナで囲まれたポケット
    を形成するための、上記リテイナの使用方法であって、 （ａ）上記接触の間、上記ウエーハの表面と上記研磨板
    面との間で上記リテイナが上下に動くことを許容する工
    程と、 （ｂ）上記ウエーハ表面が上記研磨板面と接触していな
    いときに上記ポケットを形成させるために上記リテイナ
    を上記研磨ヘッドに支持させる工程とを含むことを特徴
    とするリテイナの使用方法。
  12. 【請求項１２】 上記リテイナの動きを許容する工程は
    上記接触の間は上記リテイナの位置がフローティングす
    ることを許容する工程を含むことを特徴とする請求項１
    １に記載のリテイナの使用方法。
  13. 【請求項１３】 上記キャリアの下端面を上記リテイナ
    を越えて選択的に突出させる工程を含むことを特徴とす
    る請求項１１又は１２に記載のリテイナの使用方法。
  14. 【請求項１４】 柔軟性のあるダイヤフラムが上記キャ
    リア及び上記リテイ ナの上端側に水平に張設されて上記
    キャリア及び上記リテイナを弾性的に支持し、このダイ
    ヤフラムはダイヤフラムの上下に形成された空間の圧力
    差に対応して上下に変位するとともに、上記圧力差を生
    じさせるための手段が設けられ、さらに上記リテイナが
    上記接触の間動くことを許容する工程が、上記接触の際
    に上記圧力差に抗して上記ダイヤフラムを弛緩させるこ
    とを許容する工程を含むことを特徴とする請求項１１又
    は１２に記載のリテイナの使用方法。
  15. 【請求項１５】 上記リテイナを上記研磨ヘッドに支持
    させる工程が、上記キャリアの上端縁に取り付けられた
    フランジと、このフランジの下方に位置する円板とを有
    し、これらフランジと円板との係合により上記圧力差に
    抗して上記キャリアの下降を阻止し、これにより上記ポ
    ケットを形成させる機械構造干渉手段により提供される
    ことを特徴とする請求項１４に記載のリテイナの使用方
    法。
  16. 【請求項１６】 上記キャリヤの下端面を上記リテイナ
    より選択的に突出させる工程を含むことを特徴とする請
    求項１５に記載のリテイナの使用方法。
  17. 【請求項１７】 上記キャリヤの下端面を上記リテイナ
    より選択的に突出させる工程が、さらに、上記機械構造
    干渉手段が上記圧力差に抗する位置を変更する工程を含
    むことを特徴とする請求項１６に記載のリテイナの使用
    方法。
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Families Citing this family (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3370112B2 (ja) * 1992-10-12 2003-01-27 不二越機械工業株式会社 ウエハーの研磨装置
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5486725A (en) * 1993-12-27 1996-01-23 Keizer; Daniel J. Security power interrupt
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5582534A (en) * 1993-12-27 1996-12-10 Applied Materials, Inc. Orbital chemical mechanical polishing apparatus and method
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5423716A (en) * 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US5733175A (en) 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
US5783497A (en) * 1994-08-02 1998-07-21 Sematech, Inc. Forced-flow wafer polisher
US5562530A (en) * 1994-08-02 1996-10-08 Sematech, Inc. Pulsed-force chemical mechanical polishing
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
DE69512971T2 (de) * 1994-08-09 2000-05-18 Ontrak Systems Inc Linear Poliergerät und Wafer Planarisierungsverfahren
US5571044A (en) * 1994-10-11 1996-11-05 Ontrak Systems, Inc. Wafer holder for semiconductor wafer polishing machine
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5575707A (en) * 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US5681215A (en) * 1995-10-27 1997-10-28 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
JP3724869B2 (ja) * 1995-10-09 2005-12-07 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および方法
US5762544A (en) * 1995-10-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
JP3072962B2 (ja) * 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
ATE228915T1 (de) * 1996-01-24 2002-12-15 Lam Res Corp Halbleiterscheiben-polierkopf
KR100485002B1 (ko) * 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
US5876273A (en) * 1996-04-01 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for polishing a wafer
US5916012A (en) * 1996-04-26 1999-06-29 Lam Research Corporation Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface for a linear polisher
JPH09314457A (ja) * 1996-05-29 1997-12-09 Speedfam Co Ltd ドレッサ付き片面研磨装置
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
JP3663767B2 (ja) * 1996-09-04 2005-06-22 信越半導体株式会社 薄板の鏡面研磨装置
US6036587A (en) 1996-10-10 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US6146259A (en) 1996-11-08 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US5941758A (en) * 1996-11-13 1999-08-24 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5791978A (en) * 1996-11-14 1998-08-11 Speedfam Corporation Bearing assembly for wafer planarization carrier
US5716258A (en) * 1996-11-26 1998-02-10 Metcalf; Robert L. Semiconductor wafer polishing machine and method
US6056632A (en) * 1997-02-13 2000-05-02 Speedfam-Ipec Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US5851140A (en) * 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
JPH10230455A (ja) 1997-02-17 1998-09-02 Nec Corp 研磨装置
JP3807807B2 (ja) * 1997-02-27 2006-08-09 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5857899A (en) * 1997-04-04 1999-01-12 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing head with pad dressing element
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
US5957751A (en) * 1997-05-23 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
US6398621B1 (en) 1997-05-23 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate sensor
TW436369B (en) 1997-07-11 2001-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing device
US5964653A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6113479A (en) 1997-07-25 2000-09-05 Obsidian, Inc. Wafer carrier for chemical mechanical planarization polishing
US5916015A (en) * 1997-07-25 1999-06-29 Speedfam Corporation Wafer carrier for semiconductor wafer polishing machine
US5957763A (en) * 1997-09-19 1999-09-28 Speedfam Corporation Polishing apparatus with support columns supporting multiple platform members
US5989103A (en) * 1997-09-19 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Magnetic carrier head for chemical mechanical polishing
US6080040A (en) * 1997-11-05 2000-06-27 Aplex Group Wafer carrier head with inflatable bladder and attack angle control for polishing
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
JP3006568B2 (ja) * 1997-12-04 2000-02-07 日本電気株式会社 ウエハ研磨装置および研磨方法
US6116992A (en) 1997-12-30 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate retaining ring
US5993302A (en) * 1997-12-31 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6142857A (en) * 1998-01-06 2000-11-07 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing with improved backing arrangement
US5989104A (en) * 1998-01-12 1999-11-23 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with monopiece pressure plate and low gimbal point
JP2928218B1 (ja) * 1998-03-03 1999-08-03 株式会社スーパーシリコン研究所 平面加工装置
WO1999048645A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Speedfam-Ipec Corporation Backing pad for workpiece carrier
JP3959173B2 (ja) * 1998-03-27 2007-08-15 株式会社東芝 研磨装置及び研磨加工方法
JPH11285966A (ja) 1998-04-02 1999-10-19 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア及びｃｍｐ装置
JPH11291165A (ja) * 1998-04-10 1999-10-26 Toshiba Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2000015572A (ja) * 1998-04-29 2000-01-18 Speedfam Co Ltd キャリア及び研磨装置
US6106379A (en) * 1998-05-12 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6143127A (en) * 1998-05-14 2000-11-07 Applied Materials, Inc. Carrier head with a retaining ring for a chemical mechanical polishing system
US6436228B1 (en) * 1998-05-15 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Substrate retainer
US6251215B1 (en) 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6159083A (en) * 1998-07-15 2000-12-12 Aplex, Inc. Polishing head for a chemical mechanical polishing apparatus
US6152808A (en) 1998-08-25 2000-11-28 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate polishing systems, semiconductor wafer polishing systems, methods of polishing microelectronic substrates, and methods of polishing wafers
US6159079A (en) * 1998-09-08 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
US6210255B1 (en) 1998-09-08 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
US6277014B1 (en) 1998-10-09 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing
US6244942B1 (en) 1998-10-09 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure
US6132298A (en) * 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
DE19982290T1 (de) 1998-10-16 2002-05-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer-Poliervorrichtung und Verfahren zum Erfassen der Polierrate
US6089961A (en) * 1998-12-07 2000-07-18 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing carrier and ring extension therefor
US6165058A (en) 1998-12-09 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing
US6422927B1 (en) 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6162116A (en) * 1999-01-23 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing
TW436378B (en) * 1999-02-05 2001-05-28 Mitsubishi Materials Corp Wafer polishing apparatus and method for making a wafer
US6368189B1 (en) * 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
US6231428B1 (en) 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
TW436382B (en) 1999-03-12 2001-05-28 Mitsubishi Materials Corp Wafer holding head, wafer polishing apparatus, and method for making wafers
US6527624B1 (en) 1999-03-26 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Carrier head for providing a polishing slurry
US6113468A (en) * 1999-04-06 2000-09-05 Speedfam-Ipec Corporation Wafer planarization carrier having floating pad load ring
US6431968B1 (en) 1999-04-22 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Carrier head with a compressible film
JP3068086B1 (ja) 1999-05-07 2000-07-24 株式会社東京精密 ウェ―ハ研磨装置
JP3085948B1 (ja) 1999-05-10 2000-09-11 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置
US6855043B1 (en) 1999-07-09 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Carrier head with a modified flexible membrane
US6241593B1 (en) 1999-07-09 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressurizable bladder
US6358121B1 (en) 1999-07-09 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring
US6494774B1 (en) 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressure transfer mechanism
US6343975B1 (en) 1999-10-05 2002-02-05 Peter Mok Chemical-mechanical polishing apparatus with circular motion pads
US6241591B1 (en) 1999-10-15 2001-06-05 Prodeo Technologies, Inc. Apparatus and method for polishing a substrate
JP2001121411A (ja) 1999-10-29 2001-05-08 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
US6663466B2 (en) 1999-11-17 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detector
US6431959B1 (en) * 1999-12-20 2002-08-13 Lam Research Corporation System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
JP3683149B2 (ja) 2000-02-01 2005-08-17 株式会社東京精密 研磨装置の研磨ヘッドの構造
DE10009656B4 (de) * 2000-02-24 2005-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6386947B2 (en) 2000-02-29 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting wafer slipouts
US6450868B1 (en) 2000-03-27 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with multi-part flexible membrane
US6361419B1 (en) 2000-03-27 2002-03-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable edge pressure
US6447379B1 (en) 2000-03-31 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Carrier including a multi-volume diaphragm for polishing a semiconductor wafer and a method therefor
US6336853B1 (en) 2000-03-31 2002-01-08 Speedfam-Ipec Corporation Carrier having pistons for distributing a pressing force on the back surface of a workpiece
US7140956B1 (en) 2000-03-31 2006-11-28 Speedfam-Ipec Corporation Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6390905B1 (en) 2000-03-31 2002-05-21 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
US6436828B1 (en) 2000-05-04 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing using magnetic force
US6267659B1 (en) 2000-05-04 2001-07-31 International Business Machines Corporation Stacked polish pad
US6663477B1 (en) 2000-05-11 2003-12-16 International Business Machines Corporation Complaint membrane for restraining a workpiece and applying uniform pressure during lapping to improve flatness control
US6602114B1 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Applied Materials Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6540592B1 (en) 2000-06-29 2003-04-01 Speedfam-Ipec Corporation Carrier head with reduced moment wear ring
US6722965B2 (en) 2000-07-11 2004-04-20 Applied Materials Inc. Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US6857945B1 (en) 2000-07-25 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a flexible membrane
US20040005842A1 (en) * 2000-07-25 2004-01-08 Chen Hung Chih Carrier head with flexible membrane
US7101273B2 (en) * 2000-07-25 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Carrier head with gimbal mechanism
US7198561B2 (en) * 2000-07-25 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for multi-chamber carrier head
US6419567B1 (en) 2000-08-14 2002-07-16 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Retaining ring for chemical-mechanical polishing (CMP) head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method
US6488565B1 (en) 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
US6527625B1 (en) 2000-08-31 2003-03-04 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head
US6676497B1 (en) 2000-09-08 2004-01-13 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
US6848980B2 (en) 2001-10-10 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Vibration damping in a carrier head
US7497767B2 (en) * 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
US6773337B1 (en) 2000-11-07 2004-08-10 Planar Labs Corporation Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad
US6722950B1 (en) 2000-11-07 2004-04-20 Planar Labs Corporation Method and apparatus for electrodialytic chemical mechanical polishing and deposition
US6905526B1 (en) 2000-11-07 2005-06-14 Planar Labs Corporation Fabrication of an ion exchange polish pad
US6447368B1 (en) 2000-11-20 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Carriers with concentric balloons supporting a diaphragm
US6468131B1 (en) 2000-11-28 2002-10-22 Speedfam-Ipec Corporation Method to mathematically characterize a multizone carrier
US6709322B2 (en) * 2001-03-29 2004-03-23 Lam Research Corporation Apparatus for aligning a surface of an active retainer ring with a wafer surface for chemical mechanical polishing
US6942545B2 (en) * 2001-04-20 2005-09-13 Oriol, Inc. Apparatus and method for sequentially polishing and loading/unloading semiconductor wafers
US6582277B2 (en) 2001-05-01 2003-06-24 Speedfam-Ipec Corporation Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus
US6890249B1 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge load retaining ring
US6835125B1 (en) 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
US6872130B1 (en) 2001-12-28 2005-03-29 Applied Materials Inc. Carrier head with non-contact retainer
US6739958B2 (en) 2002-03-19 2004-05-25 Applied Materials Inc. Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US6790123B2 (en) 2002-05-16 2004-09-14 Speedfam-Ipec Corporation Method for processing a work piece in a multi-zonal processing apparatus
US6875076B2 (en) 2002-06-17 2005-04-05 Accretech Usa, Inc. Polishing machine and method
WO2004033152A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-22 Semplastics, L.L.C. Retaining ring for use on a carrier of a polishing apparatus
TWM255104U (en) * 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
US6846222B2 (en) * 2003-03-04 2005-01-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Multi-chambered, compliant apparatus for restraining workpiece and applying variable pressure thereto during lapping to improve flatness characteristics of workpiece
US7001245B2 (en) * 2003-03-07 2006-02-21 Applied Materials Inc. Substrate carrier with a textured membrane
US6772784B1 (en) 2003-04-11 2004-08-10 Mac Valves, Inc. Proportional pressure regulator having positive and negative pressure delivery capability
US20060180486A1 (en) * 2003-04-21 2006-08-17 Bennett David W Modular panel and storage system for flat items such as media discs and holders therefor
US6974371B2 (en) * 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
US7025660B2 (en) * 2003-08-15 2006-04-11 Lam Research Corporation Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing
US7344434B2 (en) 2003-11-13 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Retaining ring with shaped surface
US11260500B2 (en) * 2003-11-13 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Retaining ring with shaped surface
US20050126708A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Applied Materials, Inc. Retaining ring with slurry transport grooves
US7255771B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
US7048621B2 (en) * 2004-10-27 2006-05-23 Applied Materials Inc. Retaining ring deflection control
US7101272B2 (en) * 2005-01-15 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Carrier head for thermal drift compensation
US20080171494A1 (en) * 2006-08-18 2008-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for slurry distribution
US7727055B2 (en) * 2006-11-22 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for carrier head
US8137162B2 (en) * 2007-07-25 2012-03-20 Edmond Arzuman Abrahamians Semiconductor wafer polishing machine
JP5199691B2 (ja) * 2008-02-13 2013-05-15 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR101617716B1 (ko) * 2008-03-25 2016-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
US10160093B2 (en) 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
US8647170B2 (en) 2011-10-06 2014-02-11 Wayne O. Duescher Laser alignment apparatus for rotary spindles
US8647171B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-11 Wayne O. Duescher Fixed-spindle floating-platen workpiece loader apparatus
US8500515B2 (en) 2010-03-12 2013-08-06 Wayne O. Duescher Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts
US8641476B2 (en) 2011-10-06 2014-02-04 Wayne O. Duescher Coplanar alignment apparatus for rotary spindles
US8602842B2 (en) * 2010-03-12 2013-12-10 Wayne O. Duescher Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system
US8740668B2 (en) * 2010-03-12 2014-06-03 Wayne O. Duescher Three-point spindle-supported floating abrasive platen
US8647172B2 (en) 2010-03-12 2014-02-11 Wayne O. Duescher Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping
US8696405B2 (en) 2010-03-12 2014-04-15 Wayne O. Duescher Pivot-balanced floating platen lapping machine
US8758088B2 (en) 2011-10-06 2014-06-24 Wayne O. Duescher Floating abrading platen configuration
US8337280B2 (en) 2010-09-14 2012-12-25 Duescher Wayne O High speed platen abrading wire-driven rotary workholder
US8430717B2 (en) 2010-10-12 2013-04-30 Wayne O. Duescher Dynamic action abrasive lapping workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US8998678B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US8845394B2 (en) 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
US9039488B2 (en) 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US8998677B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9011207B2 (en) 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
USD766849S1 (en) 2013-05-15 2016-09-20 Ebara Corporation Substrate retaining ring
US9604340B2 (en) * 2013-12-13 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Carrier head having abrasive structure on retainer ring
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
US11623321B2 (en) * 2020-10-14 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head retaining ring tilting moment control

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50133596A (ja) * 1974-04-10 1975-10-22
JPS56146667A (en) * 1980-04-18 1981-11-14 Hitachi Ltd Mirror surface grinder
JPH0298927A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨装置
US4918870A (en) * 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731435A (en) * 1971-02-09 1973-05-08 Speedfam Corp Polishing machine load plate
DE2809274A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-13 Wacker Chemitronic Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren
US4519168A (en) * 1979-09-18 1985-05-28 Speedfam Corporation Liquid waxless fixturing of microsize wafers
US4316757A (en) * 1980-03-03 1982-02-23 Monsanto Company Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing
WO1989007508A1 (en) * 1988-02-17 1989-08-24 Gruzinsky Politekhnichesky Institut Imeni V.I.Leni Method and cassette for abrasive machining of the surface of parts

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50133596A (ja) * 1974-04-10 1975-10-22
JPS56146667A (en) * 1980-04-18 1981-11-14 Hitachi Ltd Mirror surface grinder
US4918870A (en) * 1986-05-16 1990-04-24 Siltec Corporation Floating subcarriers for wafer polishing apparatus
JPH0298927A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0548846B1 (en) 1996-05-08
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DE69210568T2 (de) 1996-11-21

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