JP2597244B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
および半導体装置用処理容器に係り、特に、半導体装置
の反り防止に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a processing container for a semiconductor device, and more particularly to a method for preventing a semiconductor device from warping.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC、LSI等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
2. Description of the Related Art Lead frames used for mounting semiconductor devices such as ICs and LSIs are formed into a desired pattern by pressing or etching a plate made of a metal material such as an iron or copper material. It is formed by molding.

【0003】通常、リ―ドフレ―ム1は、図5に示す如
く、半導体集積回路チップ(以下半導体チップ)を搭載
するダイパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ
―ド12を一体的に連結するタイバ―13と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸張するア
ウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持
するサイドバ―15,16と、ダイパッド11を支持す
るサポ―トバ―17とから構成されている。
Normally, as shown in FIG. 5, a lead frame 1 has a die pad 11 on which a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter referred to as "semiconductor chip") is mounted, and a plurality of inner leads arranged so as to surround the die pad. A tie bar 13 for integrally connecting the lead 12 and the inner lead 12, an outer lead 14 connected to each inner lead and extending outside the tie bar, and a tie bar 13; It comprises side bars 15 and 16 for supporting from both sides, and a support bar 17 for supporting the die pad 11.

【0004】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せ
しめられる半導体装置は、リ―ドフレ―ム1のダイパッ
ド11上に、半導体チップ2を搭載し、この半導体チッ
プのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ
―ド12とを金線あるいはアルミ線のボンディングワイ
ヤ3によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミック等
の封止材料4で封止がなされる。
In a semiconductor device mounted using such a lead frame, a semiconductor chip 2 is mounted on a die pad 11 of a lead frame 1 and a bonding pad of the semiconductor chip is connected to the lead frame. The inner lead 12 is connected to a bonding wire 3 of a gold wire or an aluminum wire, and these are sealed with a sealing material 4 such as resin or ceramic.

【0005】そして、通常は、樹脂封止工程で樹脂封止
部に残留する内部残留応力を除去するポストキュア工程
を経た後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ
―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
[0005] Usually, after passing through a post-curing step of removing internal residual stress remaining in the resin-sealed portion in the resin-sealing step, the tie bars and side bars are cut, and the outer leads are formed as desired. It is folded into a shape and completed.

【0006】このキュア工程およびポストキュア工程は
図6に示すように、半導体装置収納マガジン31内に半
導体装置33を重ねて収納し、これをストッパープレー
ト32によって支持した状態で、所望の温度に保持され
た加熱雰囲気炉内で所望の時間加熱保持した後、前記半
導体装置を徐冷して硬化する方法がとられている。
In the curing step and the post-curing step, as shown in FIG. 6, a semiconductor device 33 is stacked and stored in a semiconductor device storage magazine 31, and is held at a desired temperature while being supported by a stopper plate 32. After heating and holding in a heated atmosphere furnace for a desired time, the semiconductor device is gradually cooled and cured.

【0007】この方法によると、前記マガジン31に収
納した半導体装置は、前記加熱および徐冷を施す際に、
素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差
等によって図7に示すように反りが発生する。
According to this method, when the semiconductor device housed in the magazine 31 is subjected to the heating and slow cooling,
Warping occurs as shown in FIG. 7 due to a difference in thermal expansion coefficient between the materials, a difference in thickness between the upper and lower portions of the resin sealing portion, and the like.

【0008】特にTSOPなどの薄型の半導体装置に多
く、この反りが実装用基板上に表面実装する際に、接続
不良の原因となったり、また、封止樹脂にクラックを発
生させる原因となっていた。
[0008] In particular, it is often found in thin semiconductor devices such as TSOP. This warpage causes a connection failure when mounting on a mounting substrate or causes cracks in a sealing resin. Was.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の方
法で形成された半導体装置は、内部残留応力を除去する
ためのキュア工程で、加熱および徐冷を施す際に、素材
間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差等に
よって、反りが発生し、これが、実装用基板上に表面実
装する際に、接続不良の原因となったり、また、封止樹
脂にクラックを発生させる原因となっていた。このよう
な不都合は、特に薄型パッケージにおいて顕著であっ
た。
As described above, in a semiconductor device formed by a conventional method, a thermal expansion between materials is performed when heating and slow cooling are performed in a curing process for removing internal residual stress. Warpage occurs due to a difference in coefficient or a difference in thickness between the upper and lower portions of the resin sealing portion, which may cause a connection failure when the surface is mounted on a mounting substrate, or cause cracks in the sealing resin. Was causing it to occur. Such inconvenience was particularly noticeable in a thin package.

【0010】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、薄型化に際して反りの発生もなく、信頼性の高い半
導体装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a highly reliable semiconductor device which does not warp when being made thin.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、樹脂
封止によるパッケージ形成後に、このパッケージを配列
し、その両端に位置するパッケージ面を加圧プレートで
狭持し加圧することにより、パッケージの上下の各面
を、加圧プレート又は、隣接するパッケージを介して加
圧しつつ、内部残留応力を除去するためのキュア工程を
行い、放冷するまで加圧状態を保持するようにしたこと
を特徴とする。すなわち、本発明の方法では、リードフ
レームの半導体チップ搭載部に、半導体チップを載置
し、電気的接続を行う半導体チップ搭載工程と、前記半
導体チップのまわりを樹脂でモ−ルドし、パッケージを
形成するモールド工程と、前記パッケージを配列し、そ
の両端に位置するパッケージ面を加圧プレートで狭持し
加圧することにより、前記パッケージの上下の各面を、
加圧プレート又は、隣接するパッケージを介して加圧
し、前記パッケージを拘束した状態で熱処理を行い、上
下面を加圧したまま冷却する熱処理工程と、前記リード
フレームの外部リードを分離成形する分離成形工程とを
含むことを特徴とする。さらに本発明の半導体用処理容
器では、モールドのなされた多数の半導体装置をパッケ
ージ面が互いに接触するように配列して収納する箱状の
マガジン本体と、前記マガジン本体の内部に相対向して
配設された2枚の平板からなる加圧プレートと、前記マ
ガジン本体に設けられた挿通穴を介して前記2枚の加圧
プレートを押圧する加圧ねじと、前記加圧ねじを回し押
圧状態を調整する調整手段とを具備し、前記半導体装置
を収納した状態で熱処理を行うように構成したことを特
徴とする。
Therefore, according to the present invention, after the package is formed by resin encapsulation, the packages are arranged, and the package surfaces located at both ends of the package are clamped by a pressure plate to apply pressure. While applying pressure to the upper and lower surfaces via a pressure plate or an adjacent package, a curing process to remove internal residual stress is performed, and the pressurized state is maintained until cooling. And That is, according to the method of the present invention, a semiconductor chip is mounted on a semiconductor chip mounting portion of a lead frame, and a semiconductor chip mounting step of making electrical connection is performed. Forming process and forming, arranging the package, holding the package surfaces located at both ends thereof with a pressure plate and applying pressure, the upper and lower surfaces of the package,
A heat treatment step in which pressure is applied through a pressure plate or an adjacent package, heat treatment is performed in a state where the package is restrained, and cooling is performed while pressing the upper and lower surfaces, and separation molding in which external leads of the lead frame are separated and molded. And a step. Further, in the semiconductor processing container of the present invention, a box-shaped magazine main body for accommodating a large number of molded semiconductor devices arranged in such a manner that their package surfaces are in contact with each other, and disposed inside the magazine main body so as to face each other. A pressure plate formed of two flat plates provided, a pressure screw for pressing the two pressure plates through an insertion hole provided in the magazine body, and a pressing state by turning the pressure screw. And an adjusting means for adjusting, wherein the heat treatment is performed while the semiconductor device is housed.

【0012】[0012]

【作用】上記構造によれば、内部残留応力を除去するた
めのキュア工程で、平面プレートで半導体装置の上下面
を挟持し加圧しつつ加熱および徐冷を施すようにしてい
るため、素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の
厚みの差等がある場合にも反りが発生することもなく、
平坦で信頼性の高い半導体装置を得ることができる。ま
た、薄型面実装用半導体装置はそのまま圧力をかけると
クラックが生じることがあるが、本発明の半導体装置の
製造方法によれば、加圧ねじによって圧力調整しながら
加圧することにより、平面プレートに均一な圧力をかけ
て力をバランスさせながら熱処理を行うように構成され
ているため、加圧ねじの緩衝作用により、クラックを生
じることなく、高歩留まりで信頼性の高い薄型半導体装
置を得ることが可能となる。
According to the above structure, in the curing step for removing the internal residual stress, the upper and lower surfaces of the semiconductor device are sandwiched between the flat plates and heating and slow cooling are performed while applying pressure. Even if there is a difference in thermal expansion coefficient or a difference in thickness between the upper and lower portions of the resin sealing portion, no warpage occurs,
A flat and highly reliable semiconductor device can be obtained. In addition, although the thin surface mounting semiconductor device may cause cracks when pressure is applied as it is, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, by applying pressure while adjusting the pressure with a pressing screw, a flat plate is applied to the flat plate. Since the heat treatment is performed while applying a uniform pressure and balancing the forces, the buffering action of the pressure screw makes it possible to obtain a thin semiconductor device with high yield and high reliability without cracks. It becomes possible.

【0013】従って、実装用基板上に表面実装する際
に、接続不良の原因となったり、また封止樹脂にクラッ
クを発生させるようなこともない。また本発明の半導体
用処理容器によれば、極めて容易に、多数個の薄型半導
体装置のポストキュアを同時に行うことが可能となり、
半導体装置のサイズに合わせて調整手段を調整すればよ
く、取扱いも極めて容易である。また、そのままの状態
で、搬送用あるいは保管用にも用いることができ、薄型
で変形しやすい半導体装置を多数個同時に、変形するこ
となく良好に搬送および保存することも可能である。ま
た、薄型面実装用半導体装置はそのまま圧力をかけると
クラックが生じることがあるが、本発明の半導体装置用
処理容器によれば、加圧ねじによって圧力調整しながら
加圧することができ、平面プレートに均一な圧力をかけ
て力をバランスさせているため、加圧ねじの緩衝作用に
より、クラックを生じることなく、歩留まりの向上をは
かることができる。
Therefore, when the semiconductor device is surface-mounted on a mounting substrate, it does not cause a connection failure and does not cause cracks in the sealing resin. Further, according to the processing container for semiconductor of the present invention, it is possible to very easily perform post-curing of a large number of thin semiconductor devices at the same time,
The adjustment means may be adjusted according to the size of the semiconductor device, and handling is extremely easy. Further, the semiconductor device can be used as it is for transportation or storage as it is, and it is possible to transport and store a large number of thin and easily deformable semiconductor devices simultaneously without deformation. In addition, although the thin surface mounting semiconductor device may cause cracks when pressure is applied as it is, according to the processing container for semiconductor device of the present invention, it is possible to apply pressure while adjusting the pressure with a pressure screw, and to use a flat plate. Since the pressure is balanced by applying a uniform pressure, the yield can be improved without cracking due to the buffering action of the pressure screw.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】本発明実施例の半導体装置は、図1に樹脂
封止後の平面図、図2にキュア工程で用いられる加圧装
置を具備したマガジンの要部斜視図、図3に半導体装置
を同マガジンに装着した状態図を示す。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device after resin sealing, FIG. 2 is a perspective view of a main part of a magazine provided with a pressing device used in a curing process, and FIG. The state diagram attached to the magazine is shown.

【0016】この加圧装置は、箱状のマガジン42の内
部に相対向して配設された2枚の平板からなる加圧プレ
ート41a,41bと、このマガジン42に設けられた
挿通穴47を介して加圧プレート41a,41bを押圧
する加圧ねじ44と、この加圧ねじを回し押圧状態を調
整するハンドル43と、これら加圧ねじおよびハンドル
を支持する枠体45とから構成されている。
This pressurizing device comprises two pressurized plates 41a and 41b, which are disposed opposite to each other inside a box-shaped magazine 42, and an insertion hole 47 provided in the magazine 42. A pressure screw 44 for pressing the pressure plates 41a, 41b through the handle, a handle 43 for turning the pressure screw to adjust the pressed state, and a frame 45 for supporting the pressure screw and the handle. .

【0017】実装に際しては、まず、図5に示したよう
なリードフレームを用意し、このリードフレーム1のダ
イパッド11上に、半導体チップ2を搭載し、この半導
体チップのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのイン
ナ―リ―ド12とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ3によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミ
ック等の封止材料4で封止がなされる。
In mounting, first, a lead frame as shown in FIG. 5 is prepared, a semiconductor chip 2 is mounted on a die pad 11 of the lead frame 1, and a bonding pad of the semiconductor chip and a lead frame are mounted. The inner lead 12 of the system is connected to a bonding wire 3 of a gold wire or an aluminum wire, and these are sealed with a sealing material 4 such as resin or ceramic.

【0018】そして、図2に示したようなマガジンを用
い、図3に示すように半導体装置46を重ねて装着し、
ハンドル43を回して加圧ねじ部44を移動させ、所望
の圧力となるように加圧プレート41a,41bの位置
を調整する。圧力の調整はトルクレンチを使用して行う
とよい。
Then, using a magazine as shown in FIG. 2, the semiconductor devices 46 are stacked and mounted as shown in FIG.
By turning the handle 43, the pressing screw portion 44 is moved, and the positions of the pressing plates 41a and 41b are adjusted so that a desired pressure is obtained. The pressure may be adjusted using a torque wrench.

【0019】この状態で180℃に維持された加熱炉に
設置し、樹脂封止工程で樹脂封止部に残留する内部残留
応力を除去するキュア工程および冷却硬化させるポスト
キュア工程を経た後、この加圧プレートを有するマガジ
ンから外し、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―
リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。こ
のようにして図4に示すような半導体装置が完成する。
In this state, it is set in a heating furnace maintained at 180 ° C., and after a curing step of removing internal residual stress remaining in the resin sealing portion in a resin sealing step and a post-curing step of cooling and hardening, Remove from the magazine with the pressure plate, cut the tie bars and side bars, and
The lead is bent into a desired shape and completed. Thus, a semiconductor device as shown in FIG. 4 is completed.

【0020】このようにして形成された半導体装置は、
パッケージの反りもなく平坦な状態を維持しており、ク
ラックの発生等もなく、表面実装を行う際にも、良好な
接続状態を得ることができる。
The semiconductor device thus formed is
A flat state is maintained without warpage of the package, no cracks are generated, and a good connection state can be obtained even when performing surface mounting.

【0021】なお、この加圧プレートおよびマガジンの
形状については実施例に限定されることなく適宜変形可
能であることはいうまでもない。
It is needless to say that the shapes of the pressure plate and the magazine are not limited to the embodiments but can be appropriately modified.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の方法
によれば、半導体装置の上下両面を平面プレートで挟持
し加圧しつつ、キュア工程を実施し、そのままの状態で
放冷するようにしているため、反りが発生することな
く、平坦で信頼性の高い半導体装置を得ることが可能と
なる。また、本発明の半導体装置用処理容器によれば、
極めて容易に、多数個の薄型半導体装置のポストキュア
を同時に行うことが可能となり、半導体装置のサイズに
合わせて調整手段を調整すればよく、取扱いも極めて容
易である。また、そのままの状態で、搬送用あるいは保
管用にも用いることができ、薄型で変形しやすい半導体
装置を多数個同時に、変形することなく良好に搬送およ
び保存することも可能である。
As described above, according to the method of the present invention, the upper and lower surfaces of the semiconductor device are sandwiched between the flat plates, and while the pressure is applied, the curing process is performed, and the semiconductor device is allowed to cool as it is. Therefore, a flat and highly reliable semiconductor device can be obtained without warpage. According to the semiconductor device processing container of the present invention,
The post-curing of a large number of thin semiconductor devices can be performed very easily at the same time, and the adjustment means may be adjusted according to the size of the semiconductor device, and handling is extremely easy. Further, the semiconductor device can be used as it is for transportation or storage as it is, and it is possible to transport and store a large number of thin and easily deformable semiconductor devices simultaneously without deformation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明実施例の半導体装置の樹脂封止後の平面
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention after resin sealing.

【図2】本発明実施例のキュア工程で用いられる加圧装
置を具備したマガジンの要部斜視図。
FIG. 2 is a perspective view of a main part of a magazine provided with a pressurizing device used in a curing process according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の半導体装置を同マガジンに装着した状
態を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a state where the semiconductor device of the present invention is mounted on the magazine.

【図4】本発明の方法で形成した半導体装置を示す図FIG. 4 shows a semiconductor device formed by the method of the present invention.

【図5】通常のリードフレームを示す図。FIG. 5 is a view showing a normal lead frame.

【図6】従来のキュア工程を示す図FIG. 6 is a diagram showing a conventional curing process.

【図7】従来例の方法で形成した半導体装置を示す図FIG. 7 is a view showing a semiconductor device formed by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リ―ドフレ―ム 2 半導体チップ 3 ワイヤ 4 封止材料 11 ダイパッド 12 インナ―リ―ド 13 タイバ― 14 アウタ―リ―ド 15,16 サイドバ― 17 サポ―トバ― 31 マガジン 32 ストッパプレート 33 半導体装置 41a,41b 加圧プレート 42 マガジン 43 ハンドル 44 加圧ねじ部 45 保持枠 46 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Semiconductor chip 3 Wire 4 Encapsulation material 11 Die pad 12 Inner lead 13 Tie bar 14 Outer lead 15, 16 Side bar 17 Support bar 31 Magazine 32 Stopper plate 33 Semiconductor device 41a, 41b Pressure plate 42 Magazine 43 Handle 44 Pressure screw part 45 Holding frame 46 Semiconductor device

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 リードフレームの半導体チップ搭載部
に、半導体チップを載置し、電気的接続を行う半導体チ
ップ搭載工程と、 前記半導体チップのまわりを樹脂でモ−ルドし、パッケ
ージを形成するモールド工程と、 前記パッケージを配列し、その両端に位置するパッケー
ジ面を加圧プレートで狭持し加圧することにより、前記
パッケージの上下の各面を、加圧プレート又は、隣接す
るパッケージを介して加圧し、前記パッケージを拘束し
た状態で熱処理を行い、上下面を加圧したまま冷却する
熱処理工程と、 前記リードフレームの外部リードを分離成形する分離成
形工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
1. A semiconductor chip mounting step of mounting a semiconductor chip on a semiconductor chip mounting portion of a lead frame and making an electrical connection, and a mold for molding a package around the semiconductor chip with a resin. And a step of arranging the packages and packages located at both ends thereof.
By holding the surface with a pressure plate and applying pressure,
Place the upper and lower surfaces of the package on a pressure plate or
Pressurizing through a package, performing a heat treatment in a state where the package is constrained, and cooling while keeping the upper and lower surfaces pressed, and a separation molding step of separating and molding the external leads of the lead frame. A method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項2】 モールドのなされた多数の半導体装置を
パッケージ面が互いに接触するように配列して収納する
箱状のマガジン本体と、 前記マガジン本体の内部に相対向して配設された2枚の
平板からなる加圧プレートと、 前記マガジン本体に設けられた挿通穴を介して前記2枚
の加圧プレートを押圧する加圧ねじと、 前記加圧ねじを回し押圧状態を調整する調整手段 とを具備し、前記半導体装置を収納した状態で熱処理を
行うように構成したことを特徴とする半導体装置用容
器。
2. A box-shaped magazine body for accommodating a large number of molded semiconductor devices arranged in such a manner that their package surfaces are in contact with each other, and two sheets arranged opposite to each other inside the magazine body. A pressure plate made of a flat plate of the following, a pressure screw pressing the two pressure plates through an insertion hole provided in the magazine main body, and adjusting means for turning the pressure screw to adjust the pressed state. Heat treatment in a state where the semiconductor device is housed.
A container for a semiconductor device, characterized in that the container is configured to perform the operation .
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