JP2591031B2 - 光導電素子 - Google Patents

光導電素子

Info

Publication number
JP2591031B2
JP2591031B2 JP63051891A JP5189188A JP2591031B2 JP 2591031 B2 JP2591031 B2 JP 2591031B2 JP 63051891 A JP63051891 A JP 63051891A JP 5189188 A JP5189188 A JP 5189188A JP 2591031 B2 JP2591031 B2 JP 2591031B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tetrapod
photoconductive element
needle
zinc oxide
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63051891A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01225375A (ja
Inventor
實 芳中
栄三 朝倉
光正 奥
基 北野
英行 ▲吉▼田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63051891A priority Critical patent/JP2591031B2/ja
Priority to KR1019890702035A priority patent/KR950007487B1/ko
Priority to DE89903245T priority patent/DE68909732T2/de
Priority to EP89903245A priority patent/EP0364597B1/en
Priority to PCT/JP1989/000216 priority patent/WO1989008329A1/ja
Publication of JPH01225375A publication Critical patent/JPH01225375A/ja
Priority to US07/680,800 priority patent/US5091765A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2591031B2 publication Critical patent/JP2591031B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005Growth of whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543Solar cells from Group II-VI materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光導電素子に関する。さらに詳しくは、テ
トラポッド状酸化亜鉛ウィスカーを用いた高感度の画期
的な光導電素子に関する。本発明の応用分野は広く、ホ
トリレー,柴外線検出素子,小形電動機の速度制御,音
量調整,血液脈波測定などに及ぶ。
従来の技術 従来、光導電素子としては、CdSを単結晶の形で利用
するほか、蒸着薄膜の形でも利用するが、なかでも焼結
体として最も広く利用されてきた。それ以外にも、ZnS,
CdSe,GaAs,Si,Ge,PbS,InSb,Se,CdTe,PbSe,PbTe,Sb2S3,P
bO,ZnO等が用いられてきている。さらに、光導電性を向
上させるために、Ag,Cu,Cl,Ga,Sb等を添加する場合が多
かった。
発明が解決しようとする課題 前記従来の光導電素子においては、長時間光を照射し
続けた場合に素子が劣化して、抵抗値が変化する傾向が
大きく、信頼性の面で問題があった。
さらには、さらに光感応性の強い光導電素子が広く望
まれていた。
課題を解決するための手段 本発明は、核部と、この核部から異なる4軸方向に伸
びた針状結晶部からなるテトラポッド状酸化亜鉛ウィス
カーを集合して光導電素子の受光部を構成する。
ここで、針状結晶部の基部の径が0.7〜14μmであ
り、前記針状結晶の基部から先端までの長さが3〜200
μmである場合に特に極立った効果が得られる。
作用 本発明の光導電素子は、針状の酸化亜鉛単結晶(X線
回折により確認される)の集合体となるため、当然なが
ら非常に高感度で劣化の少ない光導電素子が実現される
と考えられている。
また、テトラポッド状酸化亜鉛を集合するため、必然
的にその空孔率が高くなり、さらには、酸化亜鉛ウィス
カーが透明な単結晶であることとあいまって、光が素子
の深部まで入射しやすく(散乱が少なく)なり、高い感
度を与えるものと考えられる。
実 施 例 以下に実施例を用いて具体的に説明する。
実施例1 金属亜鉛粉末を水共存下で乳鉢式擂潰機で擂潰処理し
た後、水中に3日間放置し、その後乾燥してアルミナ製
るつぼに入れ、1000℃の炉内へ入れて1時間熱処理して
テトラポッド状酸化亜鉛ウィスカーを得た。それの針状
結晶部の基部の径は平均8μmで、基部から先端までの
長さが平均50μmであった。大部分が異なる4軸方向に
針状結晶が伸びたテトラポッド状を示していたが、一部
には、テトラポッド状ウィスカーが壊れたと考えられ
る。1軸方向,2軸方向,3軸方向にそれぞれ伸びたウィス
カーが混入していた。
このウィスカーを少量2枚の平板間に挟み、プレス圧
500g/cm2でプレスして成形し、厚さ約200μmにした。
その成形物上に、Snのくし形電極を形成しながらさら
に120g/cm2の圧力を加えた状態で受光部を構成した。こ
の光導電素子に300luxの光を照射し、印加電圧を制御し
て常に300mWになるようにした。この状態で連続1000時
間保存し、その間任意に取り出して1lux照射下における
明抵抗の変化を観測した。その結果を図に示す。同時に
比較のために試験したCdSとZnOのそれぞれの焼結体の結
果を同図に示す。またこの素子は高感度で照度0.01〜10
00luxの変化で抵抗値が3桁以上変化した。
実施例2 実施例1と同一のテトラポッド状酸化亜鉛ウィスカー
にCuを0.1 atm%添加し、900℃で焼結し、Inを真空蒸着
して電極を構成した。この素子に負荷寿命試験を課した
ところ、実施例1と同様に優れた特性を示し、抵抗変化
率(1000時間後)は12%であった。またこの素子は高感
度で、照度0.01〜1000luxの変化で3桁以上変化した。
実施例3 基部の径の平均が0.7μmより小さく、基部から先端
までの長さが3μmより小さな微細なテトラポッド状ウ
ィスカーを用いて実施例1と同様の評価を実施したとこ
ろ、この大きさから急に感度が悪くなり、抵抗値変化が
2桁台まで落ちた。
比較例 一般試薬(関東化学社製)の酸化亜鉛粉末(粒状、平
均粒径約1μm)を用いて実施例1と同様の評価を試み
たが、光感応性が全く認められず、比較評価に至らなか
った。
以上の実施例ではテトラポッド状ウィスカーの寸法が
比較的揃った例で示したが、あえて分布させて適切な光
導電素子が得られるのは勿論のことである。
電極材料としては他に、アルミニウム,亜鉛,金,
銀,銅,鉄,ニッケル,クロム,コバルト,リチウム,
ベリリウム,ナトリウム,マグネシウム,チタン,バナ
ジウム,マンガン,ガリウム,スズ,アンチモン,イン
ジウム,カドミウム,パラジウム,ロジウム,ルテニウ
ム,テクネチウム,モリブデン,ニオブ,ジルコニウ
ム,イットリウム,ストロンチウム,ルビジウム,スカ
ンジウム,カリウム,カルシウム,アスタチン,ポロニ
ウム,ビスマス,鉛,タリウム,水銀,白金,イリジウ
ム,オスミウム,レニウム,タングステン,タンタル,
ハフニウム,バリウム,セシウム,フランシウム,ラジ
ウム,ランタン,およびランタン系元素、アクチニウム
およびアクチニウム系元素、などの単体あるいは複数の
合金あるいは混合物を場合に応じて使い分けることがで
きる。
また、テトラポッド状酸化亜鉛に、Ag,Cu,Cl,Ga,Sb時
には前記電極材料を含めて、一種類または複数種類微量
添加することにより各種特性の改善を図ることができ
る。添加量は、1種類の添加物につき0〜10atm%の範
囲で添加され、特に0.05〜0.5atm%が有効であり、過度
の添加は暗電流を増加させ、寿命特性を悪化させる傾向
がある。
その他、他の光導電物質と適当に混合して利用するこ
とにより、特性の改善が可能である。
また、テトラポッド状酸化亜鉛ウィスカーに、AlやLi
等を添加あるいはドープすることによりウィスカーの抵
抗値を変化させることができる。
電極系は、酸化スズ,酸化インジウム,金などの透明
導電膜を用いたサンドイッチ型,プレーナ型,くし型,
積層型などを用いる。
受光面に関しては構造上小面積から限りなく大面積の
ものまで適用でき、さらに任意の形状はもとより、任意
の3次元的凹凸をもった光導電素子が提供できる。
さらにテトラポッド状針状結晶の基部から先端までの
長さが3〜200μmの範囲のウィスカーが高感度で安定
性の高い光導電特性を示すが、長さの範囲はこれに限定
するものではない。とりわけ、基部から先端までの長さ
が50〜150μmのテトラポッド状ウィスカーが、特性
面、ウィスカーを壊れにくさ、ハンドリングの仕易さ、
それにコスト面から最も好ましい。
一方、テトラポッド状針状結晶部の基部の径が0.7〜1
4μmの範囲のウィスカーが高感度で安定性の高い光導
電特性を示すが、径の大きさの範囲はこれに限定するも
のではない。とりわけ基部の径が2〜10μmのテトラポ
ッド状ウィスカーが特性面、ウィスカーの壊れにくさ、
ハンドリングの仕易さ、コスト等の面から最も好まし
い。
受光部の厚さは、感度やバイアス電圧の大きさ、それ
に適用目的に従って設計される。また、受光部の厚さは
成形プレス圧に依存するが、成形プレス圧は、テトラポ
ッド状ウィスカーの大きさ等を考慮しながら、テトラポ
ッド状ウィスカーが完全に壊れない範囲で設定される。
発明の効果 本発明は、従来の全く異なったテトラポッド状酸化亜
鉛ウィスカー単結晶を集合して光導電素子を構成したた
め、高感度で高信頼性の光導電素子を提供できることと
なり、高性能で、汎用性の高い光導電素子が強く求めら
れている昨今、その産業性大なるものである。
【図面の簡単な説明】
図は各種光導電体の抵抗変化率を比較した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北野 基 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼田 英行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭48−34492(JP,A) 特開 昭50−146345(JP,A) 特公 昭43−25126(JP,B1)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】核部と、この核部から異なる4軸方向に伸
    びた針状結晶部からなるテトラポット状酸化亜鉛ウィス
    カーを集合して受光部とした光導電素子。
  2. 【請求項2】酸化亜鉛ウィスカーの針状結晶部の基部の
    径が0.7〜14μmであり、前記針状結晶部の基部から先
    端までの長さが3〜200μmである請求項1記載の光導
    電素子。
JP63051891A 1988-03-04 1988-03-04 光導電素子 Expired - Lifetime JP2591031B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63051891A JP2591031B2 (ja) 1988-03-04 1988-03-04 光導電素子
KR1019890702035A KR950007487B1 (ko) 1988-03-04 1989-03-02 광전도 소자
DE89903245T DE68909732T2 (de) 1988-03-04 1989-03-02 Photoleitende zelle.
EP89903245A EP0364597B1 (en) 1988-03-04 1989-03-02 Photoconductive cell
PCT/JP1989/000216 WO1989008329A1 (en) 1988-03-04 1989-03-02 Photoconductive cell
US07/680,800 US5091765A (en) 1988-03-04 1991-04-03 Photoconductive cell with zinc oxide tetrapod crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63051891A JP2591031B2 (ja) 1988-03-04 1988-03-04 光導電素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01225375A JPH01225375A (ja) 1989-09-08
JP2591031B2 true JP2591031B2 (ja) 1997-03-19

Family

ID=12899507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63051891A Expired - Lifetime JP2591031B2 (ja) 1988-03-04 1988-03-04 光導電素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5091765A (ja)
EP (1) EP0364597B1 (ja)
JP (1) JP2591031B2 (ja)
KR (1) KR950007487B1 (ja)
DE (1) DE68909732T2 (ja)
WO (1) WO1989008329A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69305794T2 (de) * 1992-07-10 1997-06-12 Asahi Glass Co Ltd Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung
US5674802A (en) * 1992-10-13 1997-10-07 Ushers, Inc. Shares for catalyst carrier elements, and catalyst apparatuses employing same
EP0723528B1 (en) * 1992-10-13 2005-03-09 Ushers, Inc. Improved aggregates, and apparatus and method for making same
US5441726A (en) * 1993-04-28 1995-08-15 Sunsmart, Inc. Topical ultra-violet radiation protectants
AU6627394A (en) * 1993-04-28 1994-11-21 Mark Mitchnick Conductive polymers
US5391432A (en) * 1993-04-28 1995-02-21 Mitchnick; Mark Antistatic fibers
JPH07316546A (ja) * 1994-05-23 1995-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水表面構造及びその形成方法
AU713540B2 (en) * 1994-10-25 1999-12-02 Osteonics Corp. Interlocking structural elements and method for bone repair, augmentation and replacement
US6649824B1 (en) 1999-09-22 2003-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of production thereof
DE19951207A1 (de) * 1999-10-15 2001-04-19 Twlux Halbleitertechnologien B Halbleiterbauelement
WO2005090651A1 (ja) * 2004-03-23 2005-09-29 Kanazawa R And D Ltd. 高アスペクト比酸化鉄ウイスカー、高アスペクト比酸化チタンウイスカー及びこれらを含む構造並びにその製造方法
US20070298172A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-27 Carty William M Tile and substrate bonding system
US20070269605A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Carty William M Bonding of cement paste to porcelain bodies through the use of ceramic glazes
US7048795B1 (en) 2005-07-27 2006-05-23 Carty William M Bonding of cement paste to porcelain shaped articles through the use of ceramic glazes
USD904725S1 (en) * 2018-10-05 2020-12-08 Mid-American Gunite, Inc. Tetrapod

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420763A (en) * 1966-05-06 1969-01-07 Bell Telephone Labor Inc Cathodic sputtering of films of stoichiometric zinc oxide
US3503029A (en) * 1968-04-19 1970-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Non-linear resistor
US3867145A (en) * 1969-04-05 1975-02-18 Rank Xerox Ltd Methanol and heat treated zinc oxide
JPS4830510B1 (ja) * 1969-06-18 1973-09-20
JPS4834492A (ja) * 1971-09-06 1973-05-18
JPS50146345A (ja) * 1974-05-15 1975-11-25
KR920009567B1 (ko) * 1987-12-29 1992-10-19 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 산화아연위스커 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5091765A (en) 1992-02-25
EP0364597B1 (en) 1993-10-06
WO1989008329A1 (en) 1989-09-08
KR900701048A (ko) 1990-08-17
JPH01225375A (ja) 1989-09-08
DE68909732T2 (de) 1994-02-03
EP0364597A4 (en) 1990-11-22
KR950007487B1 (ko) 1995-07-11
DE68909732D1 (de) 1993-11-11
EP0364597A1 (en) 1990-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2591031B2 (ja) 光導電素子
Brown et al. Solid-state structure and electronic properties of a mixed-valence two-dimensional metal, potassium copper sulfide (KCu4S3)
US4294520A (en) Electrochromic display device
Tvarusko The electric resistivity of AgO
US4160227A (en) Thermistor composition and thick film thermistor
Patil et al. Studies on ‘fritted’thick films of photoconducting CdS
US3110685A (en) Semiconductive materials containing thallium
JP2553613B2 (ja) 感圧素子
JP2528763B2 (ja) 透明電気伝導性酸化物
GB1022725A (en) Improvements in or relating to electroluminescent devices
US2995474A (en) Photoconductive cadmium sulfide and method of preparation thereof
CN114651312A (zh) 导电膜、分散体、它们的制造方法以及包含导电膜的器件
JPH0563412B2 (ja)
JPH07118015A (ja) 透明酸化物及びそれを用いた透明導電性酸化物
GB1311404A (en) Photoelectric conductor devices
JP3050296B2 (ja) チントル組成物
JPH0422323B2 (ja)
JPS5855642B2 (ja) カンシツソシ
JPH0434101B2 (ja)
JPH0732239B2 (ja) 半導体記憶素子
JP2529746B2 (ja) 超電導膜の製造方法
Abraham et al. A TIN-119 Mössbauer and electrical conductivity study of the system SnxGe1-xSe (0⩽ x⩽ 1)
Steadman Crystal structures of two tin–tungsten oxides
Davission et al. Status Report on Thermoelectricity
JPS6351064A (ja) 固体電解質二次電池およびその製造法