KR950007487B1 - 광전도 소자 - Google Patents

광전도 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR950007487B1
KR950007487B1 KR1019890702035A KR890702035A KR950007487B1 KR 950007487 B1 KR950007487 B1 KR 950007487B1 KR 1019890702035 A KR1019890702035 A KR 1019890702035A KR 890702035 A KR890702035 A KR 890702035A KR 950007487 B1 KR950007487 B1 KR 950007487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoconductive
electrode
whisker
zinc oxide
base
Prior art date
Application number
KR1019890702035A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900701048A (ko
Inventor
미노루 요시나까
에이조오 아사구라
미쓰마사 오꾸
모도이 기다노
히데유끼 요시다
Original Assignee
마쓰시다 덴끼 산교오 가부시기가이샤
다니이 아끼오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쓰시다 덴끼 산교오 가부시기가이샤, 다니이 아끼오 filed Critical 마쓰시다 덴끼 산교오 가부시기가이샤
Publication of KR900701048A publication Critical patent/KR900701048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950007487B1 publication Critical patent/KR950007487B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005—Growth of whiskers or needles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
광전도 소자
[도면의 간단한 설명]
제1도와 제2도는 본 발명의 광전도 소자에 사용되는 산화 아연 위스커의 결정 구조를 도시한 전자현미경 사진.
제3도는 본 발명의 한가지 실시예에 의한 광전도 소자의 한 구조를 도시한 평면도.
제4도는 제3도 광전도 소자의 단면도.
제5도는 몇가지 광전도 소자의 저항 변화율을 나타낸 그래프.
[발명의 상세한 설명]
[산업상 이용분야]
본 발명은 광전도 소자에 관한 것이다. 본 발명은 테트라포트(tetrapod)형상의 산화 아연 위스커(whisker)로 되어 있는 고감도의 새로운 광전도 소자에 관한 것이다. 본 발명의 광전도 소자는 여러가지용도, 예를 들어, 자외선 검출소자, 소형 모우터의 속도 제어, 음질조정, 혈액 맥파(맥파(脈波)측정등에 사용된다.
[종래의 기술]
종래의 관전도 소자는 CdS를 당결정 형태로 사용하거나 증착 박막(蒸着薄膜)형태로 사용할 수 있으나, 거의가 소결체 형태로 하여 광범위하게 사용했다. CdS외에도 ZdS, CdSe, GaAs, Si, Ge, pdS, InSb, Se, CdTe, PdSe, PdTe, Sb2S3PbO 및 ZnO 등을 사용하고 있다. 광전도성을 향상시키기 위하여 Ag, Cl, Ca, 또는 Sb,등을 물질에 참가고 있다.
광을 장시간 조사(照射)하면, 종래의 광전도 소자는 열화(劣化)되어 이의 그 저항이 변하며, 따라서 종래의 광천도 소자는 신뢰성이 나쁘다는 문제점 있다.
더욱이, 높은 광감응성을 가진 광전도 소자가 널리 요망되었다.
[발명의 개시(開示)]
본 발명에서는 코어부(core)와, 이 코어부로 부터 각기 상이한 4축방향으로 연장된 4개의 침상(針狀)결정부터 각각 구성되어 있는 테트라포트 형상의 산화 아연 위스커를 접합시켜 광전도 소자의 수광부(手光部 : photodetector section)를 구성한다. 산화 아연 위스커의 예는 제1도와 제2도에 각각 나와 있다.
침상 결정부의 기부(基部)의 직경이 0.7∼14㎛이고, 침상 결정부의 기부로부터 첨단부까지의 길이가 3∼200㎛ 이때 우수한 효과를 얻는다.
본 발명의 관전도 소자는 X-선 회절에 의하여 확인되는 침상의 산화 아연단결정의 집합체로 되어 있기 때문에, 이는 극히 고감도이고 거의 열화(劣化)되지 않는다.
또한, 테트라포드 형상의 산화 아연 위스커를 집합하고 있기 때문에, 그 집합체는 공기율(porosity)이 크다. 더욱이, 산화 아연 위스커는 투명한 단결정체이므로 광을 소자의 깊은 부분까지 들어가고 흩어지지 않으므로 쉽사리 입사하고 산란되는 일은 거의 없다. 따라서, 고감도의 광전도 소자를 얻을 수 있을 것이다.
[발명의 바람직한 실시태양]
본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
입도 분포가 5∼50㎛인 금속 아연 분말(100g을 물의 존재하에 모르타르 (mortar)형 분쇄기로 분쇄하고 물속에서 3일간 방치하였다. 이들 처리를 20℃에서 실시하였다. 건조후, 분말을 알루미나로 만든 도가니에 넣고 100℃로 유지되는 로에서 1시간 동안 가열하여 테트라포트 형상의 산화 아연 위스커를 얻었다. 수득한 침상 결정체는 기부의 편균 직경이 8㎛이었고 기부로 부터 첨단부까지의 평균 길이가 50㎛이었다. 위스커는 대부분이 각기 상이한 4축 방향으로 침상 결정이 뻗어나간 테트라포트 형상을 나타내었으나, 1축 방향, 2축 방향 및 3축 방향으로 뻗어나간 위스커가 약간 혼입되어 있었는데, 이것은 위스커 일부가 파괴된데 기인하는 것이라고 생각된다.
소량의 위스커를 유리판(1)과 석영 유리판(3)사이에 샌드위치하고 500g/㎠의 압력으로 프레스하여 두께가 약 20㎛되게 하였다.(제3도와 제4도 참조). 이들 도면에서 (2)와 (2')는 알루미늄으로 부터 유리판(1)에 형성된 한쌍의 병렬형 전극(tandem typr tlectrode)을 나타내고, (4)는 테트라포드 형상 산화 아연 위스커를 나타내다. 이어서, 150g /㎠의 압력을 가하여 수광부를 형성하였다. 제조된 광전도 소자에300룩스 (lux)의 광을 조사하는데, 이때 인가 전압을 제어하여 사용된 에너지를 항상 300mW가 되도록 유지하였다. 이와 같은 조건하에서광전도 소자를 1000시간 동안 계속유지하였다. 이 시간 동안 1룩스(lux)에 서의 소자의 광휘 저항의 변화를 임의 간격로 모니터링하였다. 그 결과를 제5도에 나타내었다.
비교하기 위하여 CdS 소결체와 ZnO 소결체로 되어 있는 광전도 소자의 광휘 저항의 변화를 모니터링하여 그 결과를 나타내었다.
본 발명의 광전도 소자는 고감도이어서 그 저항치는 0.1∼1000룩스의 조도(照度)변화에서 세자리 이상으로 크게 변화하였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 테트라포드 형상의 산화 아연 위스커에 Cu를 0.1원자 %첨가하여 혼합하고 900℃에서 소결한 다음, 소결체에 In을 진공 증착시켜서 전극을 구성한다. 제조된 소자를 부하 수명시험(load lifetime test)을 한 결과, 소자는 실시예 1과 같은 양호한 특성을 나타내었고, 저항 변화율은 1000시간 후 12%이었다. 이 소자는 고감도이어서 그 저항은 0.01∼1000룩스의 조도 변화에서 이상으로 크게 변화하였다.
[실시예 3]
기부의 평균 직경이 0.7㎛ 이하이고, 기부로 부터 첨단부까지의 평균 길이가 3㎛이하인 미소한 테트라포드 형상의 위스커를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제조하고 그 성질을 평가하였다. 소자의 감도는 칫수에서 급격히 감소하였고, 저항치 변화는 두자리수 까지 감소하였다.
[비교예 2]
약 1㎛의 입자 크기를 가진 일반 시약급의 산화 아연 분말(일본국의 關東化學社 제품)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제조한 결과, 이 소자는 광감응성을 전혀 나타내지 않았으므로 본 발명의 소자와는 비교를 할 수 없었다.
상기 실시예들에 있어서, 테트라포드 형상의 위스커는 비교적 균일한 크기를 가지며, 균일한 크기 분포를 가진 테트라이포트 형상의 위스커는 동일한 특성을 가진 광전도성 소자를 제조할 수 있다록 한다.
전극 재료로서는 주석, 아연, 금, 은, 구리, 철 니켈, 크롬, 코발트, 리튬, 베릴륨, 나트륨, 마그네슘, 티타늄, 바나듐, 망간, 칼륨, 안티몬, 인듐, 카트뮴, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 테크네늄, 몰리브덴, 니오븀, 지르코늄, 스트론튬, 루비듐, 칼륨, 아스타틴, 몰로늄, 비스무트, 납, 탈륨, 수은, 배금, 이리듐, 오스뮴, 레늄, 텅그스텐, 탄탈륨, 하프늄, 바륨, 세슘, 프린슘, 라듐, 란탄과 라탄계 원소, 악티늄과 악티늄계 원소 및 이들의 합금과 혼합물이 있다.
테트라포드, 형상의 산화 아연의 성질을 개선시키기 위하여, 은, 구리, 염소, 갈륨, 안티몸과, 때에 따라서는 상시 전극 재료를 포함하여 이들중 한가지 또는 여러가지를 소량 첨가할 수 있다. 첨부량은 한 종류의 첨가물일 때는 0∼10원자 %의 범위에서 첨가하고, 특히 0.005∼0.5원자%가 유효하며, 과량 첨가는 암전류(暗電流)를 증가시키고 소자의 수명을 단축시키게 된다.
또한, 다른 광전도 물질을 테트라포드 형상의 산화 아연 위스커와 함께 사용하여 소자의 특성을 개량할 수 있다.
테트라포드 형상의 산화 아연 위스커의 저항은 알루미늄 또는 리튬을 첨가하거나 또는 도우핑하여 변화시킬 수 있다.
전극은 산화 주석, 산화 이듐, 금 등의 투명한 전도막으로 된 샌트위치형, 평면형, 병렬형 및 적층형 적층령 등과 같은 형태로 할 수 있다.
수광면(photodetecting surface)으로서는 매우 작은 면적에서 큰 면적까지 사용할 수 있고, 본 발명의 광전도 소자는 어떠한 형상으로 할 수 있고, 임의의 삼차원적인 불규칙성을 가진 광전도 소자를 제공할 수 있다.
더욱이, 테트라포드형 침상 결정체의 기부에서 부터 첨단부까지의 길이가 3∼200㎛일때 위스커는 고감도와 안정한 광전도성을 나타낸다.
그러나, 이 길이는 상기 범위로 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 이 길이가. 특성, 위스커의 안정성, 취급용이와 가격면에서, 보아 50∼150㎛일때이다.
침상 결정체의 기부 직경이 0.7∼14㎛일 때, 위스커는 고감도와 안정한 관전도성을 나타낸다. 그러나, 이 직경은 상기 범위로 한정되는 것은 아니다. 바람직하기로는 이 직경이, 특성, 위스커의 안정성, 취급용이와 가격면에서 보아 2∼10㎛일 때이다.
구광부의 두께는, 감도, 바이어스 전압과 소자의 사용 목적에 따라 설계 된다. 더욱이 수광부의 두께는 성형 프레스 압력에 따르고, 성형 프레스 압력을 테트라포드 형상의 위스커가 완전히 파괴되지 않는 범위에서 조정된다.
본 발명의 광전도 소자는 테트라포드 형상의 산화 아연 위스커 단결정을 집합시켜서 된 것이기 때문에, 이는 고감도이고 신뢰성이 높다.

Claims (3)

  1. 코어부와, 이 코어부로 부터 각기 상이한 4축 방향으로 연장된 4개의 침상 결정부로 각각 구성되어 있고, 침상 결정부의 기부로 부터 첨부까지의 길이가3∼200㎛인 테트라포드 형상의 아연 위스커의 집합체로 구성되는 수광되는 포함하는 광전도 소자.
  2. 제1항에 있어서, 위스커의 침상 결정부의 기부의 직경이 0.7∼14㎛인 광전도 소자.
  3. 제1항에 있어서, 수광부는 샌드위형 전극, 평면 전극, 병렬형 전극 및 적층형 전극으로 된 군으로 부터 선택되는 전극을 가짐을 특징으로 하는 광전도 소자.
KR1019890702035A 1988-03-04 1989-03-02 광전도 소자 KR950007487B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP88-51891 1988-03-04
JP63051891A JP2591031B2 (ja) 1988-03-04 1988-03-04 光導電素子
JP88-52891 1988-03-04
PCT/JP1989/000216 WO1989008329A1 (en) 1988-03-04 1989-03-02 Photoconductive cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900701048A KR900701048A (ko) 1990-08-17
KR950007487B1 true KR950007487B1 (ko) 1995-07-11

Family

ID=12899507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890702035A KR950007487B1 (ko) 1988-03-04 1989-03-02 광전도 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5091765A (ko)
EP (1) EP0364597B1 (ko)
JP (1) JP2591031B2 (ko)
KR (1) KR950007487B1 (ko)
DE (1) DE68909732T2 (ko)
WO (1) WO1989008329A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0578046B1 (en) * 1992-07-10 1996-11-06 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production
US5674802A (en) * 1992-10-13 1997-10-07 Ushers, Inc. Shares for catalyst carrier elements, and catalyst apparatuses employing same
EP0723528B1 (en) * 1992-10-13 2005-03-09 Ushers, Inc. Improved aggregates, and apparatus and method for making same
US5391432A (en) * 1993-04-28 1995-02-21 Mitchnick; Mark Antistatic fibers
WO1994025966A1 (en) * 1993-04-28 1994-11-10 Mark Mitchnick Conductive polymers
US5441726A (en) * 1993-04-28 1995-08-15 Sunsmart, Inc. Topical ultra-violet radiation protectants
JPH07316546A (ja) * 1994-05-23 1995-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撥水表面構造及びその形成方法
AU713540B2 (en) * 1994-10-25 1999-12-02 Osteonics Corp. Interlocking structural elements and method for bone repair, augmentation and replacement
US6649824B1 (en) * 1999-09-22 2003-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of production thereof
DE19951207A1 (de) * 1999-10-15 2001-04-19 Twlux Halbleitertechnologien B Halbleiterbauelement
US20070292339A1 (en) * 2004-03-23 2007-12-20 Kanazawa R And D Ltd. Iron Oxide Whisker of High Aspect Ratio, Titanium Oxide Whisker of High Aspect Ratio, Structure Containing These and Process for Producing Them
US20070298172A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-27 Carty William M Tile and substrate bonding system
US20070269605A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Carty William M Bonding of cement paste to porcelain bodies through the use of ceramic glazes
US7048795B1 (en) 2005-07-27 2006-05-23 Carty William M Bonding of cement paste to porcelain shaped articles through the use of ceramic glazes
USD904725S1 (en) * 2018-10-05 2020-12-08 Mid-American Gunite, Inc. Tetrapod

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420763A (en) * 1966-05-06 1969-01-07 Bell Telephone Labor Inc Cathodic sputtering of films of stoichiometric zinc oxide
US3503029A (en) * 1968-04-19 1970-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Non-linear resistor
US3867145A (en) * 1969-04-05 1975-02-18 Rank Xerox Ltd Methanol and heat treated zinc oxide
JPS4830510B1 (ko) * 1969-06-18 1973-09-20
JPS4834492A (ko) * 1971-09-06 1973-05-18
JPS50146345A (ko) * 1974-05-15 1975-11-25
KR920009567B1 (ko) * 1987-12-29 1992-10-19 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 산화아연위스커 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2591031B2 (ja) 1997-03-19
EP0364597B1 (en) 1993-10-06
JPH01225375A (ja) 1989-09-08
DE68909732D1 (de) 1993-11-11
KR900701048A (ko) 1990-08-17
WO1989008329A1 (en) 1989-09-08
EP0364597A4 (en) 1990-11-22
US5091765A (en) 1992-02-25
DE68909732T2 (de) 1994-02-03
EP0364597A1 (en) 1990-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950007487B1 (ko) 광전도 소자
KR0143915B1 (ko) P-형 텔루륨-함유 ii-vi 반도체 박막용 안정한 저항성 접점을 제조하는 방법 및 그 저항성 접점을 갖는 광기전 장치
US2765385A (en) Sintered photoconducting layers
US7276706B2 (en) Radiation detector
CA1043007A (en) Gain photocurrent device
US2406139A (en) Photocell for measuring long wave radiations
Bose On a self-recovering coherer and the study of the cohering action of different metals
US3707695A (en) Infrared intensity detector using a pyroelectric polymer
US4119768A (en) Photovoltaic battery
US3944332A (en) Optical sensitization and development of liquid crystalline devices
US3721938A (en) Cadmium telluride devices with non-diffusing contacts
US4119840A (en) Fast acting gain photocurrent device
CA2447403C (en) Semiconductor radiation detecting element
US4084043A (en) Photogalvanic cell having a charge storage layer with varying performance characteristics
US6087651A (en) Highly sensitive light reception element
JPS61196572A (ja) アモルフアスシリコンｘ線センサ
US3904409A (en) Photoconductive body for electrophotography and the method of manufacturing the same
US3598760A (en) Cdse or cds-se photoconductors doped with a ib element and either bromine or iodine
US3265532A (en) Process of preparing gallium sulfide flakes and photoconductive device using same
DE3104075A1 (de) "photoempfindlicher halbleiterwiderstand"
JPS6243586A (ja) 放射線検出器
DE2053902C (de) Verfahren zur Herstellung eines im ultravioletten Strahlenbereich empfindlichen photoleitfähigen Materials
US3213317A (en) Radiation sensitive electroluminescent devices
US3913055A (en) Photoconductive varistor
Butler et al. Solid state radiation detector and process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19971230

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee