JP2589525B2 - 半導体素子の裏メタル形成装置 - Google Patents
半導体素子の裏メタル形成装置Info
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- JP2589525B2 JP2589525B2 JP624588A JP624588A JP2589525B2 JP 2589525 B2 JP2589525 B2 JP 2589525B2 JP 624588 A JP624588 A JP 624588A JP 624588 A JP624588 A JP 624588A JP 2589525 B2 JP2589525 B2 JP 2589525B2
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- Japan
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- metal
- semiconductor element
- back surface
- molten metal
- storage container
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子の裏メタル形成装置に関する。
（従来の技術・発明が解決しようとする問題点） 従来の半導体素子の裏メタルの形成法の１つには真空
蒸着法等があったが、真空蒸着法により裏メタル形成で
は裏メタルの膜厚が大きな場合の形成には相当に長い時
間を必要とし生産性がきわめて悪いという問題があっ
た。
蒸着法等があったが、真空蒸着法により裏メタル形成で
は裏メタルの膜厚が大きな場合の形成には相当に長い時
間を必要とし生産性がきわめて悪いという問題があっ
た。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであっ
て、半導体素子の裏面に所定の膜厚でもって裏メタルを
短時間で精度良く形成できるようにすることを目的とし
ている。
て、半導体素子の裏面に所定の膜厚でもって裏メタルを
短時間で精度良く形成できるようにすることを目的とし
ている。
（問題点を解決するための手段） このような目的を達成するために本発明は、半導体素
子をその裏面を上部に向けて搭載する回転可能な搭載台
を内部に有する収納容器と、前記半導体素子の裏面に形
成される裏メタルの材料である溶融メタルを前記収納容
器内の搭載台上に搭載された半導体素子の裏面に向けて
定量制御して吐出する溶融メタル吐出機構と、前記収納
容器、および前記搭載台に搭載された半導体素子の裏面
に形成された裏メタルを加熱する加熱機構と、前記搭載
台を所定速度で回転させる回転機構とを具備したことを
特徴としている。
子をその裏面を上部に向けて搭載する回転可能な搭載台
を内部に有する収納容器と、前記半導体素子の裏面に形
成される裏メタルの材料である溶融メタルを前記収納容
器内の搭載台上に搭載された半導体素子の裏面に向けて
定量制御して吐出する溶融メタル吐出機構と、前記収納
容器、および前記搭載台に搭載された半導体素子の裏面
に形成された裏メタルを加熱する加熱機構と、前記搭載
台を所定速度で回転させる回転機構とを具備したことを
特徴としている。
（作用） 収納容器に収納された半導体素子の裏面上には、溶融
メタル吐出機構と、加熱機構と、回転機構とにより裏メ
タルの材料である溶融メタルが吐出・加熱されて付着さ
れるが、この場合の溶融メタルの吐出量と加熱温度と搭
載台の回転速度とを制御することで半導体素子の裏面に
は裏メタルを短時間で所定の膜厚で効率良く形成するこ
とができる。
メタル吐出機構と、加熱機構と、回転機構とにより裏メ
タルの材料である溶融メタルが吐出・加熱されて付着さ
れるが、この場合の溶融メタルの吐出量と加熱温度と搭
載台の回転速度とを制御することで半導体素子の裏面に
は裏メタルを短時間で所定の膜厚で効率良く形成するこ
とができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は本発明の実施例に係る半導体素子の裏メタ
ル形成装置の概略構成図である。第１図において、２は
半導体素子４が裏メタルが形成されるその裏面を上部に
向けて搭載される回転可能な搭載台６を内部に有する収
納容器である。この搭載台６において、半導体素子４は
真空チャックでその搭載台６にチャックされて搭載され
る。
る。第１図は本発明の実施例に係る半導体素子の裏メタ
ル形成装置の概略構成図である。第１図において、２は
半導体素子４が裏メタルが形成されるその裏面を上部に
向けて搭載される回転可能な搭載台６を内部に有する収
納容器である。この搭載台６において、半導体素子４は
真空チャックでその搭載台６にチャックされて搭載され
る。
８は半導体素子４の裏面に形成される裏メタルの材料
である溶融メタルを収納容器２内の搭載台６上に搭載さ
れた半導体素子４に定量制御して吐出する溶融メタル吐
出機構である。
である溶融メタルを収納容器２内の搭載台６上に搭載さ
れた半導体素子４に定量制御して吐出する溶融メタル吐
出機構である。
溶融メタル吐出機構８は、溶融メタル10が収納された
収納容器12と、その収納容器12の内壁に設けられたヒー
タ14と、その一端を収納容器12内の溶融メタル10中に浸
けられるとともに、他端をポンプ16の吸入口に接続され
た吸入管18と、一端をポンプ16の吐出口に接続され、他
端を収納容器２内に臨まされた吐出管20と、一端を収納
容器２の底部に連通接続され、他端を収納容器12内の溶
融メタル10中に浸けられた排出管22とから構成されてい
る。
収納容器12と、その収納容器12の内壁に設けられたヒー
タ14と、その一端を収納容器12内の溶融メタル10中に浸
けられるとともに、他端をポンプ16の吸入口に接続され
た吸入管18と、一端をポンプ16の吐出口に接続され、他
端を収納容器２内に臨まされた吐出管20と、一端を収納
容器２の底部に連通接続され、他端を収納容器12内の溶
融メタル10中に浸けられた排出管22とから構成されてい
る。
24は収納容器２の外周部に設けられてその収納容器２
を加熱する加熱機構として作用する赤外線ヒータであ
る。26は収納容器２内の搭載台６に搭載された半導体素
子４の裏面に付着した溶融メタルを加熱するために、回
転支持台28に、その先端に凹面鏡29付きの赤外線ランプ
30を取り付けたランプ保持棒32の基部を取り付けて構成
された加熱機構である。
を加熱する加熱機構として作用する赤外線ヒータであ
る。26は収納容器２内の搭載台６に搭載された半導体素
子４の裏面に付着した溶融メタルを加熱するために、回
転支持台28に、その先端に凹面鏡29付きの赤外線ランプ
30を取り付けたランプ保持棒32の基部を取り付けて構成
された加熱機構である。
34はその上端に搭載台６を取り付けられた回転軸36の
基部に接続されたモータであり、このモータ34は搭載台
６を所定速度で回転させる回転機構として作用する。
基部に接続されたモータであり、このモータ34は搭載台
６を所定速度で回転させる回転機構として作用する。
次に、動作を説明する。すなわち、収納容器２内の搭
載台６の上に半導体素子がその裏面を上に向けて搭載さ
れる。そして、モータ34によりその搭載台６が所定の回
転速度で回転制御される。次に、ポンプ16が作動して収
納容器12内の溶融メタル10が吸入管18で吸入されるとと
もに、吐出管20から収納容器12内の半導体素子４の裏面
上に吐出される。そうすると、半導体素子４の裏面上に
は溶融メタルが所定の膜厚で付着するとともに、その付
着した溶融メタルの内、余分の溶融メタルは、赤外線ラ
ンプ30で加熱されながら収納容器２の内周壁に振り切ら
れる。振り切られた溶融メタルは収納容器２が赤外線ヒ
ータ24で加熱されているから、固化することなく排出管
22を通って収納容器12内に回収される。
載台６の上に半導体素子がその裏面を上に向けて搭載さ
れる。そして、モータ34によりその搭載台６が所定の回
転速度で回転制御される。次に、ポンプ16が作動して収
納容器12内の溶融メタル10が吸入管18で吸入されるとと
もに、吐出管20から収納容器12内の半導体素子４の裏面
上に吐出される。そうすると、半導体素子４の裏面上に
は溶融メタルが所定の膜厚で付着するとともに、その付
着した溶融メタルの内、余分の溶融メタルは、赤外線ラ
ンプ30で加熱されながら収納容器２の内周壁に振り切ら
れる。振り切られた溶融メタルは収納容器２が赤外線ヒ
ータ24で加熱されているから、固化することなく排出管
22を通って収納容器12内に回収される。
そして、半導体素子４の裏面に付着した溶融メタルは
裏メタルとして残される。
裏メタルとして残される。
（効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれ
ば、収納容器に収納された半導体素子の裏面上には、溶
融メタル吐出機構と、加熱機構と、回転機構とにより裏
メタルの材料である溶融メタルが付着されるのである
が、その溶融メタルは、溶融メタル吐出機構からの吐出
量と加熱機構の加熱温度と搭載台の回転速度とを制御す
ることで所定量付着させることができるから、その裏面
に裏メタルを短時間で効率良く所定の膜厚に形成するこ
とができる。
ば、収納容器に収納された半導体素子の裏面上には、溶
融メタル吐出機構と、加熱機構と、回転機構とにより裏
メタルの材料である溶融メタルが付着されるのである
が、その溶融メタルは、溶融メタル吐出機構からの吐出
量と加熱機構の加熱温度と搭載台の回転速度とを制御す
ることで所定量付着させることができるから、その裏面
に裏メタルを短時間で効率良く所定の膜厚に形成するこ
とができる。
第１図は本発明の実施例に係る半導体素子の裏メタル形
成装置の概略構成図である。 ２……収納容器、４……半導体素子、６……搭載台、８
…溶融メタル吐出機構、10……溶融メタル、12……収納
容器、14……ヒータ、16……ポンプ、18……吸入管、20
……吐出管、22……排出管、24……赤外線ヒータ、26…
…加熱機構、30……赤外線ランプ。
成装置の概略構成図である。 ２……収納容器、４……半導体素子、６……搭載台、８
…溶融メタル吐出機構、10……溶融メタル、12……収納
容器、14……ヒータ、16……ポンプ、18……吸入管、20
……吐出管、22……排出管、24……赤外線ヒータ、26…
…加熱機構、30……赤外線ランプ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子をその裏面を上部に向けて搭載
する回転可能な搭載台を内部に有する収納容器と、 前記半導体素子の裏面に形成される裏メタルの材料であ
る溶融メタルを前記収納容器内の搭載台上に搭載された
半導体素子の裏面に向けて定量制御して吐出する溶融メ
タル吐出機構と、 前記収納容器、および前記搭載台に搭載された半導体素
子の裏面に形成された裏メタルを加熱する加熱機構と、 前記搭載台を所定速度で回転させる回転機構と、 を具備したことを特徴とする半導体素子の裏メタル形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624588A JP2589525B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体素子の裏メタル形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624588A JP2589525B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体素子の裏メタル形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01186635A JPH01186635A (ja) | 1989-07-26 |
| JP2589525B2 true JP2589525B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=11633114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP624588A Expired - Lifetime JP2589525B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 半導体素子の裏メタル形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589525B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP624588A patent/JP2589525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01186635A (ja) | 1989-07-26 |
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