JP2589470B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
（従来の技術） 周知のように半導体装置の製造工程の一つにフォトエ
ッチングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜
をパターニングするようなとき、その表面にフォトレジ
ストを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してか
らこれを現像液の中に入れて現像する。(Prior Art) As is well known, one of the manufacturing processes of a semiconductor device is photoetching. For example, when an insulating film such as an oxide film is to be patterned, a photoresist is applied to the surface of the film in the form of a film, a mask is applied to the surface, and the exposed film is exposed to a developer and developed.
通常はこのあとフォトレジストを除去することによっ
て、フォトエッチング工程を終了するのであるが、半導
体装置の種類によっては先のフォトレジストを除去した
あと、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面
に、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエッチン
グを施す必要のある場合がある。Usually, the photo-etching process is terminated by removing the photoresist after this. However, depending on the type of the semiconductor device, the photoresist is removed or the remaining photoresist film is formed on the surface of the remaining photoresist film. In some cases, it is necessary to further form a photoresist film and perform photoetching.
従来ではこのような場合、先のフォトレジストの膜の
表面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するに
とどまっていた。しかしこのように先のフォトレジスト
の膜（第１層のフォトレジスト膜）の表面に次の層のた
めのフォトレジストの膜（第２層のフォトレジスト膜）
を塗布したとすると、第２層のフォトレジスト膜に含ま
れている有機溶剤によって、前記第１層のフォトレジス
ト膜の表面が溶解されてしまうことがある。Conventionally, in such a case, the photoresist for the next layer is simply applied to the surface of the previous photoresist film. However, as described above, a photoresist film for the next layer (second photoresist film) is formed on the surface of the previous photoresist film (first photoresist film).
Is applied, the surface of the first-layer photoresist film may be dissolved by an organic solvent contained in the second-layer photoresist film.
このような溶解現象が発生すると、第１層のフォトレ
ジスト膜の基板に対する密着性が損われ、現像の際に剥
離してしまうことがある。このような剥離が発生する
と、次工程の拡散その他の処理に支障が生じ、所要の品
質を保証することができなくなってしまう。When such a dissolution phenomenon occurs, the adhesiveness of the first layer of the photoresist film to the substrate is impaired, and the photoresist film may be peeled off during development. When such peeling occurs, the diffusion and other processes in the next step are hindered, and the required quality cannot be guaranteed.
（発明が解決しようとする問題点） この発明は半導体装置の製造過程において、第１層の
フォトレジスト膜の表面に、第２層のフォトレジスト膜
を形成する場合、その第２層のフォトレジスト膜によっ
て第１層のフォトレジスト膜が溶解してしまうようなこ
とを確実に防止することを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in which a second-layer photoresist film is formed on a surface of a first-layer photoresist film. An object of the present invention is to surely prevent the first-layer photoresist film from being dissolved by the film.
（問題点を解決するための手段） この発明は第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層
のフォトレジスト膜を形成するにあたり、第１層のフォ
トレジスト膜のためのフォトレジストとして、光分解形
のポジ形フォトレジストを使用し、この第１層のフォト
レジスト膜を形成したあと、第２層のフォトレジスト膜
を形成するのに先だって、第１層のフォトレジスト膜の
表面に、遠紫外線を照射してその表面で光架橋反応を起
させて高分子化した層を形成し、そのあと第２層のフォ
トレジスト膜を形成するようにしたことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) In the present invention, when forming a second-layer photoresist film on a surface of a first-layer photoresist film, light is used as a photoresist for the first-layer photoresist film. After forming the first layer photoresist film using a decomposed type positive photoresist, the surface of the first layer photoresist film is distant before forming the second layer photoresist film. It is characterized in that a photocrosslinking reaction is caused on the surface by irradiating ultraviolet rays to form a polymerized layer, and then a second layer of a photoresist film is formed.
（作用） 光分解形のポジ形フォレジストに遠紫外線を照射する
と、その照射領域において光架橋反応を生じ、これによ
ってその領域の表面で高分子化された層が形成されるよ
うになる。この高分子化層の存在のため、第２層のフォ
トレジスト膜を形成したとき、このフォトレジストに含
まれている有機溶剤が第１層のフォトレジスト膜に溶出
していくようなことは、これをもって確実に防止される
ようになる。そして第２層のフォトレジスト膜は第１層
のフォトレジスト膜の表面に良好に密着するようにな
る。(Function) When far-ultraviolet light is irradiated on the photo-decomposable positive photoresist, a photocrosslinking reaction occurs in the irradiated area, whereby a polymerized layer is formed on the surface of the area. Due to the presence of this polymerized layer, when the photoresist film of the second layer is formed, the organic solvent contained in the photoresist elutes into the photoresist film of the first layer. This will surely prevent it. Then, the photoresist film of the second layer comes into good contact with the surface of the photoresist film of the first layer.
（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。図において
１は半導体基板で、ここではこの表面に形成されてある
酸化膜などをフォトエッチングする場合について説明す
る。最初に酸化膜の表面を通常のように所要のパターン
にしたがって露光、現像する。(Example) An example of the present invention will be described with reference to the drawings. In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate. Here, a case where an oxide film or the like formed on the surface is photo-etched will be described. First, the surface of the oxide film is exposed and developed according to a required pattern as usual.
具体的にはまず酸化膜の表面に第１層のフォトレジス
ト膜２を形成する。このときのフォトレジストとしては
光分解型のポジ型フォレジストを使用する。この種フォ
トレジストとしては、たとえばフェノールノボラック型
ポジレジストが好適である。これをたとえば1.2μｍ程
度の厚さに塗布して前記したフォトレジスト膜２を形成
する（第１図参照。）。Specifically, first, a first-layer photoresist film 2 is formed on the surface of the oxide film. At this time, a photo-decomposable positive type photoresist is used as the photoresist. As this type of photoresist, for example, a phenol novolak type positive resist is suitable. This is applied to a thickness of, for example, about 1.2 μm to form the above-described photoresist film 2 (see FIG. 1).
ついで膜２の表面に所要のパターンのマスク３を第２
図に示すようにあてがい、紫外線を照射して露光する。
この紫外線の照射によって、フェノールノボラック型ポ
ジレジストの主成分であるキノアジドとフェノールノボ
ラック樹脂のうち、キノアジドが反応して、N2を放出し
アルカリ溶液に対して可溶性となる。このときフェノー
ルノボラック樹脂は全く反応せず、単にレジストが一定
の膜厚を保つような粘性を出すためのみ作用する。Next, a mask 3 having a required pattern is formed on the surface of the film 2 in the second step.
As shown in the figure, exposure is performed by irradiating ultraviolet rays.
By the irradiation of the ultraviolet rays, quinoazide, which is the main component of the phenol novolak type positive resist, and phenol novolak resin react to release N 2 and become soluble in an alkaline solution. At this time, the phenol novolak resin does not react at all, but merely acts to give the resist a viscosity that maintains a constant film thickness.
このあとマスク３を取り除き、アルカリ溶液に浸漬し
て照射部分のレジストを除去すれば、膜２は所要のパタ
ーンどおりにエッチングされるようになる（第３図参
照。）。After that, if the mask 3 is removed and the resist in the irradiated portion is removed by immersion in an alkaline solution, the film 2 is etched according to a required pattern (see FIG. 3).
次に膜２の表面に、さきの紫外線とは波長が相違する
遠紫外線、たとえば254nm付近の複合波長の遠紫外線Ｌ
を照射する。この照射によって、膜２の表面でフェノー
ルノボラック樹脂が光架橋反応を起こす。この反応によ
って照射領域に高分子化した層４が形成されるようにな
る（第４図参照。）。ここで膜２をポストベークしたあ
と、第２層のフォトレジスト膜５を形成する。これは通
常使用されるフォトレジストを膜２の表面に厚さ1.2μ
ｍ程度に塗布することによって形成する（第５図参
照。）。このあと適当にプレベークする。Next, on the surface of the film 2, far ultraviolet light having a wavelength different from that of the above ultraviolet light, for example, far ultraviolet light
Is irradiated. By this irradiation, the phenol novolak resin causes a photocrosslinking reaction on the surface of the film 2. By this reaction, a polymerized layer 4 is formed in the irradiation area (see FIG. 4). Here, after the film 2 is post-baked, a second-layer photoresist film 5 is formed. This means that a commonly used photoresist is applied to the surface of the film 2 by a thickness of 1.2 μm.
m (see FIG. 5). After that, pre-bake appropriately.
しかしこのフォトレジストを膜２の表面に塗布して
も、高分子化された層４が介在しているため、このフォ
トレジストに含まれている有機溶剤が、膜２の中に溶出
するようなことは阻止される。なお層５は通常どおりに
所要のパターンにしたがって露光、現像されることはい
うまでもない。However, even if this photoresist is applied to the surface of the film 2, the organic solvent contained in the photoresist is eluted into the film 2 because the polymerized layer 4 is interposed. That is prevented. Needless to say, the layer 5 is exposed and developed according to a required pattern as usual.
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、第１層のフォ
トレジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成
するにあたり、この第２層のフォトレジスト膜に含まれ
ている有機溶剤によって第１層のフォトレジスト膜が剥
離してしまうようなことは、これをもって確実に防止す
ることができるといった効果を奏する。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, when forming the second layer photoresist film on the surface of the first layer photoresist film, the second layer photoresist film is included in the second layer photoresist film. Such an effect that the first layer of the photoresist film is peeled off by the organic solvent can be reliably prevented.
第１図乃至第５図はこの発明の実施例工程を示す断面図
である。 １……半導体基板、２……第１層のフォトレジスト膜、
３……マスク、４……高分子化した層、５……第２層の
フォトレジスト膜、1 to 5 are sectional views showing steps of an embodiment of the present invention. 1 ... semiconductor substrate, 2 ... first layer photoresist film,
3 ... mask, 4 ... polymerized layer, 5 ... second layer photoresist film,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−175725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−84427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−120826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−111072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−23401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−111221（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-59-175725 (JP, A) JP-A-59-84427 (JP, A) JP-A-50-120826 (JP, A) JP-A-51- 111072 (JP, A) JP-A-52-23401 (JP, A) JP-A-56-111221 (JP, A)
Claims (1)
のフォトレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１層のフォトレジスト膜のためのフォト
レジストとして、光分解形のポジ形フォトレジストを使
用し、この第１層のフォトレジスト膜を形成したあと、
前記第１層のフォトレジスト膜の表面に、遠紫外線を照
射してその表面で光架橋反応を起させて高分子化した層
を形成し、そのあと前記第２層のフォトレジスト膜を形
成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising forming a second photoresist film on the surface of a first photoresist film, wherein the photoresist for the first photoresist film is a photo-decomposable photoresist. After forming this first layer of photoresist film using a positive photoresist of
Irradiating far ultraviolet rays on the surface of the first layer of the photoresist film to cause a photocrosslinking reaction on the surface to form a polymerized layer, and then forming the second layer of the photoresist film. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241332A JPS62241332A (en) | 1987-10-22 |
| JP2589470B2 true JP2589470B2 (en) | 1997-03-12 |
Family
ID=13841564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084826A Expired - Lifetime JP2589470B2 (en) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589470B2 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS56111221A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation on mask for etching |
| JPS61102035A (en) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61084826A patent/JP2589470B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62241332A (en) | 1987-10-22 |
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