JP2588231B2 - 半導体装置の樹脂封止方法およびその装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法およびその装置Info
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- JP2588231B2 JP2588231B2 JP63017876A JP1787688A JP2588231B2 JP 2588231 B2 JP2588231 B2 JP 2588231B2 JP 63017876 A JP63017876 A JP 63017876A JP 1787688 A JP1787688 A JP 1787688A JP 2588231 B2 JP2588231 B2 JP 2588231B2
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1742—Mounting of moulds; Mould supports
- B29C45/1744—Mould support platens
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
- B30B15/06—Platens or press rams
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体を樹脂封止する半導体装置の樹脂封
止方法及びその装置の改良に関するものである。
止方法及びその装置の改良に関するものである。
従来、半導体素子をリードフレーム上に装着した後、
合成樹脂により封止成形する装置には特開昭62−26827
号公報のように第４図ないし第５図に示すものがあつ
た。（１）はリードフレーム（図示せず）の板厚と同寸
法の凹溝（図示せず）と半導体素子（図示せず）を封止
するキヤビテイ部（図示せず）等を有した複数個のチエ
イスブロツクで、合成樹脂を注入する公知のポツト部
（図示せず）、ランナー部（図示せず）を有するチヤン
バーブロツク（図示せず）と同一高さに形成され、チヤ
ンバーブロツクと共に下金型を構成している。（２）は
前記チヤンバーブロツク，チエイスブロツク（１）を保
持する為の定盤で、チヤンバーブロツク，チエイスブロ
ツク（１）とはボルトで締付固定されている。（３）は
前記チヤンバブロツク（図示せず），チエイスブロツク
（１）を加熱及び保温する為のヒータで、前記定盤
（２）に挿入されている。（４）はベース（７）上で定
盤（２）を支持するスペーサブロツクで、前記封止装置
全体を公知のプレススライドフレーム（９）に固定する
取付金具（８）のガイド溝（4a）を有しており、通常、
封止装置の外周に複数個設けられている。（５）はベー
ス（７）上で定盤（２）の中央を支持するポスト，
（６）はこのポスト（５）の両側で同様に定盤（２）を
支持するポストである。なお、スペーサブロツク（４）
及び各ポスト（５），（６）の高さ関係において、スペ
ーサブロツク（４）より、ポスト（６）を高くし、この
ポスト（６）よりもポスト（５）を予め高くしており、
その寸法差は第４図のようにδ1,δ２で示される。この
寸法差δ1,δ２は、スペーサブロツク（４），各ポスト
（５），（６）を支点とし、定盤を梁とした連続梁と考
え、プレス型締圧作用時の各支点の反力と各支点のバネ
定数（スペーサブロツク（４），各ポスト（５），
（６）のバネ定数）より算出して各ポスト（５），
（６）の高さを決めるものである。その時の計算条件は
プレス型締圧作用時、スペーサブロツク（４），各ポス
ト（５），（６）のタワミ後の高さが同一平面になるよ
うに高さを決める。（７）は前記定盤（２）を前記スペ
ーサブロツク（４），ポスト（５），（６）を介して支
持する為のベースで、前記ヒータ（３）の熱がプレスス
ライドフレーム（９）に伝達することを防止する断熱板
（7a）を内蔵している。（10）は前記封止装置の上金型
で、概略前述の下金型と同構造となつている。（11）は
プレスのプラテン、（12）は前記チエイスブロツク
（１）のパーテイング面である。
合成樹脂により封止成形する装置には特開昭62−26827
号公報のように第４図ないし第５図に示すものがあつ
た。（１）はリードフレーム（図示せず）の板厚と同寸
法の凹溝（図示せず）と半導体素子（図示せず）を封止
するキヤビテイ部（図示せず）等を有した複数個のチエ
イスブロツクで、合成樹脂を注入する公知のポツト部
（図示せず）、ランナー部（図示せず）を有するチヤン
バーブロツク（図示せず）と同一高さに形成され、チヤ
ンバーブロツクと共に下金型を構成している。（２）は
前記チヤンバーブロツク，チエイスブロツク（１）を保
持する為の定盤で、チヤンバーブロツク，チエイスブロ
ツク（１）とはボルトで締付固定されている。（３）は
前記チヤンバブロツク（図示せず），チエイスブロツク
（１）を加熱及び保温する為のヒータで、前記定盤
（２）に挿入されている。（４）はベース（７）上で定
盤（２）を支持するスペーサブロツクで、前記封止装置
全体を公知のプレススライドフレーム（９）に固定する
取付金具（８）のガイド溝（4a）を有しており、通常、
封止装置の外周に複数個設けられている。（５）はベー
ス（７）上で定盤（２）の中央を支持するポスト，
（６）はこのポスト（５）の両側で同様に定盤（２）を
支持するポストである。なお、スペーサブロツク（４）
及び各ポスト（５），（６）の高さ関係において、スペ
ーサブロツク（４）より、ポスト（６）を高くし、この
ポスト（６）よりもポスト（５）を予め高くしており、
その寸法差は第４図のようにδ1,δ２で示される。この
寸法差δ1,δ２は、スペーサブロツク（４），各ポスト
（５），（６）を支点とし、定盤を梁とした連続梁と考
え、プレス型締圧作用時の各支点の反力と各支点のバネ
定数（スペーサブロツク（４），各ポスト（５），
（６）のバネ定数）より算出して各ポスト（５），
（６）の高さを決めるものである。その時の計算条件は
プレス型締圧作用時、スペーサブロツク（４），各ポス
ト（５），（６）のタワミ後の高さが同一平面になるよ
うに高さを決める。（７）は前記定盤（２）を前記スペ
ーサブロツク（４），ポスト（５），（６）を介して支
持する為のベースで、前記ヒータ（３）の熱がプレスス
ライドフレーム（９）に伝達することを防止する断熱板
（7a）を内蔵している。（10）は前記封止装置の上金型
で、概略前述の下金型と同構造となつている。（11）は
プレスのプラテン、（12）は前記チエイスブロツク
（１）のパーテイング面である。
上記のように構成されたものにおいては、封止成形時
プレスの型締圧が作用すると、チエイスブロツク（１）
のパーテイング面（12）には等分布荷重が作用し、その
荷重は定盤（２）で受け、更に、複数個のポスト
（５），（６）で分担して受圧し、更にベース（７）で
受け、最終的にプレススライドフレーム（９）で支持す
ることになる。ところで、ポスト（５）（６）の高さ寸
法は、プレス型締圧作用時、スペーサブロツク（４）、
各ポスト（５）（６）のタワミ後の高さが同一平面にな
るよう設定されており、これにより、第６図のようにチ
エイスブロツク（４）のパーテイング（２）面にスキマ
が生じないで一定平面を維持することができる。なお、
この場合、各ポスト（５）（６）及びスペーサブロツク
（４）の高さ寸法は、予め計算式に基づき加工され、そ
の後、組立後に、加圧時の金型面の面当りを確認しなが
ら、各ポスト（５）（６）及びスペーサブロツク（４）
の高さ寸法を現物合せ的に修正加工されて構成される。
一方、定盤（２）に挿入されたヒータ（３）は、定盤
（２）に保持されるチヤンバブロツク（図示せず）、チ
エイスブロツク（１）を加熱及び保温しており、この熱
は、定盤（２）→ポスト（５）（６）及びスペーサブロ
ツク（４）を介してベース（７）へ伝達され、放熱され
ようとするため、これを、ベース（７）に設けられた断
熱板（7a）で断熱している。つまりプレス型締圧作用時
には、スペーサブロツク（４）と各ポスト（５）（６）
とが同一平面となるため、定盤（２）の熱はこれらを介
してベース（７）へ伝達され、更に、このベース（７）
へ伝達された熱がプレススライドフレーム（９）へと伝
達されようとするが、この熱伝達を断熱板（7a）で防止
している。この時の温度は実験値では、パーテイング面
（12）の温度が180℃の場合、ベース（７）の定盤
（２）側は120℃となるが、断熱板（7a）を設けること
により、ベース（７）の反定盤（２）側は50℃となつて
いる。このように、断熱板（7a）で断熱することにより
パーテイング面（12）の温度が逃げることを抑制してい
る。
プレスの型締圧が作用すると、チエイスブロツク（１）
のパーテイング面（12）には等分布荷重が作用し、その
荷重は定盤（２）で受け、更に、複数個のポスト
（５），（６）で分担して受圧し、更にベース（７）で
受け、最終的にプレススライドフレーム（９）で支持す
ることになる。ところで、ポスト（５）（６）の高さ寸
法は、プレス型締圧作用時、スペーサブロツク（４）、
各ポスト（５）（６）のタワミ後の高さが同一平面にな
るよう設定されており、これにより、第６図のようにチ
エイスブロツク（４）のパーテイング（２）面にスキマ
が生じないで一定平面を維持することができる。なお、
この場合、各ポスト（５）（６）及びスペーサブロツク
（４）の高さ寸法は、予め計算式に基づき加工され、そ
の後、組立後に、加圧時の金型面の面当りを確認しなが
ら、各ポスト（５）（６）及びスペーサブロツク（４）
の高さ寸法を現物合せ的に修正加工されて構成される。
一方、定盤（２）に挿入されたヒータ（３）は、定盤
（２）に保持されるチヤンバブロツク（図示せず）、チ
エイスブロツク（１）を加熱及び保温しており、この熱
は、定盤（２）→ポスト（５）（６）及びスペーサブロ
ツク（４）を介してベース（７）へ伝達され、放熱され
ようとするため、これを、ベース（７）に設けられた断
熱板（7a）で断熱している。つまりプレス型締圧作用時
には、スペーサブロツク（４）と各ポスト（５）（６）
とが同一平面となるため、定盤（２）の熱はこれらを介
してベース（７）へ伝達され、更に、このベース（７）
へ伝達された熱がプレススライドフレーム（９）へと伝
達されようとするが、この熱伝達を断熱板（7a）で防止
している。この時の温度は実験値では、パーテイング面
（12）の温度が180℃の場合、ベース（７）の定盤
（２）側は120℃となるが、断熱板（7a）を設けること
により、ベース（７）の反定盤（２）側は50℃となつて
いる。このように、断熱板（7a）で断熱することにより
パーテイング面（12）の温度が逃げることを抑制してい
る。
従来の半導体装置の樹脂封止方法及びその装置は、プ
レス型締圧作用時にはスペーサブロツクと各ポストとが
略同一平面となるため、各ポストとスペーサブロツクを
介して定盤（２）の熱がベースに伝達され易くなり、ベ
ースには必ず断熱板が必要となり、装置が高価となるば
かりでなく、断熱板の経時変化によりリードフレーム上
に樹脂バリが発生し易くなるという問題点があつた。
レス型締圧作用時にはスペーサブロツクと各ポストとが
略同一平面となるため、各ポストとスペーサブロツクを
介して定盤（２）の熱がベースに伝達され易くなり、ベ
ースには必ず断熱板が必要となり、装置が高価となるば
かりでなく、断熱板の経時変化によりリードフレーム上
に樹脂バリが発生し易くなるという問題点があつた。
また、各ポストとスペーサブロツクの高さ寸法は、加
工時の金型のパーテイング面の面当りを確認しながら現
物合せ的に修正しなければならず、組立作業が複雑化す
るという問題点があつた。
工時の金型のパーテイング面の面当りを確認しながら現
物合せ的に修正しなければならず、組立作業が複雑化す
るという問題点があつた。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされ
たもので、ポストにより定盤の温度が断熱され、ベース
の断熱板を廃止でき、しかも、各ポストとスペーサブロ
ツクの高さ寸法を容易に定めることができ、更に、均一
な型締面を得ることができる半導体装置の樹脂封止方法
及びその装置を得ることを目的とする。
たもので、ポストにより定盤の温度が断熱され、ベース
の断熱板を廃止でき、しかも、各ポストとスペーサブロ
ツクの高さ寸法を容易に定めることができ、更に、均一
な型締面を得ることができる半導体装置の樹脂封止方法
及びその装置を得ることを目的とする。
第１の発明は、半導体素子をリードフレーム上に装着
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止方法において、金型を固定した定盤の平面部両外側
に一対のスペーサブロックを配置すると共に、上記一対
のスペーサブロックよりも内側において、弾性圧縮変形
し得る多数のポストで上記定盤を支持し、加圧時におい
て、上記多数のポストが弾性圧縮変形した場合に、上記
一対のスペーサブロックに対し上記定盤を浮いた状態で
維持させ、この状態で半導体装置を封止成形している。
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止方法において、金型を固定した定盤の平面部両外側
に一対のスペーサブロックを配置すると共に、上記一対
のスペーサブロックよりも内側において、弾性圧縮変形
し得る多数のポストで上記定盤を支持し、加圧時におい
て、上記多数のポストが弾性圧縮変形した場合に、上記
一対のスペーサブロックに対し上記定盤を浮いた状態で
維持させ、この状態で半導体装置を封止成形している。
第２の発明は、半導体素子をリードフレーム上に装着
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平
面部両外側に配置された一対のスペーサブロック、この
一対のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持
し、弾性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポス
トと上記一対のスペーサブロックを支持するベースを備
え、上記一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記多数
のポストの高さ寸法より低く設定すると共に、その寸法
差は加圧時において上記多数のポストが弾性圧縮変形し
た場合に上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触
しない寸法としている。
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平
面部両外側に配置された一対のスペーサブロック、この
一対のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持
し、弾性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポス
トと上記一対のスペーサブロックを支持するベースを備
え、上記一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記多数
のポストの高さ寸法より低く設定すると共に、その寸法
差は加圧時において上記多数のポストが弾性圧縮変形し
た場合に上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触
しない寸法としている。
第３の発明は、半導体素子をリードフレーム上に装着
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平
面部両外側に配置された一対のスペーサブロック、この
一対のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持
し、弾性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポス
トと上記一対のスペーサブロックを支持するベースを備
え、上記多数のポストは、上記定盤のキャビティ部近傍
を支持する多数の第１のポストと、上記定盤のポット部
近傍を支持する少数の第２のポストで構成し、上記ポッ
ト部は上記キャビティ部より上記定盤の中央部に位置
し、上記一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記第
１、第２のポストの高さ寸法より低くすると共に、上記
第１のポストの高さ寸法を上記第２のポストの高さ寸法
よりも高くし、加圧時において上記各ポストが弾性圧縮
変形した場合に、上記定盤が上記一対のスペーサブロッ
クに接触しない寸法としている。
した後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂
封止装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平
面部両外側に配置された一対のスペーサブロック、この
一対のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持
し、弾性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポス
トと上記一対のスペーサブロックを支持するベースを備
え、上記多数のポストは、上記定盤のキャビティ部近傍
を支持する多数の第１のポストと、上記定盤のポット部
近傍を支持する少数の第２のポストで構成し、上記ポッ
ト部は上記キャビティ部より上記定盤の中央部に位置
し、上記一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記第
１、第２のポストの高さ寸法より低くすると共に、上記
第１のポストの高さ寸法を上記第２のポストの高さ寸法
よりも高くし、加圧時において上記各ポストが弾性圧縮
変形した場合に、上記定盤が上記一対のスペーサブロッ
クに接触しない寸法としている。
この発明における半導体装置の樹脂封止方法及びその
装置は、金型又は定盤が弾性圧縮変形し得る断面寸法で
構成された複数のポストで断熱且つ加圧されるため、金
型又は定盤の熱はポストで大幅に断熱され、ベースの断
熱板が不要となり、更に、複数のポストの弾性圧縮変形
により、加圧時のプレスの変形が吸収されるため、ポス
トの高さ寸法を現物合せ的に修正することなく、リード
フレームを均等に加圧でき、リードフレーム上の樹脂バ
リの発生を確実に且つ長期に亘つて防止できる。
装置は、金型又は定盤が弾性圧縮変形し得る断面寸法で
構成された複数のポストで断熱且つ加圧されるため、金
型又は定盤の熱はポストで大幅に断熱され、ベースの断
熱板が不要となり、更に、複数のポストの弾性圧縮変形
により、加圧時のプレスの変形が吸収されるため、ポス
トの高さ寸法を現物合せ的に修正することなく、リード
フレームを均等に加圧でき、リードフレーム上の樹脂バ
リの発生を確実に且つ長期に亘つて防止できる。
以下この発明の一実施例を第１図ないし第２図で説明
する。図において、（20）はランナー（20a）とキヤビ
テイ（20b）とゲート（20c）を有するチエイスブロツ
ク、（21）はポツト（21a）とランナ（21b）を有するチ
ヤンバブロツク、（22）は上，下型の位置合せをするガ
イドピン、（23）は封止後の製品取出用のエジエクター
機構、（24）は半導体素子がボンデイングされたリード
フレーム、（25）はキヤビテイ（20b）の近くに配置し
た第１のポスト、（26）はチヤンバブロツク（21）の下
に配置した第２のポストである。ここで、ポスト（25）
はポスト（26）よりＢ寸法だけ長く、スペーサブロツク
（４）よりＡ寸法だけ長い構成となつている。更に、定
盤（２）とスペーサブロツク（４）はフローテイング結
合となつており、定盤（２）はスペーサブロツク（４）
に対し浮かした状態に配置されていると共に、定盤
（２）の上方への浮き上がりはスペーサブロツク（４）
の一部（図示せず）で防止している。
する。図において、（20）はランナー（20a）とキヤビ
テイ（20b）とゲート（20c）を有するチエイスブロツ
ク、（21）はポツト（21a）とランナ（21b）を有するチ
ヤンバブロツク、（22）は上，下型の位置合せをするガ
イドピン、（23）は封止後の製品取出用のエジエクター
機構、（24）は半導体素子がボンデイングされたリード
フレーム、（25）はキヤビテイ（20b）の近くに配置し
た第１のポスト、（26）はチヤンバブロツク（21）の下
に配置した第２のポストである。ここで、ポスト（25）
はポスト（26）よりＢ寸法だけ長く、スペーサブロツク
（４）よりＡ寸法だけ長い構成となつている。更に、定
盤（２）とスペーサブロツク（４）はフローテイング結
合となつており、定盤（２）はスペーサブロツク（４）
に対し浮かした状態に配置されていると共に、定盤
（２）の上方への浮き上がりはスペーサブロツク（４）
の一部（図示せず）で防止している。
また、定盤（２）のキャビティ（20b）近傍を支持す
るポスト（25）は定盤（２）に加わる型締め力を受けて
弾性圧縮変形第２図のようにδ1,δ２だけし、定盤
（２）のポット（21a）近傍を支持するポスト（26）は
プランジヤ（図示せず）作動時にその圧力を受けて同様
に所定量だけ弾性圧縮変形するものであり、いずれも弾
性圧縮変形した状態においてもスペーサブロツク（４）
の高さ寸法よりも高くなる様に構成されている。なお、
図１（イ）に示すように、ポット（21a）はキャビティ
（20b）より定盤（２）の中央部に位置する。
るポスト（25）は定盤（２）に加わる型締め力を受けて
弾性圧縮変形第２図のようにδ1,δ２だけし、定盤
（２）のポット（21a）近傍を支持するポスト（26）は
プランジヤ（図示せず）作動時にその圧力を受けて同様
に所定量だけ弾性圧縮変形するものであり、いずれも弾
性圧縮変形した状態においてもスペーサブロツク（４）
の高さ寸法よりも高くなる様に構成されている。なお、
図１（イ）に示すように、ポット（21a）はキャビティ
（20b）より定盤（２）の中央部に位置する。
その他の符号の説明は従来装置と同様につき省略す
る。
る。
次に動作について説明する。まず、上型と下型がプレ
スに取付けられて加圧された後、樹脂が注入されると、
この樹脂はポツト（21a）からランナー（21b）を通り、
更に、チエイスブロツク（20）のランナー（20a）を経
由してキヤビテイ（20b）に流入し、予めチエイスブロ
ツク（20）に装着されていた半導体素子を封止する。な
お、この半導体素子はリードフレーム（24）にボンデイ
ングされ金線で配線された状態で本装置に装着されてい
る。
スに取付けられて加圧された後、樹脂が注入されると、
この樹脂はポツト（21a）からランナー（21b）を通り、
更に、チエイスブロツク（20）のランナー（20a）を経
由してキヤビテイ（20b）に流入し、予めチエイスブロ
ツク（20）に装着されていた半導体素子を封止する。な
お、この半導体素子はリードフレーム（24）にボンデイ
ングされ金線で配線された状態で本装置に装着されてい
る。
ところで、プレスによる加圧時には、まず、ポスト
（25）に加圧力がかかるが、このポスト（25）はキヤビ
テイ（20b）のすぐ近くに対応して均等に配置されてお
り、ポスト（25）は定盤（２）を介してキヤビテイ（20
b）の部分を均一に加圧することになる。この状態で
は、定盤（２）の部分はポスト（25）の圧縮変形量だけ
ベース板（７）の方へほぼ平行に変位しており、金型の
パーテイング面（12）は均一に加圧された状態で維持さ
れる。また、第２図のようにプレス部分が変形した場合
には、予めポスト（25）の圧縮変形量δ1,δ２を加圧時
のプレス部材の変形量△１の数倍に構成することにより
プレス部材の変形があつても、複数のポスト（25）の弾
性圧縮変形でその変形量△１が容易に吸収され、パーテ
イング面（12）には均一な加圧力が得られる。つまり、
金型のパーテイフグ面（12）の面当りを確認するまでも
なく、予めポスト（25）の高さ寸法を決定でき、装置の
組立作業が容易化される。なお、ポスト（26）のＢ寸法
はチエイスブロツク（20）が樹脂注入圧に対し変形しな
い程度に支持できる寸法とし、またＡ寸法はプレス加圧
時でも定盤（２）とスペーサブロツク（４）が接触しな
い寸法としておくことが必要である。また、スペーサブ
ロック（４）は通常の加圧時には定盤（２）には接触し
ないが、ポスト（26）から僅か下がっているだけであ
り、例えば、異常加圧時には定盤（２）に接触すること
はいうまでもない。
（25）に加圧力がかかるが、このポスト（25）はキヤビ
テイ（20b）のすぐ近くに対応して均等に配置されてお
り、ポスト（25）は定盤（２）を介してキヤビテイ（20
b）の部分を均一に加圧することになる。この状態で
は、定盤（２）の部分はポスト（25）の圧縮変形量だけ
ベース板（７）の方へほぼ平行に変位しており、金型の
パーテイング面（12）は均一に加圧された状態で維持さ
れる。また、第２図のようにプレス部分が変形した場合
には、予めポスト（25）の圧縮変形量δ1,δ２を加圧時
のプレス部材の変形量△１の数倍に構成することにより
プレス部材の変形があつても、複数のポスト（25）の弾
性圧縮変形でその変形量△１が容易に吸収され、パーテ
イング面（12）には均一な加圧力が得られる。つまり、
金型のパーテイフグ面（12）の面当りを確認するまでも
なく、予めポスト（25）の高さ寸法を決定でき、装置の
組立作業が容易化される。なお、ポスト（26）のＢ寸法
はチエイスブロツク（20）が樹脂注入圧に対し変形しな
い程度に支持できる寸法とし、またＡ寸法はプレス加圧
時でも定盤（２）とスペーサブロツク（４）が接触しな
い寸法としておくことが必要である。また、スペーサブ
ロック（４）は通常の加圧時には定盤（２）には接触し
ないが、ポスト（26）から僅か下がっているだけであ
り、例えば、異常加圧時には定盤（２）に接触すること
はいうまでもない。
このように、ポスト（25）（26）は、弾性圧縮変形し
得る断面寸法に構成されて定盤（２）の熱を断熱してい
るので、実験値によると金型のパーテイング面（12）の
温度が180℃の場合、ベース（７）の温度は60℃とな
り、実用上問題にならない温度まで断熱できたことを確
認している。これを従来装置の場合と比較すると、ベー
ス（７）の上部の温度は従来装置で120℃であつたもの
が第１表のとおりホスト（25）（26）の作用で60℃に下
がり、ポスト（25）（26）は充分な断熱効果を発揮する
ことが明確である。
得る断面寸法に構成されて定盤（２）の熱を断熱してい
るので、実験値によると金型のパーテイング面（12）の
温度が180℃の場合、ベース（７）の温度は60℃とな
り、実用上問題にならない温度まで断熱できたことを確
認している。これを従来装置の場合と比較すると、ベー
ス（７）の上部の温度は従来装置で120℃であつたもの
が第１表のとおりホスト（25）（26）の作用で60℃に下
がり、ポスト（25）（26）は充分な断熱効果を発揮する
ことが明確である。
ところで、上記説明ではポスト（25）は断熱円形状と
したもので説明したが、第３図のように、キヤビテイ
（20b）間に角形の支柱を配置し、これを他の部分のポ
スト（26）やスペーサブロツク（４）よりも長く構成し
たものでも同様の効果を奏する。
したもので説明したが、第３図のように、キヤビテイ
（20b）間に角形の支柱を配置し、これを他の部分のポ
スト（26）やスペーサブロツク（４）よりも長く構成し
たものでも同様の効果を奏する。
また更に、ポスト（25）（26）を定盤（２）とベース
（７）との間に配置するもので説明したが、金型と定盤
（２）との間にポストを配置し、このポストで金型自体
を直接加圧する構成のものでも同様の効果を奏すること
になる。
（７）との間に配置するもので説明したが、金型と定盤
（２）との間にポストを配置し、このポストで金型自体
を直接加圧する構成のものでも同様の効果を奏すること
になる。
以上のようにこの第一の発明は、加圧時において、多
数のポストが弾性圧縮変形した場合に、一対のスペーサ
ブロックに対し定盤を浮いた状態で維持させ、この状態
で半導体装置を封止成形するようにし、また、この発明
の第二の発明は一対のスペーサブロックの高さ寸法を多
数のポストの高さ寸法より低く設定すると共に、その寸
法差は加圧時において上記多数のポストが弾性圧縮変形
した場合に、定盤が上記一対のスペーサブロックに接触
しない寸法としたので、加工時の金型のパーティング面
の当たりを確認するまでもなく、各ポストとスペーサブ
ロックの高さ寸法を容易に設定できるばかりでなく、更
には、金型又は定盤の熱が断熱され、高価な断熱材を廃
止でき、装置を安価に製造できるばかりでなく、断熱材
の経年変化に起因する不均一な型締面の発生などの装置
の信頼性の低下を防止できる効果がある。また、この発
明の第三の発明は、一対のスペーサブロックよりも内側
で定盤を支持し、弾性圧縮変形し得る多数のポストを備
え、上記多数のポストは、上記定盤のキャビティ部近傍
を支持する多数の第１のポストと、上記定盤のポット部
近傍を支持する少数の第２のポストで構成し、上記一対
のスペーサブロックの高さ寸法を上記第１、第２のポス
トの高さ寸法より低くすると共に、上記第１のポストの
高さ寸法を上記第２のポストの高さ寸法よりも高くし、
加圧時において上記各ポストが弾性圧縮変形した場合
に、上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触しな
い寸法としたので、まず、リードフレームが配置されて
いるキャビティ部近傍が高い方の第１のポストで均一に
型締され、次に、樹脂注入時に低い方の第２のポストで
ポット部近傍を加圧して樹脂注入圧を支えることにな
り、チェイスブロックなどの変形が防止され、リードフ
レーム上の樹脂バリの発生を確実に防止できる効果があ
る。
数のポストが弾性圧縮変形した場合に、一対のスペーサ
ブロックに対し定盤を浮いた状態で維持させ、この状態
で半導体装置を封止成形するようにし、また、この発明
の第二の発明は一対のスペーサブロックの高さ寸法を多
数のポストの高さ寸法より低く設定すると共に、その寸
法差は加圧時において上記多数のポストが弾性圧縮変形
した場合に、定盤が上記一対のスペーサブロックに接触
しない寸法としたので、加工時の金型のパーティング面
の当たりを確認するまでもなく、各ポストとスペーサブ
ロックの高さ寸法を容易に設定できるばかりでなく、更
には、金型又は定盤の熱が断熱され、高価な断熱材を廃
止でき、装置を安価に製造できるばかりでなく、断熱材
の経年変化に起因する不均一な型締面の発生などの装置
の信頼性の低下を防止できる効果がある。また、この発
明の第三の発明は、一対のスペーサブロックよりも内側
で定盤を支持し、弾性圧縮変形し得る多数のポストを備
え、上記多数のポストは、上記定盤のキャビティ部近傍
を支持する多数の第１のポストと、上記定盤のポット部
近傍を支持する少数の第２のポストで構成し、上記一対
のスペーサブロックの高さ寸法を上記第１、第２のポス
トの高さ寸法より低くすると共に、上記第１のポストの
高さ寸法を上記第２のポストの高さ寸法よりも高くし、
加圧時において上記各ポストが弾性圧縮変形した場合
に、上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触しな
い寸法としたので、まず、リードフレームが配置されて
いるキャビティ部近傍が高い方の第１のポストで均一に
型締され、次に、樹脂注入時に低い方の第２のポストで
ポット部近傍を加圧して樹脂注入圧を支えることにな
り、チェイスブロックなどの変形が防止され、リードフ
レーム上の樹脂バリの発生を確実に防止できる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す図で、（イ）はその
平面図、（ロ）はその正面図、（ハ）はその側面図、第
２図はこの発明のプレス部のたわみ状態を示す側面図、
第３図はこの発明の他の実施例を示す平面図、第４図は
従来装置を示す正面図、第５図はその部分断面図、第６
図は従来装置のプレス加圧時のパーテイング面のたわみ
曲線図である。 図中、（２）は定盤、（３）はヒータ、（４）はスペー
サブロツク、（７）はベース、（20）はチエイスブロツ
ク、（21）はチヤンバブロツク、（25）（26）はポスト
である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
平面図、（ロ）はその正面図、（ハ）はその側面図、第
２図はこの発明のプレス部のたわみ状態を示す側面図、
第３図はこの発明の他の実施例を示す平面図、第４図は
従来装置を示す正面図、第５図はその部分断面図、第６
図は従来装置のプレス加圧時のパーテイング面のたわみ
曲線図である。 図中、（２）は定盤、（３）はヒータ、（４）はスペー
サブロツク、（７）はベース、（20）はチエイスブロツ
ク、（21）はチヤンバブロツク、（25）（26）はポスト
である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 辰郎 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−26827（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂封止
方法において、金型を固定した定盤の平面部両外側に一
対のスペーサブロックを配置すると共に、上記一対のス
ペーサブロックよりも内側において、弾性圧縮変形し得
る多数のポストで上記定盤を支持し、加圧時において、
上記多数のポストが弾性圧縮変形した場合に、上記一対
のスペーサブロックに対し上記定盤を浮いた状態で維持
させ、この状態で半導体装置を封止成形することを特徴
とする半導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項２】半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂封止
装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平面部
両外側に配置された一対のスペーサブロック、この一対
のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持し、弾
性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポストと上
記一対のスペーサブロックを支持するベースを備え、上
記一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記多数のポス
トの高さ寸法より低く設定すると共に、その寸法差は加
圧時において上記多数のポストが弾性圧縮変形した場合
に上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触しない
寸法としたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装
置。 - 【請求項３】半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する半導体装置の樹脂封止
装置において、金型を固定する定盤、この定盤の平面部
両外側に配置された一対のスペーサブロック、この一対
のスペーサブロックよりも内側で上記定盤を支持し、弾
性圧縮変形し得る多数のポスト、この多数のポストと上
記一対のスペーサブロックを支持するベースを備え、上
記多数のポストは、上記定盤のキャビティ部近傍を支持
する多数の第１のポストと、上記定盤のポット部近傍を
支持する少数の第２のポストで構成し、上記ポット部は
上記キャビティ部より上記定盤の中央部に位置し、上記
一対のスペーサブロックの高さ寸法を上記第１、第２の
ポストの高さ寸法より低くすると共に、上記第１のポス
トの高さ寸法を上記第２のポストの高さ寸法よりも高く
し、加圧時において上記各ポストが弾性圧縮変形した場
合に、上記定盤が上記一対のスペーサブロックに接触し
ない寸法としたことを特徴とする半導体装置の樹脂封止
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63017876A JP2588231B2 (ja) | 1987-07-20 | 1988-01-28 | 半導体装置の樹脂封止方法およびその装置 |
| US07/219,483 US4915608A (en) | 1987-07-20 | 1988-07-15 | Device for resin sealing semiconductor devices |
| US07/447,917 US5059379A (en) | 1987-07-20 | 1989-12-08 | Method of resin sealing semiconductor devices |
| US07/447,866 US4983111A (en) | 1987-07-20 | 1989-12-08 | Device for resin sealing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18029787 | 1987-07-20 | ||
| JP62-180297 | 1987-07-20 | ||
| JP63017876A JP2588231B2 (ja) | 1987-07-20 | 1988-01-28 | 半導体装置の樹脂封止方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01110740A JPH01110740A (ja) | 1989-04-27 |
| JP2588231B2 true JP2588231B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=26354463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63017876A Expired - Lifetime JP2588231B2 (ja) | 1987-07-20 | 1988-01-28 | 半導体装置の樹脂封止方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588231B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226827A (ja) * | 1985-07-27 | 1987-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63017876A patent/JP2588231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01110740A (ja) | 1989-04-27 |
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