JP2587883B2 - 特性ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法 - Google Patents
特性ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法Info
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- JP2587883B2 JP2587883B2 JP3249774A JP24977491A JP2587883B2 JP 2587883 B2 JP2587883 B2 JP 2587883B2 JP 3249774 A JP3249774 A JP 3249774A JP 24977491 A JP24977491 A JP 24977491A JP 2587883 B2 JP2587883 B2 JP 2587883B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特性Ｘ線の角度分解ス
ペクトラム測定方法に関し、特に成膜された被膜の組成
および表面性状等を解析するために用いられる特性Ｘ線
の角度分解スペクトラム測定方法に係わる。
ペクトラム測定方法に関し、特に成膜された被膜の組成
および表面性状等を解析するために用いられる特性Ｘ線
の角度分解スペクトラム測定方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術および課題】電子線またはＸ線などの高速
粒子を被測定物に照射することによって励起された特性
Ｘ線を用いて前記被測定物（例えば基板上に被覆された
被膜）の化学組成の分析を行う方法としては、従来より
ＥＰＭＡ（電子プローグ微小領域分析法）を採用してい
た。しかしなから、かかる方法においては検出深さが数
μｍに及ぶため、極表面（表面から１００オングストロ
ーム以下）の分析には適さないという問題があった。
粒子を被測定物に照射することによって励起された特性
Ｘ線を用いて前記被測定物（例えば基板上に被覆された
被膜）の化学組成の分析を行う方法としては、従来より
ＥＰＭＡ（電子プローグ微小領域分析法）を採用してい
た。しかしなから、かかる方法においては検出深さが数
μｍに及ぶため、極表面（表面から１００オングストロ
ーム以下）の分析には適さないという問題があった。
【０００３】このようなことから、特性Ｘ線を前記被膜
に対する全反射角近傍で検出することにより、極表面に
おける検出効率を高めると同時に極表面に比較して深部
からの特性Ｘ線を遮断して極表面の分析を可能とした全
反射Ｘ線分析法が開発されている。
に対する全反射角近傍で検出することにより、極表面に
おける検出効率を高めると同時に極表面に比較して深部
からの特性Ｘ線を遮断して極表面の分析を可能とした全
反射Ｘ線分析法が開発されている。
【０００４】前記全反射Ｘ線分析法において、特性Ｘ線
の検出感度はＸ線の取出角（基板表面とＸ線入射方向の
なす角）に依存し、Ｘ線の波長と被膜の物質の物性値に
よって決まる全反射角（多くの場合は２゜以下の微小
角）近傍で鋭いピークを持ち、全反射角以下では急激に
強度が低下して零となる。Ｘ線強度を取出角の関数とし
て表わした関係図を角度分解スペクトラムと呼ばれてい
る。前記角度分解スペクトラムは、被膜の表面状態、ま
たは相当する被膜が他の被膜で覆われている状態等によ
って鋭敏に変化する。この現象を利用して角度分解スペ
クトラムの形状から前記被膜の表面状態に関する情報を
得ることが可能となる。
の検出感度はＸ線の取出角（基板表面とＸ線入射方向の
なす角）に依存し、Ｘ線の波長と被膜の物質の物性値に
よって決まる全反射角（多くの場合は２゜以下の微小
角）近傍で鋭いピークを持ち、全反射角以下では急激に
強度が低下して零となる。Ｘ線強度を取出角の関数とし
て表わした関係図を角度分解スペクトラムと呼ばれてい
る。前記角度分解スペクトラムは、被膜の表面状態、ま
たは相当する被膜が他の被膜で覆われている状態等によ
って鋭敏に変化する。この現象を利用して角度分解スペ
クトラムの形状から前記被膜の表面状態に関する情報を
得ることが可能となる。
【０００５】前記角度分解スペクトラムは、従来、成膜
中の場合、成膜を中断して半導体検出器（または基板）
を移動して取出角（高さ）を変化させ、その位置でＸ線
のエネルギー分散スペクトラムなどを測定する動作を繰
り返すことにより測定されている。
中の場合、成膜を中断して半導体検出器（または基板）
を移動して取出角（高さ）を変化させ、その位置でＸ線
のエネルギー分散スペクトラムなどを測定する動作を繰
り返すことにより測定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記角度分解スペクト
ラムの測定に用いられる半導体検出器は、それ自体小型
軽量であるが、液体窒素によって冷却して使用する必要
上、かなりの重量となる。そのため、前記角度分解スペ
クトラムの測定に際して前記半導体検出器を高速かつ高
精度で移動させることが困難となる。その結果、精密な
移動、位置決め操作が複雑となるばかりか、長時間を要
し、実質的な測定時間が長くなるという問題があった。
ラムの測定に用いられる半導体検出器は、それ自体小型
軽量であるが、液体窒素によって冷却して使用する必要
上、かなりの重量となる。そのため、前記角度分解スペ
クトラムの測定に際して前記半導体検出器を高速かつ高
精度で移動させることが困難となる。その結果、精密な
移動、位置決め操作が複雑となるばかりか、長時間を要
し、実質的な測定時間が長くなるという問題があった。
【０００７】本発明は、前記従来の問題点を解消するた
めになされたもので、成膜された被膜等の被測定物から
の特性Ｘ線の角度分解スペクトラムを簡単かつ短時間で
測定することが可能な方法を提供しようとするものであ
る。
めになされたもので、成膜された被膜等の被測定物から
の特性Ｘ線の角度分解スペクトラムを簡単かつ短時間で
測定することが可能な方法を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる特性Ｘ線
の角度分解スペクトラム測定方法は、被測定物に高速粒
子を照射することによって励起された特性Ｘ線をその全
反射角近傍で検出する方法において、前記特性Ｘ線が入
射される半導体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全
反射角を含む取出角の範囲内で可動自在な可動スリット
を配置し、前記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐
次駆動し、前記検出器からの検出信号が入力される多チ
ャンネル解析器を前記可動スリットの駆動と同期して逐
次切替えることにより前記可動スリットの駆動位置で決
められる複数の特性Ｘ線の取出角における特性Ｘ線強度
をそれぞれ測定することを特徴とするものである。
の角度分解スペクトラム測定方法は、被測定物に高速粒
子を照射することによって励起された特性Ｘ線をその全
反射角近傍で検出する方法において、前記特性Ｘ線が入
射される半導体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全
反射角を含む取出角の範囲内で可動自在な可動スリット
を配置し、前記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐
次駆動し、前記検出器からの検出信号が入力される多チ
ャンネル解析器を前記可動スリットの駆動と同期して逐
次切替えることにより前記可動スリットの駆動位置で決
められる複数の特性Ｘ線の取出角における特性Ｘ線強度
をそれぞれ測定することを特徴とするものである。
【０００９】本発明に係わる別の特性Ｘ線の角度分解ス
ペクトラム測定方法は、被測定物に高速粒子を照射する
ことによって励起された特性Ｘ線をその全反射角近傍で
検出する方法において、前記特性Ｘ線が入射される半導
体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を含む
取出角の範囲内で可動自在な可動スリットを配置し、前
記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐次駆動し、前
記検出器からの検出信号が少なくとも１つの単チャンネ
ル解析器を通して入力されるカウンタを前記可動スリッ
トの駆動と同期して逐次切替えることにより前記可動ス
リットの駆動位置で決められる複数の特性Ｘ線の取出角
における特性Ｘ線強度をそれぞれ測定することを特徴と
するものである。
ペクトラム測定方法は、被測定物に高速粒子を照射する
ことによって励起された特性Ｘ線をその全反射角近傍で
検出する方法において、前記特性Ｘ線が入射される半導
体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を含む
取出角の範囲内で可動自在な可動スリットを配置し、前
記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐次駆動し、前
記検出器からの検出信号が少なくとも１つの単チャンネ
ル解析器を通して入力されるカウンタを前記可動スリッ
トの駆動と同期して逐次切替えることにより前記可動ス
リットの駆動位置で決められる複数の特性Ｘ線の取出角
における特性Ｘ線強度をそれぞれ測定することを特徴と
するものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、被測定物（例えば基板上に成
膜された被膜）に電子線、Ｘ線、イオンなどの高速粒子
を照射することによって励起された特性Ｘ線をその全反
射角近傍で検出するに際し、前記特性Ｘ線が入射される
半導体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を
含む取出角の範囲内で可動自在な可動スリットを配置
し、前記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐次駆動
し、前記検出器からの検出信号が入力される多チャンネ
ル解析器、または前記検出信号が少なくとも１つの単チ
ャンネル解析器を通して入力されるカウンタを前記可動
スリットの駆動と同期して逐次切替えることにより前記
可動スリットの駆動位置で決められる複数の特性Ｘ線の
取出角における特性Ｘ線強度をそれぞれ測定することに
よって、前記被測定物（例えば被膜）からの特性Ｘ線の
角度分解スペクトラムを簡単かつ短時間で測定すること
ができる。
膜された被膜）に電子線、Ｘ線、イオンなどの高速粒子
を照射することによって励起された特性Ｘ線をその全反
射角近傍で検出するに際し、前記特性Ｘ線が入射される
半導体検出器の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を
含む取出角の範囲内で可動自在な可動スリットを配置
し、前記可動スリットを前記取出角の範囲内で逐次駆動
し、前記検出器からの検出信号が入力される多チャンネ
ル解析器、または前記検出信号が少なくとも１つの単チ
ャンネル解析器を通して入力されるカウンタを前記可動
スリットの駆動と同期して逐次切替えることにより前記
可動スリットの駆動位置で決められる複数の特性Ｘ線の
取出角における特性Ｘ線強度をそれぞれ測定することに
よって、前記被測定物（例えば被膜）からの特性Ｘ線の
角度分解スペクトラムを簡単かつ短時間で測定すること
ができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 実施例１
【００１２】図１は、本実施例１に用いられる特性Ｘ線
の角度分解スペクトラム測定装置を示す概略図である。
図中の１は特性Ｘ線を検出するための半導体検出器（Ｓ
ＳＤ）である。前記半導体検出器１の特性Ｘ線の入射面
である前面には、可動スリット２が配置されている。前
記可動スリット２は、スリット駆動機構３により駆動さ
れる。前記半導体検出器１の特性Ｘ線入射面側の電極に
は高圧電源４が接続され、かつ前記電極からの検出信号
は増幅器５に接続されている。前記半導体検出器１の前
記電極と反対側に位置する電極は、接地されている。前
記増幅器５は、Ａ／Ｄ変換器６に接続されている。前記
Ａ／Ｄ変換器６は、前記検出信号を複数の多チャンネル
解析器７1 、７2 、７3 …７n に切替えるための切替器
８に接続されている。前記複数の多チャンネル解析器７
1 、７2 、７3 …７n は、インターフェイス９を通して
パーソナルコンピュータ１０に接続されている。前記パ
ーソナルコンピュータ１０は、所定の画像を表示するた
めのＣＲＴ１１に接続されている。また、図中の１２は
前記スリット駆動機構３の駆動および前記切替器８の切
替えを同期して行うための制御器である。なお、前記制
御器１２には前記Ａ／Ｄ変換器５に接続されている。次
に、前記角度分解スペクトラム測定装置を用いて同スペ
クトラムの測定方法を図１および図２を参照して説明す
る。
の角度分解スペクトラム測定装置を示す概略図である。
図中の１は特性Ｘ線を検出するための半導体検出器（Ｓ
ＳＤ）である。前記半導体検出器１の特性Ｘ線の入射面
である前面には、可動スリット２が配置されている。前
記可動スリット２は、スリット駆動機構３により駆動さ
れる。前記半導体検出器１の特性Ｘ線入射面側の電極に
は高圧電源４が接続され、かつ前記電極からの検出信号
は増幅器５に接続されている。前記半導体検出器１の前
記電極と反対側に位置する電極は、接地されている。前
記増幅器５は、Ａ／Ｄ変換器６に接続されている。前記
Ａ／Ｄ変換器６は、前記検出信号を複数の多チャンネル
解析器７1 、７2 、７3 …７n に切替えるための切替器
８に接続されている。前記複数の多チャンネル解析器７
1 、７2 、７3 …７n は、インターフェイス９を通して
パーソナルコンピュータ１０に接続されている。前記パ
ーソナルコンピュータ１０は、所定の画像を表示するた
めのＣＲＴ１１に接続されている。また、図中の１２は
前記スリット駆動機構３の駆動および前記切替器８の切
替えを同期して行うための制御器である。なお、前記制
御器１２には前記Ａ／Ｄ変換器５に接続されている。次
に、前記角度分解スペクトラム測定装置を用いて同スペ
クトラムの測定方法を図１および図２を参照して説明す
る。
【００１３】まず、図２に示すように基板１３上に成膜
された被膜１４に電子線１５を照射することにより、励
起された特性Ｘ線１６は所定の取出角（Θt）で可動ス
リット２を通して半導体検出器１に入射される。なお、
図２中のＬはＸ線発生位置と可動スリット２の距離、ｈ
は前記スリット２の前記被膜１４表面からの高さを示
す。前記半導体検出器１に特性Ｘ線が入射されると、前
記検出器１で電気信号（検出信号；パルス）に変換さ
れ、その波高値をＡ／Ｄ変換器６でＡ／Ｄ変換し、切替
器８に出力される。この時、制御器１２によりスリット
駆動機構３の駆動および前記切替器８の切替えを同期さ
せることにより、前記可動スリット２の駆動と同期して
前記Ａ／Ｄ変換後の信号を前記切替器８を通して所定の
多チャンネル解析器（例えば７1 ）に切替えられ、前記
多チャンネル解析器７1 で所定のスリット位置に対応す
るエネルギー分散スペクトラムが得られる。前記多チャ
ンネル解析器からの信号は、インターフェース９および
パーソナルコンピュータ１０を通してＣＲＴ１１に前記
エネルギー分散スペクトラムに基づく特性Ｘ線の角度分
解スペクトラムが表示される。
された被膜１４に電子線１５を照射することにより、励
起された特性Ｘ線１６は所定の取出角（Θt）で可動ス
リット２を通して半導体検出器１に入射される。なお、
図２中のＬはＸ線発生位置と可動スリット２の距離、ｈ
は前記スリット２の前記被膜１４表面からの高さを示
す。前記半導体検出器１に特性Ｘ線が入射されると、前
記検出器１で電気信号（検出信号；パルス）に変換さ
れ、その波高値をＡ／Ｄ変換器６でＡ／Ｄ変換し、切替
器８に出力される。この時、制御器１２によりスリット
駆動機構３の駆動および前記切替器８の切替えを同期さ
せることにより、前記可動スリット２の駆動と同期して
前記Ａ／Ｄ変換後の信号を前記切替器８を通して所定の
多チャンネル解析器（例えば７1 ）に切替えられ、前記
多チャンネル解析器７1 で所定のスリット位置に対応す
るエネルギー分散スペクトラムが得られる。前記多チャ
ンネル解析器からの信号は、インターフェース９および
パーソナルコンピュータ１０を通してＣＲＴ１１に前記
エネルギー分散スペクトラムに基づく特性Ｘ線の角度分
解スペクトラムが表示される。
【００１４】前記可動スリット２の駆動、およびこれに
同期した前記切替器８による多チャンネル解析器の切替
えを逐次行うことにより図３に示すスリット駆動の位置
と時間ダイヤグラムの関係を示す特性図が得られる。ま
た、同図３のＡ部におけるスリット位置、多チャンネル
解析器（ＭＣＡ）切替指令パルス、ＭＣＡｎオープンお
よびＭＣＡからパーソナルコンピュータへのデータ転送
指令は図４に示すタイミング図に従ってなされ、スリッ
ト幅を０．３ｍｍとした場合、各スリット位置における
分析時間は２．８秒となる。
同期した前記切替器８による多チャンネル解析器の切替
えを逐次行うことにより図３に示すスリット駆動の位置
と時間ダイヤグラムの関係を示す特性図が得られる。ま
た、同図３のＡ部におけるスリット位置、多チャンネル
解析器（ＭＣＡ）切替指令パルス、ＭＣＡｎオープンお
よびＭＣＡからパーソナルコンピュータへのデータ転送
指令は図４に示すタイミング図に従ってなされ、スリッ
ト幅を０．３ｍｍとした場合、各スリット位置における
分析時間は２．８秒となる。
【００１５】前述した測定により求めた特性Ｘ線の角度
分解スペクトラムに基づいて、図５に示すスリット変位
量と特性Ｘ線の計数との関係を示す特性図が得られ、か
かる特性図から前記被膜１４の組成や表面状態が評価さ
れる。
分解スペクトラムに基づいて、図５に示すスリット変位
量と特性Ｘ線の計数との関係を示す特性図が得られ、か
かる特性図から前記被膜１４の組成や表面状態が評価さ
れる。
【００１６】したがって、本実施例１によれば可動スリ
ットを小型軽量とすることができるので、高速動作（例
えば数１０Ｈｚ）が可能となる。このため、各多チャン
ネル解析器はスリットの各位置、つまり各取出角におけ
る特性Ｘ線を時分割により実質的に同時に測定すること
が可能となる。測定に必要な時間は、有義なスペクトラ
ムを構成するのに必要なＸ線に入射粒子数が得られる時
間が支配的となり、位置の変更制御に要する時間は実質
上無視することができる。前記時間を十分に短くすれ
ば、成膜を中断せずにオンラインで計測することも可能
である。 実施例２
ットを小型軽量とすることができるので、高速動作（例
えば数１０Ｈｚ）が可能となる。このため、各多チャン
ネル解析器はスリットの各位置、つまり各取出角におけ
る特性Ｘ線を時分割により実質的に同時に測定すること
が可能となる。測定に必要な時間は、有義なスペクトラ
ムを構成するのに必要なＸ線に入射粒子数が得られる時
間が支配的となり、位置の変更制御に要する時間は実質
上無視することができる。前記時間を十分に短くすれ
ば、成膜を中断せずにオンラインで計測することも可能
である。 実施例２
【００１７】図６は、本実施例２に用いられる特性Ｘ線
の角度分解スペクトラム測定装置を示す概略図である。
なお、前述した図１と同様な部材は同符号を付して説明
を省略する。
の角度分解スペクトラム測定装置を示す概略図である。
なお、前述した図１と同様な部材は同符号を付して説明
を省略する。
【００１８】増幅器５は、複数の単チャンネル解析器１
７1 、１７2 、…１７m に接続されている。前記各単チ
ャンネル解析器１７1 、１７2 、…１７m は、前記検出
信号を複数のカウンタ１８11…１８1n、１８m1…１８mn
に切替えるための前記解析器１７1 、１７2 …７m と同
数の切替器１９1 、…１９m にそれぞれ接続されてい
る。前記カウンタ１８11…１８1n、１８m1…１８mnは、
インターフェイス９を通してパーソナルコンピュータ１
０、所定の画像を表示するためのＣＲＴ１１に接続され
ている。また、図中の１２は前記スリット駆動機構３の
駆動および前記切替器１９1 、、…１９m の切替えを同
期して行うための制御器である。なお、前記切替器１９
1 、…１９m は制御器１２によりそれぞれ同時に切替動
作がなされる。また、前記制御器１２には前記単チャン
ネル解析器１７1 、１７2 、…１７m が接続されてい
る。
７1 、１７2 、…１７m に接続されている。前記各単チ
ャンネル解析器１７1 、１７2 、…１７m は、前記検出
信号を複数のカウンタ１８11…１８1n、１８m1…１８mn
に切替えるための前記解析器１７1 、１７2 …７m と同
数の切替器１９1 、…１９m にそれぞれ接続されてい
る。前記カウンタ１８11…１８1n、１８m1…１８mnは、
インターフェイス９を通してパーソナルコンピュータ１
０、所定の画像を表示するためのＣＲＴ１１に接続され
ている。また、図中の１２は前記スリット駆動機構３の
駆動および前記切替器１９1 、、…１９m の切替えを同
期して行うための制御器である。なお、前記切替器１９
1 、…１９m は制御器１２によりそれぞれ同時に切替動
作がなされる。また、前記制御器１２には前記単チャン
ネル解析器１７1 、１７2 、…１７m が接続されてい
る。
【００１９】本実施例２では、前述した実施例１で説明
したＡ／Ｄ変換器の代わりに複数の単チャンネル解析器
１７1 、１７2 、…１７m を用い、前記各単チャンネル
解析器１７1 、１７2 、…１７m の出力をカウンタ１８
11…１８1n、１８m1…１８mnにより測定することが可能
である。可動スリット２の駆動に同期して各切替器１９
1 、…１９m により前記カウンタ１８11…１８1n、１８
m1…１８mnに切替え、各カウンタ１８11…１８1n、１８
m1…１８mnでスリットの各位置、つまり各取出角に対応
する特性Ｘ線を計測する。この場合、前記単チャンネル
解析器１７1 、１７2 、…１７m の設定を分析すべき特
定の元素の特性Ｘ線のピーク・エネルギー近傍に設定す
ることにより、特定の元素の特定Ｘ線の角度分解スペク
トラムが得られ、この角度分解スペクトラムに基づいて
実施例１で説明したのと同様な図５に示すスリット変位
量と特性Ｘ線の係数との関係を示す特性図が得られ、か
かる特性図から被膜の組成や表面状態を評価することが
できる。
したＡ／Ｄ変換器の代わりに複数の単チャンネル解析器
１７1 、１７2 、…１７m を用い、前記各単チャンネル
解析器１７1 、１７2 、…１７m の出力をカウンタ１８
11…１８1n、１８m1…１８mnにより測定することが可能
である。可動スリット２の駆動に同期して各切替器１９
1 、…１９m により前記カウンタ１８11…１８1n、１８
m1…１８mnに切替え、各カウンタ１８11…１８1n、１８
m1…１８mnでスリットの各位置、つまり各取出角に対応
する特性Ｘ線を計測する。この場合、前記単チャンネル
解析器１７1 、１７2 、…１７m の設定を分析すべき特
定の元素の特性Ｘ線のピーク・エネルギー近傍に設定す
ることにより、特定の元素の特定Ｘ線の角度分解スペク
トラムが得られ、この角度分解スペクトラムに基づいて
実施例１で説明したのと同様な図５に示すスリット変位
量と特性Ｘ線の係数との関係を示す特性図が得られ、か
かる特性図から被膜の組成や表面状態を評価することが
できる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば角度
分解スペクトラムの測定時間のうち、半導体検出器の移
動、位置の調整に要する時間を省略できるため、全体の
測定時間を短縮することができる。その結果、角度分解
スペクトラムに基づく成膜制御を行なう成膜工程におい
て、その時間を短縮することができる。また、成膜を中
断することなく、オンラインで角度分解スペクトラムを
検出できるため、成膜制御を行なうことが可能となる。
分解スペクトラムの測定時間のうち、半導体検出器の移
動、位置の調整に要する時間を省略できるため、全体の
測定時間を短縮することができる。その結果、角度分解
スペクトラムに基づく成膜制御を行なう成膜工程におい
て、その時間を短縮することができる。また、成膜を中
断することなく、オンラインで角度分解スペクトラムを
検出できるため、成膜制御を行なうことが可能となる。
【図１】本発明の実施例１で使用した特性Ｘ線の角度分
解スペクトラム測定装置を示す概略図。
解スペクトラム測定装置を示す概略図。
【図２】実施例１の測定操作を説明ための概略図。
【図３】実施例１におけるスリット駆動の位置と時間ダ
イヤグラムとの関係を示す特性図。
イヤグラムとの関係を示す特性図。
【図４】実施例１におけるスリット位置、多チャンネル
解析器（ＭＣＡ）切替指令パルス、ＭＣＡｎオープンお
よびＭＣＡからパーソナルコンピュータへのデータ転送
指令を示すタイミング図。
解析器（ＭＣＡ）切替指令パルス、ＭＣＡｎオープンお
よびＭＣＡからパーソナルコンピュータへのデータ転送
指令を示すタイミング図。
【図５】実施例１におけるスリット変位量と特性Ｘ線の
計数との関係を示す特性図。
計数との関係を示す特性図。
【図６】本発明の実施例２で使用した特性Ｘ線の角度分
解スペクトラム測定装置を示す概略図。
解スペクトラム測定装置を示す概略図。
１…半導体検出器（ＳＳＤ）、２…可動スリット、３…
スリット駆動機構、６…Ａ／Ｄ変換器、８、１９1 …１
９m …切替器、７1 、７2 、７3 …７n …多チャンネル
解析器、１０…パーソナルコンピュータ、１１…ＣＲ
Ｔ、１２…制御器、１３…基板、１４…被膜、１５…電
子線、１６…特性Ｘ線、１７1 、１７2 、…１７m …単
チャンネル解析器、１８11…１８1n、１８m1…１８mn…
カウンタ。
スリット駆動機構、６…Ａ／Ｄ変換器、８、１９1 …１
９m …切替器、７1 、７2 、７3 …７n …多チャンネル
解析器、１０…パーソナルコンピュータ、１１…ＣＲ
Ｔ、１２…制御器、１３…基板、１４…被膜、１５…電
子線、１６…特性Ｘ線、１７1 、１７2 、…１７m …単
チャンネル解析器、１８11…１８1n、１８m1…１８mn…
カウンタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 隆治 東京都港区西新橋１丁目７番２号 株式 会社ライムズ内 (72)発明者 高橋 純三 東京都港区西新橋１丁目７番２号 株式 会社ライムズ内 (72)発明者 宮川 亜夫 東京都港区西新橋１丁目７番２号 株式 会社ライムズ内 (56)参考文献 特開 平４−270953（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−5316（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 被測定物に高速粒子を照射することによ
って励起された特性Ｘ線をその全反射角近傍で検出する
方法において、前記特性Ｘ線が入射される半導体検出器
の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を含む取出角の
範囲内で可動自在な可動スリットを配置し、前記可動ス
リットを前記取出角の範囲内で逐次駆動し、前記検出器
からの検出信号が入力される多チャンネル解析器を前記
可動スリットの駆動と同期して逐次切替えることにより
前記可動スリットの駆動位置で決められる複数の特性Ｘ
線の取出角における特性Ｘ線強度をそれぞれ測定するこ
とを特徴とする特性Ｘ線の角度分解スペクトラム測定方
法。 - 【請求項２】 被測定物に高速粒子を照射することによ
って励起された特性Ｘ線をその全反射角近傍で検出する
方法において、前記特性Ｘ線が入射される半導体検出器
の前面に少なくとも特性Ｘ線の全反射角を含む取出角の
範囲内で可動自在な可動スリットを配置し、前記可動ス
リットを前記取出角の範囲内で逐次駆動し、前記検出器
からの検出信号が少なくとも１つの単チャンネル解析器
を通して入力されるカウンタを前記可動スリットの駆動
と同期して逐次切替えることにより前記可動スリットの
駆動位置で決められる複数の特性Ｘ線の取出角における
特性Ｘ線強度をそれぞれ測定することを特徴とする特性
Ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249774A JP2587883B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 特性ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249774A JP2587883B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 特性ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0587749A JPH0587749A (ja) | 1993-04-06 |
| JP2587883B2 true JP2587883B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17198027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249774A Expired - Lifetime JP2587883B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 特性ｘ線の角度分解スペクトラム測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587883B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000258368A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Jeol Ltd | サウンドモニタ機能を備えたｘ線マイクロアナライザ |
| JP2001235436A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Japan Science & Technology Corp | 斜出射プロトンビーム誘起特性ｘ線分析による試料表面の観察・分析方法およびそのための装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515316A (ja) * | 1974-07-02 | 1976-01-17 | Fukuoka Tokushu Garasu Kk | Saikihanshayokokutsusetsuritsugarasu |
| JPH04270953A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 元素分析方法および元素分析装置ならびに薄膜形成装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249774A patent/JP2587883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587749A (ja) | 1993-04-06 |
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